JPS58138069A - 画像読取装置 - Google Patents
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- JPS58138069A JPS58138069A JP57019690A JP1969082A JPS58138069A JP S58138069 A JPS58138069 A JP S58138069A JP 57019690 A JP57019690 A JP 57019690A JP 1969082 A JP1969082 A JP 1969082A JP S58138069 A JPS58138069 A JP S58138069A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はレンズを用いず、原稿と画像読取素子が等倍率
に対応した画像読取装置に関するものである。
に対応した画像読取装置に関するものである。
（背景技術）
従来の画像読取装置を第１図に示す。第１図において画
像読取原稿Ｉｌは発光ダイオード１２によって照光され
る。この反射光は正立等倍像が結像する集束レンズ１３
を通して画像読取素子１４へ集束する。原稿１１の濃淡
に対応した反射光の明暗が画像読取素子１４によって電
気変化に変換されることになる。第１図に示した構成を
紙面に対して垂直方向へ多数並べることによって原稿と
画像読取素子が等倍率に対応した画像読取素子アレイが
完成する。
像読取原稿Ｉｌは発光ダイオード１２によって照光され
る。この反射光は正立等倍像が結像する集束レンズ１３
を通して画像読取素子１４へ集束する。原稿１１の濃淡
に対応した反射光の明暗が画像読取素子１４によって電
気変化に変換されることになる。第１図に示した構成を
紙面に対して垂直方向へ多数並べることによって原稿と
画像読取素子が等倍率に対応した画像読取素子アレイが
完成する。
しかしながら、この構成は画像読取素子１４と原稿１１
の間に発光ダイオード１２と集束レンズ１３を配置しな
ければならず、しかも集束レンズ１３の−・方の焦点を
原稿１１０表面に、他方の焦点を画像読取素子１４０表
面に一致させる必要がある。すなわち、上述の画像読取
装置は光学的空間を必要とし、光学的な位置合せを必要
とする欠点があった。
の間に発光ダイオード１２と集束レンズ１３を配置しな
ければならず、しかも集束レンズ１３の−・方の焦点を
原稿１１０表面に、他方の焦点を画像読取素子１４０表
面に一致させる必要がある。すなわち、上述の画像読取
装置は光学的空間を必要とし、光学的な位置合せを必要
とする欠点があった。
これらの欠点を除去する方法として第２図に示す画像読
取装置が知られている。第２図において２１は画像読取
原稿、ｎは画像読取素子であり、画像読取素子ｎは透明
基板ｎ、遮光層２４、絶縁層５、光導電層が、電極（図
示せず）から構成される。
取装置が知られている。第２図において２１は画像読取
原稿、ｎは画像読取素子であり、画像読取素子ｎは透明
基板ｎ、遮光層２４、絶縁層５、光導電層が、電極（図
示せず）から構成される。
これは次のように動作する。光源からの光ｎは透明基板
おへ入射する。そして遮光層別のない照光窓部へ黒山さ
れた光２′７ａは原稿２１へ達し、原稿２１の濃淡に対
応した散乱光２７ｂを光導電層あが受け、散乱光２７ｂ
に対応して電気変化へ変換する。このとき光源からの光
２７ｃは遮光層別によって遮断されるので原稿２１には
到達しない。
おへ入射する。そして遮光層別のない照光窓部へ黒山さ
れた光２′７ａは原稿２１へ達し、原稿２１の濃淡に対
応した散乱光２７ｂを光導電層あが受け、散乱光２７ｂ
に対応して電気変化へ変換する。このとき光源からの光
２７ｃは遮光層別によって遮断されるので原稿２１には
到達しない。
しかしながら遮光層潤はクロム、アルミニウム、モリブ
デン等からなる金属な被着形成しているため、遮光層Ｕ
と光導電層局との間に８ｉＱ、 、 ＡＪ２０３などを
被着形成し、両者を電気的に分離する絶縁層５を必要と
する欠点がある。また、この絶縁層５にピンホールがあ
ると、光２７ｂが光導電層かに照光されていないにもか
かわらず、光導電層あに接続されている電極間（図示せ
ず）には遮光層別を通る電流が流れてしまい、この画像
読取素子ｎは光２７ｂが照光されていると判定してしま
うという欠点があった。
デン等からなる金属な被着形成しているため、遮光層Ｕ
と光導電層局との間に８ｉＱ、 、 ＡＪ２０３などを
被着形成し、両者を電気的に分離する絶縁層５を必要と
する欠点がある。また、この絶縁層５にピンホールがあ
ると、光２７ｂが光導電層かに照光されていないにもか
かわらず、光導電層あに接続されている電極間（図示せ
ず）には遮光層別を通る電流が流れてしまい、この画像
読取素子ｎは光２７ｂが照光されていると判定してしま
うという欠点があった。
（発明の課題）
従って本発明は従来の技術の上記欠点を改善することを
目的とし、その特徴は遮光層が光導電層と同一物質に形
成されることにある。
目的とし、その特徴は遮光層が光導電層と同一物質に形
成されることにある。
本発明によると従来の絶縁層が不要となり構造が簡略化
される。
される。
（発明の構成及び作用）
第３図は本発明の第１の実施例であって第４図は第３図
の画像読取素子の平面図である。第４図のＡ−Ａ’断面
が第３図の画像読取素子である。第３図および第４図に
おいて３１は画像を読取る原稿、３２は画像読取素子で
ある。画像読取素子３２はガラスのような透明基板あの
上へ直接光導電層調を被着形成し、更に、この光導電層
別の上へ電極あを形成する。この光導電層あはアモルフ
ァスシリコンを基本としたもので、ゲルマニウム、炭素
、窒素、燐、ポロンなどを混合することも可能であり、
光の明暗で導電率が変化する性質をもっている。
の画像読取素子の平面図である。第４図のＡ−Ａ’断面
が第３図の画像読取素子である。第３図および第４図に
おいて３１は画像を読取る原稿、３２は画像読取素子で
ある。画像読取素子３２はガラスのような透明基板あの
上へ直接光導電層調を被着形成し、更に、この光導電層
別の上へ電極あを形成する。この光導電層あはアモルフ
ァスシリコンを基本としたもので、ゲルマニウム、炭素
、窒素、燐、ポロンなどを混合することも可能であり、
光の明暗で導電率が変化する性質をもっている。
このアモルファスシリコンはシランガスをグロー放電で
分解して作成する。受光部３６の近くに、光導電層あと
電極あの全くない照光窓３７ａ 、 ３７ｂを設ける。
分解して作成する。受光部３６の近くに、光導電層あと
電極あの全くない照光窓３７ａ 、 ３７ｂを設ける。
これは受光部あで明暗が検出できれば３７ａ或は３７ｂ
だけでもよく、また３７Ｃだけでもよい。
だけでもよく、また３７Ｃだけでもよい。
この画像読取装置では、蛍光灯、発光ダイオード等の光
源からの光３８ａは照光窓３７ａを通って原稿３１へ照
光され、原稿３１で散乱され、受光部あへ入射する。こ
の入射光は受光部で電気量、例えば電流に変換される。
源からの光３８ａは照光窓３７ａを通って原稿３１へ照
光され、原稿３１で散乱され、受光部あへ入射する。こ
の入射光は受光部で電気量、例えば電流に変換される。
この光強度に対応した光電流は電流電圧変換および増幅
されて出力信号となる。
されて出力信号となる。
第３図において受光部は紙面に対して垂直方向にアレイ
状になっており、原稿３１と等倍率で読取ることができ
る。一方、光導電層３４０層さは光源からの光３８ｂの
影響が無視できるように決めなければならない。以下に
その決め方について述べる。
状になっており、原稿３１と等倍率で読取ることができ
る。一方、光導電層３４０層さは光源からの光３８ｂの
影響が無視できるように決めなければならない。以下に
その決め方について述べる。
光の明暗によって導電率が変化する場合、その変化の割
合は、光導電層が充分厚ければ光の強度に比例する。と
ころが、そのときの光導電率は厚さ方向には一定でなく
、ある割合で変化する。これは、光の照射されている表
面に近いほど光の吸収が多いため光導電率は大きくなり
、表面から遠くなると光が到達しないため光導電率は変
化せず小さいままである。光を吸収する割合を吸収係数
という。これらを式で表わすと次のようになる。
合は、光導電層が充分厚ければ光の強度に比例する。と
ころが、そのときの光導電率は厚さ方向には一定でなく
、ある割合で変化する。これは、光の照射されている表
面に近いほど光の吸収が多いため光導電率は大きくなり
、表面から遠くなると光が到達しないため光導電率は変
化せず小さいままである。光を吸収する割合を吸収係数
という。これらを式で表わすと次のようになる。
Δσｐ＝に−Ｆ・α−ｅＸｐ（−αＤ）・・・・・・（
１）ここでΔσ、は表面からの厚さＤのところでの光導
電率、Ｋは材料′に起因する定数、Ｆは光強度、αは吸
収係数である。Ｊ 、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 第４
８巻第１２号第５２２７頁のＰ、Ｊ 、Ｚａｎｚｕｃｃ
ｈｉ等の報告によると光波長５５０ｎｍでのａ−８ｉの
吸収係数αは約５ Ｘ １０’ｍ−”である。従って、
表面からの厚さＤがＱ、９２ｇｎのところでの光導電率
Δσ、は表面の１％に減小していることがわかる。そこ
で、光源からの直接光３８ｂによる光導電率の変化が受
光表面で無視できるように光導電層の厚さＤを決定すれ
ばよい。この関係を明瞭とするため、第５図に光導電層
の厚さＤと光導電率Δσ、関係を示す。光源からの直接
光３８ｂは左から、原稿からの散乱光３８ａは右から照
射されている。ここで散乱３８ａは直接光３８ｂの１／
１０の強度であると仮定すれは、受光置部での光導電率
Δσ、の値Ａは基板面でのそれの値Ｂの１／１０である
。これは（１）式より、光導電率Δσ、は光強度Ｆに比
例することによる。直接光３８ｂによる光導電率は、基
板面から遠くなるに従って対数的に減小し、受光面での
光導電率の値はＣとなる。したがって、散乱光３８ａに
よる光導電率のｉｍＡに対して直接光３８ｂによる値Ｃ
が無視できるように光導電層の厚さＤを決めればよい。
１）ここでΔσ、は表面からの厚さＤのところでの光導
電率、Ｋは材料′に起因する定数、Ｆは光強度、αは吸
収係数である。Ｊ 、Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 第４
８巻第１２号第５２２７頁のＰ、Ｊ 、Ｚａｎｚｕｃｃ
ｈｉ等の報告によると光波長５５０ｎｍでのａ−８ｉの
吸収係数αは約５ Ｘ １０’ｍ−”である。従って、
表面からの厚さＤがＱ、９２ｇｎのところでの光導電率
Δσ、は表面の１％に減小していることがわかる。そこ
で、光源からの直接光３８ｂによる光導電率の変化が受
光表面で無視できるように光導電層の厚さＤを決定すれ
ばよい。この関係を明瞭とするため、第５図に光導電層
の厚さＤと光導電率Δσ、関係を示す。光源からの直接
光３８ｂは左から、原稿からの散乱光３８ａは右から照
射されている。ここで散乱３８ａは直接光３８ｂの１／
１０の強度であると仮定すれは、受光置部での光導電率
Δσ、の値Ａは基板面でのそれの値Ｂの１／１０である
。これは（１）式より、光導電率Δσ、は光強度Ｆに比
例することによる。直接光３８ｂによる光導電率は、基
板面から遠くなるに従って対数的に減小し、受光面での
光導電率の値はＣとなる。したがって、散乱光３８ａに
よる光導電率のｉｍＡに対して直接光３８ｂによる値Ｃ
が無視できるように光導電層の厚さＤを決めればよい。
以上説明したように、第１の実施例では光導電層が光源
からの直接光を遮断する効果を兼ねているため、遮光用
金属および遮光用金属と光導電層との間の絶縁層を必要
としない利点がある。
からの直接光を遮断する効果を兼ねているため、遮光用
金属および遮光用金属と光導電層との間の絶縁層を必要
としない利点がある。
第１の実施例は透明基板側から光源によって光を照射し
たが、第６図に示すような構成でもよい。
たが、第６図に示すような構成でもよい。
すなわちこの場合の画像読取素子３２は、透明基板３３
の上へまず電極あを形成し、更に光導電層別を形成した
ものであり、光３８ａは原稿３１で散乱し、透明基板側
から入射する。このような構成であっても光導電層の厚
さを前述の如く決定すれば光導電層が光源からの直接光
を遮断する効果が、生じる。
の上へまず電極あを形成し、更に光導電層別を形成した
ものであり、光３８ａは原稿３１で散乱し、透明基板側
から入射する。このような構成であっても光導電層の厚
さを前述の如く決定すれば光導電層が光源からの直接光
を遮断する効果が、生じる。
（発明の効果）
本発明は画像読取素子の遮光層が光導電層と同じ材料で
あるため、遮光用金属および遮光用金属と光導電層の間
の絶縁層が不要となるため、作成が簡易となり、安価な
画像読取装置が可能となり、ファクシミリ装置などにも
利用することができる。
あるため、遮光用金属および遮光用金属と光導電層の間
の絶縁層が不要となるため、作成が簡易となり、安価な
画像読取装置が可能となり、ファクシミリ装置などにも
利用することができる。
第１図および第２図は従来の画像読取装置の断面図、第
３図は本発明の一実施例の断面図、第４図は第３図の平
面図、第５図は光導電層の厚さと光導電率との関係を示
す図、第６図は本発明の他の実施例の断面図である。 ３１・・・原稿、３２・・・画像読取素子、お・・・透
明基板、３４・・・光導電層、３５・・・電極、３６・
・・受光部、３７・・・照光窓、あ・・・光。 特許出願人 沖電気工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 山本恵一 本１図 ７ 拭２図 ７ 本３図 策４Ｕ！Ｊ
３図は本発明の一実施例の断面図、第４図は第３図の平
面図、第５図は光導電層の厚さと光導電率との関係を示
す図、第６図は本発明の他の実施例の断面図である。 ３１・・・原稿、３２・・・画像読取素子、お・・・透
明基板、３４・・・光導電層、３５・・・電極、３６・
・・受光部、３７・・・照光窓、あ・・・光。 特許出願人 沖電気工業株式会社 特許出願代理人 弁理士 山本恵一 本１図 ７ 拭２図 ７ 本３図 策４Ｕ！Ｊ
Claims (2)
- （１）被読取画像に対向する透明基板と、該透明基板の
表面の読取画像に対向する側に形成される光導電層と、
該光導電層に接続される電極層と、透明基板を介して読
取画像を照射する照射手段と、該照射手段から光導電層
に直接入射する光をさえぎる遮光手段とを有し、照射さ
れた読取画像からの散乱反射光に従って前記光導電層に
より読取面（ｋと等倍率で受光する画像読取装置におい
て、前記遮光手段が前記光導電層と同一材料で構成され
ることを特徴とする画像読取装置。 - （２）遮光手段が光導電層の膜層の一部により構成され
るごとき特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019690A JPS58138069A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019690A JPS58138069A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138069A true JPS58138069A (ja) | 1983-08-16 |
Family
ID=12006234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57019690A Pending JPS58138069A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60166159U (ja) * | 1984-04-12 | 1985-11-05 | 沖電気工業株式会社 | 密着型イメ−ジセンサ |
| US5430567A (en) * | 1992-09-16 | 1995-07-04 | International Business Machines Corporation | Method of clocking integrated circuit chips |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57019690A patent/JPS58138069A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60166159U (ja) * | 1984-04-12 | 1985-11-05 | 沖電気工業株式会社 | 密着型イメ−ジセンサ |
| US5430567A (en) * | 1992-09-16 | 1995-07-04 | International Business Machines Corporation | Method of clocking integrated circuit chips |
| US5434524A (en) * | 1992-09-16 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Method of clocking integrated circuit chips |
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