JPH0441862B2 - - Google Patents
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- JPH0441862B2 JPH0441862B2 JP60083180A JP8318085A JPH0441862B2 JP H0441862 B2 JPH0441862 B2 JP H0441862B2 JP 60083180 A JP60083180 A JP 60083180A JP 8318085 A JP8318085 A JP 8318085A JP H0441862 B2 JPH0441862 B2 JP H0441862B2
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- Japan
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- photoelectric conversion
- light
- image sensor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フアクシミリ等の送信側等に用いら
れる原稿幅と１：１に対応する大きさを有し、原
稿に密着して読み取りを行なう密着型イメージセ
ンサに関する。
れる原稿幅と１：１に対応する大きさを有し、原
稿に密着して読み取りを行なう密着型イメージセ
ンサに関する。
従来の技術
近年フアクシミリ等の送信側の読み取り装置と
して、原稿幅と１：１の大きさを有し、原稿と密
着させるようにして読み取る密着型イメージセン
サの開発が活発に行なわれている。
して、原稿幅と１：１の大きさを有し、原稿と密
着させるようにして読み取る密着型イメージセン
サの開発が活発に行なわれている。
かかる密着型イメージセンサに関しては例えば
特開昭57−78263号公報に記載されている。
特開昭57−78263号公報に記載されている。
以下に上記特開昭57−78263号公報に記載され
た密着型イメージセンサについて第２図および第
３図を参照して説明する。第２図は従来の密着型
イメージセンサの要部を示す副走査方向でとつた
断面図であり、第３図はその平面図である。
た密着型イメージセンサについて第２図および第
３図を参照して説明する。第２図は従来の密着型
イメージセンサの要部を示す副走査方向でとつた
断面図であり、第３図はその平面図である。
第２図および第３図において、１はガラス等に
透光性絶縁基板であり、その上にSi、Cr、Ta、
ＷまたはTi等の高融点でかつ不透明な物質を蒸
着法等で付着させた遮光層２が形成してある。上
記遮光層２にはフオトリソグラフイ法でエツチン
グすることにより、主走査方向（第３図にＸ→で
示す）に沿つて複数の照明窓３をあけ、次に必要
に応じてスパツタリング法で全面にSiO2または
Si3N4等の一層または多層の透光性絶縁層４で形
成し、次に上記透光性絶縁層４上でかつ上記各照
明窓３の近傍で、上記遮光層２の情報にCdS、
CdSe等の光導電性材料からなる光電変換素子５
をそれぞれ形成してある。通常この光電変換素子
５は400〜600℃の温度で活性化熱処理されてい
る。第２図には図示してないが、第３図に示す如
く、各光電変換素子５の一端から引き出され、一
定単位数毎にまとめた共通電極６と、各光電変換
素子５の他端から引き出された個別電極７とを副
走査方向（第３図のＹ→で示す）においては平行
にし、かつ一定の間隔で対向させて設け、更にそ
の上に薄板ガラス等の透明保護層８を設けて従来
の密着型イメージセンサは構成してある。
透光性絶縁基板であり、その上にSi、Cr、Ta、
ＷまたはTi等の高融点でかつ不透明な物質を蒸
着法等で付着させた遮光層２が形成してある。上
記遮光層２にはフオトリソグラフイ法でエツチン
グすることにより、主走査方向（第３図にＸ→で
示す）に沿つて複数の照明窓３をあけ、次に必要
に応じてスパツタリング法で全面にSiO2または
Si3N4等の一層または多層の透光性絶縁層４で形
成し、次に上記透光性絶縁層４上でかつ上記各照
明窓３の近傍で、上記遮光層２の情報にCdS、
CdSe等の光導電性材料からなる光電変換素子５
をそれぞれ形成してある。通常この光電変換素子
５は400〜600℃の温度で活性化熱処理されてい
る。第２図には図示してないが、第３図に示す如
く、各光電変換素子５の一端から引き出され、一
定単位数毎にまとめた共通電極６と、各光電変換
素子５の他端から引き出された個別電極７とを副
走査方向（第３図のＹ→で示す）においては平行
にし、かつ一定の間隔で対向させて設け、更にそ
の上に薄板ガラス等の透明保護層８を設けて従来
の密着型イメージセンサは構成してある。
上述した従来の密着型イメージセンサを用いて
原稿を読み取るときには、第２図に示す如く、照
明窓３を通つて透光性絶縁基板１の裏面から一定
角度で入射する光束１０が原稿面９を照射し、そ
の反射光１１が各光電変換素子５で電気信号に変
換される。
原稿を読み取るときには、第２図に示す如く、照
明窓３を通つて透光性絶縁基板１の裏面から一定
角度で入射する光束１０が原稿面９を照射し、そ
の反射光１１が各光電変換素子５で電気信号に変
換される。
考案が解決しようとする問題点
上述した従来の密着型イメージセンサでは、反
射光１１で照射される光電変換素子５は、照明窓
３に近い部分において原稿９の反射光１１により
強く照射され、照明窓３から副走査方向に沿つて
離れるに従い、即ち照明窓からの距離に反比例し
て反射光により弱く照射されるようになる。ただ
し、上述した構成で相対向する共通電極６と個別
電極７とは並列に配置してあるので、照度の大き
い低抵抗部と照度の小さい高抵抗部とが生じても
全体抵抗としては低抵抗となり、光電変換素子５
の飽和電流値は大きくとれている。
射光１１で照射される光電変換素子５は、照明窓
３に近い部分において原稿９の反射光１１により
強く照射され、照明窓３から副走査方向に沿つて
離れるに従い、即ち照明窓からの距離に反比例し
て反射光により弱く照射されるようになる。ただ
し、上述した構成で相対向する共通電極６と個別
電極７とは並列に配置してあるので、照度の大き
い低抵抗部と照度の小さい高抵抗部とが生じても
全体抵抗としては低抵抗となり、光電変換素子５
の飽和電流値は大きくとれている。
しかしながら、光電変換素子５の重要な特性で
ある光応答速度においては、低照度領域の光応答
速度で決定されてしまい、このため光電変換素子
５全面を例えば100luxで均一に照射した場合、即
ち全面が高照度領域となる場合の光応答速度に比
して、約1.2〜２倍光応答速度が遅くなる欠点を
有し、このため密着型イメージセンサに高速化に
とつて重要な欠点となつている。
ある光応答速度においては、低照度領域の光応答
速度で決定されてしまい、このため光電変換素子
５全面を例えば100luxで均一に照射した場合、即
ち全面が高照度領域となる場合の光応答速度に比
して、約1.2〜２倍光応答速度が遅くなる欠点を
有し、このため密着型イメージセンサに高速化に
とつて重要な欠点となつている。
従つて本発明の目的は上述した従来の密着型イ
メージセンサの欠点を改良すること、即ちフアク
シミリ等の送信側に用いられ、原稿幅と１：１に
対応する大きさを有し、原稿に密着して読み取る
密着型イメージセンサの光応答速度を向上させる
ことにある。
メージセンサの欠点を改良すること、即ちフアク
シミリ等の送信側に用いられ、原稿幅と１：１に
対応する大きさを有し、原稿に密着して読み取る
密着型イメージセンサの光応答速度を向上させる
ことにある。
問題点を解決するための手段
本発明は、透光性絶縁基板上に主走査方向に沿
つて複数の照明窓をあけて設けた遮光層と、上記
遮光層上で上記各照明窓の近傍にそれぞれ形成さ
れた光電変換素子と、上記光電変換素子上で主走
査方向で対向してその両側より引き出された電極
と、透明保護層とからなる密着型イメージセンサ
において、上記対向する電極を、上記光電変換素
子の受光面が上記照明窓からの距離に反比例して
小さくなつた形状で設けた密着型イメージセンサ
にある。
つて複数の照明窓をあけて設けた遮光層と、上記
遮光層上で上記各照明窓の近傍にそれぞれ形成さ
れた光電変換素子と、上記光電変換素子上で主走
査方向で対向してその両側より引き出された電極
と、透明保護層とからなる密着型イメージセンサ
において、上記対向する電極を、上記光電変換素
子の受光面が上記照明窓からの距離に反比例して
小さくなつた形状で設けた密着型イメージセンサ
にある。
上述した本発明による密着型イメージセンサに
おいて、透光性絶縁基板、遮光層、照明窓、光電
変換素子、透明保護層等は従来の密着型イメージ
センサに用いられている材料、および構成と同じ
であり、また電極材料も同じものを使用しうる。
ただし、これらの電極の形状を上述した如く、上
記光電変換素子の受光面が上記照明窓からの距離
に反比例して小さくなるような形状にして設ける
のである。
おいて、透光性絶縁基板、遮光層、照明窓、光電
変換素子、透明保護層等は従来の密着型イメージ
センサに用いられている材料、および構成と同じ
であり、また電極材料も同じものを使用しうる。
ただし、これらの電極の形状を上述した如く、上
記光電変換素子の受光面が上記照明窓からの距離
に反比例して小さくなるような形状にして設ける
のである。
なお上記光電変換素子と遮光層の間には、両者
の絶縁性を確実にするため透光性絶縁層を設ける
のが好ましい。
の絶縁性を確実にするため透光性絶縁層を設ける
のが好ましい。
作 用
本発明に従つて、光電変換素子の受光面を照明
窓から離れるに従つて小さくする、即ち対向する
電極間の距離を狭くすることにより、電極間隔で
決定される電界強度が強くなる。このため従来の
密着型イメージセンサで問題になつた低照度領
域、即ち照明窓から離れた光電変換素子領域での
光応答速度が改善され、高照度領域即ち照明窓に
近い光電変換素子領域での光応答速度とほぼ同一
程度となり、密着型イメージセンサの高速化が容
易に達成できる。更に上述した如く電極間隔が小
さくなるに従い、光電変換素子の低照度領域の抵
抗値が低下し、出力を大きくすることもできる。
窓から離れるに従つて小さくする、即ち対向する
電極間の距離を狭くすることにより、電極間隔で
決定される電界強度が強くなる。このため従来の
密着型イメージセンサで問題になつた低照度領
域、即ち照明窓から離れた光電変換素子領域での
光応答速度が改善され、高照度領域即ち照明窓に
近い光電変換素子領域での光応答速度とほぼ同一
程度となり、密着型イメージセンサの高速化が容
易に達成できる。更に上述した如く電極間隔が小
さくなるに従い、光電変換素子の低照度領域の抵
抗値が低下し、出力を大きくすることもできる。
実施例
以下に第１図を参照して本発明の密着型イメー
ジセンサを更に具体的に説明する。
ジセンサを更に具体的に説明する。
第１図は本発明による密着型イメージセンサの
要部を示す平面図である。なおその要部断面図は
第２図と同様である。
要部を示す平面図である。なおその要部断面図は
第２図と同様である。
第１図および第２図において、１はガラス製透
光性基板であり、この基板１の上に、Cr、Ta、
ＷまたはTiの高融点を有する材料を蒸着法で蒸
着させて不透明で可視光を遮光する厚さ800〜
4000Åの遮光層２を形成する。次にこの遮光層２
をリソグラフイ法でエツチングして主走査方向
（第１図にＸ→にて示す方向）に沿つて複数の照
明窓３を形成する。次にスパツタリング法によ
り、上記遮光層２および照明窓３の上に全面的に
SiO2、Si3N4またはコーニング7059のガラスを厚
さ500〜5000Åで付着させて透光性絶縁層４を形
成する。次にCdS、−CdSeの光導電性薄膜を蒸着
させ、フオトリソグラフイ法でエツチングして主
走査方向で、各照明窓の近くにそれぞれ島状に並
んだ光電変換素子５を形成する。次に全体を
CdCl2雰囲気中で400〜600℃の温度で加熱し、光
電変換素子５の活性化を行なう。
光性基板であり、この基板１の上に、Cr、Ta、
ＷまたはTiの高融点を有する材料を蒸着法で蒸
着させて不透明で可視光を遮光する厚さ800〜
4000Åの遮光層２を形成する。次にこの遮光層２
をリソグラフイ法でエツチングして主走査方向
（第１図にＸ→にて示す方向）に沿つて複数の照
明窓３を形成する。次にスパツタリング法によ
り、上記遮光層２および照明窓３の上に全面的に
SiO2、Si3N4またはコーニング7059のガラスを厚
さ500〜5000Åで付着させて透光性絶縁層４を形
成する。次にCdS、−CdSeの光導電性薄膜を蒸着
させ、フオトリソグラフイ法でエツチングして主
走査方向で、各照明窓の近くにそれぞれ島状に並
んだ光電変換素子５を形成する。次に全体を
CdCl2雰囲気中で400〜600℃の温度で加熱し、光
電変換素子５の活性化を行なう。
次に第１図に示す如く、各光電変換素子５の一
端より引き出され、一定単位数毎にまとめた共通
電極１２と、各光電変換素子５の他端から引き出
された個別電極１３とを副走査方向（第１図のＹ
→方向）において、照明窓３から離れるに従い、
即ちその距離に反比例して、光電変換素子５の受
光面が小さくなる（幅が狭くなる）ように両電極
１２と１３とが対向するように形成する。これら
各電極材料としてはNiCo−Auを使用する。
端より引き出され、一定単位数毎にまとめた共通
電極１２と、各光電変換素子５の他端から引き出
された個別電極１３とを副走査方向（第１図のＹ
→方向）において、照明窓３から離れるに従い、
即ちその距離に反比例して、光電変換素子５の受
光面が小さくなる（幅が狭くなる）ように両電極
１２と１３とが対向するように形成する。これら
各電極材料としてはNiCo−Auを使用する。
次に全表面を薄板ガラスまたはSiO2膜（厚さ
30〜150μ）を積層する。
30〜150μ）を積層する。
発明の効果
上述した本発明による密着型イメージセンサに
おいては、共通電極１２と個別電極１３の間隔
を、光電変換素子５の受光面で、照明窓３から離
れるに従つて狭くすることにより、電極間隔で決
定される電界強度が強くなるので、従来問題とな
つていた低照度領域での光応答速度が改善され、
高照度領域での光応答速度とほぼ同一となり、密
着型イメージセンサの高速化が達成できる。また
電極間が狭くなるに従い、光電変換素子５の低照
度領域の抵抗値が低下し、出力を更に大きくする
ことのできる利点もある。
おいては、共通電極１２と個別電極１３の間隔
を、光電変換素子５の受光面で、照明窓３から離
れるに従つて狭くすることにより、電極間隔で決
定される電界強度が強くなるので、従来問題とな
つていた低照度領域での光応答速度が改善され、
高照度領域での光応答速度とほぼ同一となり、密
着型イメージセンサの高速化が達成できる。また
電極間が狭くなるに従い、光電変換素子５の低照
度領域の抵抗値が低下し、出力を更に大きくする
ことのできる利点もある。
第１図は本発明による密着型イメージセンサの
要部を示す平面図であり、第２図は本発明および
従来例の密着型イメージセンサの要部断面図であ
り、第３図は従来例の密着型イメージセンサの要
部平面図である。 １は透光性絶縁基板、２は遮光層、３は照明
窓、４は透光性絶縁層、５は光電変換素子、８は
透明保護層、９は原稿、１２は共通電極、１３は
個別電極。
要部を示す平面図であり、第２図は本発明および
従来例の密着型イメージセンサの要部断面図であ
り、第３図は従来例の密着型イメージセンサの要
部平面図である。 １は透光性絶縁基板、２は遮光層、３は照明
窓、４は透光性絶縁層、５は光電変換素子、８は
透明保護層、９は原稿、１２は共通電極、１３は
個別電極。
Claims (1)
- １ 透光性絶縁基板上に主走査方向に沿つて複数
の照明窓をあけて設けた遮光層と、上記遮光層上
で上記各照明窓の近傍にそれぞれ形成された光電
変換素子と、上記光電変換素子上で主走査方向で
対向してその両側より引き出された電極と、透明
保護層とからなる密着型イメージセンサにおい
て、上記対向する電極を、上記光電変換素子の受
光面が上記照明窓からの距離に反比例して小さく
なつた形状で設けたことを特徴とする密着型イメ
ージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083180A JPS61241971A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083180A JPS61241971A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241971A JPS61241971A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0441862B2 true JPH0441862B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=13795099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60083180A Granted JPS61241971A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61241971A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728017B2 (ja) * | 1986-10-07 | 1995-03-29 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置 |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP60083180A patent/JPS61241971A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61241971A (ja) | 1986-10-28 |
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