JPH03127865A - 密着センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、ファクシミリ等の読取装置の入力部等に用い
られる密着センサに関する。

（従来の技術） 近年、ファクシミリあるいはＯＣＲ等の情報読取装置の
普及に伴い、その入力部に用いられる密着センサとして
種々のものが市場に出回るようになってきた。

この密着センサは、一般に絶縁性の基板」−に多数の光
電変換素子が一列に配設され、光源から原稿に照射され
る光の反射光が光電変換素子に入光されて、原稿上の画
像情報等の光信号を電気信号に変換することにより読取
るものである。

この密着センサの構造を以下に述べる。

密着センサの基本構造は、ガラス等から成る絶縁性基板
上に、複数の個別電極と、共通電極と、この個別電極と
共通電極を接続する光電変換膜から成る光電変換素子と
から成る。

個別電極は絶縁性基板−Ｌに、Ｃｒ／Ａ１等の金属によ
り一端に光電変換素子を形成する画素電極部と他端に外
部回路との接続を容易にするポンディングパッド部を有
して一列に配列されて成っている。そして、この個別電
極の画素電極部上にａＳｉ膜等の光電変換膜が設置され
、更に光電変換膜上には、光電変換膜に照射される原稿
面での反射光を遮ることなく共通電極と光電変換膜を電
気的に接続すると共に光電変換素子を形成するＩ。

Ｔ、　０．　　（ｌｎｄｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ　）
等の透明導電膜が配置されている。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上述したような密着センサにおいては、光電変
換素子部が外部に露出した状態となるため、高湿条件下
では電極の腐蝕等が発生するため良好な特性を維持する
ことが困難である。

そこで、このような課題を解決するものとして、個別電
極のポンディングパッド部を除いた部分に絶縁性の保護
膜を設置することを本発明者は考えた。

しかし、このような密着センサであっても次のような課
題があることが判明した。即ち、前述したように保護膜
はポンディングパッド部を除いた領域に設置されるもの
である。しかし、絶縁性基板との密着性が不十分である
ため、湿度の高い地域に長時間にわたり設置すると、絶
縁性基板と保護膜との間から密着センサ内部に水分が浸
透することがあった。

このため、従来の密着センサでは、絶縁膜の剥離、個別
電極あるいは共通電極の腐蝕に伴い光電変換素子特性の
劣化といったことがあった。

本発明は、上述した課題に鑑みなされたもので、特に耐
湿性に優れた密着センサを低コストで提供することを目
的としたものである。

［発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明の密着センサは、基板と、この基板上に配置され
た第１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に配置された共
通電極と、第１の絶縁層上に配置され且つ一端に接続部
を備えた個別電極と、この個別電極の他端と共通電極と
を電気的に接続する光電変換膜とから成る光電変換素子
部と、個別電極の所望の一部を開口して光電変換素子部
を被覆する第１の絶縁層と同−祠料の第２の絶縁層とを
具備したことを特徴とするものである。

（作　用） 本発明者は、上記課題を解決すべく、絶縁膜と良好な接
着性が得られる絶縁性基板、あるいは絶縁性基板と良好
な接着性が得られる絶縁膜について種々検討したが、良
好な材料を見出だすことはできなかった。

そこで、基板上に第１の絶縁膜を設置し、この上に光電
変換素子部および第２の絶縁膜を設置することを考えた
。そして、良好な密着性が得られる第１の絶縁膜と第２
の絶縁膜によって光電変換素子部を被覆することにより
、光電変換素子内部に水分の浸透を十分に防ぎ、良好な
素子特性を維持することができる。

そして、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との接着性を検討
する必要があるが、特に第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を
同一材料とすることにより、良好な接着性を得ることが
できる。

この第１の絶縁膜あるいは第２の絶縁膜としては５ｉＯ
Ｎ等の酸化金属膜等も適用可能であるが、スピンコード
等によって容易に設置できる樹脂等が容易に製造可能で
あり、本発明には特に好ましい。

また、この樹脂膜としても絶縁性で光電変換素子部に所
望の波長の光を透過する条件を満足するものであれば種
々のものが利用できるが、２００℃前後の低温焼成可能
なものが好ましい。これは、第２の絶縁層は光電変換素
子部上に設置することから、高温焼成の必要があるもの
では１．　Ｔ、　Ｏ０膜の抵抗値の変化等による素子特
性のばらつきを招くためである。

また、本発明では基板と素子部間に第１の絶縁膜を形成
するため、基板として従来のような絶縁性基板に限定さ
れることはなく、ＳＵＳ基板等の導電性基板の使用も可
能となり、広い範囲で基板の選択ができ、密着センサの
低廉化を招く効果もある。

更に、第１の絶縁層を設置することにより基板表面の多
少の凹凸を平滑にできるため、基板表面の平滑性につい
ても厳しく吟味する必要がない。

（実施例） 以下、本発明の一実施例の密着センサについて、図面を
参照して詳述する。第１図は本実施例の密着センサの概
略正面図、第２図は第１図の密着センサにおいてＡ−Ａ
−線に沿って切断した概略断面図を示すものである。

この密着センサ（１）は、表面にポリイミド樹脂が第１
の絶縁層（１５）として設置された無アルカリガラスよ
り成る基板（（１）上に、Ｃｒ（クロム）層（２１）と
、このＣｒ層（２１）上に設置されるＡＩ（アルミ）層
（２３）によって構成される数個の個別電極（２５）が
−列に配設されている。この個別電極（２５）は、良好
な素子特性が得られるようにＣｒ層（２１）が露出され
て形成される画素電極部（２５ａ）と、ボンディングに
より良好な接着性が得られるようＡ１層（２３）によっ
て構成されるポンディングパッド部（２５ｃ）とがリー
ド部（２５ｂ）によって接続されて成っている。

また、基板（１１）上の個別電極（２５）の配列方向に
延伸されたＣｒによって成る第１の共通電極（３１）が
個別電極（２５）の画素電極部（２５ａ）に隣接して設
置されている。

そして、個別電極（２５）の画素電極部（２５ａ）上に
はａ−ＳＬ膜が光電変換膜（３５）として設置され、更
に光電変換膜（３５）と第１の共通電極（３１）とを電
気的に接続するためＩ、　Ｔ、　Ｏ，膜が第２の共通電
極（４１〉として光電変換膜（３５）上部から第１の共
通電極（３１）に至る領域に設置され、この画素電極部
（２５ａ）　、光電変換膜（３５）、第２の共通電極（
４１〉の重なる部分にて光電変換素子部（５１）が構成
されている。

このようにして成る光電変換素子部（５１〉上に、ポン
ディングパッド部（２５ｃ）に相当する窓部（６１〉を
有して部分的に第１の絶縁層（１５）と密着するように
ポリイミド樹脂が第２の絶縁層（６５）として設置され
て密着センサ（１）が構成されている。

次に、このような密着センサ（１）の製造方法について
、第３図の概略製造プロセス図を参照して説明する。

この第３図は、特に一つの密着センサ（１）に着目して
示したもので、実際は多数取りを前提としたものである
。

第３図（ａ）に示すように、基板（１１）上に例えばポ
リアミック酸をスピンコードにより均一に塗布し、２０
０℃で脱水閉環することによりイミド化してポリイミド
樹脂よりら成る第１の絶縁層（１５）を形成する。そし
て、この第１の絶縁層（１５）上に２０００オングスト
ロームの膜厚でＣｒ　（２１）層を、１ミクロンの膜厚
でＡ１層（２３）を順次スパッタリングにより被着させ
る。

この後、Ａ１層（２３）上に感光性樹脂層を形成し、個
別電極（２５）のパターンおよび第１の共通電極（３１
）のパターンに感光性樹脂層を露光・現像し、エツチン
グにより余剰なＡ１層（２３）を除去する。

再度、感光性樹脂層を形成した後に、感光性樹脂層を露
光・現像し、Ｃｒ層（２１）をエツチングすることによ
り、第３図（ｂ）に示すように第１の共通電極（２１）
と個別電極（２５）を形成する。

このような基板（１１）ｌにプラズマＣＶＤによりａ−
８ｔ膜を２ミクロンの膜厚で着膜し、個別電極（２５）
の画素電極部（２５ａ）上に設置されるようにフォトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングして光電変換膜（
３５）とする。更に、第３図（Ｃ）示すように基板（１
１）上に１．　Ｔ、　０．膜をスパッタリングによって
８００オングストロームの膜厚に着膜し、光電変換膜（
３５）上部から第１の共通電極（２１）にわたり、光電
変換膜（３５）と第１の共通電極（２１）とを接続する
形状にパターニングして第２の共通電極（４１）を形成
し、基板（１１）上に光電変換素子部（５１〉を形成す
る。

この後、第３図（ｄ）に示すように、ポリアミック酸を
基板（１１）及び光電変換素子部（５１）上に、３００
０ｒｐｍの回転速度で１分間スピンコードし、この後２
５０°Ｃでイミド化してポリイミド樹脂を第２の絶縁膜
（６５）として設置する。

そして、第３図（ｅ）に示すように、個別電極（２５）
のポンディングパッド部（２５ｃ）のみを露出させるよ
うに、フォトリングラフィ技術を用いて各ポンディング
パッド部（２５ｅ）に対応する窓部（６１）を形成し、
密着センサ（１）が完成する。

以上詳述したように密着センサ（１〉の光電変換０ 素子部（５１）を第１の絶縁層（１５）と第２の絶縁層
（６５）にて被覆することにより、外部から水分等が浸
透することを防止することができた。このため、従来の
ように光電変換素子部（５１）内で個別電極（２５）か
ら共通電極（３１）　、　（４１）にわたり腐蝕すると
いったことなく、高湿条件下であっても良好な特性を維
持することができた。

また、ここでは無アルカリガラスを基板（１１）として
使用したが、この基板（１１）上には第１の絶縁層（１
２）が設置されるため、上述のような絶縁性の基板（１
１）以外のものであっても本発明に適用可能である。

そして、基板（１１）上に第１の絶縁層（１２）を設置
することにより、基板（１１）表面よりも高い表面性を
確保できるため、従来のように基板（１１）の選定を厳
しく行う必要なく、低コストで密着センサ（１）を製造
することができる。

また、ここでは個別電極の（２５）のポンディングパッ
ド部（２５ｃ）　ｌの第２の絶縁層（６５）のみを除去
して窓部（６１）を形成したが、複数のボンディング１ パッド部（２５ｃ）に」（通の窓部を形成したものであ
っても良い。このように共通の窓部を形成することは、
個々のポンディングパッド部（２５ｃ）に対応する窓Ｎ
（８１）を形成することに比べて微細な位置精度を確保
する必要がなく、容易に製造が可能となる。

更に、ここでは第２の絶縁層（６５）として低温成形が
可能なポリイミド樹脂を使用しため、成膜時に特にＩ、
　　Ｔ、　　Ｏ，膜から成る第２の共通電極（４１）の
抵抗値を変化させることもなく良好な密着センサ（１）
とすることができた。

ここで示した密着センサ（１）は、発光素子から照射さ
れ原稿面で反射光した光を光電変換素子部（５１〉上に
集光させるレンズアレイを原稿と密着センサ（＋、）間
に設置して使用することを前提としたものであるが、基
板（１１）裏面に発光素子を設置し、原稿面で反射した
光を直接に光電変換素子部（５１）に入光させる完全密
着型の密着センサに本発明を適用したものであっても良
い。

また、ここでは密着センサ（１）の光電変換素子２ 部（５１）の構造を、個別電極（２５）と第２の共通電
極（４１）によって光電変換膜（３５）を挟持したサン
ドイッチ型構造としたが、平面型構造としたものであっ
ても良い。

［発明の効果］ 上述したように、本発明の密着センサは、基板上に第１
の絶縁層を設置すると共に、個別電極の所望の一部を除
いて第２の絶縁層を設置したもので、特に第１の絶縁層
と第２の絶縁層を同一材料とし、第１の絶縁層と第２の
絶縁層を強固に密着させることにより、光電変換素子部
内に水分等の浸透を防ぐことができる。このため、本発
明の密着センサでは高湿下であっても光電変換素子部内
で個別電極あるいは共通電極等が腐蝕することなく良好
な素子特性を維持することができる。

また、基板の表面性が必ずしも良好でなくても、基板上
に絶縁層を設置した後に電極を形成するため、電極にピ
ンホール等か発生することがない。

このため、従来のように基板を厳しく選定する必要な（
低コストで密着センサを製造することがで３ きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る密着センサの概略正面
図、第２図は第１図の密着センサのＡ〜Ａ′線に沿って
切断した概略断面図、第３図は第１図の密着センサの製
造プロセスを示す図である。 （１）・・・密着センサ　　　　（１１）・・・基板（
１５）・・・第１の絶縁膜　　　（２５）・・・個別電
極（３１）・・・第１の共通電極　　（３５）・・・光
電変換膜（４１）・・・第２の共通電極　　（６１）・
・・窓部（６５）・・・第２の絶縁層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板と、 この基板上に配置された第１の絶縁層と、 この第１の絶縁層上に配置された共通電極と、前記第１
   の絶縁層上に配置され且つ一端に接続部を備えた個別電
   極と、この個別電極の他端と前記共通電極とを電気的に
   接続する光電変換膜とから成る光電変換素子部と、 前記個別電極の所望の一部を開口して前記光電変換素子
   部を被覆する前記第１の絶縁層と同一材料の第２の絶縁
   層とを具備したことを特徴とする密着センサ。