JPH02123767A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH02123767A JPH02123767A JP63278090A JP27809088A JPH02123767A JP H02123767 A JPH02123767 A JP H02123767A JP 63278090 A JP63278090 A JP 63278090A JP 27809088 A JP27809088 A JP 27809088A JP H02123767 A JPH02123767 A JP H02123767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- sensor
- light
- conductive material
- close
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術用野〕
本発明は密着型イメージセンサに関し、詳しくは、特定
個所を除いた周囲を良導電性材料でシールドした密着型
イメージセンサに関する。
個所を除いた周囲を良導電性材料でシールドした密着型
イメージセンサに関する。
イメージセンサはファクシミリで代表される文字、画形
などの読みとり装置であり、従来においてはレンズ系を
採用していたため装置の大型化が避けられないという不
陥を有していた。
などの読みとり装置であり、従来においてはレンズ系を
採用していたため装置の大型化が避けられないという不
陥を有していた。
こうしたことから、近時は、Ａ−４判やＢ−４判などの
原稿を等倍で読みとれる密着型イメージセンサが利用さ
れるようになってきている。
原稿を等倍で読みとれる密着型イメージセンサが利用さ
れるようになってきている。
この密着型イメージセンサ（密着型イメージセンサ）は
、大まかにいえば、センサービットを有するセンサ部（
受光部）と薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）からなる駆動回
路とが一体的に形成されてなるものである。このような
密着型イメージセンサにあっては、採光窓を通して光を
入射せしめ、この入射光が原稿にあてられその反射光を
受光部で感知させる手段がとられており、従って、採光
窓となる部分以外（特に受光部）は入射光を遮光層によ
って遮光するように工夫されている。
、大まかにいえば、センサービットを有するセンサ部（
受光部）と薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）からなる駆動回
路とが一体的に形成されてなるものである。このような
密着型イメージセンサにあっては、採光窓を通して光を
入射せしめ、この入射光が原稿にあてられその反射光を
受光部で感知させる手段がとられており、従って、採光
窓となる部分以外（特に受光部）は入射光を遮光層によ
って遮光するように工夫されている。
だが、その一方で、従来のこうした密着型イメージセン
サは、これを駆動させた時に、第５図（イ）にみられる
ように、センサ出力のＳ／Ｎ比が悪く読みとりが良好に
行なわれないといつた不都合が往々にして認められてい
た。なお、第５図（ロ）は理想的なノイズのないセンサ
出力の波形を表わしている。第５図（イ）でのｒＮＪは
ノイズ、第５図（ロ）での「Ｓ」は信号をそれぞれ表わ
している。
サは、これを駆動させた時に、第５図（イ）にみられる
ように、センサ出力のＳ／Ｎ比が悪く読みとりが良好に
行なわれないといつた不都合が往々にして認められてい
た。なお、第５図（ロ）は理想的なノイズのないセンサ
出力の波形を表わしている。第５図（イ）でのｒＮＪは
ノイズ、第５図（ロ）での「Ｓ」は信号をそれぞれ表わ
している。
（目 的〕
本発明は、上記のごときノイズが生じないか生じたとし
ても僅かである、センサ出力のＳ／Ｎ比が大きい密着型
イメージセンサを提供するものである。
ても僅かである、センサ出力のＳ／Ｎ比が大きい密着型
イメージセンサを提供するものである。
本発明は透明基板上に受光部及びその駆動回路となる薄
膜トランジスタが一体的に設けられ採光窓を有する密着
型イメージセンサにおいて、前記の採光窓とその採光窓
への入射光路にあたるところの透明基板と受光部とを除
いてセンサ周囲を良導電性材料（ただし金属を除く）で
覆い、その被覆良導電性材料（金属を除く）を接地させ
たことを特徴としている。
膜トランジスタが一体的に設けられ採光窓を有する密着
型イメージセンサにおいて、前記の採光窓とその採光窓
への入射光路にあたるところの透明基板と受光部とを除
いてセンサ周囲を良導電性材料（ただし金属を除く）で
覆い、その被覆良導電性材料（金属を除く）を接地させ
たことを特徴としている。
ちなみに、本発明者らは先に、センサ出力のＳ／Ｎ比が
悪いのは外界（外部）からの電磁ノイズ、あるいは、セ
ンサと原稿の摩擦及び人出・プレートと原稿の摩擦によ
り生ずる静電気が大きく影響しており、この外界からの
電磁波を遮断、あるいは、摩擦により生ずる静電気を除
去するのにセンサ周囲を良導電性金属でシールすれば良
質の（Ｓ／Ｎ比の良好な）密着型イメージセンサが得ら
れることを確め、それに基づいた発明を特願昭６２−２
４０３７０号として提案した。
悪いのは外界（外部）からの電磁ノイズ、あるいは、セ
ンサと原稿の摩擦及び人出・プレートと原稿の摩擦によ
り生ずる静電気が大きく影響しており、この外界からの
電磁波を遮断、あるいは、摩擦により生ずる静電気を除
去するのにセンサ周囲を良導電性金属でシールすれば良
質の（Ｓ／Ｎ比の良好な）密着型イメージセンサが得ら
れることを確め、それに基づいた発明を特願昭６２−２
４０３７０号として提案した。
その後、そうした効果は金属以外の他の良導電性材料に
ついても同様に認められることが確められた１本発明は
これに従がってなされたものである。
ついても同様に認められることが確められた１本発明は
これに従がってなされたものである。
以下に、本発明を添付の図面に従がいながらさらに詳細
に説明する。
に説明する。
本発明イメージセンサの一例の製造過程を表わしており
、１は透明基板（ガラス板など）、２は採光窓（採光部
）、３はセンサ部（受光部）、４はＴＦＴ部（駆動回路
部）、Ｓは遮光層、６は絶縁膜、７は良導電性材料（金
属を除く）薄膜、８はパッシベーション膜、９はアース
、ｌＯは入射光部を示している。なお、前記の「良導電
性材料（金属を除く）」は以降単に「良導電性材料」と
記することにする。
、１は透明基板（ガラス板など）、２は採光窓（採光部
）、３はセンサ部（受光部）、４はＴＦＴ部（駆動回路
部）、Ｓは遮光層、６は絶縁膜、７は良導電性材料（金
属を除く）薄膜、８はパッシベーション膜、９はアース
、ｌＯは入射光部を示している。なお、前記の「良導電
性材料（金属を除く）」は以降単に「良導電性材料」と
記することにする。
第１図（ａ）は従来より知られている絶縁膜６で覆れた
ＴＦＴ駆動センサの概略で、入射光は採光窓２を通して
原稿（０）に照射され、その反射光が受光部３にあてら
れるようになっている。
ＴＦＴ駆動センサの概略で、入射光は採光窓２を通して
原稿（０）に照射され、その反射光が受光部３にあてら
れるようになっている。
絶縁膜６上には厚さは約ｓ、ｏｏｏ〜２０，０００人程
度の良導電性材料薄膜７が化学堆積法、物理蒸着法、塗
布法、接着法などにより形成される〔第１図（ｂ）〕。
度の良導電性材料薄膜７が化学堆積法、物理蒸着法、塗
布法、接着法などにより形成される〔第１図（ｂ）〕。
ここにいう良導電性材料とは、体積抵抗率１００Ωｃｍ
以下特に１０−’Ωｅ１ｍ以下のものが好ましい、具体
的には、不純物半導体（堆積時に不純物を入れたもの、
又は、堆積後不純物を入れたもの、不純物としてはリン
、ボロン、ヒ素、ガリウム、ゲルマニウムなど）、導電
性ゴム（カーボン又は金属粉を混合したゴム）、導電性
樹脂（高分子化合物自体が導電性を示すものの他、カー
ボン又は金属粉を混合したプラスチック）などがあげら
れ、これらはカーボン、金属粉などの配合量を加減する
ことにより所望の体積抵抗率を得ることができる。
以下特に１０−’Ωｅ１ｍ以下のものが好ましい、具体
的には、不純物半導体（堆積時に不純物を入れたもの、
又は、堆積後不純物を入れたもの、不純物としてはリン
、ボロン、ヒ素、ガリウム、ゲルマニウムなど）、導電
性ゴム（カーボン又は金属粉を混合したゴム）、導電性
樹脂（高分子化合物自体が導電性を示すものの他、カー
ボン又は金属粉を混合したプラスチック）などがあげら
れ、これらはカーボン、金属粉などの配合量を加減する
ことにより所望の体積抵抗率を得ることができる。
良導電性材料薄膜７は採光部２、受光部３及び入射光部
１０のところ（採光部２にほぼ対応した透明基板背面の
ところ）がエツチングにより取りのぞかれる〔第１図（
Ｃ）〕。
１０のところ（採光部２にほぼ対応した透明基板背面の
ところ）がエツチングにより取りのぞかれる〔第１図（
Ｃ）〕。
この周囲にパッシベーション膜８を堆積させ〔第１図（
ｄ））、続いて、パッシベーション膜８の一部をエツチ
ングにより取りのぞき、そこから良導電性材料薄膜７を
アース９に落す〔第１図（ｅ）〕ことによって、本発明
の密着型イメージセンサ（ＴＦＴ駆動センサ）が製造で
きる。
ｄ））、続いて、パッシベーション膜８の一部をエツチ
ングにより取りのぞき、そこから良導電性材料薄膜７を
アース９に落す〔第１図（ｅ）〕ことによって、本発明
の密着型イメージセンサ（ＴＦＴ駆動センサ）が製造で
きる。
本発明のＴＰＴ駆動センサは第１図（ｅ）に示されたタ
イプのものに限られるわけではない。
イプのものに限られるわけではない。
即ち、センサ背面（透明基板１側）及び側面に良導電性
材料薄板７１を取りつけ、この良導電性材料薄板７１を
アース９した構造の密着型イメージセンサ（第２図）、
ＴＰＴ駆動センサ（ここでは受光部３及び駆動回路部４
から構成されるセンサを意味している）３４の形状にあ
わせた例えば箱形良導電性材料治具７２をつくり、この
治具７２にＴＦＴ駆動センサ３４を埋め込みとともに治
具７２をアース９した構造の密着型イメージセンサ（第
３図）などが例示できる。
材料薄板７１を取りつけ、この良導電性材料薄板７１を
アース９した構造の密着型イメージセンサ（第２図）、
ＴＰＴ駆動センサ（ここでは受光部３及び駆動回路部４
から構成されるセンサを意味している）３４の形状にあ
わせた例えば箱形良導電性材料治具７２をつくり、この
治具７２にＴＦＴ駆動センサ３４を埋め込みとともに治
具７２をアース９した構造の密着型イメージセンサ（第
３図）などが例示できる。
本発明の密着型イメージセンサは従来と同様な方法で使
用に供されるが、第４図に示したように、本発明イメー
ジセンサの対向側に原稿（０）の搬送ローラ１０１及び
ローラ１０１に近接し原稿（０）の入口ブレート１０２
、出口ブレート１０３を配置し、これらを良導電性材料
製としておくか又はこれらの表面に良導電性材料を施し
たものにしておくことにより、よい良好な出力が得られ
る。
用に供されるが、第４図に示したように、本発明イメー
ジセンサの対向側に原稿（０）の搬送ローラ１０１及び
ローラ１０１に近接し原稿（０）の入口ブレート１０２
、出口ブレート１０３を配置し、これらを良導電性材料
製としておくか又はこれらの表面に良導電性材料を施し
たものにしておくことにより、よい良好な出力が得られ
る。
かくして得られた本発明密着型イメージセンサを用いて
１例えば第４図に示したごとき使用法（但し第１図（ｄ
）の密着型イメージセンサ使用）によれば第６図（ロ）
のようなノイズの極めて少ないセンサ出力が得られる。
１例えば第４図に示したごとき使用法（但し第１図（ｄ
）の密着型イメージセンサ使用）によれば第６図（ロ）
のようなノイズの極めて少ないセンサ出力が得られる。
これに対して、シールドされていない従来の第１図（ａ
）に示したごとき密着型イメージセンサの使用ではセン
サ出力はノイズの大きなものとなる〔第６図（イ）〕。
）に示したごとき密着型イメージセンサの使用ではセン
サ出力はノイズの大きなものとなる〔第６図（イ）〕。
本発明の密着型イメージセンサはＳ／Ｎ比が向上される
ことから信頼性を高めるものである。
ことから信頼性を高めるものである。
第１図は本発明に係る密着型イメージセンサの一例の製
造過程を表わした図である。第２図及び第３図は第１図
とは異なる構造の密着型イメージセンサの二側を示した
図である。第４図は本発明イメージセンサの望ましい使
い方の一例を示した図である。第５図はノイズの有無に
よるセンサ出力のちがいを表わした図であり、第６図は
シールド前後のセンサ出力を示した図である。 １・・・透明基板 ２・・・採光窓（採光部）３
・・・センサ部（受光部）４・・・ＴＦＴ部（駆動回路
部）５・・・遮光層 ６・・・絶縁膜７・・・
良導電性材料薄膜 ７１・・・良導電性材料薄板 ７２・・・良導電性材料治具 ８・・・パッシベーション膜 ９・・・アース １０・・・入射光部３４・・
・受光部及び駆動回路部から構成されたセンサ １０１・・・搬送ローラ １０２・・・入口ブレート
１０３・・・出口ブレート Ｏ・・・原稿 帛１図 鳥２図 鳥３図 帛４圓 帛５回
造過程を表わした図である。第２図及び第３図は第１図
とは異なる構造の密着型イメージセンサの二側を示した
図である。第４図は本発明イメージセンサの望ましい使
い方の一例を示した図である。第５図はノイズの有無に
よるセンサ出力のちがいを表わした図であり、第６図は
シールド前後のセンサ出力を示した図である。 １・・・透明基板 ２・・・採光窓（採光部）３
・・・センサ部（受光部）４・・・ＴＦＴ部（駆動回路
部）５・・・遮光層 ６・・・絶縁膜７・・・
良導電性材料薄膜 ７１・・・良導電性材料薄板 ７２・・・良導電性材料治具 ８・・・パッシベーション膜 ９・・・アース １０・・・入射光部３４・・
・受光部及び駆動回路部から構成されたセンサ １０１・・・搬送ローラ １０２・・・入口ブレート
１０３・・・出口ブレート Ｏ・・・原稿 帛１図 鳥２図 鳥３図 帛４圓 帛５回
Claims (1)
- １、透明基板上に受光部及びその駆動回路となる薄膜ト
ランジスタが一体的に設けられ採光窓を有する密着型イ
メージセンサにおいて、前記の採光窓とその採光窓への
入射光路にあたるところの透明基板と受光部とを除いて
センサ周囲を良導電性材料（ただし金属を除く）で覆い
、その被覆良導電性材料を接地させてなることを特徴と
する密着型イメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278090A JPH02123767A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 密着型イメージセンサ |
| US07/427,702 US5015837A (en) | 1988-11-02 | 1989-10-27 | Contact type image sensor with electric shielding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278090A JPH02123767A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123767A true JPH02123767A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17592497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278090A Pending JPH02123767A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5015837A (ja) |
| JP (1) | JPH02123767A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162644A (en) * | 1988-03-14 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
| US5281803A (en) * | 1990-11-26 | 1994-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and information processing apparatus |
| JP2838735B2 (ja) * | 1991-07-05 | 1998-12-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像読取装置 |
| US5377022A (en) * | 1993-12-29 | 1994-12-27 | Xerox Corporation | Method and apparatus for page imaging and document movement device |
| JP3826907B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2006-09-27 | 船井電機株式会社 | 原稿読取装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415970A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Canon Kk | Image reading equipment |
| JPH0193165A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメージセンサ |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP63278090A patent/JPH02123767A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-27 US US07/427,702 patent/US5015837A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5015837A (en) | 1991-05-14 |
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