JPH02185064A - 完全密着型等倍センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は原稿と光電変換素子を密着させて画像情報を読
み取る完全密着型等倍センサに関する。

〔従来の技術及びその問題点〕

従来、これら完全密着型等倍センサの光電変換素子列が
形成されたセンサ基板を支持するための支持体としては
、ＡＱが多用されている。

そして、これらＡｆｌ支持体とセンサ基板とは接着剤で
固定されている。この場合、ＡＭ支持体とセンサ基板材
料、通常はガラスとの熱膨張率が大きく異なるため、温
度の上昇、下降が繰り返されると、センサ基板が支持体
から剥がれやすくなる等の問題点を有するものであった
。

さらに、従来の支持体には第２図に示されるように、セ
ンサ基板１の光電変換素子列２に光を導入するための導
光用スリット３をＡＱ支持体４に設ける必要があるが、
この導光用スリット３は機械加工上１例えばＡ４の長さ
（２１６ｍｍ）に精度良く直線性を出すため、そしてこ
の上にセンサ基板１を接着し各画素に入射する光を均一
にするためには、スリット幅は／ｍｍ程度にする必要が
ある。

一方、センサ基板１はコスト低減のため、できるだけ狭
幅化することが望ましい、そのため、第２図のようにＡ
Ｑ支持体４とセンサ基板１との接触面が小さくなり、セ
ンサ基板１を固定するための強度が低下する。この意味
からもセンサ基板がＡＱ支持体から剥がれやすくなるも
のであった。

また、完全密着型のセンサ用光源としてはＬＥＤアレイ
のような直流点燈をする光源と蛍光管、Ｘｅ放電管のよ
うな交流点燈を行うものが知られている。このうち、Ｌ
ＥＤは電源電圧も低く、ノイズを発生しない等の利点を
有しているが、照度が低い、ＬＥＤ素子を数ｍｍピッチ
で配列しているため、各素子のバラツキ及び配列ピッチ
により照度ムラが大きい、及び配列の直線性がとりにく
い、波長の選択性（特に青色の輝度が低い）等の問題点
を有する。一方、蛍光管、Ｘｅ放電管は照度が高い、蛍
光体の選択により任意の波長の光が得られる。またＸｅ
放電管は管径数ｌｌ１１のものまで作成可能なため、’
−Ｌ　ＥＤアレイより実質的に小型化できる利点がある
。

しかしながら、これら蛍光管、Ｘｅ放電管等の交流点燈
するためには数百Ｖに昇圧するため、電気的ノイズを発
生しやすく、センサのＳ／Ｎ比低下の大きな原因となっ
ている。

（発明が解決しようとする課題〕 本発明はセンサ基板と支持体との熱膨張率の差に伴う温
度サイクル、あるいは支持体の透光性スリットの存在に
よるセンサ基板と支持体との接着面積の小さいことに起
因するセンサ基板と支持体との剥離の問題点を解決した
完全密着型等倍センサを提供することを第１の目的とす
るものである。

さらに、本発明はＬＥＤアレイには見られない種々の利
点を有する交流点燈を用いる場合の電気的ノイズの発生
に伴うセンサのＳ／Ｎ比低下の問題点を解決した完全密
着型等倍センサを提供することを第２の目的とするもの
である。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は等倍結像素子を用いずに原稿と光電変換素子と
が密着して原稿の画像情報を読み取る完全密着型等倍セ
ンサにおいて、センサ基板を支持する支持体が透光性材
料からなり、この透光性材料のセンサ側表面にはセンサ
の光電変換素子列と並行に採光窓があけられた非透光性
材料からなる遮光層が形成されていることを特徴とする
ものである。

そして、さらに本発明では読み取り用光源として交流点
燈が用いられる場合のセンサ支持体構成が、支持体の光
源側表面に透光性導電部材からなるシールド層が形成さ
れていることを特徴とするものである。

第１図は本発明の一実施例を示すものである。

この第１図において、センサ基板１の支持体５はガラス
、プラスチック等の透光性材料で形成されている。そし
て、この支持体５のセンサ基板１側の表面上には遮光層
６が形成され、この遮光層６にはセンサ基板１の光電転
換素子列２へ原稿からの反射光を入射し得るよう遮光窓
７が形成されている。

本発明において、遮光層６としてはＡＱ、ＣｒＡ　ｕ　
、　Ａ　ｇ　、　Ｎ　ｉ　Ｃｒ等の金属薄膜、あるいは
樹脂等に顔料を含む着色ペイントの有機膜等が使用され
、このうち金属薄膜は真空蒸着、スパッタリング等の手
段で、また有機膜はスクリーン印刷、ロールコーティン
グ、スピンコーティング等で膜厚０．１μｍ〜５０μ璽
形成される。

第３図は本発明の他の実施例を示すものであり、光源と
して交流点燈光源１０を使用する場合の構成を示す。こ
の第３図において、支持体５及びその上のセンサ基板１
の構成については支持体５の裏面、すなわち光源側表面
にはシールド層８が設けられている他は第１図に示した
ものと同様である。このシールド層８は１例えば酸化イ
ンジウム、酸化スズ、ＩＴＯ等の透明導電膜から構成さ
れ、光源の発光ピーク波長に対する透過率が少くとも３
０％以上、好ましくは８０％以上、体積低効率が１０＠
ΩＣｊＢ−１以下のものが用いられる。シールド層８の
膜厚はｔｏｏｘ〜ｓ、ｏｏｏ人とする。そして、シール
ド層８は金属製、例えばＡＱ等で形成したユニットハウ
ジング９に電気的に接続され、接地される。

ここで、第３図に示される完全密着型等倍センサを以下
のようにして作製した。まず、透明支持体として厚さ２
ｍｌ１のガラスを用い、その表面（センサ接着側）にＡ
Ｍを真空蒸着法で１μｍの厚さで形成し、遮光層とした
。この遮光層をフォトリソグラフィにより０．５１幅の
採光窓を形成した。また、この支持体の逆表面にスパッ
タリング法によりＩＴＯ膜を形成し、シールド層とした
。

この支持体上に、支持体の採光窓の中心に光電変換素子
列がくるようにセンサ基板を接着した。光源としては光
和電気製Ｘｅグロー放電管を用いた。そして、シールド
層はＡＭ製のユニットハウジングと電気的に接続され、
ユニットハウジングを介して接地した。

このようにして得られたセンサに原稿を密着させて画像
読み取りを行ったところ、ノイズの低い良好な画像情報
が得られた。また、−４０℃から８０℃まで温度サイク
ル試験を行ったが接着部に何らの異常も認められなかっ
た。

上記センサにおいて、センサ基板裏面にＩＴＯ膜を形成
せず、光源をＬＥＤアレイ（λ＝５７６ｎ−）としたこ
と以外は同様にしてセンサを得、これを同様に評価した
ところ、ＩＴＯ膜があるものと同様のノイズレベルを示
し、温度サイクル試験において全く異常が認められなか
った。

〔発明の効果〕

以上のような本発明によれば、センサ基板の支持体とし
て透光性材料を使用しているため。

導光用スリットをあける必要がなく、センサ基板と充分
な接着面積を確保できて接着強度が向上し、しかもセン
サ裁板と同一材料を用いれば熱膨張率の差がなくなり、
温度サイクルによるも剥離の心配がなくなる。

さらに、支持体のセンサ基板側と反対側表面にシールド
層を設けるようにすることにより。

光源として種々の利点のある交流点燈を使用しても電気
的ノイズの発生が防止され、Ｓ／Ｎ比が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る一実施例を示す断面説明図である
。 第２図は従来例を示す断面及び平面説明図である。 第３図は本発明に係る他の実施例を示す断面説明図であ
る。 １・・・センサ基板 ３・・・導光用スリット ５・・・支持体 ７・・・採光窓 ９・・・ユニットハウジング ２・・・光電変換素子列 ４・・・ＡＱ支持体 ６・・・遮光層 ８・・・シールド層 １０・・・交流点燈光源

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、等倍結像素子を用いずに原稿と光電変換素子とが密
   着して原稿の画像情報を読み取る完全密着型等倍センサ
   において、センサ基板を支持する支持体が透光性材料か
   らなり、この透光性材料のセンサ側表面にはセンサの光
   電変換素子列と並行に採光窓があけられた非透光性材料
   からなる遮光層が形成されていることを特徴とする完全
   密着型等倍センサ。 ２、読み取り用光源として交流点燈が用いられる場合の
   センサ支持体構成が、支持体の光源側表面に透光性導電
   部材からなるシールド層が形成されている請求項１記載
   の完全密着型等倍センサ。