JPS61101164A - 密着型画像読取素子 - Google Patents

密着型画像読取素子

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Publication number
JPS61101164A
JPS61101164A JP59223476A JP22347684A JPS61101164A JP S61101164 A JPS61101164 A JP S61101164A JP 59223476 A JP59223476 A JP 59223476A JP 22347684 A JP22347684 A JP 22347684A JP S61101164 A JPS61101164 A JP S61101164A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
transparent
layer
reading element
shield layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP59223476A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuji Okibayashi
沖林 勝司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP59223476A priority Critical patent/JPS61101164A/ja
Publication of JPS61101164A publication Critical patent/JPS61101164A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の技術分野〉 本発明は、原稿に密着して読取りを行なうことが可能な
密着型画像読取素子に関す、るものである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉 −次元イメージセンサはファクシミリ、インテリジェン
ト複写機等の原稿読取用素子として知られている。従来
、この種の受光センサとしては一次元の固体イメージ素
子(CCDあるいはMOS型)を用い原稿像をスリット
露光かつ縮小結像することにより、対応した画像情報信
号を得ている。
この−次元固体イメージ素子はIC技術を使って作製さ
れるため、高々3Q*m程度の大きさの素子であり、こ
のため原稿からの反射光を受光部に導くには光路長の長
い光学系を用いざるを得ず、装置の小型化が困難である
。更に、この様な装置では光学系の複雑な調整が必要で
あり、また、画面周辺部の光量低下、分解能の劣化とい
った問題も生じてくる。
これらの問題点の改善のため、原稿幅と同一寸法の長さ
の素子を用いる、いわゆる密着型画像読取素子か考案さ
れている。
この密着型画像読取素子は像露光した画情報を光電変換
用のセンサに結像するため、ファ、イバーレンズア1/
イを必要とし、この位置合せ作業等の問題がある。
この問題点を改善するため、画像読取素子背面に設けた
光源により、画像読取素子を通して原稿面を照射し、得
られた画情報を画像読取素子センサで直接受光するもの
が提案されている。この様な密着型画像読取素子では、
光源からの光及び原稿からの反射光を無駄なくセンサ部
まで導く透明保護膜の形成が要求される。
この様な要求に応じ得る透明保護膜として現在のところ
、薄板ガラスを接着剤にて張り付ける方法か提案されて
いるが、 ■ 薄板ガラスの厚みのバラツキ及び反りに起因する光
斑、 ■ 透明電極と接着剤層、接着剤層とガラスの界面での
反射による光量の損失及び回り込み等の欠点がある。
〈発明の目的〉 本発明は上記従来の密着型画像読取素子の欠点を除去し
、光源からの光を有効利用することができる密着型画像
読取素子を提供することを目的としたものである。
〈発明の構成〉 上記目的を達成するため、本発明の密着型画像読取素子
は、光学的に透明な基板上に光量取込用窓をライン状に
開口した光学的に不透明な絶縁性遮光層を形成し、その
上に平面方向あるいは厚さ方向を電極で挾んだ光電変換
部を形成し、更にその上に光学的に透明な絶縁保護層を
形成して成るように構成している。
〈発明の実施例〉 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第1図は本発明の密着型画像読取素子の構造を示す断面
図、第2図は同素子の平面図である。
第1図及び第2図において、Iは光学的に透明な基板で
あり、この透明基板l上に光学的に不透明な絶縁性遮光
層2が形成されており、この遮光層2にはライン状に複
νの光量取込用窓3が開口されている。また遮光層2上
には個別電極4及び透明共通電極6によって挾まれた光
電変換膜5が形成されており、その上に光学的に透明な
絶縁保護層7か形成されている。
上記の如き構成において、 画像読取りを行なう場合は、光源8からの照射光を光取
連用窓3から取り入れ透明電極6及び保護層7を通して
読取素子に密着して配置された原稿9に照射し、得られ
た画像反射光を再び法護層7を通して個別電極4.光電
変換膜5及び透明共通電極6で構成されたセンサーセル
部で受光し電気信号に変換するように動作する。
次に上記した本発明に係る密着型画像読取素子の構造を
、更にその一作製方法と共に説明する。
光学的に透明な絶縁性基板Iとして無アルカリガラス7
059を用い、その上に一直線上に開口面積60X10
0μmで125μmピッチで等間隔に並んだ光取り込み
用窓3を開口した光学的に不透明な絶縁性材料により遮
光層2を形成する。
次にその上に個別電極4としてCr 膜を真空蒸着法に
て成膜し、フォトリングラフィ技術にてタンザク状に加
工する。次にその上に光電変換膜5としてa−5i:H
膜をP−CVD法にて成膜しフォトリングラフィ技術に
て島状に加工する。次にその上に透明共通電極6として
ITO膜をスパッタリング法でSnO3を5%含むIn
2O3をターゲ・ントとして成膜し、フォトリングラフ
ィ技術にて帯状に加工し、個別電極4/a−5i膜5/
共通電極成分とする有機樹脂をスピナー等のコーティン
グマシンで塗膜し、熱乾燥により硬化させ50〜100
μm厚程度の膜を形成する。
次にその保護層7表面を0.1μm程度の砥粒を用い湿
式研摩し表面平滑性と摩擦係数を下げる。
この様にして作製した密着型画像読取素子と表面保護層
に薄板ガラスを用いたものを光量伝達率で比較して観た
。光量伝達率は次式によって定義される。
光量伝達率は本発明による読取素子15%であり、一方
従来の構成のものでは10%であり、上記本発明の実施
例に示す構成によりほぼ1.5倍の効果があった。
又、明暗比に関しても界面での反射による光のまわり込
みが少ない分効果かあった。
〈発明の効果〉 以上のように、本発明によれは簡易な構造にもとすいて
、光源の光を有効的に利用することができる密着型画像
読取素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の密着型画像読取素子の一実施例の素子
構造を示す断面図、第2図は同素子の構造を示す平面図
である。 ■・・絶縁性透明基板、2・・遮光層、3・・・光取送
用窓、4・・・個別電極、5・・・光電変換膜、6 ・
透明共通電極、7・・透明絶縁保護層、8・・・光源、
9 ・読取原稿。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光学的に透明な基板と、 該基板上に形成された光量取込用窓をライン状に開口し
    た光学的に不透明な絶縁性遮光層と、該絶縁性遮光層上
    に形成された平面方向あるいは厚さ方向を電極で挾んだ
    光電変換部と、該光電変換部上に形成された光学的に透
    明な絶縁保護層と からなることを特徴とする密着型画像読取素子。 2、前記表面保護層はアクリル樹脂、メラニン樹脂、ス
    チレン樹脂、ポリエステル樹脂、シリコン樹脂のいずれ
    かを主成分とする有機材料で構成したことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の密着型画像読取素子。 3、前記表面保護層は研摩、ラッピング等の表面処理が
    施されて成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項も
    しくは第2項記載の密着型画像読取素子。
JP59223476A 1984-10-23 1984-10-23 密着型画像読取素子 Pending JPS61101164A (ja)

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JP59223476A JPS61101164A (ja) 1984-10-23 1984-10-23 密着型画像読取素子

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JPS61101164A true JPS61101164A (ja) 1986-05-20

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ID=16798732

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JP59223476A Pending JPS61101164A (ja) 1984-10-23 1984-10-23 密着型画像読取素子

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JP (1) JPS61101164A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0321224A2 (en) * 1987-12-18 1989-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image sensor
GB2290164B (en) * 1994-05-30 1998-11-04 Nec Corp Photoelectric conversion device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0321224A2 (en) * 1987-12-18 1989-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image sensor
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