JPS6388872A

JPS6388872A - 光メモリ

Info

Publication number: JPS6388872A
Application number: JP61233450A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Tanda; 聡丹田
Original assignee: Komatsu Ltd
Current assignee: Komatsu Ltd
Priority date: 1986-10-01
Filing date: 1986-10-01
Publication date: 1988-04-19
Anticipated expiration: 2010-10-18
Also published as: JPH0797657B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光−光変換器に関する。

〔従来技術およびその問題点〕

例えば透過形電子顕微鏡では、電子銃から発せられた電
子線は、コンデンサレンズによって適切な電子流密度を
もつように調節されて試料を照射する。そして試料を透
過し対物・中間・投射レンズによって拡大され、けい光
体微粉末の塗布されたけい元板で可視化されるか又は、
写真フィルム上に結像せしめられるようになっている。

しかしながら、このようにＧプい元板によって電子線の
可視化を行なった場合、ぼやけ、にじみ等の現象が現わ
れ、解像度が低下するという問題があった。

このように目に見えない光線のアナログ的な可視化は、
電子顕微鏡のみならず、いろいろな分野で切実な問題と
なっている。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、赤外線、
紫外線、Ｘ線等の光線をアナログ的に波長変換すること
を目的とする。

〔問題点を解決するための手段］そこで本発明では、所望の発光波長を有する発光層を表
面電極と背面電極で挟んだ薄膜ＥＬ素子の背面電極を透
光性の導電膜で構成すると共にこれと発光層との間に光
導電膜および遮光性の誘電体層を介在せしめ、表面電極
と背面電極との間に常時ある一定の電圧を印加するよう
にしている。

〔作用〕

例えば、この光−光変換器は第１図に示づ−如く、ガラ
ス基板１上に透光性の表面電極２．第１の誘電体層３１
発光層４．遮光層Ｓ、第２の誘電体層５．光導電膜６．
透光性の背面電極７を順次積層せしめて二重誘電体＠造
の薄膜ＥＬ素子を構成しており透光性導電膜８と表面電
極２との間に薄膜ＥＬ素子が発光しない程度の電圧Ｖｏ
が印加されている。

ここで光Ｌ１が入射覆ると、光導電膜の抵抗値が下がり
、薄膜Ｆ１−素子の発光層４との間に印加される電圧が
増大し、これにより発光層４からはその発光層固有の波
長をもつ光１−２が出射せしめられる。

このように、発光層を適宜選択することにより入射光Ｌ
１を所望の波長をもつ光Ｌ２に変換することができる。

〔実施例〕

以下、本発明実施例の光−光変換器について図面を参照
しつつ詳細に説明する。

この光−光変換器は、第２図に示づ−如く、透光性のガ
ラス基板１１上に、酸化インジウム錫層（ＩＴＯ）から
なる表面電極１２と、酸化タンタル（Ｔａｇ）層からな
る第１の誘電体層１３と、× 硫化亜鉛：マンガン（ＺｎＳ：Ｍｎ）柱状多結晶層から
なる発光層１４と、黒色の酸化タンタル（Ｔａ　Ｏ、ｘ
＜２．５　）層からなる第２の誘電体× 層１５と、硫化カドミウム（ＣｄＳ）層からなる光導電
膜１６と酸化インジウム錫層からなる透光性の背面電極
１７とから構成されており、前記表面電極１２と背面電
極１７との間には電圧Ｖが印加されている。

ここで、光導電膜１６は、光が入射しない時は高抵抗を
有し光が入ると導電性を有するものであり、光Ｌ１が入
射するとその部分で発光層にかかる電圧が増大し、発光
層が励起され光Ｌ１が発せられるようになっている。

また、第２の誘電体層によって入射光は遮断され、表面
電極側には、発光層からの光Ｌ２のみが放出される。

この光−光変換器は、通常の薄膜テクノロジーを用いて
形成することができ、極めて構造が簡単でかつ、効率良
い波長変換を可能とするものであり、ぼけやにじみもな
い。

なお、実施例では第２の誘電体層を遮光性の黒色膜で構
成したが、これとは別に遮光層を介在させるようにして
もよい。

また、光導電膜としては、硫化カドミウムの他、アモル
ファスシリコン（ａ−８ｉ　）　、セレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓｅ）、デルル化水銀カドミウム（ＨｑＣｄＴｅ）等、
他の光導電材料を用いてもよく、更に、各層の構成材料
としても、実施例に限定されることなく適宜変更可能で
ある。

更にまた、薄膜ＥＬ素子は、第３図に示す如く、印加電
圧の上昇時と下降時で電圧と発光輝度との関係にヒステ
リシスをもつ。

従って、次のような現象を生じることがある。

ますあらかじめ、ある電圧Ｖ１Ａをかけておくと、Ａの
状態にある。

この状態で、電圧を■１Ｂに上昇せしめると、Ｂの状態
となり、この薄膜ＦＬ素子は高輝度で発光層−る。

次に、電圧を元の電圧Ｖ１Ａに降下させても、この薄膜
Ｆ１−素子はＣの状態となり、やや輝度は低下するが充
分に高い輝度を維持する。

ここで、例えば薄膜ＥＬ素子の背面に光導電膜を接続し
て直列接続体を形成し、これに所定の電圧Ｖｏを印加し
たとすると、このとき初期状態はＶ　ＩＡ＋　Ｖ　２Ａ
−Ｖ　Ｏ”’　　（１）となっている。ここで薄膜ＥＬ
素子はＡの状態（第２図参照）に対応する。

入射光により光導電膜の抵抗値が下がるとＶＩＢ”　■
２Ｂ＝Ｖｏ　　　　　　　　　−（２）Ｖ　　＞Ｖ　　
となりＶｌＢ＞Ｖ１＾２Ａ　　　２Ｂこのようにして薄膜ＥＬ素子にかかる電圧が上昇し、Ｂ
の状態となり高輝度で発光する。

この後、光導電膜の抵抗値が元に戻り、薄膜ＥＬ索子へ
の印加電圧がＶ　１Ａ（７）状態まで降下しても、薄膜
［Ｌ索子は第３図に示す如くＣの状態となり、充分に高
い輝度を維持するため、軌跡となって残ることになる。

従って、このように光導電膜および発光層を適宜選択す
ることにより、光メモリを形成することもできる。

加えて、実施例では、薄膜Ｆ１−素子を一体的に形成し
たが、多数個に分割形成してもよい。この場合は、背面
電極を遮光性の金属膜で構成した通常の二重誘電体４ｆ
４造の薄膜［Ｌ素子を形成し、この背面電極の外側に光
導電膜および透光性導電膜を配設づ−るようにすればよ
い。

このような例として、最も簡単な構造のものは、第４図
に示す如く、ガラス基板２１上に、前記実施例と同様に
表面電極２２、第１の誘電体層２３、発光層２４、遮光
性の第２の誘電体層２５を夫々一体面に形成し、この上
層に、マトリクス状に配列された多数のパターンからな
るアルミニウム。

クロム等の分割パターンからなる背面電極２７をｆｉ層
して薄膜Ｅ　ｌ−素子を形成すると共に、この上層に光
導電膜２６、透光性導電膜２８を順次大々一体面に形成
したものである。

（効果〕以上説明してきたように、本発明の光−光変換器によれ
ば、ｉＪｌ！ＦＦＬ素子の背面電極と発光層との間に光
導電層および遮光性の誘電体層を介在さゼると共に、背
面電極を透光性導電膜で構成し、表面電極と背面電極と
の間に所定の電圧を印加しておき、入射光による光導電
膜の抵抗値９低下によりその部分の発光層にかかる電圧
が増大し発光するようにしているため、極めて構造が簡
単で、かつ任意の波長の光にアナログ的に光に効率良く
変換することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光−光変換器の基本構造を示す図、
第２図は、本発明実施例の光−光変換器を示す図、第３
図は、薄膜ＥＬ素子のヒステリシス特性を示す図、第４
図は本発明の他の実施例を示す図である。１．１１．２１・・・ガラス基板、２，１２．２２・・
・表面電極、３．１３．２３・・・第１の誘電体層、４
゜１４．２４・・・発光層、５．１５．２５・・・第２
の誘電体層、６．１６．２６・・・光導電膜、７．１７
゜２７・・・背面電極、Ｓ・・・遮光層、２８・・・透
光性導電膜。Ｌ２第１図第２図

Claims

【特許請求の範囲】　発光層を表面電極および背面電極で挟んだ薄膜ＥＬ素
子からなり、前記表面電極および背面電極を透光性導電膜で形成しこ
れらの間にある一定の電圧を印加すると共に、発光層と背面電極との間に遮光性の誘電体層と光導電体
層を介在せしめ、光が入射すると発光層にかかる電圧が増大し、発光層か
ら所望の波長の光が射出されるようにしたことを特徴と
する光−光変換器。