JPH0746823B2 - イメ−ジセンサ - Google Patents
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- JPH0746823B2 JPH0746823B2 JP60086215A JP8621585A JPH0746823B2 JP H0746823 B2 JPH0746823 B2 JP H0746823B2 JP 60086215 A JP60086215 A JP 60086215A JP 8621585 A JP8621585 A JP 8621585A JP H0746823 B2 JPH0746823 B2 JP H0746823B2
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017817 a-Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/448—Array [CCD]
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- H04N2201/024—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted
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- H04N2201/031—Indexing scheme relating to scanning, transmission or reproduction of documents or the like, and to details thereof deleted for picture information pick-up deleted deleted
- H04N2201/03104—Integral pick-up heads, i.e. self-contained heads whose basic elements are a light source, a lens and a photodetector supported by a single-piece frame
- H04N2201/03108—Components of integral heads
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイメージセンサに係り、特に原稿を照射する為
の第１の光を発する第１の発光素子と、基板上に設けら
れ該原稿からの光を検出する為の光電変換素子と、該光
電変換素子を照射する為の第２の光を発する第２の発光
素子と、を有するイメージセンサに係る。
の第１の光を発する第１の発光素子と、基板上に設けら
れ該原稿からの光を検出する為の光電変換素子と、該光
電変換素子を照射する為の第２の光を発する第２の発光
素子と、を有するイメージセンサに係る。
近年、電子技術の発達に伴って、各種の画像伝送或いは
処理装置が普及しつつある。この種の装置においては、
原稿の画像を電気信号に変換する部分すなわちイメージ
センサが不可欠である。イメージセンサは通常、光学的
信号を電気信号に変換する光電変換素子、原稿を照射す
るための光源、原稿からの反射光を光電変換素子に導く
ための光学系（非結像性の物を含む）から構成される。
光電変換素子としては、電荷結合素子（CCD）が用いら
れる事が多いが、CCDはそれ自体は小型であるにもかか
わらず、光学系がミラーやレンズ等の大きな部品から構
成され、装置全体を小型化するのに障害となっていた。
そのため非晶質シリコン（ａ−Si）やCdSe−CdTe等の非
晶質半導体を用いた光電変換素子、光LEDアレイ、結像
性光ファイバー（商品名セルフォック）を用いた、いわ
ゆる密着センサが開発され普及しつつある。非晶質半導
体を用いた光電変換素子としては電極からの電荷担体の
注入を許す光導電型と注入を許さない光ダイオード型と
に分けられる。光導電型は一般に変換効率が高く、大き
な信号を取る事ができるため、高品位の画像信号を得る
事ができるが、反面光入力の変化に対する応答が遅く、
高速動作には向かないとされていた。光導電型の光電変
換素子の前記欠点を補うものとして、バイアス光照射と
呼ばれる方法が知られている。第１図にバイアス光照射
を用いたイメージセンサの１実施例を示す。ここで１は
透明絶縁基板、２は透明絶縁基板１上に堆積された非晶
質半導体層、３は対向電極で、必要によって対向電極３
と非晶質半導体層２の界面に電荷担体注入のための高濃
度ドーピング層を挿入する。非晶質半導体層２と対向電
極３とで光導電素子を形成する。４は電気信号を処理す
るためのICである。原稿５はLEDアレイ６によって光が
照射され、反稿５からの反射光は結像性光ファイバー７
によって対向電極３間の非晶質半導体層２に入射され
る。ここで別のLEDアレイ８が直接非晶質半導体層２に
入射する様に構成され、原稿５からの反射光と同時に非
晶質半導体層２に光が入射する。これをバイアス光照射
と呼ぶ。
処理装置が普及しつつある。この種の装置においては、
原稿の画像を電気信号に変換する部分すなわちイメージ
センサが不可欠である。イメージセンサは通常、光学的
信号を電気信号に変換する光電変換素子、原稿を照射す
るための光源、原稿からの反射光を光電変換素子に導く
ための光学系（非結像性の物を含む）から構成される。
光電変換素子としては、電荷結合素子（CCD）が用いら
れる事が多いが、CCDはそれ自体は小型であるにもかか
わらず、光学系がミラーやレンズ等の大きな部品から構
成され、装置全体を小型化するのに障害となっていた。
そのため非晶質シリコン（ａ−Si）やCdSe−CdTe等の非
晶質半導体を用いた光電変換素子、光LEDアレイ、結像
性光ファイバー（商品名セルフォック）を用いた、いわ
ゆる密着センサが開発され普及しつつある。非晶質半導
体を用いた光電変換素子としては電極からの電荷担体の
注入を許す光導電型と注入を許さない光ダイオード型と
に分けられる。光導電型は一般に変換効率が高く、大き
な信号を取る事ができるため、高品位の画像信号を得る
事ができるが、反面光入力の変化に対する応答が遅く、
高速動作には向かないとされていた。光導電型の光電変
換素子の前記欠点を補うものとして、バイアス光照射と
呼ばれる方法が知られている。第１図にバイアス光照射
を用いたイメージセンサの１実施例を示す。ここで１は
透明絶縁基板、２は透明絶縁基板１上に堆積された非晶
質半導体層、３は対向電極で、必要によって対向電極３
と非晶質半導体層２の界面に電荷担体注入のための高濃
度ドーピング層を挿入する。非晶質半導体層２と対向電
極３とで光導電素子を形成する。４は電気信号を処理す
るためのICである。原稿５はLEDアレイ６によって光が
照射され、反稿５からの反射光は結像性光ファイバー７
によって対向電極３間の非晶質半導体層２に入射され
る。ここで別のLEDアレイ８が直接非晶質半導体層２に
入射する様に構成され、原稿５からの反射光と同時に非
晶質半導体層２に光が入射する。これをバイアス光照射
と呼ぶ。
次に前記構成をしたバイアス光照射を用いた従来のイメ
ージセンサの効果について第５図の波形図を用いて説明
する。原稿５には白と黒との縞が交互に表れているもの
として一定方向に原稿を送り出される。第５図（ａ）は
原稿５からの反射光の強度を示したもので501は白を読
んでいる時で502は黒を読んでいる時である。（ｂ）はL
EDアレイ６のみを点灯している場合の光導電素子の光電
流の変化を示し、（ｃ）はLEDアレイ６とLEDアレイ８と
を両方同時に点灯している時の光電流の変化を示してい
る。第５図（ｂ）及び（ｃ）によって、LEDアレイ８を
点灯すると光導電素子の光電流の変化の応答が速くなる
事がわかる。このため原稿をより高速で移動させる事が
でき高速読取が可能となる。
ージセンサの効果について第５図の波形図を用いて説明
する。原稿５には白と黒との縞が交互に表れているもの
として一定方向に原稿を送り出される。第５図（ａ）は
原稿５からの反射光の強度を示したもので501は白を読
んでいる時で502は黒を読んでいる時である。（ｂ）はL
EDアレイ６のみを点灯している場合の光導電素子の光電
流の変化を示し、（ｃ）はLEDアレイ６とLEDアレイ８と
を両方同時に点灯している時の光電流の変化を示してい
る。第５図（ｂ）及び（ｃ）によって、LEDアレイ８を
点灯すると光導電素子の光電流の変化の応答が速くなる
事がわかる。このため原稿をより高速で移動させる事が
でき高速読取が可能となる。
ただし、バイアス光照射においては、第５図（ｃ）に示
すように光電流503の中にバイアス光による光電流成分5
04が含まれる。光電流値が原稿５からの反射光強度に比
例すれば、光電流503から光電流成分504を引く事によっ
て真の光電流値を求める事ができるが、かならずしも光
電流値が原稿５からの反射光強度に比例せず、正確な光
電流値を求めるためにはバイアス光を弱くせざるを得
ず、光導電素子の応答を十分に速くする事はできなかっ
た。
すように光電流503の中にバイアス光による光電流成分5
04が含まれる。光電流値が原稿５からの反射光強度に比
例すれば、光電流503から光電流成分504を引く事によっ
て真の光電流値を求める事ができるが、かならずしも光
電流値が原稿５からの反射光強度に比例せず、正確な光
電流値を求めるためにはバイアス光を弱くせざるを得
ず、光導電素子の応答を十分に速くする事はできなかっ
た。
上記のように従来のイメージセンサは正確な光電流値を
求めるためにはバイアス光を弱くしなければならず、正
確な光電流を求める事ができずかつ高速応答の可能なイ
メージセンサを得る事ができないという問題点があっ
た。
求めるためにはバイアス光を弱くしなければならず、正
確な光電流を求める事ができずかつ高速応答の可能なイ
メージセンサを得る事ができないという問題点があっ
た。
上記の問題点は原稿を照射する為の第１の光を発する第
１の発光素子と、基板上に設けられ該原稿からの光を検
出する為の光電変換素子と、該光電変換素子を照射する
為の第２の光を発する第２の発光素子と、を有するイメ
ージセンサにおいて、 該第１及び第２の発光素子と前記光電変換素子との間に
は前記第１の光を遮光し且つ前記第２の光を透過する遮
光層が設けられ、 該第１の光は該遮光層の存在しない窓を介して前記原稿
に照射され前記第２の光は前記遮光層を介して前記光電
変換素子に照射されるべく前記第１及び第２の発光素子
が共に前記基板の一方の面側に配されており、 前記第２の光が前記光電変換素子の半導体層の光学的バ
ンドギャップよりも小さいフォトエネルギーの光である
ことを特徴とする本発明のイメージセンサによって解決
される。
１の発光素子と、基板上に設けられ該原稿からの光を検
出する為の光電変換素子と、該光電変換素子を照射する
為の第２の光を発する第２の発光素子と、を有するイメ
ージセンサにおいて、 該第１及び第２の発光素子と前記光電変換素子との間に
は前記第１の光を遮光し且つ前記第２の光を透過する遮
光層が設けられ、 該第１の光は該遮光層の存在しない窓を介して前記原稿
に照射され前記第２の光は前記遮光層を介して前記光電
変換素子に照射されるべく前記第１及び第２の発光素子
が共に前記基板の一方の面側に配されており、 前記第２の光が前記光電変換素子の半導体層の光学的バ
ンドギャップよりも小さいフォトエネルギーの光である
ことを特徴とする本発明のイメージセンサによって解決
される。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
先ず、バイアス光照射の原理について図を用いて説明す
る。第６図は非晶質半導体のバンドギャップ（正確には
モビリティギャップ）の状態を模式的に示した図であ
り、14は電子、15は正孔、16は電子のトラップとなる局
在準位である。ECは伝導帯のバンド端のエネルギー、EV
は価電子帯のバンド端のエネルギーを示す。（ａ）はバ
イアス光が照射されない状態で、原稿からの反射光が照
射された直後のバンド図であり、伝導帯に電子、価電子
帯に正孔が励起されている。しかし、励起された電子の
多くはトラップ16に落ちてゆくため伝導帯の電子の密度
が上るのにはかなり時間がかかる。もし非晶質半導体に
おいて、電子の易動度に比べ正孔の易動度が十分小さい
と、光電流は電子がトラップを十分に埋めるまで増加し
続ける。（ｂ）はバイアス光が照射されない状態で、原
稿からの光の照射が消えた直後の状態の、バンド図であ
り、トラップに残っていた電子が順次トラップから出て
くるため光電流はただちには０にならない。（ｃ）はバ
イアス光を照射している状態のバンド図で、トラップの
かなりの部分に電子が常に存在している。またトラップ
の電子の一部も伝導帯に励起される。このため次に原稿
からの光が入射すると、空いているトラップが少いため
光電流の立ち上がりは速く、また光が照射されなくなっ
た後の電流の減衰も常にトラップの一部に電子が常に存
在しているために速くなる。しかし反稿からの反射光の
光入射が無い状態でもある程度の光電流が常に流れてい
る。
る。第６図は非晶質半導体のバンドギャップ（正確には
モビリティギャップ）の状態を模式的に示した図であ
り、14は電子、15は正孔、16は電子のトラップとなる局
在準位である。ECは伝導帯のバンド端のエネルギー、EV
は価電子帯のバンド端のエネルギーを示す。（ａ）はバ
イアス光が照射されない状態で、原稿からの反射光が照
射された直後のバンド図であり、伝導帯に電子、価電子
帯に正孔が励起されている。しかし、励起された電子の
多くはトラップ16に落ちてゆくため伝導帯の電子の密度
が上るのにはかなり時間がかかる。もし非晶質半導体に
おいて、電子の易動度に比べ正孔の易動度が十分小さい
と、光電流は電子がトラップを十分に埋めるまで増加し
続ける。（ｂ）はバイアス光が照射されない状態で、原
稿からの光の照射が消えた直後の状態の、バンド図であ
り、トラップに残っていた電子が順次トラップから出て
くるため光電流はただちには０にならない。（ｃ）はバ
イアス光を照射している状態のバンド図で、トラップの
かなりの部分に電子が常に存在している。またトラップ
の電子の一部も伝導帯に励起される。このため次に原稿
からの光が入射すると、空いているトラップが少いため
光電流の立ち上がりは速く、また光が照射されなくなっ
た後の電流の減衰も常にトラップの一部に電子が常に存
在しているために速くなる。しかし反稿からの反射光の
光入射が無い状態でもある程度の光電流が常に流れてい
る。
次に第４図のバンド図を用いて本発明のイメージセンサ
の原理について説明する。
の原理について説明する。
第４図はバイアス光のフォトンエネルギーが光学的バン
ドギャップより小さい場合のバンド図であり、バイアス
光は電子を価電子帯から伝導帯に励起する事はできな
い。したがってバイアス光だけで光電流が流れる事はな
い。しかし電子はトラップから伝導帯に励起されるため
電子がトラップに滞在する時間が短かく、光が当りはじ
めてからより速く電子の密度が一定となる。また光が当
らなくなったあとより速く電流が減衰する。したがって
バイアス光としては、フォトンエネルギーが光学的バン
ドギャップより小さい、すなわちより長波長の光を用い
る事が望ましい。
ドギャップより小さい場合のバンド図であり、バイアス
光は電子を価電子帯から伝導帯に励起する事はできな
い。したがってバイアス光だけで光電流が流れる事はな
い。しかし電子はトラップから伝導帯に励起されるため
電子がトラップに滞在する時間が短かく、光が当りはじ
めてからより速く電子の密度が一定となる。また光が当
らなくなったあとより速く電流が減衰する。したがって
バイアス光としては、フォトンエネルギーが光学的バン
ドギャップより小さい、すなわちより長波長の光を用い
る事が望ましい。
以下上記原理に基づくイメージセンサの構成例について
説明する。
説明する。
イメージセンサの構成は第１図に示した構成と同じであ
る。モノシラン（SiH4）ガスを透明絶縁基板１（コーニ
ング社＃7059）上でガス圧0.1Torr、放電パワー10W、周
波数13.56MHzの高周波電圧でグロー放電分解して透明絶
縁基板１上に膜厚が0.8μの非晶質シリコン（ａ−Si）
膜を形成する。
る。モノシラン（SiH4）ガスを透明絶縁基板１（コーニ
ング社＃7059）上でガス圧0.1Torr、放電パワー10W、周
波数13.56MHzの高周波電圧でグロー放電分解して透明絶
縁基板１上に膜厚が0.8μの非晶質シリコン（ａ−Si）
膜を形成する。
次にSiH4に対して5000ppm相当のフォスフィン（PH3）を
合せて流したガスで放電を行い、Ｐドーピングされたn+
層を0.1μ積層し、さらにA1を真空蒸着する。この後Al
を通常のフォトリソグラフィー工程でパターンニングを
行って電極を形成した。さらにドライエッチングを行っ
て電極間のn+層を除去した。
合せて流したガスで放電を行い、Ｐドーピングされたn+
層を0.1μ積層し、さらにA1を真空蒸着する。この後Al
を通常のフォトリソグラフィー工程でパターンニングを
行って電極を形成した。さらにドライエッチングを行っ
て電極間のn+層を除去した。
ここでLEDアレイ６の中心発光波長は555nm（緑色光）、
LEDアレイ、８は同じく890nm（近赤外光）とした。ここ
で用いられたａ−Si膜は光学的バンドギャップは1.7eV
（波長730nmの光のエネルギーに相当）であったのでLED
アレイ６の光はエネルギーが光学的バンドギャップより
大きくLEDアレイ８の光はエネルギーが光学的バンドギ
ャップより小さい。
LEDアレイ、８は同じく890nm（近赤外光）とした。ここ
で用いられたａ−Si膜は光学的バンドギャップは1.7eV
（波長730nmの光のエネルギーに相当）であったのでLED
アレイ６の光はエネルギーが光学的バンドギャップより
大きくLEDアレイ８の光はエネルギーが光学的バンドギ
ャップより小さい。
次にバイアス光照射の効果を見るために、原稿を白紙と
しLEDアレイ６を点滅させ、その時の光電流の変化を調
べた。第２図（ａ）において201は原稿からの照射光の
強度を示す波形図で、ディーティ比50％の矩形波となっ
ている。202は常時点灯時の照射光の強度を示す。
（ｂ）は（ａ）に示した照射光による光導電素子の光電
流を示す波形図である。203は上記照射光強度201に対応
する光電流であり、204は照射光強度202に対応する光電
流である。本実施例においては201の周波数を100Hz、20
1の点灯時の照度を100lxとした。今、常時点灯時の光電
流204の値をI1、点滅して点灯させた光電流203の最大電
流205の値をI2とし、最小電流206の値をI3とした時、バ
イアス光のない状態、光導電素子面でバイアス光を50μ
W/cm2とした状態、同様にバイアス光を500μW/cm2とし
た状態で、I1,I2,I3の各光電流値を測定した結果を表１
に示す。
しLEDアレイ６を点滅させ、その時の光電流の変化を調
べた。第２図（ａ）において201は原稿からの照射光の
強度を示す波形図で、ディーティ比50％の矩形波となっ
ている。202は常時点灯時の照射光の強度を示す。
（ｂ）は（ａ）に示した照射光による光導電素子の光電
流を示す波形図である。203は上記照射光強度201に対応
する光電流であり、204は照射光強度202に対応する光電
流である。本実施例においては201の周波数を100Hz、20
1の点灯時の照度を100lxとした。今、常時点灯時の光電
流204の値をI1、点滅して点灯させた光電流203の最大電
流205の値をI2とし、最小電流206の値をI3とした時、バ
イアス光のない状態、光導電素子面でバイアス光を50μ
W/cm2とした状態、同様にバイアス光を500μW/cm2とし
た状態で、I1,I2,I3の各光電流値を測定した結果を表１
に示す。
この結果からバイアス光の照度を上げるに従って光の変
化に対する応答性が向上している事が分かる。
化に対する応答性が向上している事が分かる。
以下本発明のイメージセンサの実施例について第３図を
用いて説明する。なお第１図のイメージセンサと同一部
分については同一符号をつける。
用いて説明する。なお第１図のイメージセンサと同一部
分については同一符号をつける。
第３図において、基板ガラス９上に遮光層11が設けら
れ、該遮光層11の一部に窓10が設けられている。遮光層
11は長波長の光に対して透光性を有する材質のものを用
い、例えばａ−Si,a−Ge,又はａ−SiXGe1-X等が用いら
れる。その上に透明絶縁層12が設けられている。光導電
素子は非晶質半導体層２及び対向電極３からなり非晶質
半導体層２及び対向電極３との界面には必要に応じて高
濃度ドーピング層が挿入される。光導電素子の上にはさ
らに透明な耐摩耗層13が設けられている。原稿５には窓
10を通して非晶質半導体層２の光学的バンドギャップよ
り大きいフォトンエネルギーの光がLEDアレイ６によっ
て照射され、原稿５を反射した光は光導電素子に入射す
る。一方フォトンエネルギーが非晶質半導体層２の光学
的バンドギャップより小さいLEDアレイ８の光は遮光層1
1を透過するので、直接光導電素子を照射する事がで
き、バイアス光として用いる事ができる。そして、LED
アレイ６とLED5は共に光導電素子について原稿配置側と
反対側に配置されているので、コンパクトな設計が可能
である。また、本実施例においても第１図の構成例と同
様にLEDアレイ８を用いる事によって光に対する応答性
を著るしく向上させる事ができた。
れ、該遮光層11の一部に窓10が設けられている。遮光層
11は長波長の光に対して透光性を有する材質のものを用
い、例えばａ−Si,a−Ge,又はａ−SiXGe1-X等が用いら
れる。その上に透明絶縁層12が設けられている。光導電
素子は非晶質半導体層２及び対向電極３からなり非晶質
半導体層２及び対向電極３との界面には必要に応じて高
濃度ドーピング層が挿入される。光導電素子の上にはさ
らに透明な耐摩耗層13が設けられている。原稿５には窓
10を通して非晶質半導体層２の光学的バンドギャップよ
り大きいフォトンエネルギーの光がLEDアレイ６によっ
て照射され、原稿５を反射した光は光導電素子に入射す
る。一方フォトンエネルギーが非晶質半導体層２の光学
的バンドギャップより小さいLEDアレイ８の光は遮光層1
1を透過するので、直接光導電素子を照射する事がで
き、バイアス光として用いる事ができる。そして、LED
アレイ６とLED5は共に光導電素子について原稿配置側と
反対側に配置されているので、コンパクトな設計が可能
である。また、本実施例においても第１図の構成例と同
様にLEDアレイ８を用いる事によって光に対する応答性
を著るしく向上させる事ができた。
以上、詳細に説明したように、本発明のイメージセンサ
によれば、バイアス光電流の無効電流成分をなくし、原
稿面からの正確な光電流を求める事ができ、かつ高速応
答の可能なイメージセンサを提供する事ができる。また
本発明のイメージセンサによれば、コンパクトな設計が
可能となる。
によれば、バイアス光電流の無効電流成分をなくし、原
稿面からの正確な光電流を求める事ができ、かつ高速応
答の可能なイメージセンサを提供する事ができる。また
本発明のイメージセンサによれば、コンパクトな設計が
可能となる。
第１図はバイアス光照射を用いたイメージセンサの一構
成例の断面図である。 第２図は本発明のバイアス光照射を用いたイメージセン
サの効果を説明するもので、（ａ）は原稿からの反射光
の強度を示す波形図であり、（ｂ）は光導電素子の光電
流の波形図である。 第３図はバイアス光照射を用いたイメージセンサの一実
施例の断面図である。 第４図は本発明のバイアス光照射を用いたイメージセン
サの原理を説明するためのバンド図である。 第５図は従来のバイアス光照射を用いたイメージセンサ
の効果を説明するもので、（ａ）は原稿からの反射光の
強度を示す波形図であり、（ｂ）はバイアス光照射を用
いない場合の光導電素子の光電流の波形図であり、
（ｃ）はバイアス光照射を用いた場合の光導電素子の光
電流の波形図である。 第６図は従来のイメージセンサの原理を説明するための
バンド図で、（ａ）はバイアス光照射を用いない場合
で、原稿からの反射光が照射された直後のハンド図であ
り、（ｂ）はバイアス光照射を用いない場合で、原稿か
らの反射光が消えた直後のバンド図であり（ｃ）はバイ
アス光照射を用いた場合のバンド図である。 １……透明絶縁基板、２……非晶質半導体層、３……対
向電極、４……IC、５……原稿、７……結像性光ファイ
バー、6,8……LEDアレイ。
成例の断面図である。 第２図は本発明のバイアス光照射を用いたイメージセン
サの効果を説明するもので、（ａ）は原稿からの反射光
の強度を示す波形図であり、（ｂ）は光導電素子の光電
流の波形図である。 第３図はバイアス光照射を用いたイメージセンサの一実
施例の断面図である。 第４図は本発明のバイアス光照射を用いたイメージセン
サの原理を説明するためのバンド図である。 第５図は従来のバイアス光照射を用いたイメージセンサ
の効果を説明するもので、（ａ）は原稿からの反射光の
強度を示す波形図であり、（ｂ）はバイアス光照射を用
いない場合の光導電素子の光電流の波形図であり、
（ｃ）はバイアス光照射を用いた場合の光導電素子の光
電流の波形図である。 第６図は従来のイメージセンサの原理を説明するための
バンド図で、（ａ）はバイアス光照射を用いない場合
で、原稿からの反射光が照射された直後のハンド図であ
り、（ｂ）はバイアス光照射を用いない場合で、原稿か
らの反射光が消えた直後のバンド図であり（ｃ）はバイ
アス光照射を用いた場合のバンド図である。 １……透明絶縁基板、２……非晶質半導体層、３……対
向電極、４……IC、５……原稿、７……結像性光ファイ
バー、6,8……LEDアレイ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小松 利行 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−87563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−101471（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】原稿を照射する為の第１の光を発する第１
の発光素子と、基板上に設けられ該原稿からの光を検出
する為の光電変換素子と、該光電変換素子を照射する為
の第２の光を発する第２の発光素子と、を有するイメー
ジセンサにおいて、 該第１及び第２の発光素子と前記光電変換素子との間に
は前記第１の光を遮光し且つ前記第２の光を透過する遮
光層が設けられ、 該第１の光は該遮光層の存在しない窓を介して前記原稿
に照射され前記第２の光は前記遮光層を介して前記光電
変換素子に照射されるべく前記第１及び第２の発光素子
が共に前記基板の一方の面側に配されており、 前記第２の光が前記光電変換素子の半導体層の光学的バ
ンドギャップよりも小さいフォトエネルギーの光である
ことを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086215A JPH0746823B2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | イメ−ジセンサ |
| US06/850,526 US4737653A (en) | 1985-04-24 | 1986-04-11 | Image sensor with auxiliary light source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60086215A JPH0746823B2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245666A JPS61245666A (ja) | 1986-10-31 |
| JPH0746823B2 true JPH0746823B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=13880556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60086215A Expired - Fee Related JPH0746823B2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | イメ−ジセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4737653A (ja) |
| JP (1) | JPH0746823B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63234667A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-29 | Canon Inc | 原稿読取装置 |
| JP2717583B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1998-02-18 | キヤノン株式会社 | 積層型光起電力素子 |
| GB2228366B (en) * | 1989-02-21 | 1993-09-29 | Canon Kk | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
| JPH0328761U (ja) * | 1989-07-29 | 1991-03-22 | ||
| KR920008899B1 (ko) * | 1989-11-24 | 1992-10-10 | 삼성전자 주식회사 | 밀착형 이미지 센서 |
| US5281803A (en) * | 1990-11-26 | 1994-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and information processing apparatus |
| US5325276A (en) * | 1992-09-10 | 1994-06-28 | United Parcel Service Of America, Inc. | Lighting apparatus for the computer imaging of a surface |
| US5313373A (en) * | 1992-11-25 | 1994-05-17 | United Parcel Service Of America, Inc. | Apparatus for the uniform illumination of a surface |
| US5408084A (en) * | 1993-02-18 | 1995-04-18 | United Parcel Service Of America, Inc. | Method and apparatus for illumination and imaging of a surface using 2-D LED array |
| US5399852A (en) * | 1993-02-19 | 1995-03-21 | United Parcel Service Of America, Inc. | Method and apparatus for illumination and imaging of a surface employing cross polarization |
| JP4150079B2 (ja) * | 1996-07-08 | 2008-09-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体ｘ線検出器を有するｘ線検査装置 |
| JP5016746B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
| DE10220293A1 (de) * | 2002-05-07 | 2003-11-27 | Philips Intellectual Property | Gerät und Verfahren zur Reduktion von Bildartefakten |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3430050A (en) * | 1965-02-15 | 1969-02-25 | Philips Corp | Junction photocell having intermediate level and auxiliary light source to excite intermediate level |
| JPS5848962A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | Hitachi Ltd | 光センサアレイ装置 |
| JPS6087563A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Ricoh Co Ltd | 画像読取装置 |
| US4680644A (en) * | 1984-07-23 | 1987-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for reading an image |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP60086215A patent/JPH0746823B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-04-11 US US06/850,526 patent/US4737653A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61245666A (ja) | 1986-10-31 |
| US4737653A (en) | 1988-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |