JPS60115137A - 螢光表示管 - Google Patents
螢光表示管Info
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- JPS60115137A JPS60115137A JP58222714A JP22271483A JPS60115137A JP S60115137 A JPS60115137 A JP S60115137A JP 58222714 A JP58222714 A JP 58222714A JP 22271483 A JP22271483 A JP 22271483A JP S60115137 A JPS60115137 A JP S60115137A
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- thin film
- substrate
- anode conductor
- light
- conductor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/15—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、蛍光表示管に関するものであり、特に、透光
性絶縁基板の一方の面に蛍光体層を被着させた陽極導体
を形成し、前記透光性絶縁基板の他方の面側から前記蛍
光体層の発光を基板を通して観察するいわゆる前面発光
形の蛍光表示管に関するものである。
性絶縁基板の一方の面に蛍光体層を被着させた陽極導体
を形成し、前記透光性絶縁基板の他方の面側から前記蛍
光体層の発光を基板を通して観察するいわゆる前面発光
形の蛍光表示管に関するものである。
一般に前面発光形の蛍光表示管の配線導体と陽極導体は
、基板上に導電物質を蒸着やスパッタリング等の手段に
より薄膜を形成し、この薄膜をフォトリソグラフィー法
により不用部分をエツチング除去して所定のパターンと
して形成されるのである。したがって、一般に配線導体
と陽極導体は同一導電物で形成される場合が多い。
、基板上に導電物質を蒸着やスパッタリング等の手段に
より薄膜を形成し、この薄膜をフォトリソグラフィー法
により不用部分をエツチング除去して所定のパターンと
して形成されるのである。したがって、一般に配線導体
と陽極導体は同一導電物で形成される場合が多い。
この導電物質が１汀、０膜やネサ膜等の透明導電膜で形
成された蛍光表示管と、導電物質が金属薄膜であり、陽
極導体がメツシュ状やくし歯状等の間隙群が形成された
蛍光表示管が存在する。
成された蛍光表示管と、導電物質が金属薄膜であり、陽
極導体がメツシュ状やくし歯状等の間隙群が形成された
蛍光表示管が存在する。
本発明は、導電物質が金属薄膜で形成された前面発光形
の発光表示管の陽極基板の改良に関するものである。
の発光表示管の陽極基板の改良に関するものである。
従来の前面発光形の蛍光表示管は、第１図、第２図に示
すダイナミック駆動の実施例があった。
すダイナミック駆動の実施例があった。
この実施例は基板ｔｏｔ上にＡ１薄膜を形成し、このＡ
ｌ薄膜をフォトリソグラフィー法でエツチング除去して
スリット部１０２を設けて、Ａ１薄膜をセグメンｈ１０
３数に分割し各々の配線導体１０４に形成していた。各
配線導体１０４には各げたの同一セグメントが接続され
ており、各セグメント１０３は、スリ。
ｌ薄膜をフォトリソグラフィー法でエツチング除去して
スリット部１０２を設けて、Ａ１薄膜をセグメンｈ１０
３数に分割し各々の配線導体１０４に形成していた。各
配線導体１０４には各げたの同一セグメントが接続され
ており、各セグメント１０３は、スリ。
１−やメツシュ状の陽極導体１０５が設けられ、その陽
極導体１０５に蛍光体層１０６が少なくとも前記開口部
をカバーするように被着形成されている。例えば、第１
図においては破線で示すように開口部の周縁まで蛍光体
層１０６が被着形成されている。
極導体１０５に蛍光体層１０６が少なくとも前記開口部
をカバーするように被着形成されている。例えば、第１
図においては破線で示すように開口部の周縁まで蛍光体
層１０６が被着形成されている。
次にこの第３図の実施例は、従来スタテック駆動方式に
おいて制御電極を省略した場合に陽極と同一平面で、か
つ陽極の周辺に帯電を防止し、かつ陰極からの電子の均
一加速を行わせるための補助の電極を形成した例である
。
おいて制御電極を省略した場合に陽極と同一平面で、か
つ陽極の周辺に帯電を防止し、かつ陰極からの電子の均
一加速を行わせるための補助の電極を形成した例である
。
まず基板１０１に被覆されたＡｌ薄膜を形成し、このＡ
１薄膜をフォトリソグラフィー法でエツチング除去して
形成したスリット部１０２により背景の金属皮膜１０７
とは分離された細い配線導体１０４及び配線導体１０４
の端部に端子接続部１０４ａを形成する。
１薄膜をフォトリソグラフィー法でエツチング除去して
形成したスリット部１０２により背景の金属皮膜１０７
とは分離された細い配線導体１０４及び配線導体１０４
の端部に端子接続部１０４ａを形成する。
この配線導体１０４に連続してセグメント１０３の外周
に枠部１０８を形成し、さらに枠部１０８内の網目状の
陽極導体１０５を第１図の実施例と同様に形成する。
に枠部１０８を形成し、さらに枠部１０８内の網目状の
陽極導体１０５を第１図の実施例と同様に形成する。
そして各表示セグメント開口部Ｐ及びその周縁の枠部１
０８に１図示破線で示すように蛍光体層１０６を被着す
る構成となっている。しかしこの場合も少なくとも表示
セグメント開口部Ｐをカバーするように蛍光体層１０６
が被着されていればよいのである。
０８に１図示破線で示すように蛍光体層１０６を被着す
る構成となっている。しかしこの場合も少なくとも表示
セグメント開口部Ｐをカバーするように蛍光体層１０６
が被着されていればよいのである。
また背景となる金属皮膜１０７が各陽極導体１０４及び
配線導体１０５と分離した構成としたので、背景の金属
皮膜１０７に、常時陰極に対して正となる電位を（１与
し、各陽極の周囲に常時正の電界を形成させることによ
り表示欠けを防止することができるような構成になって
いる。
配線導体１０５と分離した構成としたので、背景の金属
皮膜１０７に、常時陰極に対して正となる電位を（１与
し、各陽極の周囲に常時正の電界を形成させることによ
り表示欠けを防止することができるような構成になって
いる。
上記のように陽極基板をＡｌ薄膜でほとんど覆うように
構成された陽極基板を基板側から観察すると、第２図に
示すように基板１０１を通してＡ１薄膜によって形成さ
れた配線導体１０４及びメツシュ状の陽極導体１０５が
鏡面として観察される。この鏡面によって外光が反射し
、その正反射率は８０％位あり表示セグメントの読み取
りの防害となり視認性があまりよくないという問題点が
あった。
構成された陽極基板を基板側から観察すると、第２図に
示すように基板１０１を通してＡ１薄膜によって形成さ
れた配線導体１０４及びメツシュ状の陽極導体１０５が
鏡面として観察される。この鏡面によって外光が反射し
、その正反射率は８０％位あり表示セグメントの読み取
りの防害となり視認性があまりよくないという問題点が
あった。
そこで鏡面となる薄膜パターン部分を小さくして鏡面部
分を少なくした実施例として第４図、第５図に示すもの
がある。この実施例は基板２０１上に蒸着法やスパッタ
リング法等によってＡ１薄膜を全面に形成した後フォト
リソグラフィー法により、陽極導体２０２及び配線導体
２０３を残してエツチング除去する。陽極導体２０２は
、表示セグメン１−の外周と対応する軸郭を内周とする
枠状陽極導体２０２ａとメツシュ状陽極導体２０２ｂか
ら構成されている。
分を少なくした実施例として第４図、第５図に示すもの
がある。この実施例は基板２０１上に蒸着法やスパッタ
リング法等によってＡ１薄膜を全面に形成した後フォト
リソグラフィー法により、陽極導体２０２及び配線導体
２０３を残してエツチング除去する。陽極導体２０２は
、表示セグメン１−の外周と対応する軸郭を内周とする
枠状陽極導体２０２ａとメツシュ状陽極導体２０２ｂか
ら構成されている。
配線導体２０３は一方の端部を前記陽極導体２０２に接
続するように、また他方の端部には、端子接続部２０４
を形成するようにフォトリソグラフィー法でＡｌ薄膜を
エツチング除去し所定のパターンを形成する。
続するように、また他方の端部には、端子接続部２０４
を形成するようにフォトリソグラフィー法でＡｌ薄膜を
エツチング除去し所定のパターンを形成する。
次に、前記陽極導体２０２を除いた基板上には、有色の
絶縁層２０５を形成させる。絶縁層２０５の色は、外光
の反射が少なくなるように、黒色が用いられている。そ
して、前記メツシュ状の陽極導体２０２ｂ上及びその周
縁に蛍光体層２０６を被着させる。この被着するときに
は、蛍光体層２０６の一部が枠状陽極導体２０２ａにか
かって第５図に示すようになってもよい。
絶縁層２０５を形成させる。絶縁層２０５の色は、外光
の反射が少なくなるように、黒色が用いられている。そ
して、前記メツシュ状の陽極導体２０２ｂ上及びその周
縁に蛍光体層２０６を被着させる。この被着するときに
は、蛍光体層２０６の一部が枠状陽極導体２０２ａにか
かって第５図に示すようになってもよい。
しかしながらこの場合でも基板１０１側からａ察すると
第４図に示すように枠状陽極導体２０２ａ、端子接続部
２０４等の部分は鏡面となってしまう他、絶縁層２０５
を用いることにより工程がふえ、かつ構造が複雑になる
という問題点がある。さらに絶縁層２０５の焼成温度が
高いために基板のそりや、Ａｔ薄膜の消耗等の問題点も
有していた。
第４図に示すように枠状陽極導体２０２ａ、端子接続部
２０４等の部分は鏡面となってしまう他、絶縁層２０５
を用いることにより工程がふえ、かつ構造が複雑になる
という問題点がある。さらに絶縁層２０５の焼成温度が
高いために基板のそりや、Ａｔ薄膜の消耗等の問題点も
有していた。
そこで本発明は、以上述べた問題点に鑑みてなされたも
のであり１本発明は、配線導体及び陽極導体が金属薄膜
であっても反射率を小さくし、表示セグメントの読取り
を容易とし、視認性の優れた蛍光表示管を提供すること
を目的とするものである。
のであり１本発明は、配線導体及び陽極導体が金属薄膜
であっても反射率を小さくし、表示セグメントの読取り
を容易とし、視認性の優れた蛍光表示管を提供すること
を目的とするものである。
前記目的を達成するための本発明の構成は、透光性絶縁
基板の一方の面に金属薄膜による配線導体及び透光性の
陽極導体を配設し、この陽極導体上にフィラメント状の
陰極から放出される電子の射突により発光する蛍光体層
が被着されて、この蛍光体層の発光を前記透光性の陽極
導体及び透光性絶縁基板を通して、前記透光性絶縁基板
の他方の面側から観察するようになる蛍光表示管におい
て、透光性絶縁基板上に被着された有色薄膜による反射
防止膜と、この反射防止膜上に配設された金属薄膜によ
る配線導体及び陽極導体とを具備することを特徴とする
ものである。
基板の一方の面に金属薄膜による配線導体及び透光性の
陽極導体を配設し、この陽極導体上にフィラメント状の
陰極から放出される電子の射突により発光する蛍光体層
が被着されて、この蛍光体層の発光を前記透光性の陽極
導体及び透光性絶縁基板を通して、前記透光性絶縁基板
の他方の面側から観察するようになる蛍光表示管におい
て、透光性絶縁基板上に被着された有色薄膜による反射
防止膜と、この反射防止膜上に配設された金属薄膜によ
る配線導体及び陽極導体とを具備することを特徴とする
ものである。
以下図面に示す実施例について説明する。
第６図は、本発明の一実施例の縦断面図である。
ｌは、透光性絶縁基板である。透光性とは透明なものと
半透明なものも含む。具体的には、ガラス基板を例にと
れば透明ガラス、半透明なスリガラス等も基板として使
用することが可能である。
半透明なものも含む。具体的には、ガラス基板を例にと
れば透明ガラス、半透明なスリガラス等も基板として使
用することが可能である。
前記透光性絶縁基板ｌ（以後単に基板と略す）の一方の
面に反射防止膜２を配設する。反射防止膜２は蒸着やス
パッタリング等の方法によって薄膜の状態で基板ｌに被
着形成させる。この反射防止膜２を形成する物質は大き
く分けるとその１つは低反射率な物質であればよく、非
透光性物質であてもよい。例えば酸化クロム、酸化マン
ガン等がある。酸化クロムは黒色膜であり、金属Ｃｒの
反応性蒸着で得られる。酸化マンガンも反応性蒸着によ
って得られるか又は、ＭｎＯのダブレットの蒸着でも得
られる。この他に低反射率な物質として使用できるもの
に、Ｆｅ２Ｏ３、Ｎ１ｐ２、Ｐ七〇１、ＰｄＯ。
面に反射防止膜２を配設する。反射防止膜２は蒸着やス
パッタリング等の方法によって薄膜の状態で基板ｌに被
着形成させる。この反射防止膜２を形成する物質は大き
く分けるとその１つは低反射率な物質であればよく、非
透光性物質であてもよい。例えば酸化クロム、酸化マン
ガン等がある。酸化クロムは黒色膜であり、金属Ｃｒの
反応性蒸着で得られる。酸化マンガンも反応性蒸着によ
って得られるか又は、ＭｎＯのダブレットの蒸着でも得
られる。この他に低反射率な物質として使用できるもの
に、Ｆｅ２Ｏ３、Ｎ１ｐ２、Ｐ七〇１、ＰｄＯ。
Ｓ ｎ Ｏｈ、Ｔａ、０５等の金属酸化物がある。
次に他の１つの反射防止膜２を形成する物質は、有色の
透光性物質がある。有色透光性物質の例としては、Ｎｉ
Ｏが濃い緑色に着色しｖＯＪは黄色に着色するが、光は
透過し、吸収される。またｓｂ、ｓ、は。
透光性物質がある。有色透光性物質の例としては、Ｎｉ
Ｏが濃い緑色に着色しｖＯＪは黄色に着色するが、光は
透過し、吸収される。またｓｂ、ｓ、は。
赤色に着色し、Ｔｌ、Ｓは赤黒色に着色される。これら
の物質は、蒸着やスパッタリング等の手段で基板上に被
着させる。上記の他透光性物質の例として、ＴｉＯ３の
蒸着によって得られる低級酸化物の膜が青色に着色する
。またＮｂ２Ｏ，の蒸着によって得られる低級酸化物の
膜が青黒色に着色する。さらに赤色に着色する例として
、Ｅｕ、０３、Ｅｒ０３、ｐｂｏ等の蒸着膜がある。
の物質は、蒸着やスパッタリング等の手段で基板上に被
着させる。上記の他透光性物質の例として、ＴｉＯ３の
蒸着によって得られる低級酸化物の膜が青色に着色する
。またＮｂ２Ｏ，の蒸着によって得られる低級酸化物の
膜が青黒色に着色する。さらに赤色に着色する例として
、Ｅｕ、０３、Ｅｒ０３、ｐｂｏ等の蒸着膜がある。
これらの物質のうちから１種選んで蒸着し、薄膜による
反射防止膜２を形成する。
反射防止膜２を形成する。
前記反射防止膜２の上面に金属薄膜３を配設し、この金
属薄膜３により陽極導体３ａ及び配線導体３ｂが形成さ
れる。陽極導体３ａ及び配線導体３ｂを形成させる金属
は、導電性があり、蒸着やスパッタリング等の手段で薄
膜を形成させることが可能な金属であればなんでもよい
。例えばＡ１． Ａｕ、 Ａｇ、 Ｃｕ、Ｎｊ−Ｃｒ・
・・等があるが本実施例の場合はＡｌを蒸着により薄膜
として形成した。
属薄膜３により陽極導体３ａ及び配線導体３ｂが形成さ
れる。陽極導体３ａ及び配線導体３ｂを形成させる金属
は、導電性があり、蒸着やスパッタリング等の手段で薄
膜を形成させることが可能な金属であればなんでもよい
。例えばＡ１． Ａｕ、 Ａｇ、 Ｃｕ、Ｎｊ−Ｃｒ・
・・等があるが本実施例の場合はＡｌを蒸着により薄膜
として形成した。
次に前記反射防止層２と金属薄膜３からなる多層薄膜を
フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、陽
極導体３ａと配線導体３ｂを形成させる。エツチング液
は、前記二層の材質により一液で二層を一回にエツチン
グする方法と、二層の膜の材質に応じた二液を用いて、
２段階のエツチングを行う方法がある。パターニングの
平面形状は従来例と同様であるので略す。
フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、陽
極導体３ａと配線導体３ｂを形成させる。エツチング液
は、前記二層の材質により一液で二層を一回にエツチン
グする方法と、二層の膜の材質に応じた二液を用いて、
２段階のエツチングを行う方法がある。パターニングの
平面形状は従来例と同様であるので略す。
陽極導体３ａの断面形状は、第７図ないし第９図あ
に示す場合が参る。第７図は、パターニングの平面形状
が第１図に示すような場合である。陽極導体３ａはメツ
シュ形状やスリット形状であり基板ｌの一方の面に反射
防止膜２を介して陽極導体３ａが形成される。また配線
導体３ｂも前記反射防止膜２を介して配設される。
が第１図に示すような場合である。陽極導体３ａはメツ
シュ形状やスリット形状であり基板ｌの一方の面に反射
防止膜２を介して陽極導体３ａが形成される。また配線
導体３ｂも前記反射防止膜２を介して配設される。
次いで蛍光体層４を前記陽極導体３ａの近傍に被着形成
させる。
させる。
第８図は、パターニングの平面形状が第４図に示すよう
な場合である。陽極導体３ａはメツシュ状陽極導体３ｅ
とメツシュ状陽極導体３ｅの周縁に配設された枠状陽極
導体３ｃから構成されている。この陽極導体３ａおよび
配線導体３ｂは反射防止膜２を介して基板１に配設され
ている。前記枠状陽極導体３ｃに一部かかるようにして
陽極セグメント以外の部分に有色絶縁層５を形成させる
。
な場合である。陽極導体３ａはメツシュ状陽極導体３ｅ
とメツシュ状陽極導体３ｅの周縁に配設された枠状陽極
導体３ｃから構成されている。この陽極導体３ａおよび
配線導体３ｂは反射防止膜２を介して基板１に配設され
ている。前記枠状陽極導体３ｃに一部かかるようにして
陽極セグメント以外の部分に有色絶縁層５を形成させる
。
次いでメツシュ状陽極導体３ｅのメツシュの部分および
陽極導体３ａ上に蛍光体層を被着形成させるのであるが
、一部分が枠状陽極導体３ｃ上にかかっても観察側から
は見えないので表示品位を悪くする原因とならないため
に蛍光体の印刷精度が高精度を要求しないという利点が
ある。
陽極導体３ａ上に蛍光体層を被着形成させるのであるが
、一部分が枠状陽極導体３ｃ上にかかっても観察側から
は見えないので表示品位を悪くする原因とならないため
に蛍光体の印刷精度が高精度を要求しないという利点が
ある。
第９図は、パターニングの平面状が第３図に示すように
、補助電極を設けたスタテックの場合である。
、補助電極を設けたスタテックの場合である。
基板１上に反射防止膜２を配設し、この反射防止膜２の
表面に金属薄ｄ宿よる陽極導体３・及び配線導体３ｂ及
び補助電極３ｄが形成されている。陽極導体３ａはメツ
シュ状であり、セグメントの周囲には枠状陽極導体３ｃ
が配設されて、この枠状陽極導体３ｃから配線導体３ｂ
が続き、電気的に導通している。また補助電極３ｄは、
前記陽極導体３ａとは電気的に離れて設けられている。
表面に金属薄ｄ宿よる陽極導体３・及び配線導体３ｂ及
び補助電極３ｄが形成されている。陽極導体３ａはメツ
シュ状であり、セグメントの周囲には枠状陽極導体３ｃ
が配設されて、この枠状陽極導体３ｃから配線導体３ｂ
が続き、電気的に導通している。また補助電極３ｄは、
前記陽極導体３ａとは電気的に離れて設けられている。
次いでメツシュ状陽極導体３ｅおよび一部分は枠状陽極
導体３ｃ上にかかるように蛍光体層を被着形成させる。
導体３ｃ上にかかるように蛍光体層を被着形成させる。
」二連のようにして形成さ九た陽極導体Ａ上に必要に応
じて制御電極８とフィシメンｌ−状陰極７を配設し、側
面板１ａと背面板１ｂからなる外囲器を外部端子を介し
て封着し、外囲器内を真空に排気して蛍光表示管を形成
する。
じて制御電極８とフィシメンｌ−状陰極７を配設し、側
面板１ａと背面板１ｂからなる外囲器を外部端子を介し
て封着し、外囲器内を真空に排気して蛍光表示管を形成
する。
本発明による蛍光表示管は以上説明したように基板１１
に反射防止膜２を介して金属薄膜３による陽極導体３ａ
および配線導体３ｂを配設した構成であるので基板ｌ側
から観察すると金属薄膜による鏡面が見えず、外光６は
１反射防止膜２の材質により第１０図、第１１図に示す
ように屈折してｖＡ察者の目に入る。
に反射防止膜２を介して金属薄膜３による陽極導体３ａ
および配線導体３ｂを配設した構成であるので基板ｌ側
から観察すると金属薄膜による鏡面が見えず、外光６は
１反射防止膜２の材質により第１０図、第１１図に示す
ように屈折してｖＡ察者の目に入る。
第１０図は、珂射防止膜２に低反射率な物質を使用した
場合である。この低反射率な物質は、不透明で非透光性
である。したがって外光６の光源６ａから出た光は基板
１であるガラスの表面で一部反射し、残りは基板１中に
入り反射防止膜２の表面で反射するが、この反射防止膜
２が低反射率な物質であるので正反射が少なくなる。そ
して正反射した光は基板１から外へ出るときに一部は界
面で反射して基板Ｉ中に入る光もある。このように屈折
することにより外光６は拡散されたり、吸収されたりし
て正反射率は少なくなる。
場合である。この低反射率な物質は、不透明で非透光性
である。したがって外光６の光源６ａから出た光は基板
１であるガラスの表面で一部反射し、残りは基板１中に
入り反射防止膜２の表面で反射するが、この反射防止膜
２が低反射率な物質であるので正反射が少なくなる。そ
して正反射した光は基板１から外へ出るときに一部は界
面で反射して基板Ｉ中に入る光もある。このように屈折
することにより外光６は拡散されたり、吸収されたりし
て正反射率は少なくなる。
第１１図は、反射防止膜２に低透過率な透光性物質によ
り形成されている場合である。
り形成されている場合である。
外光６、たとえば、光源６ａから出た光は基板１中に入
る。基板１中に入った光は反射防止膜２で一部が反射し
、残りは反射防止膜２中に入り金属薄膜３との界面で反
射し反射防止膜２およびガラス基板ｌを通って外に出る
が、基板１から出るときに基板１の表面で一部が基板１
中に反射して入る光もある。このように外光がガラス基
板や反射防止層２で往復路吸収されるので正反射率は少
なくなる。
る。基板１中に入った光は反射防止膜２で一部が反射し
、残りは反射防止膜２中に入り金属薄膜３との界面で反
射し反射防止膜２およびガラス基板ｌを通って外に出る
が、基板１から出るときに基板１の表面で一部が基板１
中に反射して入る光もある。このように外光がガラス基
板や反射防止層２で往復路吸収されるので正反射率は少
なくなる。
従来のように基板十訂の場合と、本発明の基板十反射防
止膜（低反射率な物質、酸化クロム）＋Ａ１の場合と、
基板十反射防止層（透光性物質、酸化モリブデン）＋Ａ
１の場合の正反射率を測定してみた。波長は、５５０ｒ
＋＋＋＋であり、分光光度計の（全反射率）−（拡散反
射率）＝正反射率した。
止膜（低反射率な物質、酸化クロム）＋Ａ１の場合と、
基板十反射防止層（透光性物質、酸化モリブデン）＋Ａ
１の場合の正反射率を測定してみた。波長は、５５０ｒ
＋＋＋＋であり、分光光度計の（全反射率）−（拡散反
射率）＝正反射率した。
Ａｌのみの場合は−７９，５％、酸化クロムを介した場
合は５４９％、酸化モリブデンを介した場合６．０％と
なり、本発明の方がいずれも１０％以下の正反射率とな
り鏡面でなくなり、表示セグメン１−の読み取りが容易
となり誤読も少なくなるという効果がある。特に車載用
等の高照度下での読み取りの場合に視認性が向上する。
合は５４９％、酸化モリブデンを介した場合６．０％と
なり、本発明の方がいずれも１０％以下の正反射率とな
り鏡面でなくなり、表示セグメン１−の読み取りが容易
となり誤読も少なくなるという効果がある。特に車載用
等の高照度下での読み取りの場合に視認性が向上する。
又配線導体や端子部分も反射防止層を介して配設される
ので、表示セグメント以外は全て有色例えば黒バックに
することが可能であるので、表示面金てが低反射率化に
することができ、視認性が向上するとともにデザイン上
も優れたものとなるという効果を有する。
ので、表示セグメント以外は全て有色例えば黒バックに
することが可能であるので、表示面金てが低反射率化に
することができ、視認性が向上するとともにデザイン上
も優れたものとなるという効果を有する。
第１図 第３図は、従来の陽極基板の一部の平面図、第
２図は、第１図の一部の拡大縦断面図、第４図は、従来
の陽極基板の一部の平面図、第５図は、第４図の一部の
拡大縦断面図、第６図は、本発明の一実施例を示す蛍光
表示管の縦断面図、第７図、第８図、第９図は、本発明
の実施例になる蛍光表示管の陽極基板の拡大縦断面図、
第１０図、第１１図は本発明による蛍光表示管における
外光の屈折状態を説明する説明図である。 １・・・基板 ２・・・反射防止膜 ３・・・金属薄膜
３ａ・・・陽極導体 ３ｂ・・・配線導体特許出願人
双葉電子工業株式会社 第 １ 図 第 ２ 図 第３図 １ｏ； ０１ 第 ４ 図 第５図 ム 第 ６ 図 人 第 ７ 図 第 ８ 図 ０ 第 ９ 図 第 １０ 図 第 １１ 図 手続補正書 昭和５９年 ７月λ５日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２２２７１４号 ２、発明の名称 蛍光表示管 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正の対象 明細書の「３、発明の詳細な説明」の欄及６、補正の内
容 （１）明細書第８頁２行目に記載の「発光表示管」を「
蛍光表示管」に補正する。 （２）明細書落３頁９行目に記載の「ン） １０３数に
分割」を「ント１０３毎に分割」に補正する。 （３）明細書第７頁１行目に記載の「導体が金属薄膜で
ありても」ヲ「導体部分の」に補正する。 （４）明細書第８頁１８行目から１９行目に記載の「し
ては、Ｎ１０が〜吸収される。Ｊ ｔ−潔、ｏ２゜ＷＯ
２ｔ−蒸着源とした蒸着で、青色の透光性反射防止膜が
得られる。」に補正する。 （５）添付複写図面に朱書するように、図面第６図Ｋ「
符号３．３ｍ、３ｂＪ及び「引出線」を加入する。 実用 特許出願人 双葉電子工業株式会社
２図は、第１図の一部の拡大縦断面図、第４図は、従来
の陽極基板の一部の平面図、第５図は、第４図の一部の
拡大縦断面図、第６図は、本発明の一実施例を示す蛍光
表示管の縦断面図、第７図、第８図、第９図は、本発明
の実施例になる蛍光表示管の陽極基板の拡大縦断面図、
第１０図、第１１図は本発明による蛍光表示管における
外光の屈折状態を説明する説明図である。 １・・・基板 ２・・・反射防止膜 ３・・・金属薄膜
３ａ・・・陽極導体 ３ｂ・・・配線導体特許出願人
双葉電子工業株式会社 第 １ 図 第 ２ 図 第３図 １ｏ； ０１ 第 ４ 図 第５図 ム 第 ６ 図 人 第 ７ 図 第 ８ 図 ０ 第 ９ 図 第 １０ 図 第 １１ 図 手続補正書 昭和５９年 ７月λ５日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２２２７１４号 ２、発明の名称 蛍光表示管 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正の対象 明細書の「３、発明の詳細な説明」の欄及６、補正の内
容 （１）明細書第８頁２行目に記載の「発光表示管」を「
蛍光表示管」に補正する。 （２）明細書落３頁９行目に記載の「ン） １０３数に
分割」を「ント１０３毎に分割」に補正する。 （３）明細書第７頁１行目に記載の「導体が金属薄膜で
ありても」ヲ「導体部分の」に補正する。 （４）明細書第８頁１８行目から１９行目に記載の「し
ては、Ｎ１０が〜吸収される。Ｊ ｔ−潔、ｏ２゜ＷＯ
２ｔ−蒸着源とした蒸着で、青色の透光性反射防止膜が
得られる。」に補正する。 （５）添付複写図面に朱書するように、図面第６図Ｋ「
符号３．３ｍ、３ｂＪ及び「引出線」を加入する。 実用 特許出願人 双葉電子工業株式会社
Claims (3)
- （１） 透光性絶縁基板の一方の面に金属薄膜による配
線導体及び透光性の陽極導体を配設し、この陽極導体上
にフィラメント状の陰極から放出される電子の射突によ
り発光する蛍光体層が被着されて、この蛍光体層の発光
を前記透光性の陽極導体及び透光性絶縁基板を通して、
前記透光性絶縁基板の他方の面側から観察するようにな
る蛍光表示管において、透光性絶縁基板」二に被着され
た有色薄膜による反射防止膜と、この反射防止膜上に配
設された金属薄膜による配線導体及び陽極導体とを具備
することを特徴とする蛍光表示管。 - （２）反射防止膜は、低反射率な非透光性物質で形成さ
れた特許請求の範囲第１項記載の蛍光表示管。 - （３）反射防止膜は、低透過率な透光性物質にょす形成
されている特許請求の範囲第１項記載の蛍光表示管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222714A JPS60115137A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 螢光表示管 |
| US07/045,246 US4757234A (en) | 1983-11-26 | 1987-05-04 | Fluorescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222714A JPS60115137A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 螢光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115137A true JPS60115137A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16786749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222714A Pending JPS60115137A (ja) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | 螢光表示管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4757234A (ja) |
| JP (1) | JPS60115137A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261248A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-17 | Futaba Corp | 前面発光形螢光表示管 |
| JPS63213245A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-06 | Futaba Corp | 反射防止膜付基板 |
| JPS63160656U (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | ||
| JPH0461742U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-27 | ||
| KR100778498B1 (ko) * | 2001-05-11 | 2007-11-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 형광표시관 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0129678B1 (en) * | 1992-05-22 | 1998-04-06 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Fluorescent display device |
| JPH06310061A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-11-04 | Sony Corp | 表示装置 |
| KR950034365A (ko) * | 1994-05-24 | 1995-12-28 | 윌리엄 이. 힐러 | 평판 디스플레이의 애노드 플레이트 및 이의 제조 방법 |
| DE4444872A1 (de) * | 1994-12-16 | 1996-06-20 | Philips Patentverwaltung | Leuchtstoffpulver, Verfahren zu seiner Herstellung und Niederenergie-Kathodenstrahl-Display |
| US5577943A (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-26 | Texas Instruments Inc. | Method for fabricating a field emission device having black matrix SOG as an interlevel dielectric |
| US5608285A (en) * | 1995-05-25 | 1997-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Black matrix sog as an interlevel dielectric in a field emission device |
| JPH0911534A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-14 | Futaba Corp | 電界放出型プリントヘッド |
| US5672243A (en) * | 1995-11-28 | 1997-09-30 | Mosel Vitelic, Inc. | Antireflection coating for highly reflective photolithographic layers comprising chromium oxide or chromium suboxide |
| ATE443923T1 (de) * | 2002-04-17 | 2009-10-15 | Alexandr Nikolaevich Obraztsov | Kathodolumineszente lichtquelle |
| EP2128845A1 (en) * | 2008-05-26 | 2009-12-02 | C.R.F. Società Consortile per Azioni | Transparent display device with conductive paths provided with an opaque coating |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50133773A (ja) * | 1974-04-08 | 1975-10-23 | ||
| JPS5736658B2 (ja) * | 1978-05-25 | 1982-08-05 | ||
| JPS58106742A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Futaba Corp | 蛍光表示管 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3160774A (en) * | 1959-04-30 | 1964-12-08 | Saint Gobain | Polychrome television screen and process of manufacture |
| US3614503A (en) * | 1970-02-24 | 1971-10-19 | Zenith Radio Corp | Black-surround color picture tube |
| JPS5412259A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-29 | Hitachi Ltd | Color picture tube |
| JPS54146575A (en) * | 1978-05-09 | 1979-11-15 | Nec Corp | Fluorescent display tube |
| JPS5721054A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-03 | Futaba Corp | Fluorescent display |
-
1983
- 1983-11-26 JP JP58222714A patent/JPS60115137A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-04 US US07/045,246 patent/US4757234A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50133773A (ja) * | 1974-04-08 | 1975-10-23 | ||
| JPS5736658B2 (ja) * | 1978-05-25 | 1982-08-05 | ||
| JPS58106742A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Futaba Corp | 蛍光表示管 |
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| JPS63213245A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-06 | Futaba Corp | 反射防止膜付基板 |
| JPS63160656U (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | ||
| JPH0461742U (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-27 | ||
| KR100778498B1 (ko) * | 2001-05-11 | 2007-11-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 형광표시관 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4757234A (en) | 1988-07-12 |
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