JP2501368B2 - 固体映像変換素子 - Google Patents
固体映像変換素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は赤外線、Ｘ線及びγ線等の非可視波長の輻射
線像を可視映像に変換する固体映像変換素子に関するも
のである。
線像を可視映像に変換する固体映像変換素子に関するも
のである。
［従来の技術及びその問題点］ 一般に固体映像変換素子は第１図に示すように、ガラ
ス等の透明基板１、透明電極２、電場発光体層３、反射
層４、不透光層５、光導電体層６（以下PC層とい
う。）、背面電極７を順次積層した構造を有する。
ス等の透明基板１、透明電極２、電場発光体層３、反射
層４、不透光層５、光導電体層６（以下PC層とい
う。）、背面電極７を順次積層した構造を有する。
上記映像変換素子は以下のようにして非可視波長像を
可視映像に変換するものである。
可視映像に変換するものである。
透明電極２と背面電極７との間に400〜500Vの交流電
圧を印加した状態で、背面電極７側から例えばＸ線像を
照射する。Ｘ線像が照射されない状態では数十ＭΩ・cm
の高い比抵抗を有するPC層６に大部分の印加電圧がかか
るため、電場発光体層３は発光しない。しかしＸ線を照
射し、そのＸ線量が増加するに従い、PC層６の抵抗が減
少し印加電圧の一部が電場発光体層３に分配され、電場
発光体層３が発光開始電圧を越えることによって、入射
Ｘ線像に対して透明基板１側に変換出力像が得られる。
なお不透明層５は電場発光体層３からPC層６に正帰還が
かかり像が得られなくなるのを防止するために設けられ
たものである。
圧を印加した状態で、背面電極７側から例えばＸ線像を
照射する。Ｘ線像が照射されない状態では数十ＭΩ・cm
の高い比抵抗を有するPC層６に大部分の印加電圧がかか
るため、電場発光体層３は発光しない。しかしＸ線を照
射し、そのＸ線量が増加するに従い、PC層６の抵抗が減
少し印加電圧の一部が電場発光体層３に分配され、電場
発光体層３が発光開始電圧を越えることによって、入射
Ｘ線像に対して透明基板１側に変換出力像が得られる。
なお不透明層５は電場発光体層３からPC層６に正帰還が
かかり像が得られなくなるのを防止するために設けられ
たものである。
前記映像変換素子において電極２、７を除く層は粉末
状の素材を有機バインダー中に分散させ、これをスクリ
ーン印刷等により塗布することにより形成される。この
ように素材を溶媒中に分散させて塗布した層は一般に分
散型と呼ばれ、その膜厚は通常数十μｍから数百μｍを
有する。上記のような構成の固体映像変換素子を総称し
て分散型固体映像変換素子と呼び、これは以下のような
問題点がある。
状の素材を有機バインダー中に分散させ、これをスクリ
ーン印刷等により塗布することにより形成される。この
ように素材を溶媒中に分散させて塗布した層は一般に分
散型と呼ばれ、その膜厚は通常数十μｍから数百μｍを
有する。上記のような構成の固体映像変換素子を総称し
て分散型固体映像変換素子と呼び、これは以下のような
問題点がある。
発光面の均一性が主として電場発光体層３を構成す
る蛍光体粒子の大きさ、分散状態、塗布膜厚により左右
される。
る蛍光体粒子の大きさ、分散状態、塗布膜厚により左右
される。
PC層６の膜厚が厚い（数百μｍ）ために大きな印加
電圧を必要とする。
電圧を必要とする。
電場発光体層３は分散型であるために輝度が低く、
寿命も短い。
寿命も短い。
電場発光体層３、反射層４、不透光層５を有してい
るため透明基板１側からの輻射線を透過しない。
るため透明基板１側からの輻射線を透過しない。
背面電極７として金属を蒸着した薄膜を利用してい
るため、背面側からの輻射線のPC層６に対する励起効率
が悪い。
るため、背面側からの輻射線のPC層６に対する励起効率
が悪い。
その中でも特に、の問題点のため、現在では背面
電極７に対する透過力の大きいＸ線像による固体Ｘ線映
像変換素子しか実用に至っていないのが実状である。
電極７に対する透過力の大きいＸ線像による固体Ｘ線映
像変換素子しか実用に至っていないのが実状である。
［発明が解決しようとする問題点］ 従って本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、その目的は高感度、高輝度画像を得るための固体映
像変換素子を提供するにあり、また他の目的としてγ
線、Ｘ線のみならず、近赤外、中赤外、遠赤外像までも
可視映像に変換できる固体映像変換素子を提供するにあ
る。
り、その目的は高感度、高輝度画像を得るための固体映
像変換素子を提供するにあり、また他の目的としてγ
線、Ｘ線のみならず、近赤外、中赤外、遠赤外像までも
可視映像に変換できる固体映像変換素子を提供するにあ
る。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の固体映像変換素子を図面を参照して以下に詳
説する。
説する。
第２図は本発明の固体映像変換素子の一実施例を示す
模式断面図であり、透明基板１、透明電極２、第１の絶
縁層11、薄膜発光層12、第２の絶縁層13（11、12、13を
合わせて２重絶縁型薄膜ELという。）、ドット状低抵抗
層（以下ドット層という。）14、PC層６、背面電極７を
順次積層した構造を有している。
模式断面図であり、透明基板１、透明電極２、第１の絶
縁層11、薄膜発光層12、第２の絶縁層13（11、12、13を
合わせて２重絶縁型薄膜ELという。）、ドット状低抵抗
層（以下ドット層という。）14、PC層６、背面電極７を
順次積層した構造を有している。
本発明の固体映像変換素子において透明電極２、第１
の絶縁層11、薄膜発光層12、第２の絶縁層13、ドット層
14及び背面電極７はいずれも真空蒸着またはスパッタリ
ングによって形成することができる。
の絶縁層11、薄膜発光層12、第２の絶縁層13、ドット層
14及び背面電極７はいずれも真空蒸着またはスパッタリ
ングによって形成することができる。
透明電極２の材料としてはIn2O3、SnO2、ITO（酸化イ
ンジウムスズ）、AZO（アルミドープ酸化亜鉛）等を用
い、絶縁層11および13の材料にはY2O3、Al2O3、Ta2O5、
PbNb2O6、BaTiO3等、Al、Si、Ti、Ta、希土類及びアル
カリ土類金属の群から選ばれた少なくとも一種類以上の
金属の酸化物、またはそれらの混合物を用い、薄膜発光
層にはZnS:Tb,F、ZnS:Mn等通常の薄膜EL用発光材料を用
い、また背面電極７はAl、Au等の金属のほか、透光性に
する場合には透明電極２と同じ材料を用いることができ
る。
ンジウムスズ）、AZO（アルミドープ酸化亜鉛）等を用
い、絶縁層11および13の材料にはY2O3、Al2O3、Ta2O5、
PbNb2O6、BaTiO3等、Al、Si、Ti、Ta、希土類及びアル
カリ土類金属の群から選ばれた少なくとも一種類以上の
金属の酸化物、またはそれらの混合物を用い、薄膜発光
層にはZnS:Tb,F、ZnS:Mn等通常の薄膜EL用発光材料を用
い、また背面電極７はAl、Au等の金属のほか、透光性に
する場合には透明電極２と同じ材料を用いることができ
る。
ドット層14はAl、Au等の金属、ITOまたはAZO等を用
い、第２の絶縁層13の上にドット状のマスクを介して蒸
着またはスパッタリングを行うか、またはフォトレジス
トを使用したリフトオフ法等により、およそ100Å〜５
μｍ、好ましくは0.1〜１μｍ前後の厚さで形成するこ
とができる。またフォトエッチング法により形成しても
良い。
い、第２の絶縁層13の上にドット状のマスクを介して蒸
着またはスパッタリングを行うか、またはフォトレジス
トを使用したリフトオフ法等により、およそ100Å〜５
μｍ、好ましくは0.1〜１μｍ前後の厚さで形成するこ
とができる。またフォトエッチング法により形成しても
良い。
PC層６はCdSe:Cu,Clの粉末を有機バインダー中に分散
させ、ドット層14上に塗布することによって形成するこ
とができる。CdSe:Cu,Clは本来近赤外域に感度のピーク
を有しているが、その他光導電体としてはCdS、PbS、Pb
Se等数種存在しており、それぞれ特有の感度特性を持っ
ているため変換したい波長に応じて使い分けることがで
きる。
させ、ドット層14上に塗布することによって形成するこ
とができる。CdSe:Cu,Clは本来近赤外域に感度のピーク
を有しているが、その他光導電体としてはCdS、PbS、Pb
Se等数種存在しており、それぞれ特有の感度特性を持っ
ているため変換したい波長に応じて使い分けることがで
きる。
２重絶縁型薄膜ELは、電場発光体層として、現在最も
安定性が高く高輝度であるため汎用されているが、他の
薄膜ELを使用しても何等差し支えない。
安定性が高く高輝度であるため汎用されているが、他の
薄膜ELを使用しても何等差し支えない。
［作用］ 本発明の固体映像変換素子において、ドット層14の作
用を第２図をもとに第３図の回路を用いて説明する。第
３図−ａはドットのある部分、第３図−ｂはドットの無
い部分の回路図である。PC層６は励起光により抵抗値の
変わる可変抵抗RPCで表され、二重絶縁型薄膜ELは絶縁
層による容量C1、C2間に発光層の容量CELと非線形抵抗R
ELの並列回路が直列接続されている等価回路で表され
る。この回路に示すようにPC層６（RPC）と二重絶縁型
薄膜ELとは直列接続である。そのPC層は光導電性粉体が
絶縁性の有機バインダーに分散された状態で塗布された
構造であるので、PC層の光導電性粉末と二重絶縁型薄膜
EL層の第２の絶縁層13との界面は平面ではなく点接触し
ている。そのためこの界面には多くの空隙が存在し、等
価的に界面に静電容量が生成されたことになる。
用を第２図をもとに第３図の回路を用いて説明する。第
３図−ａはドットのある部分、第３図−ｂはドットの無
い部分の回路図である。PC層６は励起光により抵抗値の
変わる可変抵抗RPCで表され、二重絶縁型薄膜ELは絶縁
層による容量C1、C2間に発光層の容量CELと非線形抵抗R
ELの並列回路が直列接続されている等価回路で表され
る。この回路に示すようにPC層６（RPC）と二重絶縁型
薄膜ELとは直列接続である。そのPC層は光導電性粉体が
絶縁性の有機バインダーに分散された状態で塗布された
構造であるので、PC層の光導電性粉末と二重絶縁型薄膜
EL層の第２の絶縁層13との界面は平面ではなく点接触し
ている。そのためこの界面には多くの空隙が存在し、等
価的に界面に静電容量が生成されたことになる。
従って第３図−ｂに示すように、第２の絶縁層13上に
直接PC層６を形成すると、その接触面にさらにCbという
容量がC2の上に生成される。しかし第３図−ａに示すよ
うに低抵抗ドットのある部分では光導電性粉体が低抵抗
ドットに点接触しても、ドットは第２の絶縁層13に面接
触しているので、Cbのごとき静電容量は発生しないか、
もし発生したとしてもCbに比べ無視できるほど小さい。
なお第３図−ａでは低抵抗ドットの抵抗自体はPC層６の
それと比べると同じく無視できる大きさなので省略し
た。
直接PC層６を形成すると、その接触面にさらにCbという
容量がC2の上に生成される。しかし第３図−ａに示すよ
うに低抵抗ドットのある部分では光導電性粉体が低抵抗
ドットに点接触しても、ドットは第２の絶縁層13に面接
触しているので、Cbのごとき静電容量は発生しないか、
もし発生したとしてもCbに比べ無視できるほど小さい。
なお第３図−ａでは低抵抗ドットの抵抗自体はPC層６の
それと比べると同じく無視できる大きさなので省略し
た。
このためドットが存在する部分に比べて、存在しない
部分では同一の入射光量に対するEL発光開始電圧が数十
Ｖは増大する。すなわちPC層６が入射光により励起され
ても、低抵抗ドットのある部分に対応するEL層しか発生
せず、低抵抗ドットの無い部分は界面の容量Cbが存在す
るため、当然発光しないわけである。仮にドット層14な
しで構成した場合には、素子全体にかかる発光開始まで
の電圧が増大し、EL層およびPC層６が破壊しやすくな
る。
部分では同一の入射光量に対するEL発光開始電圧が数十
Ｖは増大する。すなわちPC層６が入射光により励起され
ても、低抵抗ドットのある部分に対応するEL層しか発生
せず、低抵抗ドットの無い部分は界面の容量Cbが存在す
るため、当然発光しないわけである。仮にドット層14な
しで構成した場合には、素子全体にかかる発光開始まで
の電圧が増大し、EL層およびPC層６が破壊しやすくな
る。
また従来の分散型固体映像変換素子はEL発光の正帰還
によるPC層６励起を大きな比抵抗値（106〜1011Ω・c
m）を有する不透光層で防いでいたのであるが、本発明
はたとえ電場発光体層からドットの無い部分に正帰還さ
れたとしても前記したように界面の容量Cb（ドットの無
い部分）があり、発光開始電圧にまで至らないため発光
しない。
によるPC層６励起を大きな比抵抗値（106〜1011Ω・c
m）を有する不透光層で防いでいたのであるが、本発明
はたとえ電場発光体層からドットの無い部分に正帰還さ
れたとしても前記したように界面の容量Cb（ドットの無
い部分）があり、発光開始電圧にまで至らないため発光
しない。
以上より本発明の固体映像変換素子は入射光像によっ
て励起を受けたPC層６部分に対応するEL層がドット状に
発光しドット状の像が得られるものである。
て励起を受けたPC層６部分に対応するEL層がドット状に
発光しドット状の像が得られるものである。
またドット層14を透光性材料で形成した場合、薄膜EL
及びドット層14が光を透過するために透明基板１側から
の波長１μｍ前後の近赤外線像まで変換することができ
る。
及びドット層14が光を透過するために透明基板１側から
の波長１μｍ前後の近赤外線像まで変換することができ
る。
しかし波長３μｍから８μｍの中赤外、８μｍ以上の
遠赤外線になると、透明基板１側から入射した前記赤外
線はPC層６に到達する前に透明電極２であるITO、若し
くはAZOに反射、吸収されてしまう。そのため第４図に
示すように透明電極２をストライプ状にすることによっ
て前記赤外線像をPC層６にまで到達させることができ
る。特に図示しないが網目状でも同様に赤外線を透過で
きる。透明電極２をストライプまたは網目状とするには
透光性ドットを形成したのと同様にフォトエッチング
法、またはマスクを介して蒸着あるいはスパッタリング
を行いリフトオフ法などにより形成することができる。
ストライプ、網目の幅、ピッチは特に問わないが、解像
度をあげるためにはドット層14のドットの大きさと同程
度か若しくはそれより小さい幅、ピッチが好ましい。第
５図にストライプ状の透明電極２を形成し、ドット層14
を有する本発明の固体映像変換素子の模式断面図の一部
を拡大して示す。この図で示すように透明基板１側から
入射した中赤外、遠赤外線入射光はストライプの間を抜
けてドットに達する。ドットに達するには直接ドットに
斜めに入ってきた光のほか、ドットの無い部分に入って
くる光もある。ドットに当たる入射光はドット成分であ
るITO等に反射または吸収されてしまうが、ドットの無
い部分に当たる入射光は、PC層６を形成する粒子を伝幡
してドット上のPC層６粒子に達する。刺激を受けたPC層
６粒子はドット及びストライプが重なった薄膜EL層に電
圧を分配することによって、その部分のみが発光を開始
する。しかしドットの無い部分は前記したように界面の
容量Cbが存在するため発光しないわけである。
遠赤外線になると、透明基板１側から入射した前記赤外
線はPC層６に到達する前に透明電極２であるITO、若し
くはAZOに反射、吸収されてしまう。そのため第４図に
示すように透明電極２をストライプ状にすることによっ
て前記赤外線像をPC層６にまで到達させることができ
る。特に図示しないが網目状でも同様に赤外線を透過で
きる。透明電極２をストライプまたは網目状とするには
透光性ドットを形成したのと同様にフォトエッチング
法、またはマスクを介して蒸着あるいはスパッタリング
を行いリフトオフ法などにより形成することができる。
ストライプ、網目の幅、ピッチは特に問わないが、解像
度をあげるためにはドット層14のドットの大きさと同程
度か若しくはそれより小さい幅、ピッチが好ましい。第
５図にストライプ状の透明電極２を形成し、ドット層14
を有する本発明の固体映像変換素子の模式断面図の一部
を拡大して示す。この図で示すように透明基板１側から
入射した中赤外、遠赤外線入射光はストライプの間を抜
けてドットに達する。ドットに達するには直接ドットに
斜めに入ってきた光のほか、ドットの無い部分に入って
くる光もある。ドットに当たる入射光はドット成分であ
るITO等に反射または吸収されてしまうが、ドットの無
い部分に当たる入射光は、PC層６を形成する粒子を伝幡
してドット上のPC層６粒子に達する。刺激を受けたPC層
６粒子はドット及びストライプが重なった薄膜EL層に電
圧を分配することによって、その部分のみが発光を開始
する。しかしドットの無い部分は前記したように界面の
容量Cbが存在するため発光しないわけである。
また背面電極７をストライプ状とした場合において
も、透明電極２と同様であり中赤外以上の波長は背面電
極７のストライプ、網目を通ってPC層６を刺激し、同様
にストライプ若しくは網目とドットが重なる部分に対応
するEL層のみが発光する。なおストライプまたは網目状
の背面電極７を直接分散型PC層６の上に形成する場合、
リフトオフ法あるいはフォトエッチング法を用いてスト
ライプ等を形成することは、それら工程中に洗浄工程が
あるためPC層６が剥がれてしまい困難である。従って背
面側にもガラス板等の透明基板を設け、その上に透明電
極２と同様にITO等をストライプまたは網目状に形成し
た後、PC層６とITO層を対向させ、密着させる方が好ま
しい。
も、透明電極２と同様であり中赤外以上の波長は背面電
極７のストライプ、網目を通ってPC層６を刺激し、同様
にストライプ若しくは網目とドットが重なる部分に対応
するEL層のみが発光する。なおストライプまたは網目状
の背面電極７を直接分散型PC層６の上に形成する場合、
リフトオフ法あるいはフォトエッチング法を用いてスト
ライプ等を形成することは、それら工程中に洗浄工程が
あるためPC層６が剥がれてしまい困難である。従って背
面側にもガラス板等の透明基板を設け、その上に透明電
極２と同様にITO等をストライプまたは網目状に形成し
た後、PC層６とITO層を対向させ、密着させる方が好ま
しい。
ところで中赤外、遠赤外線を変換するための固体映像
変換素子は前記したようにPC層６内の電流の伝幡による
EL発光を積極的に利用するのであるが、近赤外に関して
はストライプまたは網目状の電極は必要ないため、ドッ
トの無い部分のPC層６の伝幡は逆に解像度の悪化につな
がる。そのため第６図に示すように各ドットの間に不透
光性の絶縁層を設け、入射光がドットにしか当たらない
ようにすることによって可視映像の解像度を向上させる
ことができる。ドット状不透光性絶縁層は、材料として
例えばPr6O11、Mn2O3、Al2O3の混合物を用い、同じくリ
フトオフ法、フォトエッチング法を用いて形成すること
ができる。
変換素子は前記したようにPC層６内の電流の伝幡による
EL発光を積極的に利用するのであるが、近赤外に関して
はストライプまたは網目状の電極は必要ないため、ドッ
トの無い部分のPC層６の伝幡は逆に解像度の悪化につな
がる。そのため第６図に示すように各ドットの間に不透
光性の絶縁層を設け、入射光がドットにしか当たらない
ようにすることによって可視映像の解像度を向上させる
ことができる。ドット状不透光性絶縁層は、材料として
例えばPr6O11、Mn2O3、Al2O3の混合物を用い、同じくリ
フトオフ法、フォトエッチング法を用いて形成すること
ができる。
［実施例］ まず厚さ1mmのガラス板上にスパッタリングにより500
ÅのITO透明電極２を形成し、その上に同じくスパッタ
によってTa2O5よりなる0.3μｍ厚の第１の絶縁層、ZnS:
Tb,Fよりなる0.4μｍ厚の薄膜EL層、Ta2O5よりなる0.3
μｍ厚の第２の絶縁層を順次積層した。
ÅのITO透明電極２を形成し、その上に同じくスパッタ
によってTa2O5よりなる0.3μｍ厚の第１の絶縁層、ZnS:
Tb,Fよりなる0.4μｍ厚の薄膜EL層、Ta2O5よりなる0.3
μｍ厚の第２の絶縁層を順次積層した。
次にリフトオフ法によりドット径100μｍφ、ドット
厚0.1μｍ、ピッチ200μｍのITOよりなるドット層をス
パッタリングにより形成した。
厚0.1μｍ、ピッチ200μｍのITOよりなるドット層をス
パッタリングにより形成した。
さらにMn2O3：Pr6O11を重量比で4:5の割合で混合した
混合物に対しAl2O3を20重量％添加した混合物の焼結体
をターゲットに用いてスパッタリングを行い、リフトオ
フ法によりドット間に不透光性絶縁層を形成した。
混合物に対しAl2O3を20重量％添加した混合物の焼結体
をターゲットに用いてスパッタリングを行い、リフトオ
フ法によりドット間に不透光性絶縁層を形成した。
その上にCdSe:Cu,Cl粉末と有機バインダーとしてシア
ノエチルセルロースを混合したスラリーをスキージを用
いて塗布、乾燥し、厚さ150μｍのPC層を形成した。
ノエチルセルロースを混合したスラリーをスキージを用
いて塗布、乾燥し、厚さ150μｍのPC層を形成した。
PC層乾燥後、Alよりなる厚み500Åの背面電極７を真
空蒸着法により形成し本発明の固体映像変換素子を得
た。
空蒸着法により形成し本発明の固体映像変換素子を得
た。
［発明の効果］ 本発明の固体映像変換素子は電場発光体層を薄膜ELと
するために分散型ELに比べ長寿命であり、均一な発光面
が得られるようにより、従来の及びの問題を解決で
きる。
するために分散型ELに比べ長寿命であり、均一な発光面
が得られるようにより、従来の及びの問題を解決で
きる。
また薄膜ELと分散型ELの輝度−印加電圧特性を比較す
ると、薄膜ELの方が発光開始電圧からの輝度の増加率が
優れている。つまり薄膜ELは分散型ELに比べ同一輝度を
得るためには発光開始電圧よりさらに印加する電圧は少
なくて良いわけである。従って本発明の固体映像変換素
子は前記のように薄膜ELを有しているため輝度の立ち上
がりがよいわけである。このことはPC層６の厚さに対し
ても関係するのであり、つまり従来の固体映像変換素子
であれば電場発光体層に多くの電圧を分配するためには
入射光量を多くするか、またはPC層６を厚くして抵抗を
増やし高い印加電圧をかけなければならない。PC層６に
高い電圧が分配されれば当然EL層に分けられる電圧も大
きくなる。しかし本発明のように電場発光体層が薄膜EL
であれば少量の分配電圧で高い輝度を出すことができる
ため、PC層６は薄くて良いのである。従って本発明は
の問題を解決し、低い印加電圧でも高輝度を出すことの
できる固体映像変換素子である。
ると、薄膜ELの方が発光開始電圧からの輝度の増加率が
優れている。つまり薄膜ELは分散型ELに比べ同一輝度を
得るためには発光開始電圧よりさらに印加する電圧は少
なくて良いわけである。従って本発明の固体映像変換素
子は前記のように薄膜ELを有しているため輝度の立ち上
がりがよいわけである。このことはPC層６の厚さに対し
ても関係するのであり、つまり従来の固体映像変換素子
であれば電場発光体層に多くの電圧を分配するためには
入射光量を多くするか、またはPC層６を厚くして抵抗を
増やし高い印加電圧をかけなければならない。PC層６に
高い電圧が分配されれば当然EL層に分けられる電圧も大
きくなる。しかし本発明のように電場発光体層が薄膜EL
であれば少量の分配電圧で高い輝度を出すことができる
ため、PC層６は薄くて良いのである。従って本発明は
の問題を解決し、低い印加電圧でも高輝度を出すことの
できる固体映像変換素子である。
また本発明の固体映像変換素子は透光性低抵抗ドット
を有することによりの問題が解決でき、従来のように
背面からの入射像のみにこだわることなく、前面からの
入射像まで可視映像に変換できるようにもなった。また
背面電極７が透明であればPC層６を背面より直接励起で
きるため、の問題も解決でき、さらにストライプまた
はドットにすると背面からの中赤外波長域以上の像も可
視映像に変換することができる。
を有することによりの問題が解決でき、従来のように
背面からの入射像のみにこだわることなく、前面からの
入射像まで可視映像に変換できるようにもなった。また
背面電極７が透明であればPC層６を背面より直接励起で
きるため、の問題も解決でき、さらにストライプまた
はドットにすると背面からの中赤外波長域以上の像も可
視映像に変換することができる。
第１図は従来の固体映像変換素子の構造を示す模式断面
図、第２図は本発明の一実施例による固体映像変換素子
の構造を示す模式断面図、第３図−ａおよび第３図−ｂ
は本発明に係るドット層の作用を示す電気回路図、第４
図は本発明に係るストライプ状の透明電極の構造を模式
的に示す斜視図、第５図は本発明に係る固体映像変換素
子の一部を拡大して示す模式断面図、第６図は本発明に
係るドット層および不透光性絶縁層を示す模式断面図で
ある。 １……透明基板、２……透明電極、３……電場発光体
層、４……反射層、５……不透光層、６……PC層、７…
…背面電極、11……第１の絶縁層、12……薄膜発光層、
13……第２の絶縁層、14……ドット層。
図、第２図は本発明の一実施例による固体映像変換素子
の構造を示す模式断面図、第３図−ａおよび第３図−ｂ
は本発明に係るドット層の作用を示す電気回路図、第４
図は本発明に係るストライプ状の透明電極の構造を模式
的に示す斜視図、第５図は本発明に係る固体映像変換素
子の一部を拡大して示す模式断面図、第６図は本発明に
係るドット層および不透光性絶縁層を示す模式断面図で
ある。 １……透明基板、２……透明電極、３……電場発光体
層、４……反射層、５……不透光層、６……PC層、７…
…背面電極、11……第１の絶縁層、12……薄膜発光層、
13……第２の絶縁層、14……ドット層。
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板上に設けられた透明電極上に主と
して電場発光体層、光導電体層及び背面電極が積層され
た固体映像変換素子において、前記電場発光体層が薄膜
ELであり、さらに前記電場発光体層と前記光導電体層と
の間にドット状の低抵抗層を有することを特徴とする固
体映像変換素子。 - 【請求項２】前記低抵抗層のドット間に不透光性の絶縁
層を有することを特徴とする請求項１に記載の固体映像
変換素子。 - 【請求項３】前記透明電極若しくは背面電極がストライ
プ状または網目状であることを特徴とする請求項１ない
し２に記載の固体映像変換素子 - 【請求項４】前記背面電極が透光性であることを特徴と
する請求項１ないし３に記載の固体映像変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26245290A JP2501368B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 固体映像変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26245290A JP2501368B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 固体映像変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04140700A JPH04140700A (ja) | 1992-05-14 |
| JP2501368B2 true JP2501368B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=17375984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26245290A Expired - Lifetime JP2501368B2 (ja) | 1990-09-29 | 1990-09-29 | 固体映像変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501368B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2674430B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1997-11-12 | 日亜化学工業株式会社 | 固体映像変換素子 |
| WO2007029648A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
-
1990
- 1990-09-29 JP JP26245290A patent/JP2501368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04140700A (ja) | 1992-05-14 |
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