JPS5893293A - 光増幅器 - Google Patents
光増幅器Info
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- JPS5893293A JPS5893293A JP56190723A JP19072381A JPS5893293A JP S5893293 A JPS5893293 A JP S5893293A JP 56190723 A JP56190723 A JP 56190723A JP 19072381 A JP19072381 A JP 19072381A JP S5893293 A JPS5893293 A JP S5893293A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、入射光学像をさらに明るい塚とし。
て出力づる光増幅器、特に輝度、コントラスト。
特性が向上された光増器に関ゴるものである。
光源から出る光をより強い光に変換したり、１１、赤外
線紫外線あるいはＸ線のような不可視光イ取あるいは暗
い可視光像を明るい可視光像に変換するものを一般には
光増幅器と呼ぶ。従妹、光増幅器は真空管により実現さ
れてきたが、最近、光導電膜とＥＬセルとの和み合せに
より固体だけで直接光を増幅づる固体光増幅器（５ｏｌ
ｉｄｓｔａｔｅ ｌｉｇｈｔ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ −
＋以下ＳＳ ＬＡと略′１）が研究されている。
線紫外線あるいはＸ線のような不可視光イ取あるいは暗
い可視光像を明るい可視光像に変換するものを一般には
光増幅器と呼ぶ。従妹、光増幅器は真空管により実現さ
れてきたが、最近、光導電膜とＥＬセルとの和み合せに
より固体だけで直接光を増幅づる固体光増幅器（５ｏｌ
ｉｄｓｔａｔｅ ｌｉｇｈｔ ａｍｐｌｉｆｉｅｒ −
＋以下ＳＳ ＬＡと略′１）が研究されている。
第１図に８ＳＩＡの構造を示ゴ。第１図において１はガ
ラス板、２は透明電極、３は光２Ｓ電膜、）４は不透明
層、５はＥＬ層、６は電源（交流あるいは自流）である
。以下第１図を用いて動作を説明ゴる。入射光により、
第１図の光導電膜６は光の強さに応じて抵抗値が変化ゴ
る。（一般に光が強くあたった箇１ツ１は抵抗値が小さ
い）１１［こわは撮像前の光導電膜と同一の動作を行な
う。。
ラス板、２は透明電極、３は光２Ｓ電膜、）４は不透明
層、５はＥＬ層、６は電源（交流あるいは自流）である
。以下第１図を用いて動作を説明ゴる。入射光により、
第１図の光導電膜６は光の強さに応じて抵抗値が変化ゴ
る。（一般に光が強くあたった箇１ツ１は抵抗値が小さ
い）１１［こわは撮像前の光導電膜と同一の動作を行な
う。。
づなわち、光学像が光４電膜の場放１的な抵抗値の変化
という形で光導電膜−ヒに再現される。このとき、ＥＬ
と光導電ｊＩＱは電源６に対し直列に接続されており、
光導電膜の抵抗値の変化はＥＩ、。
という形で光導電膜−ヒに再現される。このとき、ＥＬ
と光導電ｊＩＱは電源６に対し直列に接続されており、
光導電膜の抵抗値の変化はＥＩ、。
に印加される市、圧の変化となる。′１なわち、１つＬ
の発光強要の変化となるわけで、入射光学像は、ＥＬの
発光強度の場ｎＩ的な変化となってｌＩ）現される。よ
って光２ｓ市、膜に光感度の良好でかつ抵抗値変化ψ１
λ囲（ダイナミックレンジ）の大きな材料な用いわば、
３ぐわた光増幅器が実現できる。
の発光強要の変化となるわけで、入射光学像は、ＥＬの
発光強度の場ｎＩ的な変化となってｌＩ）現される。よ
って光２ｓ市、膜に光感度の良好でかつ抵抗値変化ψ１
λ囲（ダイナミックレンジ）の大きな材料な用いわば、
３ぐわた光増幅器が実現できる。
次に第１図においてろで示した不透明層につ。
いて説１明する。不透明層は、一般に合成樹脂中に１１
（炭煤）を混合したものが使わわ、ＥＬ。
（炭煤）を混合したものが使わわ、ＥＬ。
の発光による光が光導電膜に達つしないような働きをゴ
る。不透明層がない場合には８ＳＬＡは帰。
る。不透明層がない場合には８ＳＬＡは帰。
還増幅器における正帰還現象と同様な状態に陥いる。ゴ
なわちＥＬの発光により光導電膜の抵。
なわちＥＬの発光により光導電膜の抵。
抗値がさらに低下しさらにＥＬが発光する、と、０いう
形ｊルをＥＬのＮＭが飽和づるまで行なわわる。このよ
うに不透明層は８ＳＩＡにとって重要な要素を占めてい
るが、反面、光の利用率から（・けば満足のいくもので
はない。そわば、ＢＬの発光した光の約５０％が不透明
層に吸収さねでしまい、出力されないからである。
形ｊルをＥＬのＮＭが飽和づるまで行なわわる。このよ
うに不透明層は８ＳＩＡにとって重要な要素を占めてい
るが、反面、光の利用率から（・けば満足のいくもので
はない。そわば、ＢＬの発光した光の約５０％が不透明
層に吸収さねでしまい、出力されないからである。
また不透明層の電気伝導ＩＫは方向によらず同一である
ため、ｌＩ！ｉｉ衣間の電気的クロストークによるコン
トラスト低下も無視′セきない。 。
ため、ｌＩ！ｉｉ衣間の電気的クロストークによるコン
トラスト低下も無視′セきない。 。
本発明の目的は、上記した従妹技術の欠点ななくし、光
の利用率を向上させた光増幅器を提供づることにル２る
。
の利用率を向上させた光増幅器を提供づることにル２る
。
本発明は電気伝導性がよく光の反射特性の艮好な物憫（
例テはアルミ膜）をアイランド（島）秋とし、その周辺
を光吸収の良好な絶縁体でかへこった構造力・らなる層
な、従妹の不透明層のか４わりに挿入し、＋１４を度の
向上、コントラストの向。
例テはアルミ膜）をアイランド（島）秋とし、その周辺
を光吸収の良好な絶縁体でかへこった構造力・らなる層
な、従妹の不透明層のか４わりに挿入し、＋１４を度の
向上、コントラストの向。
上を図るようにしたものである。
第２図、第３図に本発明の一実施例を示づ。。
第１図と同一のものは同−二酢号を付けである。（１゜
第２図は従妹の５ＳＩＡと同様に本発明の断面図を示し
、第６図は第２図における不透明層に相等。
第２図は従妹の５ＳＩＡと同様に本発明の断面図を示し
、第６図は第２図における不透明層に相等。
づる部分なぬき出したものである。第２図において７は
電気導電部、８は絶縁部を示づ。
電気導電部、８は絶縁部を示づ。
第２図において入射光学像を光導電股上で抵抗の変化と
して再現づる庫裡は同じであるが従来の不透明層におけ
る動作が異なる。つまり、光導電股上に＋ｆＪ現し１だ
光学像を、電気導伝部７゜でサンブリンクされ゛未形と
なり、ＢＬ層に情報として伝達される。市、気導伝部の
一画面中の数、−個あたりの大きさは、サンブリンクに
よる画質劣化が目立たない程度あわばよい。また、電気
導伝部の周囲を絶縁部８で囲いそわそわの電・気導伝部
７はお互いに電気的には絶縁状態が保。
して再現づる庫裡は同じであるが従来の不透明層におけ
る動作が異なる。つまり、光導電股上に＋ｆＪ現し１だ
光学像を、電気導伝部７゜でサンブリンクされ゛未形と
なり、ＢＬ層に情報として伝達される。市、気導伝部の
一画面中の数、−個あたりの大きさは、サンブリンクに
よる画質劣化が目立たない程度あわばよい。また、電気
導伝部の周囲を絶縁部８で囲いそわそわの電・気導伝部
７はお互いに電気的には絶縁状態が保。
たわる。′１なわち、電気導伝部に接ゴる光導電５膜の
情報は、電気導伝部の電気抵抗が小さいために完全にＥ
Ｌ部に伝達される。
情報は、電気導伝部の電気抵抗が小さいために完全にＥ
Ｌ部に伝達される。
上記のごとく、光導電膜の情報は、電気導伝。
部でサンブリンクさねその後ＥＬ部に完全に伝。
遅さねると同時に、周囲の絶縁部のために画素、。
間でのクロストークは者しく数置される。ゴな。
わちコントラストの改善に大きな効果がある。
また、電気導伝部を光の反射率の高い物質で形成してい
るため、Ｅｌ、で発光した光はけは完全に前方に出力さ
れるため、出力光が増加ゴる。
るため、Ｅｌ、で発光した光はけは完全に前方に出力さ
れるため、出力光が増加ゴる。
さらに、電気的作用と光学的作用とが相乗し、コントラ
ストの向上が期待できる。
ストの向上が期待できる。
また、本発明は電気導伝部とカラーＥＬを絹みあわせマ
トリックヌ状に配置づることによりカラー化も容易に達
成できる。
トリックヌ状に配置づることによりカラー化も容易に達
成できる。
第１図は従妹のＳＳ、ｒ、Ａの断面図、第２図は本発明
の一実施例を示づ断面図、第６図は第２図の電気導伝部
と絶縁部の構造を具体的に示した斜・親図である。 ３は光導電膜 ４は不透明層 ５はＢＬ層 ７は電気導伝部 ８は絶縁部 什刊シ人＃卯半 諮 ｍ イ＋ｌ ｄ＝才 ３ 図 −４４３−
の一実施例を示づ断面図、第６図は第２図の電気導伝部
と絶縁部の構造を具体的に示した斜・親図である。 ３は光導電膜 ４は不透明層 ５はＢＬ層 ７は電気導伝部 ８は絶縁部 什刊シ人＃卯半 諮 ｍ イ＋ｌ ｄ＝才 ３ 図 −４４３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エレクトロルミネセンス（ＥＬ ）層と光導電膜などの
多層構造からなる光増幅器において、ＥＬｒ。 層と光４蛋膜との［…に、１画累分相当あるいは。 そわ以下の大きさの、電気伝導性がよ（光の反射特性の
良好な物質をアイランド状に挿入し、前記ランドの周囲
を光吸収性の良好な絶縁体で力こったことを特徴とする
光増幅器。 １．（
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190723A JPS5893293A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190723A JPS5893293A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893293A true JPS5893293A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16262736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190723A Pending JPS5893293A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893293A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388872A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Komatsu Ltd | 光メモリ |
| JPWO2005060012A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2007-12-13 | 住友化学株式会社 | 有機光−光変換デバイス |
| WO2007142287A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 光－光変換デバイス |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56190723A patent/JPS5893293A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388872A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Komatsu Ltd | 光メモリ |
| JPWO2005060012A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2007-12-13 | 住友化学株式会社 | 有機光−光変換デバイス |
| US8003976B2 (en) | 2003-12-17 | 2011-08-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic light-light conversion device |
| JP4781819B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2011-09-28 | 住友化学株式会社 | 有機光−光変換デバイス |
| WO2007142287A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 光－光変換デバイス |
| JP2008016831A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 光−光変換デバイス |
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