JPH0945952A - Ｘ線検出器及び二次元ｘ線センサー・マトリックス・アレイ - Google Patents
Ｘ線検出器及び二次元ｘ線センサー・マトリックス・アレイInfo
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- JPH0945952A JPH0945952A JP7190363A JP19036395A JPH0945952A JP H0945952 A JPH0945952 A JP H0945952A JP 7190363 A JP7190363 A JP 7190363A JP 19036395 A JP19036395 A JP 19036395A JP H0945952 A JPH0945952 A JP H0945952A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線に対する感度と分解能を向上させたＸ線
蛍光体と光導電層を組み合わせたＸ線検出器を提供す
る。 【構成】 基板１上に金属膜９を形成し、マスク工程で
下部電極２に加工し、その上に、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ
−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５を成膜し、ｐｉｎａ−Ｓｉ
膜による光導電体Ｄを形成させる。蒸着により導電性蛍
光体６を形成・加工し上部電極を形成した。さらに、前
記ｐｉｎａ−Ｓｉ膜をアイランド状に加工し、その上に
絶縁膜７を形成し加工した。次に、Ａｌの導電性膜を成
膜し、両電極に接続するＡｌ膜の配線層８を形成し、Ｘ
線検出器を構成したものである。
蛍光体と光導電層を組み合わせたＸ線検出器を提供す
る。 【構成】 基板１上に金属膜９を形成し、マスク工程で
下部電極２に加工し、その上に、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ
−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５を成膜し、ｐｉｎａ−Ｓｉ
膜による光導電体Ｄを形成させる。蒸着により導電性蛍
光体６を形成・加工し上部電極を形成した。さらに、前
記ｐｉｎａ−Ｓｉ膜をアイランド状に加工し、その上に
絶縁膜７を形成し加工した。次に、Ａｌの導電性膜を成
膜し、両電極に接続するＡｌ膜の配線層８を形成し、Ｘ
線検出器を構成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線検出器に係り、特
にＸ線コンピュ−タ・トモグラフィ、透視診断や透視撮
影兼用のデジタル・ラジオグラフィ−等の医療機器用の
検出感度の高いＸ線検出器及び二次元Ｘ線センサー・マ
トリックス・アレイに関するものである。
にＸ線コンピュ−タ・トモグラフィ、透視診断や透視撮
影兼用のデジタル・ラジオグラフィ−等の医療機器用の
検出感度の高いＸ線検出器及び二次元Ｘ線センサー・マ
トリックス・アレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＸ線検出器の代表的なものして、
Ｘ線蛍光体と光導電体を組み合わせた素子がある。この
検出器は、Ｘ線蛍光体に入射したＸ線を可視光に変換
し、さらに光導電体により、光電流に変換し検出するも
のである。近年、非晶質材料の応用研究の進歩により、
光導電体として非晶質Ｓｉを用いた検出器が発表されて
いる。これに関連するものとしては、ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｎｕｃｌｅａｒ Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ， Ｖｏｌ． ３９Ｎｏ．４ １０５６ （１９９
２）記載の技術がある。また、非晶質Ｓｉは大面積基板
上に形成できることから、大画面の面センサーを作製す
ることができる。前記Ｘ線検出器の作製法の第一として
は、光導電体上に透明電極を形成し、さらにその上にＸ
線蛍光体を接合する方法がある。これに関連するものと
しては、Ｍｅｄｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ＶＯｌ９．
ＮＯ．６ １４５５（１９９２）記載の技術がある。
また、第二の方法としては、光導電体と、透明電極と、
Ｘ線蛍光体とを積層する方法があり、これに関連するも
のとしては、特開昭６２−８６８５７号公報および特開
昭６４−９３９２号公報の記載技術がある。さらに、第
三の方法としては、Ｘ線蛍光体上に透明電極を形成し、
光導電体を作製する方法がある。これに関連するものと
しては、特開平２−１５６８１号公報記載の技術があ
る。
Ｘ線蛍光体と光導電体を組み合わせた素子がある。この
検出器は、Ｘ線蛍光体に入射したＸ線を可視光に変換
し、さらに光導電体により、光電流に変換し検出するも
のである。近年、非晶質材料の応用研究の進歩により、
光導電体として非晶質Ｓｉを用いた検出器が発表されて
いる。これに関連するものとしては、ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｎｕｃｌｅａｒ Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ， Ｖｏｌ． ３９Ｎｏ．４ １０５６ （１９９
２）記載の技術がある。また、非晶質Ｓｉは大面積基板
上に形成できることから、大画面の面センサーを作製す
ることができる。前記Ｘ線検出器の作製法の第一として
は、光導電体上に透明電極を形成し、さらにその上にＸ
線蛍光体を接合する方法がある。これに関連するものと
しては、Ｍｅｄｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ＶＯｌ９．
ＮＯ．６ １４５５（１９９２）記載の技術がある。
また、第二の方法としては、光導電体と、透明電極と、
Ｘ線蛍光体とを積層する方法があり、これに関連するも
のとしては、特開昭６２−８６８５７号公報および特開
昭６４−９３９２号公報の記載技術がある。さらに、第
三の方法としては、Ｘ線蛍光体上に透明電極を形成し、
光導電体を作製する方法がある。これに関連するものと
しては、特開平２−１５６８１号公報記載の技術があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記第一の方法は、光
導電体とＸ線蛍光体を接合させる場合に、前記光導電体
と前記Ｘ線蛍光体の間にギャップが形成される。このた
め、Ｘ線蛍光体で発生した可視光が散乱し、有効に光導
電体に入射しないという問題がある。特に、Ｘ線検出器
を二次元センサー・マトリックス・アレイの構成要素と
して用いるる場合、蛍光を発生した画素の周辺の他画素
にも光が散乱して周り込むため、画像が不鮮明になると
いう問題がある。
導電体とＸ線蛍光体を接合させる場合に、前記光導電体
と前記Ｘ線蛍光体の間にギャップが形成される。このた
め、Ｘ線蛍光体で発生した可視光が散乱し、有効に光導
電体に入射しないという問題がある。特に、Ｘ線検出器
を二次元センサー・マトリックス・アレイの構成要素と
して用いるる場合、蛍光を発生した画素の周辺の他画素
にも光が散乱して周り込むため、画像が不鮮明になると
いう問題がある。
【０００４】また、上記第二、第三の方法は、透明電極
とＸ線蛍光体と界面および透明電極と光導電体との界面
で、Ｘ線蛍光体で発生した可視光が反射されるため、光
導電体に入射する光量が減少するという問題があった。
さらに、上記Ｘ線検出器の作製には、必ず、透明電極の
形成とＸ線蛍光体の形成の工程が必要となるため、工程
数が増え、設備および製造コストが高くなるという問題
がある。
とＸ線蛍光体と界面および透明電極と光導電体との界面
で、Ｘ線蛍光体で発生した可視光が反射されるため、光
導電体に入射する光量が減少するという問題があった。
さらに、上記Ｘ線検出器の作製には、必ず、透明電極の
形成とＸ線蛍光体の形成の工程が必要となるため、工程
数が増え、設備および製造コストが高くなるという問題
がある。
【０００５】本発明の目的は、かかる従来技術の問題点
を解決するためになされたもので、Ｘ線蛍光体から発生
する可視光が有効に光導電体に入射させる高効率、か
つ、形成工程を簡略化した低コストのＸ線検出器及び二
次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイを提供するこ
とにある。
を解決するためになされたもので、Ｘ線蛍光体から発生
する可視光が有効に光導電体に入射させる高効率、か
つ、形成工程を簡略化した低コストのＸ線検出器及び二
次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイを提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るＸ線検出器の構成は、基板上に形成し
た下部電極と、その上に上部のＸ線蛍光体からの発光を
検知する光導電体と、さらにその上に上部電極をかねた
Ｘ線蛍光体を順次積層し、前記両電極間を配線してなる
ことを特徴とするものである。本発明に係るＸ線検出器
の他の構成は、基板上に下部電極をかねた導電性を有す
るＸ線蛍光体を形成し、その上に前記Ｘ線蛍光体からの
発光を検知する光導電体と上部電極を積層し、前記両電
極間を配線してなることを特徴とするものである。前項
記載のいずれかのＸ線検出器において、前記Ｘ線蛍光体
が、過剰なＺｎを含むＺｎＯであることを特徴とするも
のである。前項記載のいずれかのＸ線検出器において、
前記Ｘ線蛍光体は、過剰なＺｎが含まれるＺｎＯを母体
とし、他の蛍光体を含むことを特徴とするものである。
前項記載のいずれかのＸ線検出器において、前記光導電
体として、非晶質Ｓｉ光導電体を用いたことを特徴とす
るものである。上記目的を達成するため、本発明に係る
二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイの構成は、
前項記載のいずれかのＸ線検出器と薄膜トランジスタ−
を組み合わせたＸ線検知画素を二次元的にマトリックス
配置したことを特徴とするものである。
め、本発明に係るＸ線検出器の構成は、基板上に形成し
た下部電極と、その上に上部のＸ線蛍光体からの発光を
検知する光導電体と、さらにその上に上部電極をかねた
Ｘ線蛍光体を順次積層し、前記両電極間を配線してなる
ことを特徴とするものである。本発明に係るＸ線検出器
の他の構成は、基板上に下部電極をかねた導電性を有す
るＸ線蛍光体を形成し、その上に前記Ｘ線蛍光体からの
発光を検知する光導電体と上部電極を積層し、前記両電
極間を配線してなることを特徴とするものである。前項
記載のいずれかのＸ線検出器において、前記Ｘ線蛍光体
が、過剰なＺｎを含むＺｎＯであることを特徴とするも
のである。前項記載のいずれかのＸ線検出器において、
前記Ｘ線蛍光体は、過剰なＺｎが含まれるＺｎＯを母体
とし、他の蛍光体を含むことを特徴とするものである。
前項記載のいずれかのＸ線検出器において、前記光導電
体として、非晶質Ｓｉ光導電体を用いたことを特徴とす
るものである。上記目的を達成するため、本発明に係る
二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイの構成は、
前項記載のいずれかのＸ線検出器と薄膜トランジスタ−
を組み合わせたＸ線検知画素を二次元的にマトリックス
配置したことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】上記各技術手段の働きは下記のとおりである。
本発明に係るＸ線検出器の構成によれば、導電性を有す
るＸ線蛍光体は、Ｘ線を可視光に変換すると共に、光導
電体で可視光を吸収して発生した光電流を取り出す電極
としての働きを有するので、光導電体の透明電極と蛍光
体を形成する工程を簡略化することができ、Ｘ線検出器
を作製するコストを低減できる。さらに、Ｘ線蛍光体
は、電極として光導電体に直接形成されているので、蛍
光体から発生した可視光が効率良く光導電体に入射させ
ることにより、蛍光体とフォトセンサの界面は一つのみ
となり、高効率のＸ線検出器を作製することができる。
本発明に係るＸ線検出器の構成によれば、導電性を有す
るＸ線蛍光体は、Ｘ線を可視光に変換すると共に、光導
電体で可視光を吸収して発生した光電流を取り出す電極
としての働きを有するので、光導電体の透明電極と蛍光
体を形成する工程を簡略化することができ、Ｘ線検出器
を作製するコストを低減できる。さらに、Ｘ線蛍光体
は、電極として光導電体に直接形成されているので、蛍
光体から発生した可視光が効率良く光導電体に入射させ
ることにより、蛍光体とフォトセンサの界面は一つのみ
となり、高効率のＸ線検出器を作製することができる。
【０００８】従来技術における蛍光体を光導電体に接合
させる場合には、蛍光体と接合媒体、前記接合媒体と透
明電極、前記透明電極と光導電体の間で形成される合計
三個の界面が形成される。また、従来技術におけるＸ線
蛍光体上に透明電極を形成し光導電体を形成する場合、
蛍光体と透明電極および前記透明電極と光導電体の二個
の界面が存在するので、本発明では、蛍光体と光導電体
間の界面数を前記の如く、減ずることができ、前記界面
における反射による光量損失を減ずることができる。
させる場合には、蛍光体と接合媒体、前記接合媒体と透
明電極、前記透明電極と光導電体の間で形成される合計
三個の界面が形成される。また、従来技術におけるＸ線
蛍光体上に透明電極を形成し光導電体を形成する場合、
蛍光体と透明電極および前記透明電極と光導電体の二個
の界面が存在するので、本発明では、蛍光体と光導電体
間の界面数を前記の如く、減ずることができ、前記界面
における反射による光量損失を減ずることができる。
【０００９】さらに、導電性を有する蛍光体上に、Ａ
ｌ、Ｃｒなどの金属を形成することにより、Ｘ線が前記
金属を透過し、前記蛍光体に入射し可視光に変換される
ので、可視光のうち、光導電体と反対側に位置する金属
に向かう光成分も反射されるため、前記可視光が効率良
く光導電体に入射し、効率を向上させることができる。
ｌ、Ｃｒなどの金属を形成することにより、Ｘ線が前記
金属を透過し、前記蛍光体に入射し可視光に変換される
ので、可視光のうち、光導電体と反対側に位置する金属
に向かう光成分も反射されるため、前記可視光が効率良
く光導電体に入射し、効率を向上させることができる。
【００１０】さらに、前記光導電体として、例えば非晶
質Ｓｉなどの軽元素を母体とする材料を用いることによ
り、Ｘ線の光導電体に対する透過率を向上させることが
できる。さらに、また蛍光体を基板上に直接形成し、そ
の上に光導電体を積層することにより、Ｘ線は蛍光体に
入射させ光に変換させ、前記光を連続して光導電体に入
射させることができるので、前述のように一層効率を改
善することができる。
質Ｓｉなどの軽元素を母体とする材料を用いることによ
り、Ｘ線の光導電体に対する透過率を向上させることが
できる。さらに、また蛍光体を基板上に直接形成し、そ
の上に光導電体を積層することにより、Ｘ線は蛍光体に
入射させ光に変換させ、前記光を連続して光導電体に入
射させることができるので、前述のように一層効率を改
善することができる。
【００１１】さらに、本発明に係るＸ線検出器を用いた
二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイの構成によ
れば、Ｘ線検出器のＸ線蛍光体から発生した可視光が、
効率よく対応する画素に入射するので、他の画素に入射
する散乱光量を減少し、鮮明な二次元画像を得ることが
できる。
二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイの構成によ
れば、Ｘ線検出器のＸ線蛍光体から発生した可視光が、
効率よく対応する画素に入射するので、他の画素に入射
する散乱光量を減少し、鮮明な二次元画像を得ることが
できる。
【００１２】
【実施例】図１ないし図４を参照して本発明に係る各実
施例を説明する。 〔実施例 １〕図１は、本発明の一実施例に係るＸ線検
出器の断面説明図、図２は図１の実施例に係るＸ線検出
器の製造工程図である。図１、２を参照して、Ｘ線検出
器およびその製造工程を説明する。図１において、１は
基板、２は下部電極、３はｎ型ａ−Ｓｉ（以下、ｎａ−
Ｓｉという）膜、４はｉ型ａ−Ｓｉ（以下、ｉａ−Ｓｉ
という）膜、５はｐ型ａ−Ｓｉ（以下、ｐａ−Ｓｉとい
う）膜、Ｄは前記膜３、４、５からなる光導電体、６は
ＺｎＯ膜の導電性蛍光体、７はａ−ＳｉＮの絶縁膜、８
は導電性膜の電極配線層である。図１に示したＸ線検出
器は、下部電極２と、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜
４、ｐａ−Ｓｉ５からなり、Ｘ線蛍光体６からの発光を
検知し、電荷に変換する光導電体Ｄと、入射するＸ線に
より発光し、かつ導電性を有する上部電極をかねたＸ線
蛍光体６とを順次積層し、導電性膜の配線層８を付設し
て、下部電極２と、上部電極をかねたＸ線蛍光体６とを
配線接続して構成したことを特徴とするものである。
施例を説明する。 〔実施例 １〕図１は、本発明の一実施例に係るＸ線検
出器の断面説明図、図２は図１の実施例に係るＸ線検出
器の製造工程図である。図１、２を参照して、Ｘ線検出
器およびその製造工程を説明する。図１において、１は
基板、２は下部電極、３はｎ型ａ−Ｓｉ（以下、ｎａ−
Ｓｉという）膜、４はｉ型ａ−Ｓｉ（以下、ｉａ−Ｓｉ
という）膜、５はｐ型ａ−Ｓｉ（以下、ｐａ−Ｓｉとい
う）膜、Ｄは前記膜３、４、５からなる光導電体、６は
ＺｎＯ膜の導電性蛍光体、７はａ−ＳｉＮの絶縁膜、８
は導電性膜の電極配線層である。図１に示したＸ線検出
器は、下部電極２と、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜
４、ｐａ−Ｓｉ５からなり、Ｘ線蛍光体６からの発光を
検知し、電荷に変換する光導電体Ｄと、入射するＸ線に
より発光し、かつ導電性を有する上部電極をかねたＸ線
蛍光体６とを順次積層し、導電性膜の配線層８を付設し
て、下部電極２と、上部電極をかねたＸ線蛍光体６とを
配線接続して構成したことを特徴とするものである。
【００１３】次ぎに、図１の実施例に係るＸ線検出器の
製造工程の一例を具体的数値と共に詳細に説明する。図
２は、図１に示すＸ線検出器の製造工程の説明図であ
る。図中、図１と同等部分は同一符号である。まず、図
２（ａ）に示す如く、基板１上に金属膜としてＣｒ膜を
スパッタリング法により形成した。このとき、前記Ｃｒ
膜を２００ｎｍ厚とした。次いで、図２（ｂ）に示す如
く、マスク工程により加工し下部電極２とした。
製造工程の一例を具体的数値と共に詳細に説明する。図
２は、図１に示すＸ線検出器の製造工程の説明図であ
る。図中、図１と同等部分は同一符号である。まず、図
２（ａ）に示す如く、基板１上に金属膜としてＣｒ膜を
スパッタリング法により形成した。このとき、前記Ｃｒ
膜を２００ｎｍ厚とした。次いで、図２（ｂ）に示す如
く、マスク工程により加工し下部電極２とした。
【００１４】図２（ｃ）に示す如く、その上に、プラズ
マＣＶＤ法によりｎａ−Ｓｉ膜３を、次いでｉａ−Ｓｉ
膜４を形成し、さらに、ｐａ−Ｓｉ膜５を形成し、ｐｉ
ｎａ−Ｓｉ層を構成し、光導電体Ｄとした。なお、前記
ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５のそ
れぞれ厚みを一例として、５０ｎｍ厚、５００ｎｍ厚、
５０ｎｍ厚とした。さらに、原料ガスの一例としては、
ａ−Ｓｉ膜４を形成する場合にはＳｉＨ4ガスを、ま
た、ｎａ−Ｓｉ膜３の形成では水素希釈したＰＨ3、ｐ
ａ−Ｓｉ膜５の形成では水素希釈したＢ2Ｈ6をＳｉＨ4
ガスに加えて、それぞれ成膜した。
マＣＶＤ法によりｎａ−Ｓｉ膜３を、次いでｉａ−Ｓｉ
膜４を形成し、さらに、ｐａ−Ｓｉ膜５を形成し、ｐｉ
ｎａ−Ｓｉ層を構成し、光導電体Ｄとした。なお、前記
ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５のそ
れぞれ厚みを一例として、５０ｎｍ厚、５００ｎｍ厚、
５０ｎｍ厚とした。さらに、原料ガスの一例としては、
ａ−Ｓｉ膜４を形成する場合にはＳｉＨ4ガスを、ま
た、ｎａ−Ｓｉ膜３の形成では水素希釈したＰＨ3、ｐ
ａ−Ｓｉ膜５の形成では水素希釈したＢ2Ｈ6をＳｉＨ4
ガスに加えて、それぞれ成膜した。
【００１５】次いで、図２（ｄ）に示す如く、ＺｎＯ膜
を蒸着して導電性蛍光体６を形成した。このときのＺｎ
Ｏ膜は１μｍ厚とし、過剰Ｚｎ量を調整するため、チャ
ンバ−に少量の酸素を導入した。次いで、図２（ｅ）に
示す如く、膜形成後、マスク工程により、前記ＺｎＯ膜
を加工し上部電極を形成し、さらにｐｉｎａ−Ｓｉ層で
ある光導電体Ｄを、いわゆるアイランド状に加工した。
図２（ｆ）に示す如く、絶縁膜７としてａ−ＳｉＮ膜を
プラズマＣＶＤ法により形成した。その厚みを３００ｎ
ｍとし、原料ガスとして、ＳｉＨ4、Ｎ2およびＮＨ3の
混合ガスを用いた。
を蒸着して導電性蛍光体６を形成した。このときのＺｎ
Ｏ膜は１μｍ厚とし、過剰Ｚｎ量を調整するため、チャ
ンバ−に少量の酸素を導入した。次いで、図２（ｅ）に
示す如く、膜形成後、マスク工程により、前記ＺｎＯ膜
を加工し上部電極を形成し、さらにｐｉｎａ−Ｓｉ層で
ある光導電体Ｄを、いわゆるアイランド状に加工した。
図２（ｆ）に示す如く、絶縁膜７としてａ−ＳｉＮ膜を
プラズマＣＶＤ法により形成した。その厚みを３００ｎ
ｍとし、原料ガスとして、ＳｉＨ4、Ｎ2およびＮＨ3の
混合ガスを用いた。
【００１６】次ぎに、図２（ｇ）に示す如く、マスク工
程により、前記ａ−ＳｉＮ膜７を加工し、下部電極２の
端子部と上部電極上のａ−ＳｉＮ膜７を除去した。次い
で、図１に示すように、電極配線層の導電性膜として、
薄膜Ａｌ膜をスパッタリング法により成膜した。この
際、前記薄膜Ａｌ膜が下部電極２の端子部と接する共
に、上部電極を覆うように加工した。薄膜Ａｌ膜の厚さ
を一例として２００ｎｍとした。次いで、マスク工程に
より、導電性蛍光体６に形成した上部電極に接続するＡ
ｌ膜の電極配線層８を形成させた。このようにして本発
明の一実施例に係るＸ線検出器が形成された。
程により、前記ａ−ＳｉＮ膜７を加工し、下部電極２の
端子部と上部電極上のａ−ＳｉＮ膜７を除去した。次い
で、図１に示すように、電極配線層の導電性膜として、
薄膜Ａｌ膜をスパッタリング法により成膜した。この
際、前記薄膜Ａｌ膜が下部電極２の端子部と接する共
に、上部電極を覆うように加工した。薄膜Ａｌ膜の厚さ
を一例として２００ｎｍとした。次いで、マスク工程に
より、導電性蛍光体６に形成した上部電極に接続するＡ
ｌ膜の電極配線層８を形成させた。このようにして本発
明の一実施例に係るＸ線検出器が形成された。
【００１７】上記構成のＸ線検出器の働きを説明する。
図示のＸ線検出器において、Ｘ線はＡｌ膜の配線層８が
薄いので、なんら強度的影響を受けずに透過し、ＺｎＯ
蛍光体６に入射することができ、ここでＺｎＯ蛍光体６
で光に変換される。前記変換された光は、ｐｉｎａ−Ｓ
ｉ層の光導電体Ｄに直接入射するが、一方、反対側のＡ
ｌ膜の電極配線層８側に進んだ光も当該Ａｌ膜の電極配
線層８で反射され、ｐｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体Ｄに入
射し、電荷に変換される。このようにして、全体として
変換効率が向上する。この電荷を前記下部電極２と前記
上部電極とを接続する配線により電流として取り出す
と、その電流の大きさがＸ線強度を表示することにな
る。前記製作したＸ線検出器をＣｕＫ線の検出に用いた
結果、良好な感度が得られることがわかった。
図示のＸ線検出器において、Ｘ線はＡｌ膜の配線層８が
薄いので、なんら強度的影響を受けずに透過し、ＺｎＯ
蛍光体６に入射することができ、ここでＺｎＯ蛍光体６
で光に変換される。前記変換された光は、ｐｉｎａ−Ｓ
ｉ層の光導電体Ｄに直接入射するが、一方、反対側のＡ
ｌ膜の電極配線層８側に進んだ光も当該Ａｌ膜の電極配
線層８で反射され、ｐｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体Ｄに入
射し、電荷に変換される。このようにして、全体として
変換効率が向上する。この電荷を前記下部電極２と前記
上部電極とを接続する配線により電流として取り出す
と、その電流の大きさがＸ線強度を表示することにな
る。前記製作したＸ線検出器をＣｕＫ線の検出に用いた
結果、良好な感度が得られることがわかった。
【００１８】〔実施例 ２〕次ぎに、本発明の他の実施
例を説明する。図３は、本発明の他の一実施例に係るＸ
線検出器の断面説明図である。図中、図１と同一符号
は、同等部分であるので、説明を省略し、新たな符号の
みを説明する。９はＣｒ膜である。図３に示したＸ線検
出器は、金属薄膜、図示ではＣｒ膜９を有し、下部電極
をかね、かつ入射するＸ線を光に変換する導電性を有す
るＸ線蛍光体６と、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、
ｐａ−Ｓｉ５からなり、前記Ｘ線蛍光体６からの発光を
検知し、電荷に変換する光導電体Ｄとを積層すると共
に、上部電極をかねた導電性膜の電極配線層８を付設
し、前記下部電極と、上部電極とを接続して構成したこ
とを特徴とするものである。
例を説明する。図３は、本発明の他の一実施例に係るＸ
線検出器の断面説明図である。図中、図１と同一符号
は、同等部分であるので、説明を省略し、新たな符号の
みを説明する。９はＣｒ膜である。図３に示したＸ線検
出器は、金属薄膜、図示ではＣｒ膜９を有し、下部電極
をかね、かつ入射するＸ線を光に変換する導電性を有す
るＸ線蛍光体６と、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、
ｐａ−Ｓｉ５からなり、前記Ｘ線蛍光体６からの発光を
検知し、電荷に変換する光導電体Ｄとを積層すると共
に、上部電極をかねた導電性膜の電極配線層８を付設
し、前記下部電極と、上部電極とを接続して構成したこ
とを特徴とするものである。
【００１９】図３の実施例に係るＸ線検出器の製造工程
の具体例を詳細に説明する。まず、基板１上に、薄い金
属薄膜としてＣｒ膜９をスパッタリング法により形成さ
せ、その上に前記Ｃｒ膜９に比較して厚膜層であるＺｎ
を過剰に含むＺｎＯを導電性蛍光体６として、〔実施例
１〕と同様の方法で形成した。本実施例では、前記Ｃ
ｒ膜９を２００ｎｍ厚、前記ＺｎＯの導電性蛍光体６は
５μｍ厚とした。次で、マスク工程により下部電極に加
工した。
の具体例を詳細に説明する。まず、基板１上に、薄い金
属薄膜としてＣｒ膜９をスパッタリング法により形成さ
せ、その上に前記Ｃｒ膜９に比較して厚膜層であるＺｎ
を過剰に含むＺｎＯを導電性蛍光体６として、〔実施例
１〕と同様の方法で形成した。本実施例では、前記Ｃ
ｒ膜９を２００ｎｍ厚、前記ＺｎＯの導電性蛍光体６は
５μｍ厚とした。次で、マスク工程により下部電極に加
工した。
【００２０】さらに、その上に、プラズマＣＶＤ法によ
り、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５
を〔実施例 １〕と同様の方法で形成した。前記各膜の
厚さは、それぞれ５０ｎｍ厚、５００ｎｍ厚、５０ｎｍ
厚とした。膜形成後において、マスク工程により、ｎａ
−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５からなる
ｐｉｎａ−Ｓｉ膜をアイランド状に加工し、さらに前記
ｐａ−Ｓｉ膜５を加工し、上部電極を形成した。さら
に、絶縁膜としてａ−ＳｉＮ膜７、具体的には３００ｎ
ｍ厚に〔実施例１〕と同様の方法で形成した。マスク工
程により、前記ａ−ＳｉＮ膜７を加工し、下部電極の端
子部と上部電極上のａ−ＳｉＮ膜７を除去した。次ぎ
に、導電性膜、例えばＡｌ膜の厚み２００ｎｍ膜を、
〔実施例 １〕と同様に、スパッタリング法により成膜
し、マスク工程によりＡｌ膜の電極配線層８を形成し
た。このようにして、図３に示される本発明の一実施例
に係るＸ線検出器が形成された。
り、ｎａ−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５
を〔実施例 １〕と同様の方法で形成した。前記各膜の
厚さは、それぞれ５０ｎｍ厚、５００ｎｍ厚、５０ｎｍ
厚とした。膜形成後において、マスク工程により、ｎａ
−Ｓｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５からなる
ｐｉｎａ−Ｓｉ膜をアイランド状に加工し、さらに前記
ｐａ−Ｓｉ膜５を加工し、上部電極を形成した。さら
に、絶縁膜としてａ−ＳｉＮ膜７、具体的には３００ｎ
ｍ厚に〔実施例１〕と同様の方法で形成した。マスク工
程により、前記ａ−ＳｉＮ膜７を加工し、下部電極の端
子部と上部電極上のａ−ＳｉＮ膜７を除去した。次ぎ
に、導電性膜、例えばＡｌ膜の厚み２００ｎｍ膜を、
〔実施例 １〕と同様に、スパッタリング法により成膜
し、マスク工程によりＡｌ膜の電極配線層８を形成し
た。このようにして、図３に示される本発明の一実施例
に係るＸ線検出器が形成された。
【００２１】上記構成のＸ線検出器において、Ｘ線は、
基板１、Ｃｒ膜９は薄膜となっているのでその強度に影
響なく透過し、ＺｎＯの蛍光体６に入射し光に変換され
る。前記変換光は、ｐｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体Ｄに直
接入射し、電荷に変換される。この電荷を前記下部電極
と前記上部電極とからＸ線強度を表示する電流として取
り出すことができる。作製したＸ線検出器を用い、Ｍｏ
Ｋ線の検出をしたところ、良好な感度が得られた。
基板１、Ｃｒ膜９は薄膜となっているのでその強度に影
響なく透過し、ＺｎＯの蛍光体６に入射し光に変換され
る。前記変換光は、ｐｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体Ｄに直
接入射し、電荷に変換される。この電荷を前記下部電極
と前記上部電極とからＸ線強度を表示する電流として取
り出すことができる。作製したＸ線検出器を用い、Ｍｏ
Ｋ線の検出をしたところ、良好な感度が得られた。
【００２２】本発明は、上記実施例に限定されることな
く、多数の変形例が考えられる。例えば、図示を省略す
るが、図１の〔実施例 １〕を一部変更して、同様の構
造を有するＸ線検出器を作製することができる。導電性
蛍光体６としてＭｎを含むＺｎＳを含有したＺｎＯを蒸
着法により形成しても差し支えない。ここで、蒸着源と
してＺｎＯに対し、Ｍｎを含むＺｎＳ粉末を添加し、プ
レスして焼結したものを用いてもよい。このようにして
作成したＸ線検出器を用い、ＣｕＫ線の検出に用いた
が、良好な感度が得られることがわかった。
く、多数の変形例が考えられる。例えば、図示を省略す
るが、図１の〔実施例 １〕を一部変更して、同様の構
造を有するＸ線検出器を作製することができる。導電性
蛍光体６としてＭｎを含むＺｎＳを含有したＺｎＯを蒸
着法により形成しても差し支えない。ここで、蒸着源と
してＺｎＯに対し、Ｍｎを含むＺｎＳ粉末を添加し、プ
レスして焼結したものを用いてもよい。このようにして
作成したＸ線検出器を用い、ＣｕＫ線の検出に用いた
が、良好な感度が得られることがわかった。
【００２３】上記のように、導電性Ｘ線蛍光体を電極に
用いることができるが、例として、過剰なＺｎを含むＺ
ｎＯがあげられるが、過剰Ｚｎの量は１〜１０００ｐｐ
ｍ、好ましくは１〜１００ｐｐｍ、さらに好ましくは５
〜１５ｐｐｍである。前記のように過剰なＺｎを含むＺ
ｎＯの発光波長ピ−クは、３９０ｎｍと５０４ｎｍであ
る。過剰なＺｎを含むＺｎＯを他の蛍光体と混合して用
いることにより、違う波長の発光を得ることができる。
他の蛍光体としては、Ｃｕを含むＺｎＯあるいは金属を
含むＺｎＳなどが考えられ、光導電体の光感度に合わせ
ることができる。
用いることができるが、例として、過剰なＺｎを含むＺ
ｎＯがあげられるが、過剰Ｚｎの量は１〜１０００ｐｐ
ｍ、好ましくは１〜１００ｐｐｍ、さらに好ましくは５
〜１５ｐｐｍである。前記のように過剰なＺｎを含むＺ
ｎＯの発光波長ピ−クは、３９０ｎｍと５０４ｎｍであ
る。過剰なＺｎを含むＺｎＯを他の蛍光体と混合して用
いることにより、違う波長の発光を得ることができる。
他の蛍光体としては、Ｃｕを含むＺｎＯあるいは金属を
含むＺｎＳなどが考えられ、光導電体の光感度に合わせ
ることができる。
【００２４】〔実施例 ３〕次ぎに、本発明のさらに他
の実施例を説明する。図４は、本発明のさらに他の実施
例に係る二次元Ｘ線マトリックス・アレイの断面説明図
である。図中、図１と同一符号は、同等部分であるので
再度の説明を省略する。新たな符号のみ説明する。１０
はゲ−ト配線、１１はＳｉＮ膜、１２はａ−Ｓｉ膜、１
３はａ−ＳｉＮ膜、１４はｎａ−Ｓｉ膜、１５はドレイ
ン配線、１６はソ−ス電極である。
の実施例を説明する。図４は、本発明のさらに他の実施
例に係る二次元Ｘ線マトリックス・アレイの断面説明図
である。図中、図１と同一符号は、同等部分であるので
再度の説明を省略する。新たな符号のみ説明する。１０
はゲ−ト配線、１１はＳｉＮ膜、１２はａ−Ｓｉ膜、１
３はａ−ＳｉＮ膜、１４はｎａ−Ｓｉ膜、１５はドレイ
ン配線、１６はソ−ス電極である。
【００２５】図４に示される二次元Ｘ線マトリックスセ
ンサは、まず、基板１上に導電性膜、例えば２００ｎｍ
厚のＡｌ膜をスパッタリング法で形成し、マスク工程で
ＴＦＴのゲ−ト配線１０に加工した。次いで、加工後、
陽極酸化法により、ゲ−ト配線１０のＡｌ表面に酸化Ａ
ｌ膜を形成した。その後、ＳｉＮ膜１１、ａ−Ｓｉ膜１
２、ａ−ＳｉＮ膜１３を、〔実施例１〕と同様のプラズ
マＣＶＤ法で形成した。膜厚みは、一例を示すと、それ
ぞれ２００ｎｍ、１００ｎｍ、１００ｎｍとした。次ぎ
に、マスク工程でａ−ＳｉＮ膜１３をアイランド状に加
工した。次いで、〔実施例１〕と同様の方法でｎａ−Ｓ
ｉ膜１４を形成した。前記膜厚は５０ｎｍとした。
ンサは、まず、基板１上に導電性膜、例えば２００ｎｍ
厚のＡｌ膜をスパッタリング法で形成し、マスク工程で
ＴＦＴのゲ−ト配線１０に加工した。次いで、加工後、
陽極酸化法により、ゲ−ト配線１０のＡｌ表面に酸化Ａ
ｌ膜を形成した。その後、ＳｉＮ膜１１、ａ−Ｓｉ膜１
２、ａ−ＳｉＮ膜１３を、〔実施例１〕と同様のプラズ
マＣＶＤ法で形成した。膜厚みは、一例を示すと、それ
ぞれ２００ｎｍ、１００ｎｍ、１００ｎｍとした。次ぎ
に、マスク工程でａ−ＳｉＮ膜１３をアイランド状に加
工した。次いで、〔実施例１〕と同様の方法でｎａ−Ｓ
ｉ膜１４を形成した。前記膜厚は５０ｎｍとした。
【００２６】次いで、Ｃｒ膜をスパッタリング法で形成
した後、前記Ｃｒ膜をマスク工程でドレイン配線１５、
ソ−ス電極１６、フォトセンサの共通下部電極２に加工
した。前記Ｃｒ膜は２００ｎｍ厚とした。さらに、ａ−
Ｓｉ膜１２、ｎａ−Ｓｉ膜１４を加工する。図示する如
く、共通下部電極２のさらに下部に、ａ−Ｓｉ膜１２、
ｎａ−Ｓｉ膜１４がある構造となる。次いで、ｎａ−Ｓ
ｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５とからなるｐ
ｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体を〔実施例 １〕と同様の方
法で形成した。前記各膜厚は、５０ｎｍ、５００ｎｍ、
５０ｎｍとした。
した後、前記Ｃｒ膜をマスク工程でドレイン配線１５、
ソ−ス電極１６、フォトセンサの共通下部電極２に加工
した。前記Ｃｒ膜は２００ｎｍ厚とした。さらに、ａ−
Ｓｉ膜１２、ｎａ−Ｓｉ膜１４を加工する。図示する如
く、共通下部電極２のさらに下部に、ａ−Ｓｉ膜１２、
ｎａ−Ｓｉ膜１４がある構造となる。次いで、ｎａ−Ｓ
ｉ膜３、ｉａ−Ｓｉ膜４、ｐａ−Ｓｉ膜５とからなるｐ
ｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体を〔実施例 １〕と同様の方
法で形成した。前記各膜厚は、５０ｎｍ、５００ｎｍ、
５０ｎｍとした。
【００２７】さらに、ＺｎＯ膜を導電性蛍光体６とし
て、〔実施例 １〕と同様の方法で形成した。前記Ｚｎ
Ｏ膜は１μｍ厚とした。そののち、マスク工程でＺｎＯ
の導電性蛍光体６をアイランド状に加工した後、さらに
ｐｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体を同様のアイランド状の形
状に加工した。次いで、絶縁膜としてａ−ＳｉＮ７を
〔実施例 １〕と同様の方法で形成した後、マスク工程
でソ−ス電極１６とＺｎＯの導電性蛍光体６上にスル−
ホ−ルとを形成した。このとき、ａ−ＳｉＮ７膜は、３
００ｎｍ厚とした。
て、〔実施例 １〕と同様の方法で形成した。前記Ｚｎ
Ｏ膜は１μｍ厚とした。そののち、マスク工程でＺｎＯ
の導電性蛍光体６をアイランド状に加工した後、さらに
ｐｉｎａ−Ｓｉ層の光導電体を同様のアイランド状の形
状に加工した。次いで、絶縁膜としてａ−ＳｉＮ７を
〔実施例 １〕と同様の方法で形成した後、マスク工程
でソ−ス電極１６とＺｎＯの導電性蛍光体６上にスル−
ホ−ルとを形成した。このとき、ａ−ＳｉＮ７膜は、３
００ｎｍ厚とした。
【００２８】次いで、導電性膜として、２００ｎｍのＡ
ｌ膜を〔実施例 １〕と同様の方法で形成し、マスク工
程でソ−ス電極１６とＺｎＯの導電性蛍光体６とを接続
する配線層８を形成した。作製したＸ線二次元マトリッ
クスセンサに、ゲ−トドライバ−及び読みだし回路を接
続し、ＣｕＫ線の検出を行った。その結果、良好な感度
を示し、また分解能も高いことが明らかになった。
ｌ膜を〔実施例 １〕と同様の方法で形成し、マスク工
程でソ−ス電極１６とＺｎＯの導電性蛍光体６とを接続
する配線層８を形成した。作製したＸ線二次元マトリッ
クスセンサに、ゲ−トドライバ−及び読みだし回路を接
続し、ＣｕＫ線の検出を行った。その結果、良好な感度
を示し、また分解能も高いことが明らかになった。
【００２９】上記のように、本発明のＸ線検出器を二次
元センサー・マトリックス・アレイに適用した場合、Ｘ
線蛍光体が直接光導電体上に形成されているため、前記
Ｘ線蛍光体から発生した可視光は、効率よく対応する画
素に入射する。このため、散乱して他の画素に入射する
光量を減少することができ、鮮明な二次元画像を得るこ
とができる。また、二次元マトリックスの画素スイッチ
トランジスタと光導電体を、非晶質Ｓｉで形成すると、
同一の装置でこれらの検出器が形成できるため、製造装
置を有効に利用することができる。
元センサー・マトリックス・アレイに適用した場合、Ｘ
線蛍光体が直接光導電体上に形成されているため、前記
Ｘ線蛍光体から発生した可視光は、効率よく対応する画
素に入射する。このため、散乱して他の画素に入射する
光量を減少することができ、鮮明な二次元画像を得るこ
とができる。また、二次元マトリックスの画素スイッチ
トランジスタと光導電体を、非晶質Ｓｉで形成すると、
同一の装置でこれらの検出器が形成できるため、製造装
置を有効に利用することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上詳しく説明した如く、本発明の構成
によれば、受光検知素子とＸ線蛍光体を組み合わせたＸ
線検出器や、薄膜トランジスタ−と受光検知素子を組み
合わせた光検知画素を二次元的にマトリックス配置し、
前記Ｘ線螢光体からの発光、二次元Ｘ線画像情報の検知
を行う二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイにお
いて、Ｘ線蛍光体と受光検知素子を直接積層するため、
Ｘ線検出器の製造工程が簡略化され低コストとなり、Ｘ
線蛍光体から発生する可視光が有効に光導電体に入射す
るため、感度が高く、かつ分解能が高いＸ線検出器およ
び二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイを提供す
ることができる。
によれば、受光検知素子とＸ線蛍光体を組み合わせたＸ
線検出器や、薄膜トランジスタ−と受光検知素子を組み
合わせた光検知画素を二次元的にマトリックス配置し、
前記Ｘ線螢光体からの発光、二次元Ｘ線画像情報の検知
を行う二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイにお
いて、Ｘ線蛍光体と受光検知素子を直接積層するため、
Ｘ線検出器の製造工程が簡略化され低コストとなり、Ｘ
線蛍光体から発生する可視光が有効に光導電体に入射す
るため、感度が高く、かつ分解能が高いＸ線検出器およ
び二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイを提供す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係るＸ線検出器の断面説明
図である。
図である。
【図２】図１の実施例に係るＸ線検出器の製造工程の説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の他の実施例に係るＸ線検出器の断面説
明図である。
明図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例に係る二次元Ｘ線セ
ンサー・マトリックス・アレイの断面説明図である。
ンサー・マトリックス・アレイの断面説明図である。
１…基板、２…下部電極、３…ｎ型ａ−Ｓｉ、４…ｉ型
ａ−Ｓｉ、５…ｐ型ａ−Ｓｉ、６…導電性蛍光体、７…
絶縁膜、８…Ａｌ膜、９…Ｃｒ膜、１０…ゲ−ト電極、
１１…ＳｉＮ、１２…ａ−Ｓｉ、１３…ＳｉＮ、１４…
ｎ型ａ−Ｓｉ、１５…ドレイン配線、１６…ソ−ス電極
ａ−Ｓｉ、５…ｐ型ａ−Ｓｉ、６…導電性蛍光体、７…
絶縁膜、８…Ａｌ膜、９…Ｃｒ膜、１０…ゲ−ト電極、
１１…ＳｉＮ、１２…ａ−Ｓｉ、１３…ＳｉＮ、１４…
ｎ型ａ−Ｓｉ、１５…ドレイン配線、１６…ソ−ス電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｇ 1/26 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｃ (72)発明者 峯村 哲郎 茨城県勝田市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成した下部電極と、その上に
上部のＸ線蛍光体からの発光を検知する光導電体と、さ
らにその上に上部電極をかねたＸ線蛍光体を順次積層
し、前記両電極間を配線してなることを特徴とするＸ線
検出器。 - 【請求項２】 基板上に下部電極をかねた導電性を有す
るＸ線蛍光体を形成し、その上に前記Ｘ線蛍光体からの
発光を検知する光導電体と上部電極を積層し、前記両電
極間を配線してなることを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項３】 請求項１、２記載のいずれかのＸ線検出
器において、 前記Ｘ線蛍光体が、過剰なＺｎを含むＺｎＯであること
を特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項４】 請求項１、２記載のいずれかのＸ線検出
器において、 前記Ｘ線蛍光体は、過剰なＺｎが含まれるＺｎＯを母体
とし、他の蛍光体を含むことを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項５】 請求項１、２、３、４記載のいずれかの
Ｘ線検出器において、前記光導電体として、非晶質Ｓｉ
光導電体を用いたことを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項６】 請求項１ないし５記載のいずれかのＸ線
検出器と薄膜トランジスタ−を組み合わせたＸ線検知画
素を二次元的にマトリックス配置したことを特徴とする
二次元Ｘ線センサー・マトリックス・アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190363A JPH0945952A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | Ｘ線検出器及び二次元ｘ線センサー・マトリックス・アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190363A JPH0945952A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | Ｘ線検出器及び二次元ｘ線センサー・マトリックス・アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945952A true JPH0945952A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16256944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7190363A Pending JPH0945952A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | Ｘ線検出器及び二次元ｘ線センサー・マトリックス・アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945952A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0919186A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-02 | Picker International, Inc. | Apparatus for and method of imaging |
| WO2006083109A1 (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-10 | Sang Hee Nam | Digital x-ray image detector using an fed device |
| JP2006319032A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Nec Lcd Technologies Ltd | 積層型ダイオード、ダイオード装置およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP7190363A patent/JPH0945952A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0919186A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-02 | Picker International, Inc. | Apparatus for and method of imaging |
| EP0919186A3 (en) * | 1997-11-26 | 2000-04-05 | Picker International, Inc. | Apparatus for and method of imaging |
| US6364526B2 (en) | 1997-11-26 | 2002-04-02 | Philips Medical Systems (Cleveland) Inc. | Fluoro-assist feature for a diagnostic imaging device |
| WO2006083109A1 (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-10 | Sang Hee Nam | Digital x-ray image detector using an fed device |
| US7781738B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-08-24 | Sang Hee Nam | Digital X-ray image detector using an FED device |
| JP2006319032A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Nec Lcd Technologies Ltd | 積層型ダイオード、ダイオード装置およびその製造方法 |
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