JPH021166A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH021166A JPH021166A JP1070231A JP7023189A JPH021166A JP H021166 A JPH021166 A JP H021166A JP 1070231 A JP1070231 A JP 1070231A JP 7023189 A JP7023189 A JP 7023189A JP H021166 A JPH021166 A JP H021166A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は密着型イメージセンサに関し、詳しくは、光電
変換素子のすべてから均一な光出力が得られるようにし
た密着型イメージセンサに関する。
変換素子のすべてから均一な光出力が得られるようにし
た密着型イメージセンサに関する。
［従来技術］
密着型イメージセンサは、一般に、透明基板上に採光窓
を有する下部遮光層が形成され、その上に透明絶縁層が
形成され、その上に採光窓を有する下部電極が形成され
、その上に、アモルファスシリコン膜（ａ−５ｉ膜）と
光電変換素子と透明電極とからなる光電変換部が形成さ
れ、更に、上部電極が透明絶縁膜を通して（透明絶縁膜
のスルー・ホールを通して）透明電極と接続された構造
を有している。なお、ここでの下部電極は採光窓を有す
る光に不透明な良導電性薄膜で形成された例をあげてい
るが、必ずしもこれに限られるものではなく、透明絶縁
層上に採光窓を有する別の遮光膜を形成し、この上に光
に透明な良導電性薄膜（下部電極）を形成することも可
能であり、これらは任意に選択されていてかまわない。
を有する下部遮光層が形成され、その上に透明絶縁層が
形成され、その上に採光窓を有する下部電極が形成され
、その上に、アモルファスシリコン膜（ａ−５ｉ膜）と
光電変換素子と透明電極とからなる光電変換部が形成さ
れ、更に、上部電極が透明絶縁膜を通して（透明絶縁膜
のスルー・ホールを通して）透明電極と接続された構造
を有している。なお、ここでの下部電極は採光窓を有す
る光に不透明な良導電性薄膜で形成された例をあげてい
るが、必ずしもこれに限られるものではなく、透明絶縁
層上に採光窓を有する別の遮光膜を形成し、この上に光
に透明な良導電性薄膜（下部電極）を形成することも可
能であり、これらは任意に選択されていてかまわない。
そして、密着型イメージセンサ（以降「イメージセンサ
」と略記することがある）は光出力の均一性とＭ Ｔ
Ｆ （Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕ
ｎｃｔｉｏｎ）向上のために読取り素子数（光電変換素
子数）に応じた採光窓が設けられているのが普通である
。
」と略記することがある）は光出力の均一性とＭ Ｔ
Ｆ （Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕ
ｎｃｔｉｏｎ）向上のために読取り素子数（光電変換素
子数）に応じた採光窓が設けられているのが普通である
。
従来のこうしたイメージセンサは、しかし往往にして、
光出力が一定しておらず、Ｓ／Ｎ比も低下するといった
不都合が指摘されている。
光出力が一定しておらず、Ｓ／Ｎ比も低下するといった
不都合が指摘されている。
［目 的］
本発明は、センサ全体が一定した光出力を示し、Ｓ／Ｎ
比の向上した密着型イメージセンサを提供するものであ
る。
比の向上した密着型イメージセンサを提供するものであ
る。
［構 成］
本発明は透明基板上に採光窓を各光電変換素子ごとに設
けた光電変換素子列が形成され、その上に透明保護層が
形成された密着型イメージセンサにおいて、前記光電変
換素子列の両端部素子の外側にそれぞれ更に少なくとも
１つの採光窓を設けたことを特徴としている。
けた光電変換素子列が形成され、その上に透明保護層が
形成された密着型イメージセンサにおいて、前記光電変
換素子列の両端部素子の外側にそれぞれ更に少なくとも
１つの採光窓を設けたことを特徴としている。
ちなみに、本発明者らは従来のイメージセンサを改めて
検討しなおした結果、１つの採光窓は１つの光電変換素
子に対応して設けられているため、光電変換素子列の両
端部に位置する素子以外の光電変換素子は、それ自体に
対応して設けられている採光窓に加えて左右に隣接した
素子に対応した採光窓からも光源からの光が入射し、こ
れが原稿面に照射されて反射された光をも受光するよう
になる。しかし、前記両端部に位置する光電変換素子は
、それに対応して設けられている採光窓から入射し反射
された光の外に左又は右の一方にのみ隣接した素子に対
応した採光窓からの入射光についての反射光に影響を受
けるのに止まる。即ち、光電変換素子列にあって１両端
部に位置する素子と両端部以外に位置する素子とでは受
光量に差を生じるようになる。この受光量の差は、光出
力のバラツキとして表われ（第４図）、また、Ｓ／Ｎ比
の低下として表われる。
検討しなおした結果、１つの採光窓は１つの光電変換素
子に対応して設けられているため、光電変換素子列の両
端部に位置する素子以外の光電変換素子は、それ自体に
対応して設けられている採光窓に加えて左右に隣接した
素子に対応した採光窓からも光源からの光が入射し、こ
れが原稿面に照射されて反射された光をも受光するよう
になる。しかし、前記両端部に位置する光電変換素子は
、それに対応して設けられている採光窓から入射し反射
された光の外に左又は右の一方にのみ隣接した素子に対
応した採光窓からの入射光についての反射光に影響を受
けるのに止まる。即ち、光電変換素子列にあって１両端
部に位置する素子と両端部以外に位置する素子とでは受
光量に差を生じるようになる。この受光量の差は、光出
力のバラツキとして表われ（第４図）、また、Ｓ／Ｎ比
の低下として表われる。
こうした知見に基づいて、本発明者らは、光電変換素子
列の両端に光電変換素子を有しない採光窓を新たに設け
ることにより、光電変換素子列にある各素子の受光量が
一定又はほぼ一定し、Ｓ／Ｎ比の低下の防げることを確
めた。
列の両端に光電変換素子を有しない採光窓を新たに設け
ることにより、光電変換素子列にある各素子の受光量が
一定又はほぼ一定し、Ｓ／Ｎ比の低下の防げることを確
めた。
本明細書においては、前記の光電変換素子を有しない採
光窓を「ダミー窓」と称することにする。
光窓を「ダミー窓」と称することにする。
以下に１本発明イメージセンサを図面に従がいながら更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第１図は本発明イメージセンサの概略断面を示している
。透明基板（ガラス、パイレックス、石英、絶縁性高分
子樹脂などの透明基板）１にはＣｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ、
Ｃｏなどの単一金属又はこれの合金を用いて蒸着が行
なわれ、フォトリソ・エツチング法により下部遮光膜２
と同時に例えば８ドツト／ｎｍの素子密度の採光窓Ｗ１
が形成されている。
。透明基板（ガラス、パイレックス、石英、絶縁性高分
子樹脂などの透明基板）１にはＣｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ、
Ｃｏなどの単一金属又はこれの合金を用いて蒸着が行
なわれ、フォトリソ・エツチング法により下部遮光膜２
と同時に例えば８ドツト／ｎｍの素子密度の採光窓Ｗ１
が形成されている。
この上にプラズマＣＶＤ法などによってＳｉＯ。
５ｉｎ２． ＳＬ、Ｎ４．５ｉＯＮなどの透明絶縁層３
が堆積（形成）されている。
が堆積（形成）されている。
透明絶縁層３の上には、Ｃｒなどの光に不透明な蒸着膜
が下部電極４として形成されている。
が下部電極４として形成されている。
この下部電極４にも採光窓Ｗ２が採光窓Ｗ工を設けたの
と同様な手法で形成されている。もっとも、下部電極４
を光に透明なもので形成し、その下部電極４と透明絶縁
層３との間に採光窓Ｗ２を有した遮光膜が形成されても
よいことは既述のとおりである。
と同様な手法で形成されている。もっとも、下部電極４
を光に透明なもので形成し、その下部電極４と透明絶縁
層３との間に採光窓Ｗ２を有した遮光膜が形成されても
よいことは既述のとおりである。
下部電極４の上にはａ−５ｉ膜（ａ−５ｉＨ膜、 ａ
−３ｉＯｔｌ膜、 ａ−５ｉＯＮ膜など）＝光電変換素
子５が形成されている。なお図中、６は下部電極４と上
部電極７との間に形成されたＳｉＯ□、 ａ−５ｉＯＮ
などによる層間透明絶縁膜を表わしている。
−３ｉＯｔｌ膜、 ａ−５ｉＯＮ膜など）＝光電変換素
子５が形成されている。なお図中、６は下部電極４と上
部電極７との間に形成されたＳｉＯ□、 ａ−５ｉＯＮ
などによる層間透明絶縁膜を表わしている。
ａ−５ｉ膜５上には透明電極８が設けられており、この
透明電極はＩＴＯで形成されているのが有利である。
透明電極はＩＴＯで形成されているのが有利である。
上部電極７と透明電極８とは透明絶縁層６に設けられた
スルー・ホールを通してコンタク１−されている。
スルー・ホールを通してコンタク１−されている。
光電変換素子部はこれら下部電極４、ａ −５ｉ膜５、
上部電極６及び透明電極８で構成されている。なお、こ
の光電変換素子部は下部電極４、上部電極７のいずれか
一方を共通電極としてもよく、第１図に示した例では下
部電極４を共通電極とし、上部電極７を個別電極として
いる。
上部電極６及び透明電極８で構成されている。なお、こ
の光電変換素子部は下部電極４、上部電極７のいずれか
一方を共通電極としてもよく、第１図に示した例では下
部電極４を共通電極とし、上部電極７を個別電極として
いる。
また図中、９は透明保護層、Ｏは原稿面を表わしている
。
。
第２図は光電変換素子列がＭ稿読取り長（Ｎ）に相当す
る数だけ配設され、その光電変換素子列の両端に複数個
のダミー窓Ｗｄが設けられている様子を表わしている。
る数だけ配設され、その光電変換素子列の両端に複数個
のダミー窓Ｗｄが設けられている様子を表わしている。
ダミー窓Ｗｄの大きさ、及び、隣接する採光窓Ｗ１又は
他のダミー窓Ｗｄとの間隔等はすべて同じである。ダミ
ー窓Ｗｄの数は光電変換素子列の両端にそれぞれ少なく
とも１つ設けられる必要がある。
他のダミー窓Ｗｄとの間隔等はすべて同じである。ダミ
ー窓Ｗｄの数は光電変換素子列の両端にそれぞれ少なく
とも１つ設けられる必要がある。
本発明イメージセンサは、かかる構成が採用されている
ため、光電変換素子列の両端部に存在する素子は、その
左又は右側に設けられたダミー窓Ｗｄから入射され原稿
面で反射された光をも受けることから、両端部に存在す
る光電変換素子以外の素子と同様な受光条件下に置かれ
ることになり、結局、光電変換素子列のすべての素子の
受光量は等しいものとなる。
ため、光電変換素子列の両端部に存在する素子は、その
左又は右側に設けられたダミー窓Ｗｄから入射され原稿
面で反射された光をも受けることから、両端部に存在す
る光電変換素子以外の素子と同様な受光条件下に置かれ
ることになり、結局、光電変換素子列のすべての素子の
受光量は等しいものとなる。
実施例１
実施例１として、ダミー窓を、光電変換素子列の両端に
１個ずつ又は２個ずつ、又は５個ずつ、光な変換素子列
が有する採光窓と同じ大きさで設置した場合の例を示す
。実施例１の構成を以下に示す。
１個ずつ又は２個ずつ、又は５個ずつ、光な変換素子列
が有する採光窓と同じ大きさで設置した場合の例を示す
。実施例１の構成を以下に示す。
透明基板として合成石英を用い、上記透明基板上に、下
部遮光膜としてＣｒ膜を真空蒸着法により１０００人成
膜した。上記Ｃｒ蒸着膜をフォトリソエツチング法を用
いてパターニングして、下部遮光膜及び採光窓Ｖ工とダ
ミー窓を形成した。
部遮光膜としてＣｒ膜を真空蒸着法により１０００人成
膜した。上記Ｃｒ蒸着膜をフォトリソエツチング法を用
いてパターニングして、下部遮光膜及び採光窓Ｖ工とダ
ミー窓を形成した。
その上に減圧ＣＶＤ法により５ｉＯ７膜を１μｍ成膜し
、透明絶縁層とした。上記５ｉ０２膜は、８００℃、、
Ｏ，，２Ｔｏｒｒの条件でＳｉＨ４ガス、Ｎ２０ガスの
混合ガスで成膜された。さらに透明絶縁層の上に、Ｃｒ
膜を真空蒸着法により１０００人成膜し、フォトリソエ
ツチング法により下部電極、採光窓ｖ２さらにダミー窓
を形成した。採光窓１１１２とダミー窓の大きさ及びピ
ッチは上記下部遮光膜に形成した採光窓り、とダミー窓
と同様にした。さらに下部電極上に、光電変換素子を形
成するために、プラズマＣＶＤ法により、 ｐｉｎ構造
を有するａ−Ｓｉ膜（ｐＪＩｌ ｐ−ａ−５ｉ：Ｏ：Ｈ
３０００人、ｉ層ａ−３ｉ：Ｈ５０００人、ｎｍ ｎ−
ａ−３ｉ：Ｈ３００人）を３００℃、１ 、０Ｔｏｒｒ
の条件にて成膜した。ａ−５ｉ膜を、フォトリソエツチ
ング法により光電変換素子として１１０μｍＸ２７０μ
ｍの大きさ（ＷＸＬＩＩは素子列方向の寸法、Ｌは素子
列に垂直方向の寸法を示す。以後同様に寸法が表示され
た場合は同意とする。）に形成した。ａ−８ｉ膜上に、
透明電極としてＩＴＯ（Ｉｎ、Ｓｎの階化膜）が１００
μｍＸ２５０μｍの大きさで形成されている。同腹は、
ＲＦスパッタ法により７５０人成膜されて、フォトリソ
エツチング法により形成されたものである。さらに透明
絶縁膜として、ａ−５ｉ：０：Ｎ膜がプラズマＣＶＤ法
により４０００人成膜されている。同腹は、３００℃、
０．ＩＴｏｒｒの条件で５ｉＨ４ガス、ＣＯ２ガス、Ｎ
Ｈ，ガスの混合ガスを用いて形成され、同腹に形成され
たスルーホールを通して、ＲＦスパッタ法により成膜さ
れたフォトリソエツチング法により形成されたＡ１上部
電極と、既に形成されている透明電極とがコンタクトさ
れている。そして透明保護層として、Ｓｉ３Ｎ４膜がプ
ラズマＣＶＤ法により５μｕｎ成膜されている。
、透明絶縁層とした。上記５ｉ０２膜は、８００℃、、
Ｏ，，２Ｔｏｒｒの条件でＳｉＨ４ガス、Ｎ２０ガスの
混合ガスで成膜された。さらに透明絶縁層の上に、Ｃｒ
膜を真空蒸着法により１０００人成膜し、フォトリソエ
ツチング法により下部電極、採光窓ｖ２さらにダミー窓
を形成した。採光窓１１１２とダミー窓の大きさ及びピ
ッチは上記下部遮光膜に形成した採光窓り、とダミー窓
と同様にした。さらに下部電極上に、光電変換素子を形
成するために、プラズマＣＶＤ法により、 ｐｉｎ構造
を有するａ−Ｓｉ膜（ｐＪＩｌ ｐ−ａ−５ｉ：Ｏ：Ｈ
３０００人、ｉ層ａ−３ｉ：Ｈ５０００人、ｎｍ ｎ−
ａ−３ｉ：Ｈ３００人）を３００℃、１ 、０Ｔｏｒｒ
の条件にて成膜した。ａ−５ｉ膜を、フォトリソエツチ
ング法により光電変換素子として１１０μｍＸ２７０μ
ｍの大きさ（ＷＸＬＩＩは素子列方向の寸法、Ｌは素子
列に垂直方向の寸法を示す。以後同様に寸法が表示され
た場合は同意とする。）に形成した。ａ−８ｉ膜上に、
透明電極としてＩＴＯ（Ｉｎ、Ｓｎの階化膜）が１００
μｍＸ２５０μｍの大きさで形成されている。同腹は、
ＲＦスパッタ法により７５０人成膜されて、フォトリソ
エツチング法により形成されたものである。さらに透明
絶縁膜として、ａ−５ｉ：０：Ｎ膜がプラズマＣＶＤ法
により４０００人成膜されている。同腹は、３００℃、
０．ＩＴｏｒｒの条件で５ｉＨ４ガス、ＣＯ２ガス、Ｎ
Ｈ，ガスの混合ガスを用いて形成され、同腹に形成され
たスルーホールを通して、ＲＦスパッタ法により成膜さ
れたフォトリソエツチング法により形成されたＡ１上部
電極と、既に形成されている透明電極とがコンタクトさ
れている。そして透明保護層として、Ｓｉ３Ｎ４膜がプ
ラズマＣＶＤ法により５μｕｎ成膜されている。
以下に、実施例１の、採光窓の大きさと個数。
及びダミー窓の大きさと個数、及び採光窓同志のピッチ
、及び採光窓とダミー窓のピッチ、及びダミー窓同志の
ピッチを示す。
、及び採光窓とダミー窓のピッチ、及びダミー窓同志の
ピッチを示す。
採光窓の大きさ ７０μｍＸ１４０μｍ採光窓の個数
１７２８個 ダミー窓の大きさ ７０μｍＸ１４０μｍ採光窓同志の
ピッチ １２５μｍ採光窓とダミー窓のピッチ
１２５μｍダミー窓同志のピッチ １２５μｍ次に
、実施例１の光電変換素子列の両端に個数を変えてダミ
ー窓を設置した場合の密着型イメージセンサの光出力特
性と、ダミー窓を設置しない場合の光出力特性を測定し
た結果を表１に示す。なお、本実施例では、受光量を試
算するだめに光出力特性を用いた。また、表１において
、ＰＲＮＵ値は、密着型イメージセンサの１７２８素子
の光出力の最大値と最小値の比で表される白波形平坦度
を示す。
１７２８個 ダミー窓の大きさ ７０μｍＸ１４０μｍ採光窓同志の
ピッチ １２５μｍ採光窓とダミー窓のピッチ
１２５μｍダミー窓同志のピッチ １２５μｍ次に
、実施例１の光電変換素子列の両端に個数を変えてダミ
ー窓を設置した場合の密着型イメージセンサの光出力特
性と、ダミー窓を設置しない場合の光出力特性を測定し
た結果を表１に示す。なお、本実施例では、受光量を試
算するだめに光出力特性を用いた。また、表１において
、ＰＲＮＵ値は、密着型イメージセンサの１７２８素子
の光出力の最大値と最小値の比で表される白波形平坦度
を示す。
表 １
実施例２
次に、実施例２として、ダミー窓を光電変換素子列の両
端に１個ずつ、光電変換素子列が有する採光窓と同じ大
きさ、又は２倍の大きさ。
端に１個ずつ、光電変換素子列が有する採光窓と同じ大
きさ、又は２倍の大きさ。
又は１／２倍の大きさで設置した例を示す。実施例２の
、膜のＭ構成及び膜厚、及び採光窓の大きさと個数、及
び採光窓同志のピッチは実施例１と同様とする。
、膜のＭ構成及び膜厚、及び採光窓の大きさと個数、及
び採光窓同志のピッチは実施例１と同様とする。
以下に実施例２の、採光窓の大きさと個数、及びダミー
窓の大きさと個数、及び採光窓同志のピッチ、及び採光
窓とダミー窓のピッチを示す。
窓の大きさと個数、及び採光窓同志のピッチ、及び採光
窓とダミー窓のピッチを示す。
採光窓の大きさ ７０μｍＸ１４０μｍ採光窓の個数
１７２８個 表１より、ダミー窓を素子列の両端に１個ずつ以上設置
することにより、素子列両端部素子の光出力が向上し、
両端部を除いた素子列の光出力とほぼ同等となり、ＰＲ
ＮＵ値が向上したことが判る。
１７２８個 表１より、ダミー窓を素子列の両端に１個ずつ以上設置
することにより、素子列両端部素子の光出力が向上し、
両端部を除いた素子列の光出力とほぼ同等となり、ＰＲ
ＮＵ値が向上したことが判る。
採光窓同志のピッチ １２５μｍ表 ２
次に、実施例２の光電変換素子列の両端に、大きさを変
、えてダミー窓を設置した場合の、密着型イメージセン
サの光出力特性を測定した結果を表２に示す。なお、本
実施例では、受光量を試算するために光出力特性を用い
た。また、表２において、ＰＲＮＵ値は表１と同様に密
若型イメージセンサの１７２８素子の光出力の最大値と
最小値の比で表される白波形平坦度を示す。
、えてダミー窓を設置した場合の、密着型イメージセン
サの光出力特性を測定した結果を表２に示す。なお、本
実施例では、受光量を試算するために光出力特性を用い
た。また、表２において、ＰＲＮＵ値は表１と同様に密
若型イメージセンサの１７２８素子の光出力の最大値と
最小値の比で表される白波形平坦度を示す。
（以下余白）
表２より、ダミー窓を素子列の両端に採光窓と同じ大き
さで設置することにより、素子列両端部素子の光出力が
両端部を除いた素子列の光出力とほぼ同等となり、ＰＲ
ＮＵ値が向上したことが判る。ダミー窓の大きさを採光
窓に比べて大きくすることにより、両端部の素子の採光
量が他の素子より大きくなり、ＰＲＮＵ値は悪化する。
さで設置することにより、素子列両端部素子の光出力が
両端部を除いた素子列の光出力とほぼ同等となり、ＰＲ
ＮＵ値が向上したことが判る。ダミー窓の大きさを採光
窓に比べて大きくすることにより、両端部の素子の採光
量が他の素子より大きくなり、ＰＲＮＵ値は悪化する。
又。
ダミー窓の大きさを採光窓に比べて小さくすることによ
り、両端部の素子の採光量が他の素子より小さくなり、
やはりＰＲＮＩＪ値は悪化する。
り、両端部の素子の採光量が他の素子より小さくなり、
やはりＰＲＮＩＪ値は悪化する。
実施例３
次に、実施例３として、ダミー窓を光電変換素子列の両
端に１個ずつ、光電変換素子列が有する採光窓と同じ大
きさで、採光窓とダミー窓のピッチが採光窓同志のピッ
チと等しい場合。
端に１個ずつ、光電変換素子列が有する採光窓と同じ大
きさで、採光窓とダミー窓のピッチが採光窓同志のピッ
チと等しい場合。
又は２倍の場合、又は３１５倍の場合であるように設置
した例を示す。実施例３の、膜の層構成及び膜厚、及び
採光窓の大きさと個数、及びダミー窓の大きさ及び採光
窓同志のピッチは実施例１と同様とする。
した例を示す。実施例３の、膜の層構成及び膜厚、及び
採光窓の大きさと個数、及びダミー窓の大きさ及び採光
窓同志のピッチは実施例１と同様とする。
以下に実施例３の採光窓の大きさと個数、及びダミー窓
の大きさと個数、及び採光窓同志のピッチ、及び採光窓
とダミー窓のピッチを示す。
の大きさと個数、及び採光窓同志のピッチ、及び採光窓
とダミー窓のピッチを示す。
採光窓の大きさ ７０μｍＸ１４０μｍ採光窓の個数
１７２８個 ダミー窓の大きさ ７０μｍＸ１４０μｍダミー窓の個
数 光電変換素子列の両端に１個ずつ 採光窓同志のピッチ １２５μｍ採光窓とダミー
窓のピッチ １２５μｍ（採光窓同志のピッチと等 しい場合） 次に、実施例３の、光電変換素子列の両端に、採光窓と
ダミー窓のピッチを変えて、ダミー窓を設置した場合の
、密着型イメージセンサの光出力特性を測定した結果を
表３に示す。なお、本実施例においても受光量を試算す
るために光出力特性を用いた。また、表３において、Ｐ
ＲＮＵ値は、表１と同様に密着型イメージセンサの１７
２８素子の光出力の最大値と最小値の比で表される白波
形平坦度を示す。
１７２８個 ダミー窓の大きさ ７０μｍＸ１４０μｍダミー窓の個
数 光電変換素子列の両端に１個ずつ 採光窓同志のピッチ １２５μｍ採光窓とダミー
窓のピッチ １２５μｍ（採光窓同志のピッチと等 しい場合） 次に、実施例３の、光電変換素子列の両端に、採光窓と
ダミー窓のピッチを変えて、ダミー窓を設置した場合の
、密着型イメージセンサの光出力特性を測定した結果を
表３に示す。なお、本実施例においても受光量を試算す
るために光出力特性を用いた。また、表３において、Ｐ
ＲＮＵ値は、表１と同様に密着型イメージセンサの１７
２８素子の光出力の最大値と最小値の比で表される白波
形平坦度を示す。
（以下余白）
表 ３
表３より、ダミー窓を素子列の両端に、採光窓とダミー
窓のピッチを採光窓同志のピッチと等しくして設置する
ことにより、素子列両端部素子の光出力が両端部を除い
た素・予力の光出力とほぼ同等となり、ＰＲＮＵ値が向
上したことが判る。
窓のピッチを採光窓同志のピッチと等しくして設置する
ことにより、素子列両端部素子の光出力が両端部を除い
た素・予力の光出力とほぼ同等となり、ＰＲＮＵ値が向
上したことが判る。
採光窓とダミー窓のピッチを採光窓同志のピッチに比べ
て大きくすることにより、両端部の素子の採光量が他の
素子より小さくなり、ＰＲＮＵ値は悪化する。又、採光
窓とダミー窓のピッチを採光窓同志のピッチに比べて小
さくすることにより、両端部の素子の採光量が他の素子
より大きくなり、ＰＲＮＵ値は悪化する。
て大きくすることにより、両端部の素子の採光量が他の
素子より小さくなり、ＰＲＮＵ値は悪化する。又、採光
窓とダミー窓のピッチを採光窓同志のピッチに比べて小
さくすることにより、両端部の素子の採光量が他の素子
より大きくなり、ＰＲＮＵ値は悪化する。
実施例の中で、最も光出力特性が全光電変換素子の配列
において均一な、実施例１のダミー窓を光電変換素子列
の両端に１個ずつ設置したときの光出力特性のグラフを
第３図に示す。なお、第３図において、横軸は原稿サイ
ズに相応した全光電変換素子（１７２８個の素子）の配
列、縦軸は出力である。
において均一な、実施例１のダミー窓を光電変換素子列
の両端に１個ずつ設置したときの光出力特性のグラフを
第３図に示す。なお、第３図において、横軸は原稿サイ
ズに相応した全光電変換素子（１７２８個の素子）の配
列、縦軸は出力である。
［効 果］
表１．２．３及び第３図から明らかなように、ダミー窓
を設けた本発明イメージセンサによれば、すべての光電
変換素子が等しい入射光量を受けるようになり、全体と
しての光出力はほぼ同レベルになる。この結果、Ｓ／Ｎ
比は両端部に存在する光電変換素子での低下がなくなり
全体として向上し、また、光出力の素子列方向の分布も
均一なものとなる。
を設けた本発明イメージセンサによれば、すべての光電
変換素子が等しい入射光量を受けるようになり、全体と
しての光出力はほぼ同レベルになる。この結果、Ｓ／Ｎ
比は両端部に存在する光電変換素子での低下がなくなり
全体として向上し、また、光出力の素子列方向の分布も
均一なものとなる。
第１図は本発明に係る密着型イメージセンサの主要部の
概略断面図、第２図はその概略平面図である。 第３図は本発明イメージセンサの実施例１の光電変換素
子の両端にダミー窓を１個ずつ設置した場合の光出力特
性を表わしたグラフである。 第４図は従来の密着型イメージセンサの光出力特性を表
わしたグラフである。 １・・・透明基板 ２・・・下部遮光膜３・・・透明絶
縁層 ４・・・下部電極５・・・ａ−５ｉ膜（光電変
換素子） ６・・・透明絶縁膜 ７・・・上部電極８・・透明電
極 ９・・・透明保護層Ｗ１．Ｗ２・・・採光窓 Ｗｄ・・ダミー窓 Ｏ−・・原 稿 面第１図 策２図
概略断面図、第２図はその概略平面図である。 第３図は本発明イメージセンサの実施例１の光電変換素
子の両端にダミー窓を１個ずつ設置した場合の光出力特
性を表わしたグラフである。 第４図は従来の密着型イメージセンサの光出力特性を表
わしたグラフである。 １・・・透明基板 ２・・・下部遮光膜３・・・透明絶
縁層 ４・・・下部電極５・・・ａ−５ｉ膜（光電変
換素子） ６・・・透明絶縁膜 ７・・・上部電極８・・透明電
極 ９・・・透明保護層Ｗ１．Ｗ２・・・採光窓 Ｗｄ・・ダミー窓 Ｏ−・・原 稿 面第１図 策２図
Claims (1)
- １、透明基板上に採光窓を各光電変換素子ごとに設けた
光電変換素子列が形成され、その上に透明保護層が形成
された密着型イメージセンサにおいて、前記光電変換素
子列の両端部素子の外側にそれぞれ更に少なくとも１つ
の採光窓を設けたことを特徴とする密着型イメージセン
サ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070231A JPH021166A (ja) | 1988-03-24 | 1989-03-22 | 密着型イメージセンサ |
| US07/410,847 US5017987A (en) | 1989-03-22 | 1989-09-22 | Contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-70636 | 1988-03-24 | ||
| JP7063688 | 1988-03-24 | ||
| JP1070231A JPH021166A (ja) | 1988-03-24 | 1989-03-22 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021166A true JPH021166A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=26411401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070231A Pending JPH021166A (ja) | 1988-03-24 | 1989-03-22 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102504678A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-06-20 | 吉林大学 | 用于石油设备的防护涂料及其施工方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187964A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1070231A patent/JPH021166A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187964A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102504678A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-06-20 | 吉林大学 | 用于石油设备的防护涂料及其施工方法 |
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