JPS6236968A - 原稿読取装置 - Google Patents
原稿読取装置Info
- Publication number
- JPS6236968A JPS6236968A JP60176620A JP17662085A JPS6236968A JP S6236968 A JPS6236968 A JP S6236968A JP 60176620 A JP60176620 A JP 60176620A JP 17662085 A JP17662085 A JP 17662085A JP S6236968 A JPS6236968 A JP S6236968A
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- Japan
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- light
- bias
- photoelectric transducer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリやハンドスキャナー等の入力装
置に用いられる原稿幅と同一の大きさを有し、高速読取
のできる大型イメージセンサの原稿読取装置に関するも
のである。
置に用いられる原稿幅と同一の大きさを有し、高速読取
のできる大型イメージセンサの原稿読取装置に関するも
のである。
従来の技術
従来、この種の原稿読取装置では、例えば特願昭59−
181751号に示されている様に、第3図のような構
造になっていた。
181751号に示されている様に、第3図のような構
造になっていた。
つ壕り第3図の画像読取装置の断面において、LED等
の固体光源5で原稿6を照射し、その反射光3を集束性
フフイバアレイ2で光電変換素子1面上に結像して原稿
6の情報を読み取る時に、光電変換素子1の読取速度に
対応する光応答時間を改善するために、異なる固体光源
9の光をバイアス光8として直接光電変換素子1上に入
射し、光電変換素子1面上で原稿6からの反射光3とバ
イアス光8を重畳する事により高速度で原稿を読み取る
構造となっている。すなわち、光電変換素子1とし2て
、CdS、CdSeおよび固溶体Cd5−CdSe等の
光導電体薄膜を用いた場合の光応答時間(10mspc
程度)を、バイアス光の重畳により4〜.、/、。稈度
斗で知縮して高速読取かできる様にし/こものである。
の固体光源5で原稿6を照射し、その反射光3を集束性
フフイバアレイ2で光電変換素子1面上に結像して原稿
6の情報を読み取る時に、光電変換素子1の読取速度に
対応する光応答時間を改善するために、異なる固体光源
9の光をバイアス光8として直接光電変換素子1上に入
射し、光電変換素子1面上で原稿6からの反射光3とバ
イアス光8を重畳する事により高速度で原稿を読み取る
構造となっている。すなわち、光電変換素子1とし2て
、CdS、CdSeおよび固溶体Cd5−CdSe等の
光導電体薄膜を用いた場合の光応答時間(10mspc
程度)を、バイアス光の重畳により4〜.、/、。稈度
斗で知縮して高速読取かできる様にし/こものである。
発明が解決しようとする問題点
1〜かし、従来の読取方式では、LED等の固体光源が
原稿照明用とバイアス光用と少なくとも2本必要であり
コストダウンが困難である。
原稿照明用とバイアス光用と少なくとも2本必要であり
コストダウンが困難である。
斗だ、連続使用において固体光源の発熱が光電変換素子
の信頼性を落どすと共に、固体光源にも発熱による発光
効率の低下を生じるので、それを補償する余分な周辺回
路が必要となるという問題点があった。
の信頼性を落どすと共に、固体光源にも発熱による発光
効率の低下を生じるので、それを補償する余分な周辺回
路が必要となるという問題点があった。
さらに、原稿照明用とバイアス光用の固体光源では、十
ノ[査方向において光[汁分布が均一でなく、光電変換
素子1の光感度バラツギと巾なって、出力!時性のバラ
ツギが大きくなり、補正等が困難になるという問題点が
あった。
ノ[査方向において光[汁分布が均一でなく、光電変換
素子1の光感度バラツギと巾なって、出力!時性のバラ
ツギが大きくなり、補正等が困難になるという問題点が
あった。
そこで、本発明は簡単な構成でバイアス光を照射し、か
つ高速読取のできる原稿読取装置を提供することを1」
的と1〜でいる。
つ高速読取のできる原稿読取装置を提供することを1」
的と1〜でいる。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、1−記問題点を解決するために、集束性ファ
イバアレイの側面にバイアス光を入射するための導光系
を設け、原稿照明用とバイアス光用とを同一光源で兼用
できる様にしたものである。
イバアレイの側面にバイアス光を入射するための導光系
を設け、原稿照明用とバイアス光用とを同一光源で兼用
できる様にしたものである。
作 用
本発明は、上述した1′1^−成により、同一・固体光
源で原稿照明用とバイアス光用とを兼用でき、光源の光
計分布の相対的バラツギがなくなり、さらにバイアス光
と反射光との重畳により、ギヤリアのトラップ濃度を・
・イアス光により実効的に減少させ、光応答時間を大「
1」に短縮できるものである。
源で原稿照明用とバイアス光用とを兼用でき、光源の光
計分布の相対的バラツギがなくなり、さらにバイアス光
と反射光との重畳により、ギヤリアのトラップ濃度を・
・イアス光により実効的に減少させ、光応答時間を大「
1」に短縮できるものである。
実 施 例
第1図は、本発明の原稿読取装置の実施例を示す副走査
方向の断面図である。第1図に示す様に、CdS、Cd
Se−や固溶体Cd S −Cd S e等の光導電体
薄膜からなる光電変換素子1を−1:、走査方向に、例
えばA4サイズの場合、8素子/Hで1728素子形成
し、この光電変換素子1面Fに、例えばLED等で光電
変換素子10分光感度特性に適した波長の固体光源5を
用いて原稿6而に照射し、その原稿6の情報を含む反射
光3を集束性ファイバアレイ2で光電変換素子1上に結
像すると同時に固体光源5の光を集束性ファイバアレイ
2の側面に沿って設けられた、例えばプラスチック等の
加工性が良好でかつ透過率制御が容易な利料ででき/こ
導光系4を通1〜て光電変換素子1に直接、バイアス光
8として入射する構成となっている。ここでバイアス光
8の光強度は、反射光3の光電変換素子1而1−の最大
光強度を100とすると、5〜1o○で効果があり、実
際」二好−ましくけ、第2図に示す様に相対バイアス光
計と相対光応答時間の実験結果から、バイアス光8の強
度は20以上、70以下で充分である。このことは、バ
イアス九8強度をこれ以上強めても第2図から理解でき
るように著しい効果が期待できないからである。以上の
事は導光系4の透過率の制御によ−)で容易に達成でき
る。
方向の断面図である。第1図に示す様に、CdS、Cd
Se−や固溶体Cd S −Cd S e等の光導電体
薄膜からなる光電変換素子1を−1:、走査方向に、例
えばA4サイズの場合、8素子/Hで1728素子形成
し、この光電変換素子1面Fに、例えばLED等で光電
変換素子10分光感度特性に適した波長の固体光源5を
用いて原稿6而に照射し、その原稿6の情報を含む反射
光3を集束性ファイバアレイ2で光電変換素子1上に結
像すると同時に固体光源5の光を集束性ファイバアレイ
2の側面に沿って設けられた、例えばプラスチック等の
加工性が良好でかつ透過率制御が容易な利料ででき/こ
導光系4を通1〜て光電変換素子1に直接、バイアス光
8として入射する構成となっている。ここでバイアス光
8の光強度は、反射光3の光電変換素子1而1−の最大
光強度を100とすると、5〜1o○で効果があり、実
際」二好−ましくけ、第2図に示す様に相対バイアス光
計と相対光応答時間の実験結果から、バイアス光8の強
度は20以上、70以下で充分である。このことは、バ
イアス九8強度をこれ以上強めても第2図から理解でき
るように著しい効果が期待できないからである。以上の
事は導光系4の透過率の制御によ−)で容易に達成でき
る。
6へ−7
1だバイアス光8の導光糸4に入射する光計が不足する
場合、あるいはこれを調整するために、固体光源5の原
稿6−i’ffl側に反射板を取り付ける事も可能であ
る。
場合、あるいはこれを調整するために、固体光源5の原
稿6−i’ffl側に反射板を取り付ける事も可能であ
る。
上述のように、集束性ファイバアレイ2の側面(C沿っ
てバイアス光8となる尤を入射する導光系4を設ける事
に」=す、集束付ファイバアレイの加工も必按とぜす、
かつ非常に安価な材料で構成でき、固体光源5が原稿照
明JIIJとバイアス光用に兼用できるのでコストダウ
ンが、容易にはかれる01だ、固体光源の光計分布のバ
ラツキは、同一光源を用いるために相対的に相殺する事
ができ、従来の光源間の相対光晴分布バラツギに対(〜
で約5になるので、光電変換素子1で得られる信号の処
理に対する余裕ができ、補正処理が容易で、2値化ある
いは階調処理における精度が向上する。
てバイアス光8となる尤を入射する導光系4を設ける事
に」=す、集束付ファイバアレイの加工も必按とぜす、
かつ非常に安価な材料で構成でき、固体光源5が原稿照
明JIIJとバイアス光用に兼用できるのでコストダウ
ンが、容易にはかれる01だ、固体光源の光計分布のバ
ラツキは、同一光源を用いるために相対的に相殺する事
ができ、従来の光源間の相対光晴分布バラツギに対(〜
で約5になるので、光電変換素子1で得られる信号の処
理に対する余裕ができ、補正処理が容易で、2値化ある
いは階調処理における精度が向上する。
寸だ、バイアス光の重畳によって副走査方向の読取速度
が向上し、例えば、従来10 m5ec / 1ine
程度から、最高1m x / l i ne程度まで高
速化され、A4サイズの原稿を約2秒で読み取る事が可
7ベ。
が向上し、例えば、従来10 m5ec / 1ine
程度から、最高1m x / l i ne程度まで高
速化され、A4サイズの原稿を約2秒で読み取る事が可
7ベ。
能である。
ここで光源は、LED等でなく螢光灯、EL等でも良く
、光源や導光系を集束性ファイバアレイの両仰1に設け
ても良い。
、光源や導光系を集束性ファイバアレイの両仰1に設け
ても良い。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、集束性ファイ
バアレイの側面に沿って導光系を設けるという簡単な構
成で、光源の光量分布バラツキが少なく、生産性が高く
信号処理が容易でコストダウンがはかれるとともに、実
用的には、原稿を高速読取できるというすぐれた効果を
奏する。
バアレイの側面に沿って導光系を設けるという簡単な構
成で、光源の光量分布バラツキが少なく、生産性が高く
信号処理が容易でコストダウンがはかれるとともに、実
用的には、原稿を高速読取できるというすぐれた効果を
奏する。
第1図は本発明の実施例における原稿読取装置を示す断
面図、第2図は反射光に対する相対バイアス光量と相対
光応答時間の関係を示す特性図、第3図は従来の原稿読
取装置を示す断面図である。 1・・・・・光電変換素子、2・・・・・・集束性ノア
イバアレイ、3・・・・・・反射光、4・・・・・導光
系、6・・・・・・固体光源、6・・・・・・原稿、7
・・・・・・走査回路、8・・・・・バイアス光、9・
・・・・・バイアス光用光源。 第2図 相対バイアス光量(褥 第3図
面図、第2図は反射光に対する相対バイアス光量と相対
光応答時間の関係を示す特性図、第3図は従来の原稿読
取装置を示す断面図である。 1・・・・・光電変換素子、2・・・・・・集束性ノア
イバアレイ、3・・・・・・反射光、4・・・・・導光
系、6・・・・・・固体光源、6・・・・・・原稿、7
・・・・・・走査回路、8・・・・・バイアス光、9・
・・・・・バイアス光用光源。 第2図 相対バイアス光量(褥 第3図
Claims (3)
- (1)原稿に光源からの光を照射し透光性絶縁基板上に
形成された光電変換素子に原稿からの反射光を集束性フ
ァイバアレイで結像するとともに、前記集束性ファイバ
アレイの側面に導光系を設け、前記光源の光の一部を前
記導光系から直接前記光電変換素子にバイアス光として
導入する事を特徴とする原稿読取装置。 - (2)光電変換素子が、CdS、CdSeあるいは固溶
体CdS−CdSeを主体とする光電変換素子で構成さ
れている事を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
原稿読取装置。 - (3)光電変換素子面上において、原稿からの反射光の
強度の最大値を100として、バイアス光の強度が、5
〜100である事を特徴とする特許請求の範囲第1項あ
るいは第2項の何れかに記載の原稿読取装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60176620A JPS6236968A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60176620A JPS6236968A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 原稿読取装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6236968A true JPS6236968A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16016758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60176620A Pending JPS6236968A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6236968A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6297470A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 光電変換装置 |
JPH03228819A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-09 | Toyo Denka Kogyo Kk | 湿り粉状炭酸カルシウムの製造方法 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60176620A patent/JPS6236968A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6297470A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 光電変換装置 |
JPH03228819A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-09 | Toyo Denka Kogyo Kk | 湿り粉状炭酸カルシウムの製造方法 |
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