JPH06337300A - 固体映像変換素子 - Google Patents
固体映像変換素子Info
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- JPH06337300A JPH06337300A JP5127250A JP12725093A JPH06337300A JP H06337300 A JPH06337300 A JP H06337300A JP 5127250 A JP5127250 A JP 5127250A JP 12725093 A JP12725093 A JP 12725093A JP H06337300 A JPH06337300 A JP H06337300A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導電体層の受光感度を向上させることによ
り、高効率でより鮮明な可視像を得ることのできる固体
映像変換素子を提供する。 【構成】 一対の電極層間に光導電体層と電場発光体層
とを形成してＸ線像を可視像に変換する固体映像変換素
子において、本発明の固体映像変換素子は、外部から入
射するＸ線がＰＣ層に到達するまでの、又は到達する際
の部位に、入射Ｘ線によりＰＣ層の感度範囲内に主波長
の発光ピークを有して発光する螢光体層が設けられてな
ることを特徴としている。
り、高効率でより鮮明な可視像を得ることのできる固体
映像変換素子を提供する。 【構成】 一対の電極層間に光導電体層と電場発光体層
とを形成してＸ線像を可視像に変換する固体映像変換素
子において、本発明の固体映像変換素子は、外部から入
射するＸ線がＰＣ層に到達するまでの、又は到達する際
の部位に、入射Ｘ線によりＰＣ層の感度範囲内に主波長
の発光ピークを有して発光する螢光体層が設けられてな
ることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一対の電極層間に光導
電体層（以下、ＰＣ層という）と電場発光体層（以下、
ＥＬ層という）とを組み合わせてＸ線像を可視像に変換
する固体映像変換素子の改良に関するものである。
電体層（以下、ＰＣ層という）と電場発光体層（以下、
ＥＬ層という）とを組み合わせてＸ線像を可視像に変換
する固体映像変換素子の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＣ層とＥＬ層とを組み合わせた、いわ
ゆる光増幅器の原理は古くから知られており、さらに、
これをＸ線域に適用したＸ線映像変換装置やＸ線非破壊
検査装置も、例えば、特公昭５２−３２２３８号公報、
特公昭６３−３２５７号公報等から知られている。これ
らＸ線映像変換装置は、Ｘ線蛍光板に比べ１００倍近い
感度を有し、かつ構造が簡単で安価であるため、イメー
ジインテンシファイヤ等の高価な装置を利用するまでも
ない用途に用いられている。また、特開平１−２４８１
００号公報に示されるように、光導電体粒子と電場発光
体粒子とを有機バインダで塗布する分散形と異なってＰ
Ｃ層及びＥＬ層を薄膜で形成することも開示されてい
る。
ゆる光増幅器の原理は古くから知られており、さらに、
これをＸ線域に適用したＸ線映像変換装置やＸ線非破壊
検査装置も、例えば、特公昭５２−３２２３８号公報、
特公昭６３−３２５７号公報等から知られている。これ
らＸ線映像変換装置は、Ｘ線蛍光板に比べ１００倍近い
感度を有し、かつ構造が簡単で安価であるため、イメー
ジインテンシファイヤ等の高価な装置を利用するまでも
ない用途に用いられている。また、特開平１−２４８１
００号公報に示されるように、光導電体粒子と電場発光
体粒子とを有機バインダで塗布する分散形と異なってＰ
Ｃ層及びＥＬ層を薄膜で形成することも開示されてい
る。
【０００３】これらのＸ線映像変換装置の動作原理は以
下の通りである。一対の電極間に適切な交流電圧を印加
すると、ＰＣ層、ＥＬ層と、ＥＬ発光によるＰＣ層への
正帰還を防ぐための不透光層との各層のインピーダンス
に応じて電圧が分配される。外部からＸ線がＰＣ層に入
射していない暗状態においては、ＰＣ層のインピーダン
スが他の層に比べて大きく、大部分の電圧がＰＣ層に印
加され、ＥＬ層に分配される電圧が小さいので、ＥＬ層
が発光しないように各層のインピーダンスが設定されて
いる。外部からＸ線が入射すると、ＰＣ層のインピーダ
ンスが減少し、ＥＬ層に分配される電圧が増大するた
め、Ｘ線入射に対応した部位でのＥＬ発光によりＸ線像
が可視像に変換される。
下の通りである。一対の電極間に適切な交流電圧を印加
すると、ＰＣ層、ＥＬ層と、ＥＬ発光によるＰＣ層への
正帰還を防ぐための不透光層との各層のインピーダンス
に応じて電圧が分配される。外部からＸ線がＰＣ層に入
射していない暗状態においては、ＰＣ層のインピーダン
スが他の層に比べて大きく、大部分の電圧がＰＣ層に印
加され、ＥＬ層に分配される電圧が小さいので、ＥＬ層
が発光しないように各層のインピーダンスが設定されて
いる。外部からＸ線が入射すると、ＰＣ層のインピーダ
ンスが減少し、ＥＬ層に分配される電圧が増大するた
め、Ｘ線入射に対応した部位でのＥＬ発光によりＸ線像
が可視像に変換される。
【０００４】しかしながら、このようなＸ線映像変換装
置では、ＰＣ層に光導電体としてＣｄＳ又はＣｄＳｅが
用いられている。ＣｄＳを用いた装置が高輝度である
が、応答性においては、ＣｄＳｅを用いたものに比べて
遥かに遅い。このため、応答面から両者は使い分けられ
ている。ＣｄＳ光導電体の分光感度は主として可視光領
域の４００〜７００ｎｍにあって、ＣｄＳｅ光導電体の
分光感度は主として可視光域から近赤外線域の６５０〜
１０００ｎｍにあるが、ＣｄＳ及びＣｄＳｅのいずれで
も、透過力の大きいＸ線に対し僅かな感度を持つにしか
すぎない。換言すれば、分光感度の高い本来の領域でな
いという僅かな感度である範囲で光導電体を使用してい
る。このため、ＰＣ層での受光感度を上げるため、ＰＣ
層を厚く設定しなければならず、これにより、膜厚の厚
くなるのに伴って、必然的に印加電圧を大きくしなけれ
ばならないという問題がある。
置では、ＰＣ層に光導電体としてＣｄＳ又はＣｄＳｅが
用いられている。ＣｄＳを用いた装置が高輝度である
が、応答性においては、ＣｄＳｅを用いたものに比べて
遥かに遅い。このため、応答面から両者は使い分けられ
ている。ＣｄＳ光導電体の分光感度は主として可視光領
域の４００〜７００ｎｍにあって、ＣｄＳｅ光導電体の
分光感度は主として可視光域から近赤外線域の６５０〜
１０００ｎｍにあるが、ＣｄＳ及びＣｄＳｅのいずれで
も、透過力の大きいＸ線に対し僅かな感度を持つにしか
すぎない。換言すれば、分光感度の高い本来の領域でな
いという僅かな感度である範囲で光導電体を使用してい
る。このため、ＰＣ層での受光感度を上げるため、ＰＣ
層を厚く設定しなければならず、これにより、膜厚の厚
くなるのに伴って、必然的に印加電圧を大きくしなけれ
ばならないという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はこの
ような事情を鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、光導電体層（ＰＣ層）の受光感度を向上さ
せることにより、高効率でより鮮明な可視像を得ること
のできる固体映像変換素子を提供することにある。
ような事情を鑑みて成されたものであり、その目的とす
るところは、光導電体層（ＰＣ層）の受光感度を向上さ
せることにより、高効率でより鮮明な可視像を得ること
のできる固体映像変換素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、Ｘ線に対
し光導電体の分光感度が弱いことと、高い分光感度を有
する光導電体の波長領域に入射Ｘ線により主波長の発光
ピークを有して発光する螢光体があることに着目し、鋭
意研究の結果、本発明を完成するに至った。
し光導電体の分光感度が弱いことと、高い分光感度を有
する光導電体の波長領域に入射Ｘ線により主波長の発光
ピークを有して発光する螢光体があることに着目し、鋭
意研究の結果、本発明を完成するに至った。
【０００７】即ち、上述の目的は、一対の電極層間にＰ
Ｃ層とＥＬ層とを形成してＸ線像を可視像に変換する固
体映像変換素子において、外部から入射するＸ線がＰＣ
層に到達するまでの、又は到達する際の部位に、入射Ｘ
線によりＰＣ層の感度範囲内に主波長の発光ピークを有
して発光する螢光体層が設けられてなることを特徴とす
る固体映像変換素子により、解決される。
Ｃ層とＥＬ層とを形成してＸ線像を可視像に変換する固
体映像変換素子において、外部から入射するＸ線がＰＣ
層に到達するまでの、又は到達する際の部位に、入射Ｘ
線によりＰＣ層の感度範囲内に主波長の発光ピークを有
して発光する螢光体層が設けられてなることを特徴とす
る固体映像変換素子により、解決される。
【０００８】好適には、螢光体層が、蛍光体粒子から構
成されると共に、一対の電極層間で光導電体層のＸ線像
入射側に隣接して設けられているか、或いは、螢光体層
が、ＰＣ層の光導電体粒子と螢光体粒子とを混合するこ
とにより、ＰＣ層と同一層に設けられているかのいずれ
かが望ましい。
成されると共に、一対の電極層間で光導電体層のＸ線像
入射側に隣接して設けられているか、或いは、螢光体層
が、ＰＣ層の光導電体粒子と螢光体粒子とを混合するこ
とにより、ＰＣ層と同一層に設けられているかのいずれ
かが望ましい。
【０００９】そして、好適には、ＰＣ層が、ＣｄＳ、Ｃ
ｄＳｅまたはそれらの混晶からなる粒子を有機バインダ
で塗布することによって形成されてなり、一方、螢光体
粒子層が有機バインダでＺｎＣｄＳ：Ａｇ螢光体粒子を
塗布することによって形成されてなっている。
ｄＳｅまたはそれらの混晶からなる粒子を有機バインダ
で塗布することによって形成されてなり、一方、螢光体
粒子層が有機バインダでＺｎＣｄＳ：Ａｇ螢光体粒子を
塗布することによって形成されてなっている。
【００１０】
【作用】入射Ｘ線により光導電体層の感度範囲内に主波
長の発光ピークを有して発光する螢光体層が設けられて
いることにより、ＰＣ層の感度が、直接Ｘ線から受ける
感度のみならず、Ｘ線により螢光体層で発光した発光に
よる増感作用を受けるので、螢光体層を設けない場合に
比較して、ＰＣ層が極めて高感度となり、これにより、
ＰＣ層を薄くでき、このため、一対の電極層間の動作電
圧を低減でき、しかも、本発明の固体映像変換素子を高
感度且つ高効率にすることができる。
長の発光ピークを有して発光する螢光体層が設けられて
いることにより、ＰＣ層の感度が、直接Ｘ線から受ける
感度のみならず、Ｘ線により螢光体層で発光した発光に
よる増感作用を受けるので、螢光体層を設けない場合に
比較して、ＰＣ層が極めて高感度となり、これにより、
ＰＣ層を薄くでき、このため、一対の電極層間の動作電
圧を低減でき、しかも、本発明の固体映像変換素子を高
感度且つ高効率にすることができる。
【００１１】例えば、ＰＣ層の光導電体にＣｄＳを用い
たＸ線用固体映像変換素子の場合、ＣｄＳの分光感度範
囲が主として波長４００〜７００ｎｍであって、感度ピ
ークは波長５２０ｎｍから５３０ｎｍ付近である。一
方、この波長付近にピークを有するＸ線励起発光螢光体
には、例えば、Ｚｎ0.6Ｃｄ0.4Ｓ：Ａｇがあるので、Ｚ
ｎ0.6Ｃｄ0.4Ｓ：Ａｇからなる螢光体層を設けることに
より、ＰＣ層の感度が、直接Ｘ線から受ける感度と、Ｘ
線により螢光体層で発光した発光による増感感度との和
になるので、螢光体層を設けない場合に比較して、本発
明の固体映像変換素子は、ＰＣ層を薄くでき、このた
め、一対の電極層間の動作電圧を低減できて極めて高感
度なＰＣ層を得ることができる。
たＸ線用固体映像変換素子の場合、ＣｄＳの分光感度範
囲が主として波長４００〜７００ｎｍであって、感度ピ
ークは波長５２０ｎｍから５３０ｎｍ付近である。一
方、この波長付近にピークを有するＸ線励起発光螢光体
には、例えば、Ｚｎ0.6Ｃｄ0.4Ｓ：Ａｇがあるので、Ｚ
ｎ0.6Ｃｄ0.4Ｓ：Ａｇからなる螢光体層を設けることに
より、ＰＣ層の感度が、直接Ｘ線から受ける感度と、Ｘ
線により螢光体層で発光した発光による増感感度との和
になるので、螢光体層を設けない場合に比較して、本発
明の固体映像変換素子は、ＰＣ層を薄くでき、このた
め、一対の電極層間の動作電圧を低減できて極めて高感
度なＰＣ層を得ることができる。
【００１２】Ｘ線入力側でＰＣ層に隣接した螢光体層を
螢光体粒子で設ける場合、入射したＸ線の一部が、螢光
体層でＰＣ層の感度の高い発光に変換され、残りのＸ線
の一部は螢光体層を透過し、直接ＰＣ層に入射するの
で、まず、螢光体層を厚くする必要がなく、また、螢光
体層を形成しない場合に比べて、ＰＣ層の膜厚を薄くで
き、これにより、一対の電極層間の動作電圧を低減で
き、しかも、感度が優れているので、得られた可視像
は、より鮮明なものとなる。
螢光体粒子で設ける場合、入射したＸ線の一部が、螢光
体層でＰＣ層の感度の高い発光に変換され、残りのＸ線
の一部は螢光体層を透過し、直接ＰＣ層に入射するの
で、まず、螢光体層を厚くする必要がなく、また、螢光
体層を形成しない場合に比べて、ＰＣ層の膜厚を薄くで
き、これにより、一対の電極層間の動作電圧を低減で
き、しかも、感度が優れているので、得られた可視像
は、より鮮明なものとなる。
【００１３】光導電体粒子と特定の螢光体粒子と混合す
ることにより、ＰＣ層に螢光体層を設けた場合も、Ｘ線
の一部は、螢光体粒子に入射し、ＰＣ層での感度の高い
可視光に変換され、次いでこの可視光が光導電体粒子に
入射し、その部位のインピーダンスを低下させる。勿
論、Ｘ線の一部は、直接光導電体粒子に入り、その部位
のインピーダンスを低下させる。これにより、ＰＣ層に
螢光体粒子を混合させない場合に比べて、上述と同様
に、ＰＣ層を薄くでき、一対の電極層間の動作電圧を低
減でき、しかも、感度を上げることができるので、得ら
れた可視像はより鮮明なものとなる。
ることにより、ＰＣ層に螢光体層を設けた場合も、Ｘ線
の一部は、螢光体粒子に入射し、ＰＣ層での感度の高い
可視光に変換され、次いでこの可視光が光導電体粒子に
入射し、その部位のインピーダンスを低下させる。勿
論、Ｘ線の一部は、直接光導電体粒子に入り、その部位
のインピーダンスを低下させる。これにより、ＰＣ層に
螢光体粒子を混合させない場合に比べて、上述と同様
に、ＰＣ層を薄くでき、一対の電極層間の動作電圧を低
減でき、しかも、感度を上げることができるので、得ら
れた可視像はより鮮明なものとなる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
について説明する。
について説明する。
【００１５】（実施例１） 図１には、本発明の透過形
の固体映像変換素子の部分断面図が示されており、図１
から判るように、この固体映像変換素子は、透明ガラス
基板２を有しており、この透明ガラス基板２上には、酸
化インジウム・酸化錫のＩＴＯ薄膜からなる透明電極層
４が形成されている。透明電極層４上には、ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，ＡｌからなるＥＬ層６、チタン酸バリウム粒子から
なる誘電体層８及び、カーボンブラックを含む不透光層
１０がスクリーン印刷により形成されている。これらの
各層の膜厚は、それぞれＥＬ層５０μｍ、誘電体層１０
μｍ及び不透光層１０μｍである。不透光層１０上に
は、ＣｄＳ粒子からなるＰＣ層１２と、Ｚｎ0.6Ｃｄ0.4
Ｓ：Ａｇ粒子からなる螢光体層１４とがスクリーン印刷
で形成されている。ＰＣ層１２及び螢光体層１４の膜厚
は、それぞれ、２００μｍ及び７０μｍである。螢光体
層１４上には、アルミニウムを２０００オングストロー
ム蒸着することにより、背面電極層１６が形成されてい
る。
の固体映像変換素子の部分断面図が示されており、図１
から判るように、この固体映像変換素子は、透明ガラス
基板２を有しており、この透明ガラス基板２上には、酸
化インジウム・酸化錫のＩＴＯ薄膜からなる透明電極層
４が形成されている。透明電極層４上には、ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，ＡｌからなるＥＬ層６、チタン酸バリウム粒子から
なる誘電体層８及び、カーボンブラックを含む不透光層
１０がスクリーン印刷により形成されている。これらの
各層の膜厚は、それぞれＥＬ層５０μｍ、誘電体層１０
μｍ及び不透光層１０μｍである。不透光層１０上に
は、ＣｄＳ粒子からなるＰＣ層１２と、Ｚｎ0.6Ｃｄ0.4
Ｓ：Ａｇ粒子からなる螢光体層１４とがスクリーン印刷
で形成されている。ＰＣ層１２及び螢光体層１４の膜厚
は、それぞれ、２００μｍ及び７０μｍである。螢光体
層１４上には、アルミニウムを２０００オングストロー
ム蒸着することにより、背面電極層１６が形成されてい
る。
【００１６】この透過形固体映像変換素子の構成におい
て、注目すべきことには、まず、螢光体層１４を設けな
い場合、ＰＣ層１２の膜厚を３５０μｍ程度と厚くしな
ければならず、このため、透明電極層４と背面電極層１
６との間の交流電圧も、４００Ｖ前後必要であるのに対
し、ＰＣ層１２の膜厚を２００μｍと薄く、螢光体層１
４と合わせても２７０μｍしかないため、透明電極層４
と背面電極層１６との間の交流電圧も、１００Ｖ低減し
た交流電圧３００Ｖで十分であり、しかも、図２中の一
点鎖線で比較すれば明らかなように、螢光体層１４を設
けない従来の固体映像変換素子の輝度（図２中破線）に
比べて、本実施例の輝度（図２中実線）は約１．９倍向
上している。
て、注目すべきことには、まず、螢光体層１４を設けな
い場合、ＰＣ層１２の膜厚を３５０μｍ程度と厚くしな
ければならず、このため、透明電極層４と背面電極層１
６との間の交流電圧も、４００Ｖ前後必要であるのに対
し、ＰＣ層１２の膜厚を２００μｍと薄く、螢光体層１
４と合わせても２７０μｍしかないため、透明電極層４
と背面電極層１６との間の交流電圧も、１００Ｖ低減し
た交流電圧３００Ｖで十分であり、しかも、図２中の一
点鎖線で比較すれば明らかなように、螢光体層１４を設
けない従来の固体映像変換素子の輝度（図２中破線）に
比べて、本実施例の輝度（図２中実線）は約１．９倍向
上している。
【００１７】このように構成された固体映像変換素子で
は、背面電極層１６側からＸ線が入射すると、Ｘ線の一
部は螢光体層１４で、主ピークを５３０ｎｍとする可視
光に変換され、この可視光がＰＣ層１２のＣｄＳ粒子に
到達し、この部位のインピーダンスを低下させる。同時
に、Ｘ線の一部は螢光体層１４を透過し、直接ＰＣ層１
２に達するので、この部位のインピーダンスを低下させ
る。ＰＣ層１２におけるインピーダンスの低下した部位
に対応したＥＬ層６では、可視光が発し、これにより、
Ｘ線像が可視像に変換され、透明ガラス基板２側から、
従来に比較して鮮明な可視像を視ることができる。
は、背面電極層１６側からＸ線が入射すると、Ｘ線の一
部は螢光体層１４で、主ピークを５３０ｎｍとする可視
光に変換され、この可視光がＰＣ層１２のＣｄＳ粒子に
到達し、この部位のインピーダンスを低下させる。同時
に、Ｘ線の一部は螢光体層１４を透過し、直接ＰＣ層１
２に達するので、この部位のインピーダンスを低下させ
る。ＰＣ層１２におけるインピーダンスの低下した部位
に対応したＥＬ層６では、可視光が発し、これにより、
Ｘ線像が可視像に変換され、透明ガラス基板２側から、
従来に比較して鮮明な可視像を視ることができる。
【００１８】（実施例２） 図３には、ＣｄＳｅ粒子と
Ｚｎ0.1Ｃｄ0.9Ｓ：Ａｇ粒子とを重量比８：２で混合し
た後、スクリーン法により不透光層１０上に塗布するこ
とにより、螢光体層を２６０μｍのＰＣ層１２’に同一
に形成したこと以外、上述した実施例１と同様な固体映
像変換素子が一部断面にして示されている。
Ｚｎ0.1Ｃｄ0.9Ｓ：Ａｇ粒子とを重量比８：２で混合し
た後、スクリーン法により不透光層１０上に塗布するこ
とにより、螢光体層を２６０μｍのＰＣ層１２’に同一
に形成したこと以外、上述した実施例１と同様な固体映
像変換素子が一部断面にして示されている。
【００１９】このように構成された固体映像変換素子で
は、背面電極層１６側からＸ線が入射すると、Ｘ線の一
部はＺｎ0.1Ｃｄ0.9Ｓ：Ａｇ粒子により、主ピークを７
００ｎｍとする可視光に変換され、この可視光が同一Ｐ
Ｃ層１２’内のＣｄＳｅ粒子に到達し、この部位のイン
ピーダンスを低下させる。同時に、Ｘ線の一部はＣｄＳ
ｅ粒子に達するので、この部位のインピーダンスを低下
させる。ＰＣ層１２’におけるインピーダンスの低下し
た部位に対応したＥＬ層６では、可視光が発し、これに
より、Ｘ線像が可視像に変換され、透明ガラス基板２側
から、実施例１と同様な鮮明な可視像を視ることができ
る。
は、背面電極層１６側からＸ線が入射すると、Ｘ線の一
部はＺｎ0.1Ｃｄ0.9Ｓ：Ａｇ粒子により、主ピークを７
００ｎｍとする可視光に変換され、この可視光が同一Ｐ
Ｃ層１２’内のＣｄＳｅ粒子に到達し、この部位のイン
ピーダンスを低下させる。同時に、Ｘ線の一部はＣｄＳ
ｅ粒子に達するので、この部位のインピーダンスを低下
させる。ＰＣ層１２’におけるインピーダンスの低下し
た部位に対応したＥＬ層６では、可視光が発し、これに
より、Ｘ線像が可視像に変換され、透明ガラス基板２側
から、実施例１と同様な鮮明な可視像を視ることができ
る。
【００２０】即ち、透明電極層４と背面電極層１６との
間の交流電圧も、従来、４００Ｖ前後必要であるのに対
し、ＰＣ層１２’の膜厚を２６０μｍと薄くできるの
で、透明電極層４と背面電極層１６との間の交流電圧
も、交流電圧２８０Ｖにすることができ、しかも、図４
中の一点鎖線で比較すれば明らかなように、螢光体層を
兼ねたＰＣ層１２’としない従来の固体映像変換素子の
輝度（図２中破線）に比べて、本実施例の輝度（図２中
実線）は約１．５倍向上している。
間の交流電圧も、従来、４００Ｖ前後必要であるのに対
し、ＰＣ層１２’の膜厚を２６０μｍと薄くできるの
で、透明電極層４と背面電極層１６との間の交流電圧
も、交流電圧２８０Ｖにすることができ、しかも、図４
中の一点鎖線で比較すれば明らかなように、螢光体層を
兼ねたＰＣ層１２’としない従来の固体映像変換素子の
輝度（図２中破線）に比べて、本実施例の輝度（図２中
実線）は約１．５倍向上している。
【００２１】尚、上述の実施例２では、ＰＣ層１２’に
おける螢光体粒子と光導電体粒子との混合粒子をスクリ
ーン法で形成したが、螢光体粒子と光導電体粒子との比
重差を利用して、螢光体粒子と光導電体粒子とを混合し
た後、沈降法で塗布することにより、実施例１の如く、
ＰＣ層１２と螢光体層１４とを隣接して形成することも
容易である。
おける螢光体粒子と光導電体粒子との混合粒子をスクリ
ーン法で形成したが、螢光体粒子と光導電体粒子との比
重差を利用して、螢光体粒子と光導電体粒子とを混合し
た後、沈降法で塗布することにより、実施例１の如く、
ＰＣ層１２と螢光体層１４とを隣接して形成することも
容易である。
【００２２】上述の実施例では、螢光体粒子として、Ｚ
ｎＣｄＳ：Ａｇ螢光体で説明したが、本発明はこれに限
ることなく、例えば、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔ
ｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ等の三価のテルビウム付活の希土
類螢光体のみならず、その他のＸ線励起螢光体を使用す
ることができることは、言うまでもない。
ｎＣｄＳ：Ａｇ螢光体で説明したが、本発明はこれに限
ることなく、例えば、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔ
ｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ等の三価のテルビウム付活の希土
類螢光体のみならず、その他のＸ線励起螢光体を使用す
ることができることは、言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、螢光
体層を設けることにより、光導電体層（ＰＣ層）の受光
感度を向上させることができ、このため、光導電体層
（ＰＣ層）の膜厚を薄くでき、これにより、一対の電極
層間の印加電圧を低減することができ、しかも、電場発
光体層（ＥＬ層）からの可視像はより鮮明である固体映
像変換素子を提供することができる。
体層を設けることにより、光導電体層（ＰＣ層）の受光
感度を向上させることができ、このため、光導電体層
（ＰＣ層）の膜厚を薄くでき、これにより、一対の電極
層間の印加電圧を低減することができ、しかも、電場発
光体層（ＥＬ層）からの可視像はより鮮明である固体映
像変換素子を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る固体映像変換素子を示
す断面図。
す断面図。
【図２】図１に係る固体映像変換素子における入力Ｘ線
強度と輝度の関係を示すグラフ図。
強度と輝度の関係を示すグラフ図。
【図３】本発明の一実施例に係る固体映像変換素子を示
す断面図。
す断面図。
【図４】図３に係る固体映像変換素子における入力Ｘ線
強度と輝度の関係を示すグラフ図。
強度と輝度の関係を示すグラフ図。
２ 透明ガラス基板 ４ 透明電極層 ６ 電場発光体層（ＥＬ層） ８ 誘電体層 １０ 不透光層 １２、１２’ 光導電体層（ＰＣ層） １４ 螢光体層 １６ 背面電極層
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の電極層間に光導電体層と電場発光
体層とを形成してＸ線像を可視像に変換する固体映像変
換素子において、外部から入射するＸ線が前記光導電体
層に到達するまでの、又は到達する際の部位に、入射Ｘ
線により前記光導電体層の感度範囲内に主波長の発光ピ
ークを有して発光する螢光体層が設けられてなることを
特徴とする固体映像変換素子。 - 【請求項２】 前記螢光体層が、蛍光体粒子から構成さ
れると共に、光導電体層のＸ線像入射側に設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の固体映像変換素
子。 - 【請求項３】 前記螢光体層が、前記光導電体層の光導
電体粒子と螢光体粒子とを混合することにより、前記光
導電体層と同一層に設けられていることを特徴とする請
求項１に記載の固体映像変換素子。 - 【請求項４】 前記光導電体層が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅま
たはそれらの混晶からなる粒子を有機バインダで塗布す
ることによって形成されてなり、一方、前記螢光体粒子
層が有機バインダでＺｎＣｄＳ：Ａｇ螢光体粒子を塗布
することによって形成されてなることを特徴とする請求
項１ないし３のいずれか１項に記載の固体映像変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127250A JPH06337300A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 固体映像変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127250A JPH06337300A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 固体映像変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06337300A true JPH06337300A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14955409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5127250A Pending JPH06337300A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 固体映像変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06337300A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1001278A1 (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-17 | AGFA-GEVAERT naamloze vennootschap | A method for monitoring a dose of penetrating radiation absorbed by an object |
| WO2004077098A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ｘ線検出器とそれを用いたｘ線検査装置 |
| CN106384737A (zh) * | 2016-10-09 | 2017-02-08 | 上海科润光电技术有限公司 | 一种柔性电致发光x射线图像记忆显示板 |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP5127250A patent/JPH06337300A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1001278A1 (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-17 | AGFA-GEVAERT naamloze vennootschap | A method for monitoring a dose of penetrating radiation absorbed by an object |
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| JPWO2004077098A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2006-06-08 | 株式会社東芝 | Ｘ線検出器とそれを用いたｘ線検査装置 |
| JP4836456B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | Ｘ線検出器とそれを用いたｘ線検査装置 |
| CN106384737A (zh) * | 2016-10-09 | 2017-02-08 | 上海科润光电技术有限公司 | 一种柔性电致发光x射线图像记忆显示板 |
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