JPH088625B2 - イメージセンサ - Google Patents

イメージセンサ

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JPH088625B2
JPH088625B2 JP1174487A JP17448789A JPH088625B2 JP H088625 B2 JPH088625 B2 JP H088625B2 JP 1174487 A JP1174487 A JP 1174487A JP 17448789 A JP17448789 A JP 17448789A JP H088625 B2 JPH088625 B2 JP H088625B2
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JP
Japan
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optical fiber
image sensor
fiber array
light
optical
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哲朗 中村
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、原稿等の画像を検出して画像信号を得るイ
メージセンサに関するものである。
従来の技術 従来の光ファイバアレイを用いたイメージセンサは、
第4図に示す様に、光ファイバアレイ3の一端側に、イ
メージセンサチップ1に形成した受光素子2が当接する
様に実装され、光ファイバアレイ3の他端に近接して置
いた原稿4の光情報を光ファイバアレイ3を用いて受光
素子2に導き画像信号に変換していた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、この様なイメージセンサでは、原稿4
からの光情報が、光ファイバアレイ3を構成する各々の
光ファイバ間で交錯(クロストーク)し、画像読み取り
の解像度が低かった。そこで、本発明は画像読み取りの
解像度を高めることを目的とするものである。
課題を解決するための手段 そしてこの目的を達成するために、本発明のイメージ
センサは、光ファイバアレイを構成する各各の光ファイ
バの外表面に吸光体を設けたものである。
作用 上記本発明によれば、原稿からの光情報を光ファイバ
アレイを用いて受光素子に導く際に、光ファイバ間での
光情報の交錯(クロストーク)は各光ファイバの外表面
の吸光体による吸光により防止され、よって一対一の対
応で導くことが可能になり、画像読み取りの解像度が向
上する。
実施例 以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第1
図及び3図は、本発明の一実施例におけるイメージセン
サの正断面図及び側断面図である。
11は、コーティング樹脂、12はイメージセンサチッ
プ、13はイメージセンサチップ12に設けられた複数の受
光素子、14はイメージセンサチップ12の電極、15は、ガ
ラス基板17上に形成された回路導体層、16はガラス基板
17間にはさまれた光ファイバアレイ、18は、ガラス基板
37の上面及び下面に形成した黒色系膜、19は、原稿10を
照明する光源である。又第2図は、光ファイバアレイ16
の平面図であり、各光ファイバは中心部のコアとその外
表面のクラッド22と、このクラッド22の外表面に設けら
れた吸光体で構成されている。
次に以上のように構成したイメージセンサの詳部につ
いてさらに詳細に説明する。
第2図に示す様に、直径がおよそ25μmの光ファイバ
のクラッド22の外表面に厚さ2〜3μmの吸光体23を形
成し、この光ファイバ多数本を第3図に示す様に、2枚
のガラス基板37にはさみ込んで、両側から圧力を加えな
がら、ガラスの融点程度の熱を加え光ファイバアレイ16
を作製する。次に、このガラス基板7の両面に黒色系膜
18をスクリーン印刷法で、照明光が通る部分以外に形成
する。さらに、この光ファイバアレイ16及びガラス基板
17の一端表面に、AuやAg−Pt等の貴金属を用いてスクリ
ーン印刷法または薄膜形成法とフォトリソ法により回路
導体層15を形成する。さらに、大きさ50〜100μm角の
受光素子13を一定間隔(62.5μmまたは125μm)で多
数並列に形成しているイメージセンサチップ12を、受光
素子13が光ファイバアレイ16の一端側に密着する様に、
フェイスダウンボンディングで、イメージセンサチップ
12の電極14が回路導体層15の所定の位置に接続する様に
実装する。さらに、このイメージセンサチップ12を保護
するためにシリコン樹脂等のコーティング樹脂11により
コーティングする。以上の様にしてイメージセンサが作
製される。
このイメージセンサを用いて、光ファイバアレイ16の
他端側に原稿10を密着させ、光源(LEDアレイ)19から
の光を、ガラス基板17の上面側の黒色系膜18が形成され
ていない領域から入射させ、ガラス基板17を通り、さら
に光ファイバの吸光体23を透して、光ファイバを通じて
原稿10を照明させる。この時吸光体23に関しては、ある
程度光が透る様に、光の吸収率を80%程度にしている。
原稿10からの光情報は、吸光体23を設けた多数の光フ
ァイバにより、光の交錯(クロストーク)なしに、一対
一の対応で、受光素子13に導かれる。又外部からの不要
な光は、黒色系膜18によって100%遮断されている。
この様にして、高解像度(MTF値が4lp/mmで約80%)
で画像を読みとることを可能にした。
発明の効果 以上の様に、本発明によれば、光ファイバを構成する
クラッドの外表面に吸光体を設けたので、光ファイバ間
の光情報の交錯がなくなり、この結果として高解像度で
画像を読み取るイメージセンサを実現することができ
た。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のイメージセンサの正断面
図、第2図は同光ファイバアレイの上面図、第3図は同
イメージセンサの側断面図、第4図は従来例のイメージ
センサの正断面図である。 10……原稿、11……コーティング樹脂、12……イメージ
センサチップ、13……受光素子、14……イメージセンサ
チップの電極、15……回路導体層、16……光ファイバア
レイ、17……ガラス基板、18……黒色系膜、19……光
源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の光ファイバを整列して形成した光フ
    ァイバアレイと、この光ファイバアレイの一端側に設け
    た複数個の光検知素子とを備え、前記光ファイバは中心
    部のコアと、このコアの外表面に設けたクラッドと、こ
    のクラッドの外表面に設けた吸光体より構成されてお
    り、前記光ファイバアレイの一端側に光源を設け、この
    光源からの光を吸光体を透して光ファイバアレイ内に入
    射させて、この光ファイバアレイの他端側(原稿密着面
    側)に導く構成としたイメージセンサにおいて、この光
    ファイバアレイの他端側(原稿密着面側)に、この端部
    とほぼ直角方向の壁面を設け、この壁面には黒色系の膜
    を設ける構成としたイメージセンサ。
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JPH0338963A JPH0338963A (ja) 1991-02-20
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JPH0630191A (ja) * 1992-02-04 1994-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 密着型イメージセンサ及びイメージセンサユニット
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JPS6423667A (en) * 1987-07-17 1989-01-26 Sharp Kk Contact type image sensor

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