JPS59131263A - 撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はファクシミリ信号などを得るために用いる一次
元の撮像装置に関するものである。

〔発明の背景〕

一次元の撮像装置としては走査光源の原稿からの反射光
を固定の受光装置で電気信号に変換する方式が用いられ
てきたが、近年は固定光源の原稿からの反射光を走査機
能を有する受光装置で電気信号に変換する方式が用いら
れつつある。

後者の代表例として、フォトダイオードアレーから得ら
れる光電流をスイッチで順次切り換えて読み出すもの、
あるいは光電流を順次転送しながら読み出すものなどが
ある。しかし、これらの撮像装置はいずれもシリコンを
用いる場合が多く、その大きさに制限を受ける。たとえ
ば、長さ２〜３ｃｍ程度が限度となる。

したがって、従来の撮像装置を用いてファクシミリ信号
を得ようとすれば、原稿の像をレンズ系を用いて光学的
に縮尺し受光装置に結像する必要が生じる。このために
光学系に大きな体積を要し、その体積以下にファクシミ
リ装置を小形化できない欠点があった。さらに、大きな
撮像装置ができないために、−個の撮像装置に含みうる
受光素子の数に上限があり（たとえば２５６〜５１２素
子程度）、原稿の一行分のファクシミリ信号をうるため
に複数個の撮像装置が必要となる。これに伴って複数個
の像を作るための複雑な光学系が必要となる欠点も生じ
ていた。

〔発萌の目的〕

本発明の目的は大形の受光装置を実現し、光学系を不要
にした一次元の撮像装置を提供することにある。

〔発明の概要と実施例〕

以下、本発明を実施例を用いて詳しく説明する。

第１図は本発明の撮像素子の基本構成例を示す。

基板１の上にストライブ状に分離された電極２、その上
に感光層３、その丘に電極４が形成されている。ストラ
イプ電極極２はシフトレジスタ、スイッチよりなる走査
部５に接続線６で１本ずつ接続されている。走査部５は
端子７に接続線６を１本ずつ順次接続する機能を有する
。電極４は端子１０に引き出され、端子７．１０の間に
電極８、抵抗９を有する。

感光層３としては、撮像管に使われている、たとえば三
硫化アンチモンよりなる光導電層、無定形セレンよりな
る非晶質光ダイオード層などが用いうる。これらは蒸着
により形成することができるので、シリコン素子の大き
さが結晶の大きさにより制限を受けるのに比べて、大形
のもの（たとえば２０〜３０ｃｍ）が実現できる。

走査部５は感光層とは独立に製作し、接続すればよいの
で、従来のようにシリコンのプロセスで製作することが
できる。第１図においては感光層の基板側にストライプ
電極、その反対側に一様な電極を構成する例を示してい
るが、この逆の場合もありうる。

第２図は第１図の撮像素子の等価回路を示す。

感光層３は光ダイオード３ａと容量３ｂで示され光ダイ
オード３ａより発生ずる光電流は容量３ａに蓄積され、
走査部５に含まれるスイッチ５ａが短絡される度に端子
１ｏ、７間に信号として読み１出される。

ストライプ電極２はたとえば６〜１０本／ｍｍ程度の密
度で、数１００〜２０００本程度の本数を有する。

以下、第１図の撮像素子を用いた撮像装置の実施例を示
す。

第３図において基板ｌはガラスなどの透明な絶縁体より
なり゛、ストライプ電極２はアルミニウム、クロームな
どの不透明な導電体よりなる。また、電極４はネサ、金
などの透明あるいは半透明な導電体よりなる。１１は電
極４上に形成された不透明な遮光媒体であり、電極４を
微小量（たとえば１００μｍ程度）を露出させて残りを
おおっている。なお、感光層３あるいは電極４の幅を１
００μｍ程度にすれば、後述の例のように１１は不要で
ある。１２はガラスなどの透明なスペーサで、感光層３
の上にたとえば１００μｍ程度堆積されている。

以−ヒのような撮像素子は原稿１３に接し、基板ｌの背
部の光源１４より供給される光のうち、原稿１３で反射
した成分のみをスペーサ１２、透明電極４を経て感光層
３に受光する。光源１４はスペーサ１２の表面で入射光
が全反射しない程度の角度から光を供給する。

スペーサ１２は電極、感光層などの保護および原稿面と
感光層の間の距臨を一定に保つ作用を有する。

原稿面からの反射光のうち、電極４が露出している近傍
の平均光量が感光層で電気信号に変換されるので、スペ
ーサの厚みを考慮しても上記の数値例では６〜８本／ｍ
ｍ程度の実用的な解像度の信号を得ることができる。か
つ、本発明の撮像装置は原稿面に直接接しているために
、光学結像系が一切不要で、撮像装置全体がきわめて小
形になる。

第４図は感光層などを基板１の端部に形成した例で、こ
の場合は光を基板の外より供給しうるの、で基板１は不
透明でもよく、またストライブ電極２は透明でもよい。

また、第４図は透明電極４の幅を狭くシ、遮光媒体１１
を省略した例を示しているが、第３図のようにこれを用
いてもよい。

第５図はスペーサ１２の代りにたとえば１０μ０１程度
のｔα径のオプティカルファイバーを束ねた光ガイド１
５により原稿面からの反射光を感光層に受光する例で、
この場合には反射光は光ガイドの中を巨視的には直進す
るので、透明電極と原稿間の距離を任意にとっても解像
度に変化が生じない特徴がある。

第６図は発光ダイオードなどの発光素子１６を基板１上
に形成し、これを光源きして原稿面からの反射光をつる
例で、撮像装置全体の大きさは第３図などの例よりさら
に小形になる特徴を有する。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明においてはシリコン素子以外
の感光層により大形でかつ多数の感光素子を実現し、感
光素子に透明媒体を介して接している原稿面からの反射
光を感光素子に受光し、ここで発生した電気信号をスイ
ッチで順次読み出すことで信号をうる構成により、撮像
装置をきわめて小形化した大きな効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図、第３図〜第６図は本発明の構成例、第２図は本
発明の撮像素子の等価回路を示す図である。 第　　１　図 第　２　画 第３Ｉ￥１ １ど 第４図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板と、該基板上に設けられた受光素子および走査
   部を有する撮像装置において、前記受光素子は、ストラ
   イプ電極と共通電極と両電極との間にはさまれた感光層
   からなり、該感光層は先導電層又は非晶質光ダイオード
   層からなることを特徴とする撮像装置。 ２、　上記ストライプ電極は上記基板側に設けられてな
   り、該ストライプ電極上に感光層および共通電極が設け
   られてな４ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の撮像装置。 ３、Ｊ：記共通電極は上記基板側に設けられてなり、該
   共通電極上に感光層およびストライプ電極が設けられて
   なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の撮像
   装置。 ４、上記ストライプ電極は上記走査部に接続されてなる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項記載
   の撮像装置。 ５、　上記受光素子は透明媒体を介して被写体に対向し
   、該透明媒体を介して被写体よりの反射光成分を受光す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項又は
   第３項記載の撮像装置。 ６、　上記基板が透明体よりなり、上記受光素子の基板
   側電極が不透明な導電体よりなり、被写体側電極が透明
   又は半透明な導電体よりなることを特徴とする特許請求
   の範囲第５項記載の撮像装置。