JPH0617323Y2 - 完全密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
完全密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH0617323Y2 JPH0617323Y2 JP10824287U JP10824287U JPH0617323Y2 JP H0617323 Y2 JPH0617323 Y2 JP H0617323Y2 JP 10824287 U JP10824287 U JP 10824287U JP 10824287 U JP10824287 U JP 10824287U JP H0617323 Y2 JPH0617323 Y2 JP H0617323Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image sensor
- insulating film
- light receiving
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はイメージセンサに関し、特に情報担体である
例えば原稿等を等倍で読み取る為の完全密着型イメージ
センサに関するものである。
例えば原稿等を等倍で読み取る為の完全密着型イメージ
センサに関するものである。
（従来の技術） 従来の密着型イメージセンサを第３図に示す。第３図に
おいて、光源１１からの光は、原稿１２にて反射され、
ロツドレンズアレイ１３により収束光とされ、透明基板
１４上に形成された共通電極１５、感光層１６及び個別
電極１７から構成される受光部１８にて光透過用窓１９
を通して受光され、電気的信号に変換される。
おいて、光源１１からの光は、原稿１２にて反射され、
ロツドレンズアレイ１３により収束光とされ、透明基板
１４上に形成された共通電極１５、感光層１６及び個別
電極１７から構成される受光部１８にて光透過用窓１９
を通して受光され、電気的信号に変換される。
かゝる構成の密着型イメージセンサは原稿を等倍で読み
取る為に縮小光学系が不要で小型化でき、フアクシミリ
等の画像読取装置に適用されている。しかし、ロツドレ
ンズアレイ１３等を用いることは光学系の位置合せを必
要とし、且つコスト的にも高価となる。そこで、第４図
に示すようなロツドレンズアレイを用いない完全密着型
イメージセンサが例えば文献：日経メカニカル，１９８
６年１２月１日号，７８頁等に開示されている。第４図
において、透明基板２０上に共通電極２１，感光層２２
及び透明な個別電極２３が順に積層され、受光部２４を
構成している。この受光部２４の中央部を貫抜く光透過
用窓２５が形成されている。また、受光部２４を覆い、
光透過用窓２５を埋めるように透光性絶縁膜２６が設け
られている。さらに、光透過用窓２５に対応した透光性
絶縁膜２６には溝としての凹部２６ａが形成されてい
る。この凹部２６ａと光透過用窓２５のライン上で透明
基板２０側にＬＥＤアレイ等の光源２７が配置されてい
る。
取る為に縮小光学系が不要で小型化でき、フアクシミリ
等の画像読取装置に適用されている。しかし、ロツドレ
ンズアレイ１３等を用いることは光学系の位置合せを必
要とし、且つコスト的にも高価となる。そこで、第４図
に示すようなロツドレンズアレイを用いない完全密着型
イメージセンサが例えば文献：日経メカニカル，１９８
６年１２月１日号，７８頁等に開示されている。第４図
において、透明基板２０上に共通電極２１，感光層２２
及び透明な個別電極２３が順に積層され、受光部２４を
構成している。この受光部２４の中央部を貫抜く光透過
用窓２５が形成されている。また、受光部２４を覆い、
光透過用窓２５を埋めるように透光性絶縁膜２６が設け
られている。さらに、光透過用窓２５に対応した透光性
絶縁膜２６には溝としての凹部２６ａが形成されてい
る。この凹部２６ａと光透過用窓２５のライン上で透明
基板２０側にＬＥＤアレイ等の光源２７が配置されてい
る。
次に動作について説明する。原稿２８は、透光性絶縁膜
２６上にあり、この原稿２８と反対側にある光源２７か
らの光は、透明基板２０→光透過用窓２５から透光性絶
縁膜２６を通過して凹部２６ａから原稿２８を照明す
る。この照明により原稿２８から散乱された反射光は透
光性絶縁膜２６を通つて受光部２４に達し、光電変換さ
れる。
２６上にあり、この原稿２８と反対側にある光源２７か
らの光は、透明基板２０→光透過用窓２５から透光性絶
縁膜２６を通過して凹部２６ａから原稿２８を照明す
る。この照明により原稿２８から散乱された反射光は透
光性絶縁膜２６を通つて受光部２４に達し、光電変換さ
れる。
（考案が解決しようとする問題点） しかしながら上記構成の完全密着型イメージセンサでは
原稿を読取る解像度を上げる為にローラにより原稿を透
光性絶縁膜上に圧接させながら走行させる必要があり、
この為に上記透光性絶縁膜と原稿との磨擦により発生し
たごみが上記透光性絶縁膜の凹部にたまり、この凹部を
通る光の光量が減少し、Ｓ／Ｎ（信号／雑音）比が悪く
なると云う問題点があつた。
原稿を読取る解像度を上げる為にローラにより原稿を透
光性絶縁膜上に圧接させながら走行させる必要があり、
この為に上記透光性絶縁膜と原稿との磨擦により発生し
たごみが上記透光性絶縁膜の凹部にたまり、この凹部を
通る光の光量が減少し、Ｓ／Ｎ（信号／雑音）比が悪く
なると云う問題点があつた。
この考案は、以上述べた透光性絶縁膜と原稿との磨擦に
より発生したごみが光路上の凹部にたまる問題点を除去
し、Ｓ／Ｎ比の優れた信頼性の高い完全密着型イメージ
センサを提供することを目的とする。
より発生したごみが光路上の凹部にたまる問題点を除去
し、Ｓ／Ｎ比の優れた信頼性の高い完全密着型イメージ
センサを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） この考案に係る完全密着型イメージセンサは、受光部を
覆う透光性絶縁膜上に形成された溝で原稿の走査方向に
対して後端の側面が開放されるようにしたものである。
覆う透光性絶縁膜上に形成された溝で原稿の走査方向に
対して後端の側面が開放されるようにしたものである。
（作用） この考案における完全密着型イメージセンサは、溝の後
端の側面が開放されているのでたとえごみが発生しても
溝から開放部分を通して逃げ、溝内にたまらないので光
の減衰がなくなる。
端の側面が開放されているのでたとえごみが発生しても
溝から開放部分を通して逃げ、溝内にたまらないので光
の減衰がなくなる。
（実施例） 以下、この考案の一実施例を図面に基づいて詳細に説明
する。第１図はこの考案の一実施例による完全密着型イ
メージセンサの平面図、第２図は同じくその断面図であ
る。尚、図示の簡略化の為に断面を表わすハツチング等
を、一部分を除き省略してある。第１図及び第２図にお
いて、ガラスその他任意好適な材料から成る絶縁性の透
明基板１上に共通電極と遮光膜とを兼ねた不透明金属膜
から成る共通電極２が設けられている。共通電極２上に
例えば非晶質シリコン等の様な光電変換半導体膜である
感光層３が形成され、この感光層３上に酸化インジウ
ム，酸化錫，ＩＴＯ（インジウムテインオキサイド）等
のいずれかの透明導電膜である個別電極４が形成されて
いる。上記共通電極２，感光層３及び個別電極４とから
受光部５が構成され、例えば一列状に配設されている。
各受光部５を貫抜き、透明基板１側から光を導入するた
めの光透過用窓６が各々設けられている。透明基板１と
受光部５上を覆うために例えばスパツタリング等により
作製されたＳｉＮｘの様な高抵抗絶縁膜である透光性絶
縁膜７が形成されている。この透光性絶縁膜７には通常
のフオトリングラフイ工程によりパターンが形成され、
ウエツトエツチング又はドライエツチングにより大きさ
を最適化された溝８が受光部５に対応して形成されてい
る。この溝８は受光部５の配列方向に対して直交する原
稿の走査方向に長く、その走査方向に対して後端の側面
が開放されている。又、溝８は、配列方向の幅が光透過
用窓６の幅以上で個別電極４の幅以内で任意好適な大き
さに有り、個別電極４が露出しない程度の深さを有す
る。
する。第１図はこの考案の一実施例による完全密着型イ
メージセンサの平面図、第２図は同じくその断面図であ
る。尚、図示の簡略化の為に断面を表わすハツチング等
を、一部分を除き省略してある。第１図及び第２図にお
いて、ガラスその他任意好適な材料から成る絶縁性の透
明基板１上に共通電極と遮光膜とを兼ねた不透明金属膜
から成る共通電極２が設けられている。共通電極２上に
例えば非晶質シリコン等の様な光電変換半導体膜である
感光層３が形成され、この感光層３上に酸化インジウ
ム，酸化錫，ＩＴＯ（インジウムテインオキサイド）等
のいずれかの透明導電膜である個別電極４が形成されて
いる。上記共通電極２，感光層３及び個別電極４とから
受光部５が構成され、例えば一列状に配設されている。
各受光部５を貫抜き、透明基板１側から光を導入するた
めの光透過用窓６が各々設けられている。透明基板１と
受光部５上を覆うために例えばスパツタリング等により
作製されたＳｉＮｘの様な高抵抗絶縁膜である透光性絶
縁膜７が形成されている。この透光性絶縁膜７には通常
のフオトリングラフイ工程によりパターンが形成され、
ウエツトエツチング又はドライエツチングにより大きさ
を最適化された溝８が受光部５に対応して形成されてい
る。この溝８は受光部５の配列方向に対して直交する原
稿の走査方向に長く、その走査方向に対して後端の側面
が開放されている。又、溝８は、配列方向の幅が光透過
用窓６の幅以上で個別電極４の幅以内で任意好適な大き
さに有り、個別電極４が露出しない程度の深さを有す
る。
第１図及び第２図において図示矢印で原稿の走査方向を
示しているが、その原稿走査方向に対して後端の側面が
開放されているため溝８内のごみはこの開放部分から外
部に逃げることができ、溝８内にごみがたまることがな
い。
示しているが、その原稿走査方向に対して後端の側面が
開放されているため溝８内のごみはこの開放部分から外
部に逃げることができ、溝８内にごみがたまることがな
い。
（考案の効果） 以上、詳細に説明したようにこの考案によれば、透光性
絶縁膜に溝を設け、原稿の走査方向に対してその溝の後
端の側面を開放したので、溝内にごみがたまることがな
く、従つて、Ｓ／Ｎ比の高い、信頼性の優れた効果が期
待できる。
絶縁膜に溝を設け、原稿の走査方向に対してその溝の後
端の側面を開放したので、溝内にごみがたまることがな
く、従つて、Ｓ／Ｎ比の高い、信頼性の優れた効果が期
待できる。
第１図はこの考案の一実施例による完全密着型イメージ
センサの平面図、第２図は同じくその断面図、第３図は
従来の密着型イメージセンサの説明図、第４図は従来の
完全密着型イメージセンサの説明図である。 図中、１……透明基板、２……共通電極、３……感光
層、４……個別電極、５……受光部、６……光透過用
窓、７……透光性絶縁膜、８……溝。
センサの平面図、第２図は同じくその断面図、第３図は
従来の密着型イメージセンサの説明図、第４図は従来の
完全密着型イメージセンサの説明図である。 図中、１……透明基板、２……共通電極、３……感光
層、４……個別電極、５……受光部、６……光透過用
窓、７……透光性絶縁膜、８……溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 毛利 幹雄 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−122274（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−105469（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−219748（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】透明性基板上に配列され、光導入用の光透
過用窓を有する多数の受光部と、これら受光部を覆う透
光性絶縁膜と、上記各受光部上で上記透光性絶縁膜上に
各々形成された溝とを備えた完全密着型イメージセンサ
において、 上記溝は、原稿の走査方向に対して後端の側面が開放さ
れていることを特徴とする完全密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10824287U JPH0617323Y2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 完全密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10824287U JPH0617323Y2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 完全密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6413735U JPS6413735U (ja) | 1989-01-24 |
| JPH0617323Y2 true JPH0617323Y2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=31343385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10824287U Expired - Lifetime JPH0617323Y2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 完全密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617323Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-07-16 JP JP10824287U patent/JPH0617323Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6413735U (ja) | 1989-01-24 |
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