JPWO2020045604A1 - 半導体素子搭載用パッケージ及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1A〜図1Cは、本発明における実施例1の半導体素子搭載用パッケージ1を説明するための図である。図1Aは、本発明における実施例1の半導体素子搭載用パッケージ1の斜視図である。図1Bは、本発明における実施例1の半導体素子搭載用パッケージ1の断面図である。図1Cは、本発明における実施例1の半導体装置の断面図である。図1Aにより、実施例1の半導体素子搭載用パッケージ1のイメージが把握できたと思うので、図1Bの断面図を用いて以下説明する。
以下の実施例2では、図4を用いて、実施例1と異なる点を中心に説明する。
以下の実施例3では、図1Bを用いて、金属反射体4の実施例1及び実施例2と異なった接着方法について説明する。
金属反射体4が有するフランジ部5の構造は、実施例1で説明した構造に限らない。以下の実施例4では、図5を用いて、実施例1と比較して異なる構造のフランジ部5を有する金属反射体4を備える場合について説明する。なお、以下では、実施例1と異なる点を中心に説明する。
枠体としての樹脂枠体3の構造は、実施例1等で説明した構造に限らない。以下の実施例5では、図6A〜図6Cを用いて、実施例1等と比較して異なる構造の樹脂枠体3を備える場合について説明する。なお、以下では、実施例1と異なる点を中心に説明する。
以下の実施例6では、図7を用いて、実施例1〜5と比較して異なる構造の樹脂枠体3を備える場合について説明する。なお、以下では、実施例1等と実施例5と異なる点を中心に説明する。
上記の実施例1〜実施例6では、枠体の一具体例として樹脂枠体3を例に挙げて説明したが、これに限らない。枠体は、セラミック枠体であってもよい。
枠体としてのセラミック枠体19の構造は、実施例7等で説明した構造に限らない。以下の実施例8では、図10を用いて、実施例7等と比較して異なる構造のセラミック枠体19を備える場合について説明する。なお、以下では、実施例7と異なる点を中心に説明する。
上記の実施例1〜実施例8では、パッケージが枠体を備えるとして説明したが、これに限らない。パッケージが枠体を備えない場合も考えられる。
2 リードフレーム
3 樹脂枠体
3a、3b 第1の段差部
4、4a 金属反射体
5、5a フランジ部
6 収容部
7 接着剤
8 領域
10 凸部
11 凹部
15 溝部
16 第2の段差部
17 発光素子
18 ベース基板
19 セラミック枠体
Claims (22)
- リードフレームと、
前記リードフレーム上に前記リードフレームからその上方に向かうにつれて幅広となるような開口面で形成された収容部を有する樹脂枠体と、
前記樹脂枠体の前記収容部に対応する開口部を有し、前記収容部に嵌合する金属反射体とを備え、
前記金属反射体は、前記リードフレームからその上方に向かうにつれて前記開口部の面積が大きくなり、前記開口部の開口面積が大きい側の周囲にフランジ部を有し、
前記フランジ部は、前記樹脂枠体の上面に載置されている
ことを特徴とする半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記リードフレームの上面からの前記フランジ部の最上面の高さは、前記リードフレームの上面からの前記樹脂枠体の最上面の高さよりも高い
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記金属反射体には、
厚みが0.005um〜3.0umの、AgまたはAuまたはNiまたはPdからなるめっきが形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記金属反射体の下端部は、
前記樹脂枠体の下面よりも上方に位置している
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記金属反射体は、
前記収容部の面に嵌合する部分の第1の厚みが、前記フランジ部の第2の厚みよりも薄い
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記金属反射体は、
前記第1の厚みを前記第2の厚みで除した値が0.5以上0.99以下である
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記第1の厚みを前記第2の厚みで除した値は、0.9以上0.99以下である
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記樹脂枠体と前記金属反射体とは、接着剤により接着されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記金属反射体の開口面積が小さい側の周囲には、前記接着剤が形成されていない領域を有する
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記金属反射体が前記収容部に嵌合する領域では、
前記樹脂枠体と、前記金属反射体の開口面積が小さい側の部分との第1の間隔は、前記樹脂枠体と、前記金属反射体の開口面積が大きい側の部分との第2の間隔よりも大きい
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記樹脂枠体と前記金属反射体とは、直接接触している
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記フランジ部の下面は、凸部を有し、
前記樹脂枠体の最上面は凹部を有し、
前記凸部は、前記凹部に係合する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - リードフレームと、
前記リードフレーム上に前記リードフレームからその上方に向かうにつれて幅広となるような開口面で形成された収容部を有する樹脂枠体と、
前記樹脂枠体の収容部に対応する開口部を有し、前記収容部の面に係合する金属反射体とを備え、
前記樹脂枠体の前記開口部の開口面積が大きい側に、前記樹脂枠体の最上面から掘り込まれた第1の段差部を有し、
前記金属反射体は、前記リードフレームからその上方に向かうにつれて前記開口部の面積が大きくなり、前記開口部の開口面積が大きい側の周囲にフランジ部が前記第1の段差部に係合する
こと特徴とする半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記リードフレームの上面から前記樹脂枠体の最上面の高さと、前記リードフレームの上面から前記金属反射体の最上面の高さとは、同じである
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記樹脂枠体の前記第1の段差部の周囲側に、
前記リードフレームの方向に掘り込まれた溝部を有する
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 前記金属反射体の前記フランジ部の周囲で、前記フランジ部の最上面に第2の段差部が形成されている
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 接着剤が前記溝部に形成されている
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 接着剤が前記第2の段差部に形成されている
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体素子搭載用パッケージ。 - 請求項1〜18のいずれか1項の半導体素子搭載用パッケージにおいて、前記リードフレームの上面の、前記収容部内に発光素子が搭載されている
ことを特徴とする半導体装置。 - パターン配線されたベース基板と、
前記ベース基板上に前記ベース基板から上方に向かってまたは向かうにつれて幅広となるような開口面で形成された収容部を有するセラミック枠体と、
前記セラミック枠体の前記収容部に対応する開口部を有し、前記収容部に嵌合する金属反射体とを備え、
前記金属反射体は、前記ベース基板からその上に向かうにつれて前記開口部の面積が大きくなり、前記開口部の開口面積が大きい側の周囲にフランジ部を有し、
前記フランジ部は、前記セラミック枠体の上面に載置されている
ことを特徴とする半導体素子搭載用パッケージ。 - パターン配線されたベース基板と
前記ベース基板上に前記ベース基板から上方に向かってまたは向かうにつれて幅広となるような開口面で形成された収容部を有するセラミック枠体と、
前記セラミック枠体の前記収容部に対応する開口部を有し、前記収容部に嵌合する金属反射体とを備え、
前記セラミック枠体の前記開口部の開口面積が大きい側に、前記セラミック枠体の最上面から掘り込まれた第1の段差部を有し、
前記金属反射体は、前記ベース基板上からその上方に向かうにつれて前記開口部の面積が大きくなり、前記開口部の開口面積が大きい側の周囲にフランジ部が前記第1の段差部に係合する
こと特徴とする半導体素子搭載用パッケージ。 - パターン配線されたベース基板と
前記ベース基板上に嵌合する金属反射体とを備え
前記金属反射体は前記ベース基板と嵌合する部分にフランジ部があって前記ベース基板より上方に向かうにつれ開口部の面積が大きくなる
ことを特徴とする半導体素子搭載用パッケージ。
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