JPS61161758A - 直接読取り型イメ−ジセンサ - Google Patents
直接読取り型イメ−ジセンサInfo
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- JPS61161758A JPS61161758A JP60003519A JP351985A JPS61161758A JP S61161758 A JPS61161758 A JP S61161758A JP 60003519 A JP60003519 A JP 60003519A JP 351985 A JP351985 A JP 351985A JP S61161758 A JPS61161758 A JP S61161758A
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- light
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14678—Contact-type imagers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミＩＪ等に用いられる原稿読取シのた
めのラインイメージセンサに関する。特に原稿に直接接
触させ、読取シの解像度を向上させることが出来、セン
ナを軽量小型にすることが可能である直接読取り型イメ
ージセンサに関する。
めのラインイメージセンサに関する。特に原稿に直接接
触させ、読取シの解像度を向上させることが出来、セン
ナを軽量小型にすることが可能である直接読取り型イメ
ージセンサに関する。
従来の技術
原稿を直接読取シ、原稿の文字を電気信号に変換するた
めのセンサとして、光源にＬＥＤアレイを使用し、原稿
に光を照射し、その反射光をセルフォックレンズにより
集光してＣｄＳ 、アモルファスシリコン、０ＣｊＤ素
子等により形成された感光素子に導く構造のラインイメ
ージセンサが実用されている。この構造のセンナは、セ
ルフォックレンズを使用してコストが高く又サイズも大
きくなり、さらにレンズ作用で集光効果をもたせてはい
るものの、光の利用効率が悪いので照明用の光源の電力
も大きくなり、熱の悪影響も出てくることになる。特に
レンズの口径を小さく出来ないので１画素当シの大きさ
を小さく出来ず、８本／ Ｉ＃程度以上の解像度を得る
ことは容易ではない。
めのセンサとして、光源にＬＥＤアレイを使用し、原稿
に光を照射し、その反射光をセルフォックレンズにより
集光してＣｄＳ 、アモルファスシリコン、０ＣｊＤ素
子等により形成された感光素子に導く構造のラインイメ
ージセンサが実用されている。この構造のセンナは、セ
ルフォックレンズを使用してコストが高く又サイズも大
きくなり、さらにレンズ作用で集光効果をもたせてはい
るものの、光の利用効率が悪いので照明用の光源の電力
も大きくなり、熱の悪影響も出てくることになる。特に
レンズの口径を小さく出来ないので１画素当シの大きさ
を小さく出来ず、８本／ Ｉ＃程度以上の解像度を得る
ことは容易ではない。
このようなセルフォック使用センサに代って、第２図に
示すような原稿に直接接触させて文字を読取るイメージ
センサが提案された。このセンサはたとえば〔田尻他：
“直接読取り密着形イメージセンサ素子構成の検討”
電子通信学会技術報告 ＫＤ８１−３５ （１９８１
））に記載されている。
示すような原稿に直接接触させて文字を読取るイメージ
センサが提案された。このセンサはたとえば〔田尻他：
“直接読取り密着形イメージセンサ素子構成の検討”
電子通信学会技術報告 ＫＤ８１−３５ （１９８１
））に記載されている。
このイメージセンサは、厚さ６０〜１００μｍ程度の透
明保護層３をはさんで原稿からの光を感光素子１で直接
受光する構造となっておシ、受光素子を小さくすること
によシ読取りの解像度を向上させることが出来る。
明保護層３をはさんで原稿からの光を感光素子１で直接
受光する構造となっておシ、受光素子を小さくすること
によシ読取りの解像度を向上させることが出来る。
発明が解決しようとする問題点
照明用の光は感光素子１が作成されている透明絶縁体基
板８の表面に対して裏面より照射されなければならない
が、この照明光が裏面から直接感光素子に入射しないよ
うに感光素子と透明絶縁体基板の間に遮光層４を形成し
ている。各種検討の結果、遮光層４上に直接感光素子を
形成すると、遮光層４を形成する材料が感光素子中に拡
散して感度を損ねることが判った。それ故に遮光層上に
透明絶縁層６を形成した後に感光素子を形成している。
板８の表面に対して裏面より照射されなければならない
が、この照明光が裏面から直接感光素子に入射しないよ
うに感光素子と透明絶縁体基板の間に遮光層４を形成し
ている。各種検討の結果、遮光層４上に直接感光素子を
形成すると、遮光層４を形成する材料が感光素子中に拡
散して感度を損ねることが判った。それ故に遮光層上に
透明絶縁層６を形成した後に感光素子を形成している。
このように作成行程も複雑になシ、金属で形成された遮
光層の電気的影響も無視できないといった多くの問題が
あシ実用化を阻んでいる。
光層の電気的影響も無視できないといった多くの問題が
あシ実用化を阻んでいる。
第２図において、２は信号引出し電極、６は照明窓、７
は照明光である。
は照明光である。
問題点を解決するための手段
本発明は、発光素子を形成した基板上に、感光素子を形
成した基板を配置し、遮光層を各素子の表面上に形成す
ることによシ上記問題点を解決し、遮光層の各種悪影響
を除去するものである。
成した基板を配置し、遮光層を各素子の表面上に形成す
ることによシ上記問題点を解決し、遮光層の各種悪影響
を除去するものである。
作用
本発明は上記の構成により遮光層の表面上に感光素子を
形成する必要がなくなシ、遮光層を形成する金属の感光
素子への拡散等による悪影響を除去することが可能とな
シ、さらに、感光素子を作成した同一表面上に遮光層の
金属の悪影響なく薄膜トランジスタを形成することが出
来、浮遊容量等が小さくなシ、センナの小型化、高速化
が可能となる。
形成する必要がなくなシ、遮光層を形成する金属の感光
素子への拡散等による悪影響を除去することが可能とな
シ、さらに、感光素子を作成した同一表面上に遮光層の
金属の悪影響なく薄膜トランジスタを形成することが出
来、浮遊容量等が小さくなシ、センナの小型化、高速化
が可能となる。
実施例
以下本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第１
図において基板１２の表面上に薄膜状に形成した１４Ｄ
、ＩＥＬ等の発光素子１３を配列させ、この発光素子
からの照明光を感光素子１を表面に形成した透明基板８
を介して読取シ原稿１１に照射し、原稿からの反射光を
感光素子１で受光する構造を示している。発光素子と感
光素子は第１図のように基板８と基板１２の接表面に作
成されるので本来遮光層は不要であるがこれら基板の組
立時等の制約よシ各部からの不要反射光を除去するため
、第１図では感光素子の表面に絶縁層６を形成し、さら
にその上に遮光層４を形成した例を示している。又、上
述のような構造では、遮光層４は調造プロセスの最後に
形成され、熱処理等が不必要であるので、他の素子に影
響をまったく与えないので、基板８の感光素子を形成し
た同一表面上に、薄膜トランジスタ１４を形成すること
が可能となる。このような構造では電気的処理のために
障害となる配線浮遊容量を小さく出来るので、信号処理
の高速化が可能となる。第１図で２は素子１とトランジ
スタ１４を接続する電気配線のための導電体層である。
図において基板１２の表面上に薄膜状に形成した１４Ｄ
、ＩＥＬ等の発光素子１３を配列させ、この発光素子
からの照明光を感光素子１を表面に形成した透明基板８
を介して読取シ原稿１１に照射し、原稿からの反射光を
感光素子１で受光する構造を示している。発光素子と感
光素子は第１図のように基板８と基板１２の接表面に作
成されるので本来遮光層は不要であるがこれら基板の組
立時等の制約よシ各部からの不要反射光を除去するため
、第１図では感光素子の表面に絶縁層６を形成し、さら
にその上に遮光層４を形成した例を示している。又、上
述のような構造では、遮光層４は調造プロセスの最後に
形成され、熱処理等が不必要であるので、他の素子に影
響をまったく与えないので、基板８の感光素子を形成し
た同一表面上に、薄膜トランジスタ１４を形成すること
が可能となる。このような構造では電気的処理のために
障害となる配線浮遊容量を小さく出来るので、信号処理
の高速化が可能となる。第１図で２は素子１とトランジ
スタ１４を接続する電気配線のための導電体層である。
第３図は他の実施例を示す図であシ、発光素子３を透明
基板３２の一表面上に形成し、表面に感光素子１を形成
した基板３１を、この基板３２上に配置した例を示して
いる。第１図の場合と同様に、発光素子からの不要光を
除去するために絶縁層６と遮光層４を形成した例を第３
図に示している。この実施例では、上記の実施例と同じ
く薄膜トランジスタを形成した場合を示している。薄膜
トランジスタ１４はそれぞれ発光素子と感光素子のため
の信号処理用であシ、スイッチング素子１６はこれらの
信号処理に共通な動作を制御するものとして示した。１
１は原稿であシ、基板３２と原稿の摩擦による摩耗を防
止するための耐摩耗層３３を形成した例を示した。
基板３２の一表面上に形成し、表面に感光素子１を形成
した基板３１を、この基板３２上に配置した例を示して
いる。第１図の場合と同様に、発光素子からの不要光を
除去するために絶縁層６と遮光層４を形成した例を第３
図に示している。この実施例では、上記の実施例と同じ
く薄膜トランジスタを形成した場合を示している。薄膜
トランジスタ１４はそれぞれ発光素子と感光素子のため
の信号処理用であシ、スイッチング素子１６はこれらの
信号処理に共通な動作を制御するものとして示した。１
１は原稿であシ、基板３２と原稿の摩擦による摩耗を防
止するための耐摩耗層３３を形成した例を示した。
これらの実施例における感光素子は、発光素子からの照
明光を効率よく受光するために、発光素子に対して最適
の位置に複数個配列され順次切シ換えることによシイメ
ージ読取シセンサとして動作する。
明光を効率よく受光するために、発光素子に対して最適
の位置に複数個配列され順次切シ換えることによシイメ
ージ読取シセンサとして動作する。
発明の効果
本発明は発光素子と感光素子をそれぞれ別の基板に形成
して、それらの素子を原稿読取シのための最適位置に配
置することによシ、遮光層の悪影響を除去して軽量小型
のイメージセンサを実現することが可能である。さらに
、基板上に薄膜トランジスタ等の信号処理素子を一体化
することＫよシセンサの高速化も容易となる。又発光素
子を多色化することによシ、カラー化も可能である。
して、それらの素子を原稿読取シのための最適位置に配
置することによシ、遮光層の悪影響を除去して軽量小型
のイメージセンサを実現することが可能である。さらに
、基板上に薄膜トランジスタ等の信号処理素子を一体化
することＫよシセンサの高速化も容易となる。又発光素
子を多色化することによシ、カラー化も可能である。
第１図は本発明の一実施例の直接読取シ型イメージセン
サの断面図、第２図は従来の直接読取り型イメージセン
サを示す図、第３図は本発明の他の実施例の同センナの
断面図である。 １・・・・・・感光素子、２・・・・・・導電体層、１
３・・・・・・発光素子、８，１２，３１．３２・・・
・・・基板、１１・・・・・・原稿、４・・・・・・遮
光層、６・曲・絶縁体層、１４・・曲トランジスタ。
サの断面図、第２図は従来の直接読取り型イメージセン
サを示す図、第３図は本発明の他の実施例の同センナの
断面図である。 １・・・・・・感光素子、２・・・・・・導電体層、１
３・・・・・・発光素子、８，１２，３１．３２・・・
・・・基板、１１・・・・・・原稿、４・・・・・・遮
光層、６・曲・絶縁体層、１４・・曲トランジスタ。
Claims (7)
- （１）第１の基板の一表面上に発光素子を薄膜状に形成
し、複数の感光素子を表面に形成した第２の基板を上記
発光素子を形成した第１の基板の一表面上に配置したこ
とを特徴とする直接読取り型イメージセンサ。 - （２）感光素子を形成した第２の基板の表面に、前記感
光素子を駆動するための薄膜トランジスタを形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の直接読取り
型イメージセンサ。 - （３）発光素子を形成した第１の基板の同一表面上に発
光素子を駆動するための薄膜トランジスタを形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の直接読取り
型イメージセンサ。 - （４）発光素子を、複数個の感光素子に対応して複数個
形成し、それぞれを、前記複数個の感光素子を形成した
位置に対応させて配置したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の直接読取り型イメージセンサ。 - （５）発光素子の駆動用素子とこの発光素子に対応して
配置された感光素子の信号処理用素子を所定の時間的関
係を保って動作させるためのスイッチング素子に接続し
たことを特徴とした特許請求の範囲第２項記載の直接読
取り型イメージセンサ。 - （６）発光素子を形成した基板１を透明基板とし、前記
発光素子の表面を覆って遮光層を形成し、これら発光素
子と遮光層を形成した基板表面側に、前記感光素子を形
成した基板を配置したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の直接読取り型イメージセンサ。 - （７）発光素子において、異なる波長を発光する発光素
子を前記第１の基板の表面に形成したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の直接読取り型イメージセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003519A JPS61161758A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 直接読取り型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003519A JPS61161758A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 直接読取り型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161758A true JPS61161758A (ja) | 1986-07-22 |
Family
ID=11559616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003519A Pending JPS61161758A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 直接読取り型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8012429B2 (en) | 2001-05-07 | 2011-09-06 | Kyoritsu Chemical-Check Lab., Corp. | Simplified analyzer |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60003519A patent/JPS61161758A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8012429B2 (en) | 2001-05-07 | 2011-09-06 | Kyoritsu Chemical-Check Lab., Corp. | Simplified analyzer |
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