JPH0447973Y2 - - Google Patents
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- JPH0447973Y2 JPH0447973Y2 JP14939285U JP14939285U JPH0447973Y2 JP H0447973 Y2 JPH0447973 Y2 JP H0447973Y2 JP 14939285 U JP14939285 U JP 14939285U JP 14939285 U JP14939285 U JP 14939285U JP H0447973 Y2 JPH0447973 Y2 JP H0447973Y2
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- film
- sccm
- insulating layer
- electrodes
- sensor
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- Expired
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
この考案は、アモルフアスシリコンａ−Si膜を
光受光部に用いてなるフアクシミリ、デジタル複
写機等における画像情報読取り用のａ−Si等倍光
センサーに関する。
光受光部に用いてなるフアクシミリ、デジタル複
写機等における画像情報読取り用のａ−Si等倍光
センサーに関する。
従来技術
従来、この種のａ−Si等倍光センサーにあつて
は、第５図に概略的に示すように、絶縁性基板１
上にａ−Si膜２を形成した後、このａ−Si膜２を
所望の形にパターン化して、その上に一対の電極
３，４を設けてなるものである。５は保護層であ
る。又、第６図に示すように、ａ−Si膜２と電極
３，４との間にオーミツク層６を形成したものも
ある。何れにしても、原稿からの反射光は電極
３，４側から入射され、又は基板１がガラス等の
透明材料による場合にはこの基板１側から入射さ
れ得る。
は、第５図に概略的に示すように、絶縁性基板１
上にａ−Si膜２を形成した後、このａ−Si膜２を
所望の形にパターン化して、その上に一対の電極
３，４を設けてなるものである。５は保護層であ
る。又、第６図に示すように、ａ−Si膜２と電極
３，４との間にオーミツク層６を形成したものも
ある。何れにしても、原稿からの反射光は電極
３，４側から入射され、又は基板１がガラス等の
透明材料による場合にはこの基板１側から入射さ
れ得る。
このようなａ−Si膜２の光導電性を利用した等
倍光センサーにおいては、ａ−Si膜２の成膜条件
によつては連続光照射（104時間予想）により光
導電率が数％〜10％低下するという特性劣化が見
られるものである。このような低下量は基板１側
から光照射する場合、より低下したものである。
倍光センサーにおいては、ａ−Si膜２の成膜条件
によつては連続光照射（104時間予想）により光
導電率が数％〜10％低下するという特性劣化が見
られるものである。このような低下量は基板１側
から光照射する場合、より低下したものである。
目 的
この考案は、このような点に鑑みなされたもの
で、長時間の使用に対しても特性劣化を低減させ
ることができるａ−Si等倍光センサーを得ること
を目的とする。
で、長時間の使用に対しても特性劣化を低減させ
ることができるａ−Si等倍光センサーを得ること
を目的とする。
構 成
この考案は、上記目的を達成するため、絶縁性
基板上にａ−Si膜とこのａ−Si膜に光受光部を形
成するように所定間隔を持つて離れた一対の電極
とによる１ドツト分の構造を複数個一次元に配列
してなる画像情報読取り用のａ−Si等倍光センサ
ーにおいて、少なくとも絶縁ａ−Si膜に接する絶
縁層をボロンを含む酸化珪素を主成分として形成
したことを特徴とするものである。
基板上にａ−Si膜とこのａ−Si膜に光受光部を形
成するように所定間隔を持つて離れた一対の電極
とによる１ドツト分の構造を複数個一次元に配列
してなる画像情報読取り用のａ−Si等倍光センサ
ーにおいて、少なくとも絶縁ａ−Si膜に接する絶
縁層をボロンを含む酸化珪素を主成分として形成
したことを特徴とするものである。
以下、この考案の第一の実施例を第１図ないし
第３図に基づいて説明する。まず、第２図はこの
実施例の対象とするａ−Si等倍光センサーの概略
を示すもので、絶縁性基板８上にａ−Si膜による
光電変換素子列９が形成されている。このような
光電変換素子列９に対して共通電極１０と個別側
電極群１１とが形成され、個別側電極群１１は
MOSスイツチ１２によつて選択制御される。第
３図はその内２ビツト分について拡大して示すも
ので、ａ−Si膜１３に対し電極１０，１１は副走
査方向にある距離離間しており、ａ−Si膜１３に
光受光部１３ａが形成されている。そして、ａ−
Si膜１３と電極１０，１１との間にはオーミツク
層１４が形成されている。又、電極１０，１１上
には保護層１５が形成されている。このような１
ビツト構造が主走査方向に数百〜数千ビツト分設
けられている。
第３図に基づいて説明する。まず、第２図はこの
実施例の対象とするａ−Si等倍光センサーの概略
を示すもので、絶縁性基板８上にａ−Si膜による
光電変換素子列９が形成されている。このような
光電変換素子列９に対して共通電極１０と個別側
電極群１１とが形成され、個別側電極群１１は
MOSスイツチ１２によつて選択制御される。第
３図はその内２ビツト分について拡大して示すも
ので、ａ−Si膜１３に対し電極１０，１１は副走
査方向にある距離離間しており、ａ−Si膜１３に
光受光部１３ａが形成されている。そして、ａ−
Si膜１３と電極１０，１１との間にはオーミツク
層１４が形成されている。又、電極１０，１１上
には保護層１５が形成されている。このような１
ビツト構造が主走査方向に数百〜数千ビツト分設
けられている。
しかして、この実施例では絶縁性基板８上にボ
ロンＢを含む酸化珪素を主成分とする絶縁層１６
を形成して、この上に前述したようなａ−Si膜１
３等を形成するようにしたものである。
ロンＢを含む酸化珪素を主成分とする絶縁層１６
を形成して、この上に前述したようなａ−Si膜１
３等を形成するようにしたものである。
ここで、このようなセンサーの作成方法、作成
条件等について説明する。まず、絶縁性基板８と
してはパイレツクス7740（コーニング）ガラスが
用いられる。この絶縁性基板８上に形成される絶
縁層１６はプラズマCVD法によるものである。
この時の条件は、高周波電力：50W、ガス流量：
100SCCM（SiH4：40SCCM，N2Ｏ：50SCCM，B2H6／
H2：10SCCM（B2H6 １％））、膜厚：5000〓であ
る。この絶縁層１６上のａ−Si膜１３はプラズマ
CVD法によるSiH4ガスの分解により作成される。
この時の条件は高周波電力：20W、ガス流量：
20SCCM（SiH4のみ）、膜圧：1μmである。更に、こ
のａ−Si膜１３上に形成されるオーミツク層１４
もプラズマCVD法により形成される。この時の
条件は、高周波電力：20W、ガス流量：20SCCM
（SiH4中のPH3濃度は5000ppmである）である。
そして、電極１０，１１はNiCrを用い、真空蒸
着法により膜厚5000〓に形成される。又、保護層
１５はSi3N4を用いたプラズマCVD法により形成
される。この時の条件は、高周波電力100W、ガ
ス流量：50SCCM（SiH4：10SCCM，NH3：30SCCM）で
ある。なお、ａ−Si膜１３、オーミツク層１４、
電極１０，１１のパターン化は、IC又はLSI等に
おいて使用されている写真製版技術が用いられ
る。
条件等について説明する。まず、絶縁性基板８と
してはパイレツクス7740（コーニング）ガラスが
用いられる。この絶縁性基板８上に形成される絶
縁層１６はプラズマCVD法によるものである。
この時の条件は、高周波電力：50W、ガス流量：
100SCCM（SiH4：40SCCM，N2Ｏ：50SCCM，B2H6／
H2：10SCCM（B2H6 １％））、膜厚：5000〓であ
る。この絶縁層１６上のａ−Si膜１３はプラズマ
CVD法によるSiH4ガスの分解により作成される。
この時の条件は高周波電力：20W、ガス流量：
20SCCM（SiH4のみ）、膜圧：1μmである。更に、こ
のａ−Si膜１３上に形成されるオーミツク層１４
もプラズマCVD法により形成される。この時の
条件は、高周波電力：20W、ガス流量：20SCCM
（SiH4中のPH3濃度は5000ppmである）である。
そして、電極１０，１１はNiCrを用い、真空蒸
着法により膜厚5000〓に形成される。又、保護層
１５はSi3N4を用いたプラズマCVD法により形成
される。この時の条件は、高周波電力100W、ガ
ス流量：50SCCM（SiH4：10SCCM，NH3：30SCCM）で
ある。なお、ａ−Si膜１３、オーミツク層１４、
電極１０，１１のパターン化は、IC又はLSI等に
おいて使用されている写真製版技術が用いられ
る。
このように形成したセンサーを用い、絶縁性基
板８側から500lxの白色光を連続照射しながら光
電流を測定したところ、初期値1.5μAに対して
500時間後には1.4μAとなつたものである。ちな
みに、ボロンを含む酸化珪素を主成分とする絶縁
層１６を有しない従来のセンサー（第６図参照）
による場合には、同一条件で光電流値を測定した
ところ、初期値1.6μAが500時間後には1.3μAに低
下したものである。
板８側から500lxの白色光を連続照射しながら光
電流を測定したところ、初期値1.5μAに対して
500時間後には1.4μAとなつたものである。ちな
みに、ボロンを含む酸化珪素を主成分とする絶縁
層１６を有しない従来のセンサー（第６図参照）
による場合には、同一条件で光電流値を測定した
ところ、初期値1.6μAが500時間後には1.3μAに低
下したものである。
つづいて、この考案の第二の実施例を第４図に
より説明する。この実施例の場合、構造的には第
５図に示したものと同一であるが、保護層１７を
ボロンＢを含む酸化珪素を主成分とする絶縁層と
して形成したものである。この保護層１７はプラ
ズマCVD法によるもので、この時の条件は、高
周波電力：20W、ガス流量：80SCCM（SiH4：
30SCCM，N2Ｏ：40SCCM，B2H6／H2：10SCCM（B2H6
１％））、膜厚：1.5μmである。
より説明する。この実施例の場合、構造的には第
５図に示したものと同一であるが、保護層１７を
ボロンＢを含む酸化珪素を主成分とする絶縁層と
して形成したものである。この保護層１７はプラ
ズマCVD法によるもので、この時の条件は、高
周波電力：20W、ガス流量：80SCCM（SiH4：
30SCCM，N2Ｏ：40SCCM，B2H6／H2：10SCCM（B2H6
１％））、膜厚：1.5μmである。
このようなセンサーを用い、前記実施例の場合
と同一条件（ただし、光照射方向は絶縁性基板８
側とする）で光電流値を測定したところ、初期値
1.4μAが1000時間後も1.4μAとなり、誤差範囲内
で変化がなかつたものである。
と同一条件（ただし、光照射方向は絶縁性基板８
側とする）で光電流値を測定したところ、初期値
1.4μAが1000時間後も1.4μAとなり、誤差範囲内
で変化がなかつたものである。
このようにして、ボロンを含む酸化珪素を主成
分とする絶縁層１６又は保護層１７を少なくとも
ａ−Si膜１３に接するように設けることにより、
長時間の光照射に対するセンサーの劣化を低減さ
せることができる。なお、このような効果を発揮
させるためには、絶縁層１６、保護層１７中のボ
ロンの量は、その下限が50ppm、リーク電流が大
きくなる点を考慮して上限は５％である。
分とする絶縁層１６又は保護層１７を少なくとも
ａ−Si膜１３に接するように設けることにより、
長時間の光照射に対するセンサーの劣化を低減さ
せることができる。なお、このような効果を発揮
させるためには、絶縁層１６、保護層１７中のボ
ロンの量は、その下限が50ppm、リーク電流が大
きくなる点を考慮して上限は５％である。
効 果
この考案は、上述したようにａ−Si膜に接する
絶縁層をボロンを含む酸化珪素を主成分として形
成したので、長時間の光照射に対する光電流値の
低下を低減させることができ、長寿命のセンサー
とすることができるものである。
絶縁層をボロンを含む酸化珪素を主成分として形
成したので、長時間の光照射に対する光電流値の
低下を低減させることができ、長寿命のセンサー
とすることができるものである。
第１図はこの考案の第一の実施例を示す断面
図、第２図はセンサーの外観斜視図、第３図はそ
の一部を拡大して示す平面図、第４図はこの考案
の第二の実施例を示す断面図、第５図及び第６図
は従来例を示す断面図である。 ８……絶縁性基板、１０，１１……電極、１３
……ａ−Si膜、１６……絶縁層、１７……保護層
（絶縁層）。
図、第２図はセンサーの外観斜視図、第３図はそ
の一部を拡大して示す平面図、第４図はこの考案
の第二の実施例を示す断面図、第５図及び第６図
は従来例を示す断面図である。 ８……絶縁性基板、１０，１１……電極、１３
……ａ−Si膜、１６……絶縁層、１７……保護層
（絶縁層）。
Claims (1)
- 絶縁性基板上にａ−Si膜とこのａ−Si膜に光受
光部を形成するように所定間隔を持つて離れた一
対の電極とによる１ドツト分の構造を複数個一次
元に配列してなる画像情報読取り用のａ−Si等倍
光センサーにおいて、少なくとも前記ａ−Si膜に
接する絶縁層をボロンを含む酸化珪素を主成分と
して形成したことを特徴とするａ−Si等倍光セン
サー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14939285U JPH0447973Y2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14939285U JPH0447973Y2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258052U JPS6258052U (ja) | 1987-04-10 |
| JPH0447973Y2 true JPH0447973Y2 (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=31064554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14939285U Expired JPH0447973Y2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447973Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP14939285U patent/JPH0447973Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258052U (ja) | 1987-04-10 |
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