JPS63128748A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS63128748A JPS63128748A JP61276377A JP27637786A JPS63128748A JP S63128748 A JPS63128748 A JP S63128748A JP 61276377 A JP61276377 A JP 61276377A JP 27637786 A JP27637786 A JP 27637786A JP S63128748 A JPS63128748 A JP S63128748A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１区分互
本発明は、密着型イメージセンサに関する。
良來抜嵐
第４図は、従来のイメージセンサの等価回路の一例を示
す図で１図中、４０は光電変換素子、４１はフ、オドダ
イオード、４２は蓄積コンデンサ（容量＝Ｃ５）で、上
記蓄積読取センサにおいて、光出力（Ｖｏｕｔ）の増大
をはかるためには、蓄積コンデンサ４２を大きくしなけ
ればならない。現在、蓄積コンデンサ４２は、センサ自
身の自己容量を利用しているため、Ｗ積コンデンサを太
きぐすることは、センサ面積を大きくすることに対応し
、したがって、センサ面積の増加によりＭＴＦ（Ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ
）が低下するという問題が生じる。また、蓄積読取りセ
ンサにおいて、現在、光出力（Ｖｏｕｔ）の均一性をは
かるため、センサ面積を変化させることが提案されてい
るが（特開昭５８−２０７７６４号）、センサ面積を変
化させると、個々のセンサの自己容量が変化するため、
センサ個々の光応答が変化するという問題が生じる。さ
らに、帯状透明電極の軸方向端部に非透光性金属簿膜を
設けたセンサも提案されているが（特開昭５８−８７８
６２号）、このセンサにおいては、主走査方向のＭＴＦ
が低い。
す図で１図中、４０は光電変換素子、４１はフ、オドダ
イオード、４２は蓄積コンデンサ（容量＝Ｃ５）で、上
記蓄積読取センサにおいて、光出力（Ｖｏｕｔ）の増大
をはかるためには、蓄積コンデンサ４２を大きくしなけ
ればならない。現在、蓄積コンデンサ４２は、センサ自
身の自己容量を利用しているため、Ｗ積コンデンサを太
きぐすることは、センサ面積を大きくすることに対応し
、したがって、センサ面積の増加によりＭＴＦ（Ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ
）が低下するという問題が生じる。また、蓄積読取りセ
ンサにおいて、現在、光出力（Ｖｏｕｔ）の均一性をは
かるため、センサ面積を変化させることが提案されてい
るが（特開昭５８−２０７７６４号）、センサ面積を変
化させると、個々のセンサの自己容量が変化するため、
センサ個々の光応答が変化するという問題が生じる。さ
らに、帯状透明電極の軸方向端部に非透光性金属簿膜を
設けたセンサも提案されているが（特開昭５８−８７８
６２号）、このセンサにおいては、主走査方向のＭＴＦ
が低い。
また、不透明で有孔の上部電極を有するセンサも提案さ
れているが（特開昭５７−１２４４８４号）、このセン
サでは、センサ領域に対する実効センサ領域が小さいた
め、センサ出力が著しく低下するという問題が生じる。
れているが（特開昭５７−１２４４８４号）、このセン
サでは、センサ領域に対する実効センサ領域が小さいた
め、センサ出力が著しく低下するという問題が生じる。
さらに、透明保護層の厚みによりＶｏｕｔが変化するた
め、透明保護層の膜厚分布を均一にする必要がある。し
かし、センサの長尺化、大面積化に伴い透明保護層の膜
厚分布を均一にすることが難しい。
め、透明保護層の膜厚分布を均一にする必要がある。し
かし、センサの長尺化、大面積化に伴い透明保護層の膜
厚分布を均一にすることが難しい。
次に、ＭＴＦを向上させるためには、２つの方法があり
、一つは採光窓の寸法を小さくする方法である。この方
法では、光量の減少によりＶｏｕｔの減少という問題を
まねく。二つめは、センサ面積を減少させる方法である
が、これは上述したように、センサの自己容量が小さく
なるため、蓄積型センサでは、 Ｖｏｕｔの減少につな
がるなど多くの欠点を有している。
、一つは採光窓の寸法を小さくする方法である。この方
法では、光量の減少によりＶｏｕｔの減少という問題を
まねく。二つめは、センサ面積を減少させる方法である
が、これは上述したように、センサの自己容量が小さく
なるため、蓄積型センサでは、 Ｖｏｕｔの減少につな
がるなど多くの欠点を有している。
且−一部
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
特に、その第１の目的は、光電変換層の膜厚分布、信号
線による浮遊容量および光源照度のばらつきによる光出
力（ｖｏｕｔ）のばらつきを無くシ７．光出力の均一性
を向上させることであり、第２の目的は、光電変換層の
上部電極上に遮光層を設けることにより、センサ自身の
自己容量を変化させずに光出力の均一性をはかり、かつ
、ＭＴＦを向上させることである。
特に、その第１の目的は、光電変換層の膜厚分布、信号
線による浮遊容量および光源照度のばらつきによる光出
力（ｖｏｕｔ）のばらつきを無くシ７．光出力の均一性
を向上させることであり、第２の目的は、光電変換層の
上部電極上に遮光層を設けることにより、センサ自身の
自己容量を変化させずに光出力の均一性をはかり、かつ
、ＭＴＦを向上させることである。
１−一一處
本発明は、上記目的を達成するために、透明基板上に、
順次、下部遮光層、透明絶縁層、下部電極、光電変換層
、上部透明電極を有する密着型イメージセンサにおいて
、（１）上記上部透明電極の一部に遮光層を付けた付加
容量をセンサに対して並列に設けたこと、或いは、（２
）上記上部透明電極の副走査方向端部および／または主
走査方向端部に上部遮光層を設けたことを特徴としたも
のである。以下、本発明の実施例に基づいて説明する。
順次、下部遮光層、透明絶縁層、下部電極、光電変換層
、上部透明電極を有する密着型イメージセンサにおいて
、（１）上記上部透明電極の一部に遮光層を付けた付加
容量をセンサに対して並列に設けたこと、或いは、（２
）上記上部透明電極の副走査方向端部および／または主
走査方向端部に上部遮光層を設けたことを特徴としたも
のである。以下、本発明の実施例に基づいて説明する。
第５図乃至第７図は、本発明の第１の実施例（第１図に
示す実施例）の動作原理を説明するための図で、第５図
は９本発明によるセンサの等価回路で１本発明において
は、センサ４０の蓄積コンデンサ４２（容量＝Ｃ５）に
対して、並列に付加容量（容量＝Ｃａ）のコンデンサ４
３を付けたもので、この回路の付加容量（Ｃａ）を変化
させることにより第６図に示すように、光出力（Ｖｏｕ
ｔ）が変化し、この付加容量により以下に述べるように
センサ特性を向上させるようにしたものである。
示す実施例）の動作原理を説明するための図で、第５図
は９本発明によるセンサの等価回路で１本発明において
は、センサ４０の蓄積コンデンサ４２（容量＝Ｃ５）に
対して、並列に付加容量（容量＝Ｃａ）のコンデンサ４
３を付けたもので、この回路の付加容量（Ｃａ）を変化
させることにより第６図に示すように、光出力（Ｖｏｕ
ｔ）が変化し、この付加容量により以下に述べるように
センサ特性を向上させるようにしたものである。
（１）センサの低コスト化のために、膜厚変換層の膜厚
が薄くなってきているが、膜厚の減少とともに膜厚分布
が問題となりＶｏｕｔの均一性を保つ事が廻しい。そこ
で、膜厚分布（実線）に対し、付加容量（点線）を第７
図に示すようにすれば。
が薄くなってきているが、膜厚の減少とともに膜厚分布
が問題となりＶｏｕｔの均一性を保つ事が廻しい。そこ
で、膜厚分布（実線）に対し、付加容量（点線）を第７
図に示すようにすれば。
Ｖｏｕｔの均一性を得ることができる。
（２）センサ特性に光源の平担度が大きく影響するが、
光量を多く取るためには出来るだけ光源を近づけなけれ
ばならない。すると、光源の平担度の影響がセンサ特性
に表われて問題が生じる。これを改善するため、第８図
に示すように光源の照度（実線）に対し、逆に付加容量
値（点線）を選ぶことにより、Ｖｏｕｔの均一性を得る
ことができる。
光量を多く取るためには出来るだけ光源を近づけなけれ
ばならない。すると、光源の平担度の影響がセンサ特性
に表われて問題が生じる。これを改善するため、第８図
に示すように光源の照度（実線）に対し、逆に付加容量
値（点線）を選ぶことにより、Ｖｏｕｔの均一性を得る
ことができる。
（３）信号取出線の長さは１個々のセンサに対し、一定
でないため、信号取出線による浮遊容量の影響を受ける
。この個々の浮遊容量により、光出力（Ｖｏｕｔ）がば
らつくため、第９図に示すように。
でないため、信号取出線による浮遊容量の影響を受ける
。この個々の浮遊容量により、光出力（Ｖｏｕｔ）がば
らつくため、第９図に示すように。
信号取出線の長さすなわち信号線の分布容量（実線）を
考慮にいれた付加容量（点線）を設けることにより、Ｖ
ｏｕｔの均一性を得ることができる。
考慮にいれた付加容量（点線）を設けることにより、Ｖ
ｏｕｔの均一性を得ることができる。
（４）特に、上部遮光層はＩＴｏ上に形成していること
により、光電変換層（ａ −Ｓ ｉ層）に対しショット
キーバリアを保持でき、センサの暗電流の増加を低減で
きる。
により、光電変換層（ａ −Ｓ ｉ層）に対しショット
キーバリアを保持でき、センサの暗電流の増加を低減で
きる。
さらに、付加容量は、センサ部と同一材料で形成するた
め、低コスト化がはかれる。
め、低コスト化がはかれる。
第１図は、上述のごとき原理に基づいて構成された本発
明の一実施例を説明するための構成図で、（ａ）図は、
平面図、（ｂ）図は、Ｃａ）図のＢ−Ｂ線断面図で１図
中、１は透明基板、２は遮光層、３は透明絶縁層、４は
下部電極、５は光電変換層、６は上部透明電極、７は透
明保護層、８は原稿、９は採光窓、１０．１０’は上部
遮光層（付加容量部）で１本発明に用いられる透明基板
としては、ガラス又は石英、絶縁性高分子樹脂等がある
。遮光層としては、Ｃｒ ｇ Ｍ ｏ ｇ Ｔ ｚ ｔ
Ｎｉ、Ｇｏ等の単一金属薄膜または合金薄膜を用いる。
明の一実施例を説明するための構成図で、（ａ）図は、
平面図、（ｂ）図は、Ｃａ）図のＢ−Ｂ線断面図で１図
中、１は透明基板、２は遮光層、３は透明絶縁層、４は
下部電極、５は光電変換層、６は上部透明電極、７は透
明保護層、８は原稿、９は採光窓、１０．１０’は上部
遮光層（付加容量部）で１本発明に用いられる透明基板
としては、ガラス又は石英、絶縁性高分子樹脂等がある
。遮光層としては、Ｃｒ ｇ Ｍ ｏ ｇ Ｔ ｚ ｔ
Ｎｉ、Ｇｏ等の単一金属薄膜または合金薄膜を用いる。
透明絶縁層としては、Ｓｉｎ、Ｓｉｎ、。
Ｓｉ３Ｎ、等の膜を用い、下部電極としてはＡＱ。
Ｃｒ ｅ Ｍ ｏ ｖ Ｔ ｉｅ Ｎ ｉｅ ＣＯおよ
びｐｔ等の単一金属薄膜またはＡ Ｑ −Ｓ ｉ 、
Ａ Ｑ Ｃｕ −Ｓ ｉ等の合金薄膜を用いる。光電
変換層としては、主にアモルファスシリコンからなる単
層または多層構造とする。さらに、上部透明電極として
は、ＩＴｏ、ＳｎＯ，等を用いる。上部遮光層としては
、Ｃｒ ｙ Ｍ ｏ ｙ Ｔ ｘ ｇ Ｎ ｘ ｇ Ｃ
ｏ等の単一金属薄膜または合金薄膜を用い、透明保護層
としてはＮａＡＱ Ｆ、、Ｓ ｉ Ｏ，Ｓ ｉ Ｏ，、
Ｓ ｉ、Ｎ、等の薄膜を用いるか、ポリイミド、エポキ
シ等の絶縁性の樹脂を塗布するか、ガラスや絶縁性の高
分子フィルムを接着する。
びｐｔ等の単一金属薄膜またはＡ Ｑ −Ｓ ｉ 、
Ａ Ｑ Ｃｕ −Ｓ ｉ等の合金薄膜を用いる。光電
変換層としては、主にアモルファスシリコンからなる単
層または多層構造とする。さらに、上部透明電極として
は、ＩＴｏ、ＳｎＯ，等を用いる。上部遮光層としては
、Ｃｒ ｙ Ｍ ｏ ｙ Ｔ ｘ ｇ Ｎ ｘ ｇ Ｃ
ｏ等の単一金属薄膜または合金薄膜を用い、透明保護層
としてはＮａＡＱ Ｆ、、Ｓ ｉ Ｏ，Ｓ ｉ Ｏ，、
Ｓ ｉ、Ｎ、等の薄膜を用いるか、ポリイミド、エポキ
シ等の絶縁性の樹脂を塗布するか、ガラスや絶縁性の高
分子フィルムを接着する。
第１図に示した実施例においては１石英基板１にＣｒの
遮光層２を１０００人程度真空蒸着し、ホトリソ技術に
より、採光窓を形成する０次に、ＳｉＯの透明絶縁層３
をＰ−ＣＶＤ法により１〜２μｍ程度堆積する。下部電
極４は、真空蒸着にてＣｒを１０００人程度堆積し、ホ
トリソ技術により、Ｃｒ電極を個別化する。光電変換層
５は主に水素化アモルファスシリコンからなり、ＳｉＨ
，ガス等を用いたＰ−ＣＶＤ法により０．５〜２μｍ程
度堆積し、ホトリソ技術により採光窓９を通る光の光路
上の水素化アモルファスシリコン層を除去し、光路を完
成させる。上部透明電極６としては、ＩＴｏからなりス
パッタ法により８００人程痩地積し、ホトリソ技術によ
り上部透明電極を形成する。その上に、付加容量となる
上部遮光層１０．１０’としてＣｒを真空蒸着法にて１
０００人程度堆積し、ホトリソ技術を用い、光出力が均
一になるように個々の上部遮光層（付加容量部）を形成
する。最後に、透明保護層７としてＳｉ、Ｎ、をＰ−Ｃ
ＶＤ法により０．５〜２μｍ程度堆積し、その上にガラ
スを接着させ密着型イメージセンサを完成させる。なお
、下部電極を共通化し、上部電極を個別化しても同様の
効果が得られる。
遮光層２を１０００人程度真空蒸着し、ホトリソ技術に
より、採光窓を形成する０次に、ＳｉＯの透明絶縁層３
をＰ−ＣＶＤ法により１〜２μｍ程度堆積する。下部電
極４は、真空蒸着にてＣｒを１０００人程度堆積し、ホ
トリソ技術により、Ｃｒ電極を個別化する。光電変換層
５は主に水素化アモルファスシリコンからなり、ＳｉＨ
，ガス等を用いたＰ−ＣＶＤ法により０．５〜２μｍ程
度堆積し、ホトリソ技術により採光窓９を通る光の光路
上の水素化アモルファスシリコン層を除去し、光路を完
成させる。上部透明電極６としては、ＩＴｏからなりス
パッタ法により８００人程痩地積し、ホトリソ技術によ
り上部透明電極を形成する。その上に、付加容量となる
上部遮光層１０．１０’としてＣｒを真空蒸着法にて１
０００人程度堆積し、ホトリソ技術を用い、光出力が均
一になるように個々の上部遮光層（付加容量部）を形成
する。最後に、透明保護層７としてＳｉ、Ｎ、をＰ−Ｃ
ＶＤ法により０．５〜２μｍ程度堆積し、その上にガラ
スを接着させ密着型イメージセンサを完成させる。なお
、下部電極を共通化し、上部電極を個別化しても同様の
効果が得られる。
而して、上記第１図に示した実施例によれば、密着型イ
メージセンサにおいて、センサ部と同一材料で、上部に
遮光層を付けた付加容量をセンサに対し並列に設けるこ
とにより、光電変換層の膜厚分布、信号線による浮遊容
量および光源照度のばらつきによる光出力（Ｖｏｕｔ）
のばらつきを無くし、光出力の均一性を向上させること
ができる。
メージセンサにおいて、センサ部と同一材料で、上部に
遮光層を付けた付加容量をセンサに対し並列に設けるこ
とにより、光電変換層の膜厚分布、信号線による浮遊容
量および光源照度のばらつきによる光出力（Ｖｏｕｔ）
のばらつきを無くし、光出力の均一性を向上させること
ができる。
前述のように、蓄積読取センサにおいてはセンサ自身の
自己容量の変化が光出力（Ｖｏｕｔ）の均一性に大きく
依存するため、 Ｖｏｕｔの均一性をはかるためには、
センサ自身の自己容量を一定にする必要がある。さらに
、自己容量は、Ｖｏｕｔに対し比例関係にあるため、Ｍ
ＴＦを高めるために。
自己容量の変化が光出力（Ｖｏｕｔ）の均一性に大きく
依存するため、 Ｖｏｕｔの均一性をはかるためには、
センサ自身の自己容量を一定にする必要がある。さらに
、自己容量は、Ｖｏｕｔに対し比例関係にあるため、Ｍ
ＴＦを高めるために。
センサ領域を小さくするとＶｏｕｔが減少するという問
題が生じる。
題が生じる。
第２図及び第３図は、上記問題点を解決したイメージセ
ンサの実施例を説明するための構成図で、これらの実施
例においては、Ｖｏｕｔの大きさと均一性を維持したま
まで、ＭＴＦを向上させるため。
ンサの実施例を説明するための構成図で、これらの実施
例においては、Ｖｏｕｔの大きさと均一性を維持したま
まで、ＭＴＦを向上させるため。
上部透明電極の副走査方向端部および／または主走査方
向端部に上部遮光層が設けられている。
向端部に上部遮光層が設けられている。
第２図及び第３図において、（ａ）図は、平面図、（ｂ
）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線断面図で、図中、１１．２１
は透明基板、１２．２２は遮光層、１３．２３は透明絶
縁層、１４．２４は下部電極、１５．２５は光電変換層
、１６．２６は上部透明電極、１７．２７は透明保護層
、１８．２８は原稿、１９．２９は採光窓、２０．３０
は上部遮光層で、これらの実施例で用いられる透明基板
としては、第１図に示した実施例と同様、ガラス又は石
英、絶縁性高分子樹脂等がある。遮光層としては、Ｃｒ
２Ｍ０９Ｔｉ、Ｎｉ、ＣＯ等の単一金属薄膜または合金
薄膜を用いる。透明絶縁層としては、 Ｓｉｏ ｇ Ｓ
ｘ ０２ ｔ Ｓ ｉｓ Ｎ４等の膜を用い、下部電
極としてはＡＱ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ。
）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線断面図で、図中、１１．２１
は透明基板、１２．２２は遮光層、１３．２３は透明絶
縁層、１４．２４は下部電極、１５．２５は光電変換層
、１６．２６は上部透明電極、１７．２７は透明保護層
、１８．２８は原稿、１９．２９は採光窓、２０．３０
は上部遮光層で、これらの実施例で用いられる透明基板
としては、第１図に示した実施例と同様、ガラス又は石
英、絶縁性高分子樹脂等がある。遮光層としては、Ｃｒ
２Ｍ０９Ｔｉ、Ｎｉ、ＣＯ等の単一金属薄膜または合金
薄膜を用いる。透明絶縁層としては、 Ｓｉｏ ｇ Ｓ
ｘ ０２ ｔ Ｓ ｉｓ Ｎ４等の膜を用い、下部電
極としてはＡＱ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｉ。
Ｃｏおよびｐｔ等の単一金属薄膜またはＡＱ−８ｉ、Ａ
Ｑ−Ｃｕ−８ｉ等の合金薄膜を用いる。
Ｑ−Ｃｕ−８ｉ等の合金薄膜を用いる。
光電変換層としては、主にアモルファスシリコンからな
る単層または多層構造とする。さらに、上部透明電極と
しては、ＩＴｏ、ＳｎＯ□等を用いる。
る単層または多層構造とする。さらに、上部透明電極と
しては、ＩＴｏ、ＳｎＯ□等を用いる。
上部遮光層としては、Ｃｒ、Ｍｏ＋ Ｔｉ、Ｎｉ。
Ｇｏ等の単一金属薄膜または合金薄膜を用い、透明保護
層としてはＮ ａ Ａ Ｑ Ｆ ｓ ｙ Ｓ ｉＯｖ
Ｓ ｉＯ２ｒＳｉ３Ｎ４等の薄膜を用いるか、ポリイミ
ド、エポキシ等の絶縁性の樹脂を塗布するか、ガラスや
絶縁性の高分子フィルムを接着する。
層としてはＮ ａ Ａ Ｑ Ｆ ｓ ｙ Ｓ ｉＯｖ
Ｓ ｉＯ２ｒＳｉ３Ｎ４等の薄膜を用いるか、ポリイミ
ド、エポキシ等の絶縁性の樹脂を塗布するか、ガラスや
絶縁性の高分子フィルムを接着する。
第２図に示した実施例においては、まず、石英基板１１
にＣｒの遮光層１２を１０００人程度真空蒸着し、ホト
リソ技術により、採光窓１９を形成する。次に、ＳｉＯ
の透明絶縁層１３をｐ−ｃＶＤ法により１．５μｍ程度
堆積する。下部電極１４は真空蒸着にてＣｒを１０００
人程度堆積し、ホトリソ技術により、Ｃｒ電極を個別化
する。光電変換層１５は主に水素化アモルファスシリコ
ンからなり、Ｓ ｉ Ｈ４ガス等を用いたＰ−ＣＶＤ法
により０．５〜２μ肩程度堆積し、ホトリソ技術により
採光窓１９を通る光の光路上の水素化アモルファスシリ
コン層を除去し、光路を完成させる。上部透明電極１６
はＩＴｏからなり、スパッタ法により８００人程ユバ積
し、ホトリソ技術により上部共通電極を形成する。その
上に、上部遮光層２０としてＣｒを真空蒸着法にて１０
００人程度堆積し、ホトリソ技術を用いて形成する。最
後に、透明保護層１７として、Ｓｉ、Ｎ４をＰ−ＣＶＤ
法により０．５〜２．０μｍ程度堆積し、その上にガラ
スを接着させ、密着型イメージセンサを完成させる。
にＣｒの遮光層１２を１０００人程度真空蒸着し、ホト
リソ技術により、採光窓１９を形成する。次に、ＳｉＯ
の透明絶縁層１３をｐ−ｃＶＤ法により１．５μｍ程度
堆積する。下部電極１４は真空蒸着にてＣｒを１０００
人程度堆積し、ホトリソ技術により、Ｃｒ電極を個別化
する。光電変換層１５は主に水素化アモルファスシリコ
ンからなり、Ｓ ｉ Ｈ４ガス等を用いたＰ−ＣＶＤ法
により０．５〜２μ肩程度堆積し、ホトリソ技術により
採光窓１９を通る光の光路上の水素化アモルファスシリ
コン層を除去し、光路を完成させる。上部透明電極１６
はＩＴｏからなり、スパッタ法により８００人程ユバ積
し、ホトリソ技術により上部共通電極を形成する。その
上に、上部遮光層２０としてＣｒを真空蒸着法にて１０
００人程度堆積し、ホトリソ技術を用いて形成する。最
後に、透明保護層１７として、Ｓｉ、Ｎ４をＰ−ＣＶＤ
法により０．５〜２．０μｍ程度堆積し、その上にガラ
スを接着させ、密着型イメージセンサを完成させる。
なお、下部電極を共通化し、上部電極を個別化しても同
様の効果が得られる。
様の効果が得られる。
第３図に示した実施例においては、まず、ガラス基板２
１に、Ｎｉの遮光層を１０００人程度スルッタ成膜し、
オドリソ技術により、採光窓２９を形成する。次に、Ｓ
ｉＯ□の透明絶縁層２３をＥＢ法により２μｍ程度堆積
する。下部電極２４としては、Ｃｒを１０００人程度ス
ルッタ成膜し、ホトリソ技術を用い、Ｃｒ電極を個別化
する。光電変換層２５は主に水素アモルファスシリコン
がらなり、ＳｉＨ４ガスとＣＯ，ガスを用い、ｐ−ｃＶ
Ｄ法によりａ −Ｓ ｉ Ｈ層、ａ−８ｉＯＨ層を順次
堆積し、ホトリソ技術を用いて、採光窓２９を通る光、
路上の光電変換層を除去する。上部透明電極２６はＳｎ
Ｏ２からなり、ＥＢ法により８００−ユバ度堆積し、ホ
トリソ技術により、上部共通電極を形成する。その上に
、上部遮光層３ｏとして。
１に、Ｎｉの遮光層を１０００人程度スルッタ成膜し、
オドリソ技術により、採光窓２９を形成する。次に、Ｓ
ｉＯ□の透明絶縁層２３をＥＢ法により２μｍ程度堆積
する。下部電極２４としては、Ｃｒを１０００人程度ス
ルッタ成膜し、ホトリソ技術を用い、Ｃｒ電極を個別化
する。光電変換層２５は主に水素アモルファスシリコン
がらなり、ＳｉＨ４ガスとＣＯ，ガスを用い、ｐ−ｃＶ
Ｄ法によりａ −Ｓ ｉ Ｈ層、ａ−８ｉＯＨ層を順次
堆積し、ホトリソ技術を用いて、採光窓２９を通る光、
路上の光電変換層を除去する。上部透明電極２６はＳｎ
Ｏ２からなり、ＥＢ法により８００−ユバ度堆積し、ホ
トリソ技術により、上部共通電極を形成する。その上に
、上部遮光層３ｏとして。
Ｃｒを真空蒸着法にて１０００人程度堆積し、ホトリソ
技術により０．５〜２．０μｍ程度堆積し、その上にガ
ラスを接着させて密着型イメージセンサを完成させる。
技術により０．５〜２．０μｍ程度堆積し、その上にガ
ラスを接着させて密着型イメージセンサを完成させる。
上述のように、これら第２図及び第３図に示した実施例
によれば、密着型イメージセンサにおいて、光電変換層
の上部電極上に遮光層を設けることにより、センサ自身
の自己容量を変化させずに。
によれば、密着型イメージセンサにおいて、光電変換層
の上部電極上に遮光層を設けることにより、センサ自身
の自己容量を変化させずに。
Ｖｏｕｔの均一性をはかり、かつ、ＭＴＦを向上させる
ことができる。
ことができる。
勉−−−呆
以上の説明から明らかなように、本発明によると、密着
型イメージセンサにおいて、センサ部と同一材料で、上
部に遮光層を付けた付加容量をセンサに対し並列に設け
ることにより、光電変換層の膜厚分布、信号線による浮
遊容量および光源照度のばらつきによる光出力（Ｖｏｕ
ｔ）のばらつきを無くし、光出力の均一性を向上させる
ことができる。また、光電変換層の上部電極上に遮光層
を設けることにより、センサ自身の自己容量を変化させ
ずに、Ｖｏｕｔの均一性をはかり、かつ、ＭＴＦを向上
させることができる等の利点がある。
型イメージセンサにおいて、センサ部と同一材料で、上
部に遮光層を付けた付加容量をセンサに対し並列に設け
ることにより、光電変換層の膜厚分布、信号線による浮
遊容量および光源照度のばらつきによる光出力（Ｖｏｕ
ｔ）のばらつきを無くし、光出力の均一性を向上させる
ことができる。また、光電変換層の上部電極上に遮光層
を設けることにより、センサ自身の自己容量を変化させ
ずに、Ｖｏｕｔの均一性をはかり、かつ、ＭＴＦを向上
させることができる等の利点がある。
第１図乃至第３図は、それぞれ本発明の詳細な説明する
ための構成図で、各回とも、（ａ）図は、平面図、（ｂ
）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線断面図、第４図は、従来のセ
ンサの等価回路図、第５図は１本発明によるセンサの等
価回路図、第６図は、付加容量に対する光出力（Ｖｏｕ
ｔ）の関係を示す図、第７図は、光電変換層膜厚分布に
対する付加容量の関係を示す図、第８図は、光源照度に
対する付加容量の関係を示す図、第９図は、信号線の分
布容量に対する付加容量の関係を示す図である。 １・・・透明基板、２・・・遮光層、３・・・透明絶縁
層、４・・・下部電極、５・・・光電変換層、６・・・
上部透明電極。 ７・・・透明保護層、８・・・原稿、９・・・採光窓、
１０゜１０′・・・上部遮光層、１１．２１・・・透明
基板。 １２．２２・・・遮光層、１３．２３・・・透明絶縁層
。 １４．２４・・・下部電極、１５，２５・・・光電変換
層。 １６．２６・・・上部透明電極、１７．２７・・・透明
保護層、１８．２８・・・原稿、１９．２９・・・採光
窓。 ２０．３０・・・上部遮光層。 特許出願人 株式会社 リコー（ほか１名）第１図 （ｂ） 蔦 ３ 図 α 第４図 第 ５１２１ Ｗ、９ 閏
ための構成図で、各回とも、（ａ）図は、平面図、（ｂ
）図は（ａ）図のＢ−Ｂ線断面図、第４図は、従来のセ
ンサの等価回路図、第５図は１本発明によるセンサの等
価回路図、第６図は、付加容量に対する光出力（Ｖｏｕ
ｔ）の関係を示す図、第７図は、光電変換層膜厚分布に
対する付加容量の関係を示す図、第８図は、光源照度に
対する付加容量の関係を示す図、第９図は、信号線の分
布容量に対する付加容量の関係を示す図である。 １・・・透明基板、２・・・遮光層、３・・・透明絶縁
層、４・・・下部電極、５・・・光電変換層、６・・・
上部透明電極。 ７・・・透明保護層、８・・・原稿、９・・・採光窓、
１０゜１０′・・・上部遮光層、１１．２１・・・透明
基板。 １２．２２・・・遮光層、１３．２３・・・透明絶縁層
。 １４．２４・・・下部電極、１５，２５・・・光電変換
層。 １６．２６・・・上部透明電極、１７．２７・・・透明
保護層、１８．２８・・・原稿、１９．２９・・・採光
窓。 ２０．３０・・・上部遮光層。 特許出願人 株式会社 リコー（ほか１名）第１図 （ｂ） 蔦 ３ 図 α 第４図 第 ５１２１ Ｗ、９ 閏
Claims (2)
- （１）透明基板上に、順次、下部遮光層、透明絶縁層、
下部電極、光電変換層、上部透明電極を有する密着型イ
メージセンサにおいて、上記上部透明電極の一部に遮光
層を付けた付加容量をセンサに対して並列に設けたこと
を特徴とする密着型イメージセンサ。 - （２）透明基板上に、順次、下部遮光層、透明絶縁層、
下部電極、光電変換層、上部透明電極を有する密着型イ
メージセンサにおいて、上記上部透明電極の副走査方向
端部および／または主走査方向端部に上部遮光層を設け
たことを特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61276377A JPS63128748A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61276377A JPS63128748A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128748A true JPS63128748A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17568576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61276377A Pending JPS63128748A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128748A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5119462A (en) * | 1990-01-29 | 1992-06-02 | 501 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photosemiconductor and optical fiber welded module |
| US5189716A (en) * | 1990-01-29 | 1993-02-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photosemiconductor and optical fiber welded module |
| JP2009092938A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Okano Electric Wire Co Ltd | フェルール内蔵光部品およびそのフェルール内蔵光部品を用いたレセプタクル型光部品 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131263A (ja) * | 1983-11-28 | 1984-07-28 | Hitachi Ltd | 撮像素子 |
| JPS6184862A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JPS61231756A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Nec Corp | 混成集積化一次元光センサ |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP61276377A patent/JPS63128748A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131263A (ja) * | 1983-11-28 | 1984-07-28 | Hitachi Ltd | 撮像素子 |
| JPS6184862A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JPS61231756A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Nec Corp | 混成集積化一次元光センサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5119462A (en) * | 1990-01-29 | 1992-06-02 | 501 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photosemiconductor and optical fiber welded module |
| US5189716A (en) * | 1990-01-29 | 1993-02-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photosemiconductor and optical fiber welded module |
| JP2009092938A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Okano Electric Wire Co Ltd | フェルール内蔵光部品およびそのフェルール内蔵光部品を用いたレセプタクル型光部品 |
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