JPS59161862A - 長尺原稿読み取り素子 - Google Patents
長尺原稿読み取り素子Info
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- JPS59161862A JPS59161862A JP58036819A JP3681983A JPS59161862A JP S59161862 A JPS59161862 A JP S59161862A JP 58036819 A JP58036819 A JP 58036819A JP 3681983 A JP3681983 A JP 3681983A JP S59161862 A JPS59161862 A JP S59161862A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は長尺薄膜原稿読取素子の製造方法に関する。
最近、画像読取装置あるいはファクシミリなどの画像情
報処理装置には、長尺薄膜原稿読取素子が使用されてい
る。
報処理装置には、長尺薄膜原稿読取素子が使用されてい
る。
第１図、第２図はこの長尺薄膜原稿読取素子を示したも
ので、第１図はその平面図、第２図には第１図のＡ−Ａ
’＠ｆこ沿った断面因が示される。
ので、第１図はその平面図、第２図には第１図のＡ−Ａ
’＠ｆこ沿った断面因が示される。
第１図乃至第２図に８いて、複数の光電変換部Ｌ Ｅｓ
ｔ ＬＥｔ ｐ Ｌ Ｅｓ 、 −、Ｌ Ｅ
ｎは、絶縁性基板１の上に適宜の間隔で並設された対応
する下部電極Ｓｇｍ 、ＳＥ２ 、ＳＥｓ ｐ ＝
心Ｅｎと、この電極Ｓ Ｅｌ ｔ Ｓ Ｅｓ ｅ
８ ＥＢ −＋Ｓ Ｅ Ｈの一端部に宣ねて形成された
光導電体としての水素化したアモルファスシリコン膜２
と、さらに該水素化したアモルファスシリコン膜２の上
に形成された上部透光性電極３から講成されている。
ｔ ＬＥｔ ｐ Ｌ Ｅｓ 、 −、Ｌ Ｅ
ｎは、絶縁性基板１の上に適宜の間隔で並設された対応
する下部電極Ｓｇｍ 、ＳＥ２ 、ＳＥｓ ｐ ＝
心Ｅｎと、この電極Ｓ Ｅｌ ｔ Ｓ Ｅｓ ｅ
８ ＥＢ −＋Ｓ Ｅ Ｈの一端部に宣ねて形成された
光導電体としての水素化したアモルファスシリコン膜２
と、さらに該水素化したアモルファスシリコン膜２の上
に形成された上部透光性電極３から講成されている。
上述した光電変換部ＬＥ１ 、ＬＥｚ −ＬＥｓ
。
。
・・・＊Ｌ Ｅ ｎにおいて、受光素子として、機能を
果たす部分（以下、受光部という）Ｌｌ ＃ Ｌｔ
、Ｌｓ 。
果たす部分（以下、受光部という）Ｌｌ ＃ Ｌｔ
、Ｌｓ 。
−、Ｌｎは工部゛成極ＳＥＩ −ＳＥｔ 、ＳＥｓ
、・”ＳＥｎと上部透光性電極３とが交差する領域
である。
、・”ＳＥｎと上部透光性電極３とが交差する領域
である。
また、当該長尺薄膜原稿読取素子の動作は、例えば第２
図に示した光電変換部ＬＥ、に適宜の大きさのバイアス
電圧を印加しておき、受光部り。
図に示した光電変換部ＬＥ、に適宜の大きさのバイアス
電圧を印加しておき、受光部り。
に適当な波長の元を照射すると、該受光部り、内には電
子および正孔が生成され、該電子および正孔はそれぞれ
下部電極ＳＥ、および上部透光性電極３に同かって移動
することにより、照射された元の強さに対応する大きさ
の光電流が流れるものである。他の光電変換部について
も同様の動作をする。
子および正孔が生成され、該電子および正孔はそれぞれ
下部電極ＳＥ、および上部透光性電極３に同かって移動
することにより、照射された元の強さに対応する大きさ
の光電流が流れるものである。他の光電変換部について
も同様の動作をする。
次に第１図乃至第２図に示した長尺薄膜原稿読取素子′
の製造方法を第３図に示した製造工程図を用いて説明す
る。
の製造方法を第３図に示した製造工程図を用いて説明す
る。
（１）第１工程
絶縁性基板１の全面にわたって導体層を形成し、この導
体層に対してフォトリソグラフィおよびフォトエツチン
グにより適宜の形状および大きさの下部電極ＳＥ１
、ＳＥｔ 、ＳＦ３ 、 ・・・ＳＥｎを形成する
（第３図（ａ）参照）。
体層に対してフォトリソグラフィおよびフォトエツチン
グにより適宜の形状および大きさの下部電極ＳＥ１
、ＳＥｔ 、ＳＦ３ 、 ・・・ＳＥｎを形成する
（第３図（ａ）参照）。
（２）第２工程
前記下部′成極８Ｅｔ 、ＳＥｚ −ＳＥｓ 、
・・・ＳＥｎの一端部に重ねて水素化したアモルファス
シリコンを適宜の厚さ、例えばプラズマＣＶＤ法により
１μｍに堆積し７た水素化アモルファスシリコン膜２を
形成する（第３図（ｂ）参照）。
・・・ＳＥｎの一端部に重ねて水素化したアモルファス
シリコンを適宜の厚さ、例えばプラズマＣＶＤ法により
１μｍに堆積し７た水素化アモルファスシリコン膜２を
形成する（第３図（ｂ）参照）。
（３ン 第３工程
水素化したアモルファスシリコン膜２の形成された基板
１に適宜形状の開口部を有するメタルマスク（図示せず
）を装着し、反応性真空蒸着法あるいは反応性スパッタ
リング法などの方法によって上部透光性電極３を形成す
る（第３図（Ｃ）参照）。
１に適宜形状の開口部を有するメタルマスク（図示せず
）を装着し、反応性真空蒸着法あるいは反応性スパッタ
リング法などの方法によって上部透光性電極３を形成す
る（第３図（Ｃ）参照）。
なお、受光部Ｌエ 、Ｌ、、Ｌ３ 、・・・、Ｌｎはそ
の大きさが同一であることが必要であるが、前記上部透
光性成極３形成時のメタルマスクの位置合わせの誤差を
見込んで、マスクの位置がずｎでも受光部Ｌｌ ｇ
Ｌｒ２ ｙ Ｌ３ ｇ・・・ルｎの大きさがほぼ同
一となるように、下部電極Ｓ Ｅｓ 、Ｓ Ｅｔ
、ＳＥａ ｌ・・・、ＳＥｎのうち光信号取出部分Ｌ８
１ ＃ ＬＳｔ −ＬＳ、、・・・、ＬＳｎ以外の
部分の幅をできるだけ狭くするようにしている（第１図
参照）。
の大きさが同一であることが必要であるが、前記上部透
光性成極３形成時のメタルマスクの位置合わせの誤差を
見込んで、マスクの位置がずｎでも受光部Ｌｌ ｇ
Ｌｒ２ ｙ Ｌ３ ｇ・・・ルｎの大きさがほぼ同
一となるように、下部電極Ｓ Ｅｓ 、Ｓ Ｅｔ
、ＳＥａ ｌ・・・、ＳＥｎのうち光信号取出部分Ｌ８
１ ＃ ＬＳｔ −ＬＳ、、・・・、ＬＳｎ以外の
部分の幅をできるだけ狭くするようにしている（第１図
参照）。
ところで、長尺薄膜原稿読取素子の解像度（分解能）の
向上を計るためには光電変換部の配列密度を大きくする
ことが考えられる。例えば、２次元の広がりを有する長
尺薄膜原稿読取素子を形成する光電変換部の配列密度を
２倍にすると、受光部の大きさは約１７４をこ減少し、
上部透光性電極形成時のメタルマスクの位置合わせは
困難となり、フォトリソグラフィおよびエツチングによ
って上部透光性電極を作製する必要が生じる。
向上を計るためには光電変換部の配列密度を大きくする
ことが考えられる。例えば、２次元の広がりを有する長
尺薄膜原稿読取素子を形成する光電変換部の配列密度を
２倍にすると、受光部の大きさは約１７４をこ減少し、
上部透光性電極形成時のメタルマスクの位置合わせは
困難となり、フォトリソグラフィおよびエツチングによ
って上部透光性電極を作製する必要が生じる。
しかし、光電変換部の配列密度の増加に伴い上部透光性
・電極の幅は狭くなり（例えば１６本／ｍｍの配列密度
で５０μｍ以下）、相対的に上部透光性電極の長さは長
くなる。このため、各光電変換部にバイアス電圧を印加
すると、前記上部透光性電極の抵抗によって所望のバイ
アス電圧が印加されない光電変換部が生じるという問題
があった。
・電極の幅は狭くなり（例えば１６本／ｍｍの配列密度
で５０μｍ以下）、相対的に上部透光性電極の長さは長
くなる。このため、各光電変換部にバイアス電圧を印加
すると、前記上部透光性電極の抵抗によって所望のバイ
アス電圧が印加されない光電変換部が生じるという問題
があった。
また、光電変換部の配列＠厩の増加に伴い前記したよう
に下部電極のうち光信号取出部分以外の部分の幅をでき
るだけ狭くするため、断線する可能性が多くなるという
問題があった。
に下部電極のうち光信号取出部分以外の部分の幅をでき
るだけ狭くするため、断線する可能性が多くなるという
問題があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、長尺薄膜原
稿読取素子の製造を容易にし、かつ均一な特性を持つ長
尺薄膜原稿読取素子の製造方法を提供することを目的と
する。
稿読取素子の製造を容易にし、かつ均一な特性を持つ長
尺薄膜原稿読取素子の製造方法を提供することを目的と
する。
そこで本発明では、基板上に下部電極を形成した後に、
該下部電極の上に絶縁層を形成し、該絶縁層に受光部と
なる窓を形成し、ざら争こ、水素化したアモルファスシ
リコン膜および上部透光性電極を形成するようにしてい
る。
該下部電極の上に絶縁層を形成し、該絶縁層に受光部と
なる窓を形成し、ざら争こ、水素化したアモルファスシ
リコン膜および上部透光性電極を形成するようにしてい
る。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第４図は本発明に係る長尺薄膜原稿読取素子の製造方法
を適用した長尺薄膜原稿読取素子の製造工程図を示した
ものであり、説明の便宜上以下の図面においては第１図
乃至第３図で用いた符号と同−の符号を用いている。以
下製造工程に従って順次説明する。
を適用した長尺薄膜原稿読取素子の製造工程図を示した
ものであり、説明の便宜上以下の図面においては第１図
乃至第３図で用いた符号と同−の符号を用いている。以
下製造工程に従って順次説明する。
（１）第１工程
絶縁性基板１の表面にクロム膜を約３０００Ｘの厚さで
着膜し、フォトリングラフィおよびエツチング処理を施
して下部電極Ｓ Ｅｌ Ｉ ＳＥｔ ｇｂｈＢ＋・
・・ＳＥｎを形成する（第４図（ａ）参照）。
着膜し、フォトリングラフィおよびエツチング処理を施
して下部電極Ｓ Ｅｌ Ｉ ＳＥｔ ｇｂｈＢ＋・
・・ＳＥｎを形成する（第４図（ａ）参照）。
（２）第２工程
下部゛電極Ｓ”１ ｐ ＳＥｔ ｙ Ｓｆ！Ｊｓ
ｙ” ＳＥｎの形成された基板１にプラズマＣＶＤ
法によって窒化シリコンを約６００ＯＡの厚さに堆積し
て、窒化シリコン膜４を形成する（第４図（ｂ）参照）
。
ｙ” ＳＥｎの形成された基板１にプラズマＣＶＤ
法によって窒化シリコンを約６００ＯＡの厚さに堆積し
て、窒化シリコン膜４を形成する（第４図（ｂ）参照）
。
（３） 第３工程
窒化シリコン膜４に対してフォトリソグラフィどよびエ
ツチング処理を施し、下部電極ＳＥｔ。
ツチング処理を施し、下部電極ＳＥｔ。
ｂ ｈａ ２ 、８ Ｅ 、、・・・ＳＥｎのうち元信
号取出部分ＬＳｔ ｙ Ｌｂｔ ｐ Ｌｂｓｖ ・・
・ ＬＳｎ上の窒化シリコン膜４を除去し、受光部とな
る窓を形成する（第４図（ｅ）参照）。こｎは、第３工
程峠了時点における当該基板１の平面図（第５図参照）
に示すように各元信号取出部分ＬＳＩ 、ＬＳｔ −Ｌ
Ｓｓ −・・・。
号取出部分ＬＳｔ ｙ Ｌｂｔ ｐ Ｌｂｓｖ ・・
・ ＬＳｎ上の窒化シリコン膜４を除去し、受光部とな
る窓を形成する（第４図（ｅ）参照）。こｎは、第３工
程峠了時点における当該基板１の平面図（第５図参照）
に示すように各元信号取出部分ＬＳＩ 、ＬＳｔ −Ｌ
Ｓｓ −・・・。
ＬＳｎの大きさを同一にする必要があるが、上述のフォ
トリングラフィおよびエツチング（こより行なうことが
できる。
トリングラフィおよびエツチング（こより行なうことが
できる。
なお、本実施例では窒化シリコン膜４を絶縁層として用
いたが、こ几に限らず次の第４工程で水素化したアモル
ファスシリコン膜の形成時の温度領域２００で乃至３０
０℃において変質しないものであれば、用いることがで
きこれにはＰＳＧ（リンをドープした）酸化シリコン）
、シリコンオキシナイトライド、およびポリイミドなど
の材料を用い°てもよい。
いたが、こ几に限らず次の第４工程で水素化したアモル
ファスシリコン膜の形成時の温度領域２００で乃至３０
０℃において変質しないものであれば、用いることがで
きこれにはＰＳＧ（リンをドープした）酸化シリコン）
、シリコンオキシナイトライド、およびポリイミドなど
の材料を用い°てもよい。
（４）第４工程
光信号取出部分ＬＳＩ −ＬＳｔ −ＬＳｓ −
・・・、ＬＳｎすなわち、受光部を形成するための窓を
覆うように水素化したアモルファスシリコンを約１００
０ＯＡの厚さに堆積して、水素化したアモルファスシリ
コン膜２を形成する（第４図（ｄ）参照）。
・・・、ＬＳｎすなわち、受光部を形成するための窓を
覆うように水素化したアモルファスシリコンを約１００
０ＯＡの厚さに堆積して、水素化したアモルファスシリ
コン膜２を形成する（第４図（ｄ）参照）。
（５）第５工程
光信号取出部分ＬＳＩ、ＬＳ、、ＬＳ、、・・・。
ＬＳｎ上の水素化したアモルファスシリコン膜２、すな
わち受光部り、、Ｌ、、Ｌ、、・・・、Ｌｎの部分を覆
うよう（こＩＴＯを約２００ＯＡの厚さに堆積して上部
透光性電極３を形成する（第４図（ｑ）参照）。
わち受光部り、、Ｌ、、Ｌ、、・・・、Ｌｎの部分を覆
うよう（こＩＴＯを約２００ＯＡの厚さに堆積して上部
透光性電極３を形成する（第４図（ｑ）参照）。
以上のようにして製造した長尺薄膜原稿読取素子の性能
）ま、従来の方法で作製した場合に比べ各光電変換部の
特性は均一であった。
）ま、従来の方法で作製した場合に比べ各光電変換部の
特性は均一であった。
また、第６図は木板明による長尺薄膜原稿読取素子の製
造方法を適用した他の実施例を示す。第６図（ａ）は、
前述の実施例の第３工程終了時点に対応する長尺薄膜原
稿読取素子の平面図を、第６図（りは、第５工程終了時
点に対応する該長尺薄膜原稿読取素子のＢ−Ｂ’線に沿
った断面図を示す。
造方法を適用した他の実施例を示す。第６図（ａ）は、
前述の実施例の第３工程終了時点に対応する長尺薄膜原
稿読取素子の平面図を、第６図（りは、第５工程終了時
点に対応する該長尺薄膜原稿読取素子のＢ−Ｂ’線に沿
った断面図を示す。
本実施例は、光電変換部の配列密度を大きくするように
、下部電極ＳＥＩ ＃ ＳＥＡ ｙ ＳＥｓ ｅ
・・・。
、下部電極ＳＥＩ ＃ ＳＥＡ ｙ ＳＥｓ ｅ
・・・。
ＳＥｎを千鳥状に配設したものであり、絶縁性基板１、
水素化したアモルファスシリコン膜２、上部透光性電極
３は前述の実施例と同様にしで形成する。上部透光性電
極３は従来はその幅をＷとする必要があったが、本発明
によれば光信号取出部分Ｌｂｘ ｅ ＬＳｔ ｔ
Ｌｂｓ ｐ ”’ ｔ Ｌ Ｓ ｎを被覆すれば、そ
の幅Ｗ′は任意な値とすることができる。
水素化したアモルファスシリコン膜２、上部透光性電極
３は前述の実施例と同様にしで形成する。上部透光性電
極３は従来はその幅をＷとする必要があったが、本発明
によれば光信号取出部分Ｌｂｘ ｅ ＬＳｔ ｔ
Ｌｂｓ ｐ ”’ ｔ Ｌ Ｓ ｎを被覆すれば、そ
の幅Ｗ′は任意な値とすることができる。
また、第７図は本発明の他の実施例であり、第７図（ａ
）および第７図（ｂ）ともに前述の実施例の第３工程終
了時点に対応する長尺薄膜原稿読取素子の平面図を示す
。この実施例では、第７図（＆）および第７図（ｂ）に
示すように基板１に形成された下部電極ＳＥＩ 、Ｓ
Ｅ、、５Ｅ３−、ＳＥｎの元信号取出部分ＬＳ１ ｐ
ＬＳ！’ ｐＬＳ３ ＃”’ｙ Ｌｂｎ以外は全て窒
化シリコン膜４で被覆されており、特に第７図（ｂ）の
場合は、下部電極ＳＥ１．ＳＥ２ 。
）および第７図（ｂ）ともに前述の実施例の第３工程終
了時点に対応する長尺薄膜原稿読取素子の平面図を示す
。この実施例では、第７図（＆）および第７図（ｂ）に
示すように基板１に形成された下部電極ＳＥＩ 、Ｓ
Ｅ、、５Ｅ３−、ＳＥｎの元信号取出部分ＬＳ１ ｐ
ＬＳ！’ ｐＬＳ３ ＃”’ｙ Ｌｂｎ以外は全て窒
化シリコン膜４で被覆されており、特に第７図（ｂ）の
場合は、下部電極ＳＥ１．ＳＥ２ 。
ＳＥａ 、・・・ｅ Ｓ Ｅ ｎの段差がなくなるの
で、特性の劣った光電変換部の発生する確率はより小さ
くなる。
で、特性の劣った光電変換部の発生する確率はより小さ
くなる。
なお、当該長尺薄膜原稿読取素子に用いる窒化シリコン
膜等の絶縁層と同一の材料によって該素子のパッシベー
ション膜を形成することで、熱ストレスに対して安定し
た素子を製造することができる。
膜等の絶縁層と同一の材料によって該素子のパッシベー
ション膜を形成することで、熱ストレスに対して安定し
た素子を製造することができる。
以上説明したように本発明によれば、水素化したアモル
ファスシリコンおよびＩＴＯはＦ部電槓の光信号取出部
分上に堆積すればよく、マスクを°用いて水素化したア
モルファスシリコン膜および上部透光性成極を形成する
ことができる。特に、上部透光性成極はその幅を狭める
必要はなく該上部透光性成極の抵抗による谷光庫変換部
の特性の均一化をｄ↑ることができる。
ファスシリコンおよびＩＴＯはＦ部電槓の光信号取出部
分上に堆積すればよく、マスクを°用いて水素化したア
モルファスシリコン膜および上部透光性成極を形成する
ことができる。特に、上部透光性成極はその幅を狭める
必要はなく該上部透光性成極の抵抗による谷光庫変換部
の特性の均一化をｄ↑ることができる。
また、下部電極は元信号取出部分以外を絶縁層で被覆す
るので、その幅を狭める必要はなく断蟻を防ぐととも（
こ、水素化したアモルファスシリコン膜および上部透光
性電極の形成時における機械的接触３よび摩耗から保ｉ
することかできる。
るので、その幅を狭める必要はなく断蟻を防ぐととも（
こ、水素化したアモルファスシリコン膜および上部透光
性電極の形成時における機械的接触３よび摩耗から保ｉ
することかできる。
第１図は従来の長尺薄膜原稿読取素子の平面図、第２図
は第１図のＡ−Ａ’線に沿った断面図、第３図は従来の
長尺薄膜原稿読取素子の製造工程図、第４図は本発明に
係る長尺薄膜原稿読取素子の製造方法を適用した長尺薄
膜原稿読取素子の製造工程図、−ｇ５図は第４図に示し
た製造工程図の第３工程終了時の当該素子の平面図、第
６図および第７図は本発明の他の実施例（こよる長尺薄
膜原稿読取素子の平面図を示す。 １・・・杷縁註基板、２・・・水素化したアモルファス
シリコン膜、３・・・上部透光性成極、４・・・窒化シ
リコ／膜、Ｓｂｌ ｇ ＳＦ３ ｔ Ｓｂ３ １Ｓ
Ｅｎ・・・下部電極。 第１図 第２図 第３図
は第１図のＡ−Ａ’線に沿った断面図、第３図は従来の
長尺薄膜原稿読取素子の製造工程図、第４図は本発明に
係る長尺薄膜原稿読取素子の製造方法を適用した長尺薄
膜原稿読取素子の製造工程図、−ｇ５図は第４図に示し
た製造工程図の第３工程終了時の当該素子の平面図、第
６図および第７図は本発明の他の実施例（こよる長尺薄
膜原稿読取素子の平面図を示す。 １・・・杷縁註基板、２・・・水素化したアモルファス
シリコン膜、３・・・上部透光性成極、４・・・窒化シ
リコ／膜、Ｓｂｌ ｇ ＳＦ３ ｔ Ｓｂ３ １Ｓ
Ｅｎ・・・下部電極。 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）下ＳＺ極、水素化したアモルファスシリコン膜、
および上部透光性電極の積層構造からなる長尺薄膜原稿
読取素子の製造方法において、前記下部電極パターンの
形成後、該下部′成極の上に絶縁層を堆積するとともに
、該絶縁層に受光部となる窓を形成したことを特徴とす
る長尺薄膜原稿読取素子の製造方法。 - （２）前記絶縁層はＰＳＧ（！ｊンをドープした酸化シ
リコン）、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド
、ポリイミドから選択された１つの材料からなる特許請
求の範囲第（１）項記載の長尺薄膜原稿読取素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036819A JPS59161862A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 長尺原稿読み取り素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58036819A JPS59161862A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 長尺原稿読み取り素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267770A Division JPH0614542B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 長尺原稿読み取り素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161862A true JPS59161862A (ja) | 1984-09-12 |
Family
ID=12480361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58036819A Pending JPS59161862A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 長尺原稿読み取り素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161862A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
| JPS628951A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | ジ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 印字装置において紙案内するための装置 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP58036819A patent/JPS59161862A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
| JPS628951A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | ジ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 印字装置において紙案内するための装置 |
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