KR100851194B1 - 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (25)
- 제 1기판;개구부를 갖고 상기 제 1기판 상에 적층된 제 2기판;상기 개구부 내측의 상기 제 1기판 상에 실장된 발광 소자를 포함하며,상기 개구부는 앞/뒤/상 방향이 개방된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 개구부에 일정 형태로 채워지는 몰드 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 2항에 있어서,상기 몰드 부재는 형광체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치
- 제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 몰드 부재는 볼록형, 오목형, 플랫형 중 어느 하나의 형태로 형성되는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 개구부의 좌/우 측벽은 반사 프레임이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 개구부는 상기 제 2기판을 좌/우로 분리하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 개구부의 좌/우 측벽에는 제 2기판의 반사프레임이 형성되며,상기 제 2기판의 반사프레임은 수직형 또는 경사진 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 개구부 하측의 제 1기판에는 상기 발광 소자의 전원 공급을 위한 복수개의 리드 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 8항에 있어서,상기 리드 전극에는 적어도 하나의 방열 구멍이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 8항에 있어서,상기 발광 소자는 상기 리드 전극에 와이어 본딩 또는 플립 칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 기판과 제 2기판은 본드 시트, 에폭시, 접착제 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 접착되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2기판 상에 개구부를 갖고 적층되는 하나 이상의 제 3기판을 포함하는 발광 장치.
- 제 12항에 있어서,상기 제 2기판의 개구부 직경 보다 제 3기판의 개구부 직경이 더 큰 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 2항에 있어서,상기 몰드 부재의 앞뒤 방향의 폭(W)은 상기 제 1기판 및 제 2기판의 앞뒤 방향의 폭과 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 개구부 내측의 제 1기판 상에는 적어도 하나의 발광 소자가 실장되는 발광 장치.
- 제 1항 또는 제 15항에 있어서,상기 발광 소자는 레드, 그린, 블루 발광 다이오드 중 적어도 하나를 포함하는 발광 장치.
- 상기 제 1항의 발광 장치가 하나 이상 배열된 것을 포함하는 액정 표시장치의 백라이트 장치.
- 제 17항에 있어서,상기 발광 장치의 개구부 일측으로 출사된 광의 경로를 변경시켜 주기 위한 반사판이 설치된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 백라이트 장치.
- 제 1기판에 리드 전극을 형성하는 단계;상기 제 1기판 상에 앞/뒤/상/하 방향으로 개방된 개구부가 형성된 제 2기판을 적층하여, 상기 제 2기판의 개구부를 앞/뒤/상 방향으로 개방시키는 단계;상기 개구부 하측으로 노출되는 제 1기판의 리드 전극에 발광 소자를 실장하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조방법.
- 제 19항에 있어서,상기 발광 소자 및 개구부 영역에 몰드 부재를 형성하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조방법.
- 제 20항에 있어서,상기 몰드 부재는 투명 에폭시 또는 실리콘 중 하나 이상을 포함하는 발광 장치 제조방법.
- 제 20항에 있어서,상기 몰드 부재는 제 2 기판의 개구부에서 볼록, 오목, 플랫 형태 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치 제조방법.
- 제 19항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2기판을 적어도 하나의 발광 소자를 갖는 패키지 단위로 커팅하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조방법.
- 제 19항에 있어서,상기 제 1기판 및 제 2기판은 접착 부재에 의해 일체로 접착되는 것을 특징으로 하는 발광 장치 제조방법.
- 제 19항에 있어서,상기 제 2기판의 개구부 측벽에는 반사 프레임이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치 제조방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060080216A KR100851194B1 (ko) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치 |
JP2007214387A JP5160837B2 (ja) | 2006-08-24 | 2007-08-21 | 発光装置及びその製造方法、ライトユニット |
US11/844,837 US8704263B2 (en) | 2006-08-24 | 2007-08-24 | Light emitting apparatus with an opening part, manufacturing method thereof, and light unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060080216A KR100851194B1 (ko) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080018309A KR20080018309A (ko) | 2008-02-28 |
KR100851194B1 true KR100851194B1 (ko) | 2008-08-08 |
Family
ID=39112529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060080216A KR100851194B1 (ko) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8704263B2 (ko) |
JP (1) | JP5160837B2 (ko) |
KR (1) | KR100851194B1 (ko) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008051928A1 (de) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrischer Anschlussleiter für ein Halbleiterbauelement, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlussleiters |
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CN101692441B (zh) * | 2009-04-16 | 2012-04-11 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 一种印刷电路板封装结构 |
US8441020B2 (en) * | 2010-03-10 | 2013-05-14 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diode wafer-level package with self-aligning features |
KR101724707B1 (ko) * | 2010-10-05 | 2017-04-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 라이트 유닛 |
KR101189016B1 (ko) * | 2011-05-20 | 2012-10-08 | 한국광기술원 | 발광다이오드 패키지 |
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KR101222831B1 (ko) * | 2011-09-16 | 2013-01-15 | 삼성전기주식회사 | 전력 모듈 패키지 |
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KR20160062803A (ko) | 2014-11-25 | 2016-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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-
2006
- 2006-08-24 KR KR1020060080216A patent/KR100851194B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-08-21 JP JP2007214387A patent/JP5160837B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-24 US US11/844,837 patent/US8704263B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186297A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5160837B2 (ja) | 2013-03-13 |
KR20080018309A (ko) | 2008-02-28 |
US8704263B2 (en) | 2014-04-22 |
US20080048203A1 (en) | 2008-02-28 |
JP2008053718A (ja) | 2008-03-06 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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