JP2003133576A - Ｘ線光電変換器 - Google Patents
Ｘ線光電変換器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｓ／Ｎ比が高く、耐久性にも優れたＸ線光電変
換器を得る。 【解決手段】本発明のＸ線光電変換器１０は、電荷収集
電極２と、電荷収集電極２上に配置された下引き層３
と、下引き層３上に配置されたＸ線光導電層４と、Ｘ線
光導電層４上に配置された上部電極５とを有している。
下引き層３は、真空雰囲気で成膜材料から熱等のエネル
ギーによりＳｉＯ2粒子を放出させ、該ＳｉＯ2粒子が成
膜対象物に堆積することによって形成される。このよう
な下引き層３は物理的衝撃に強いので、Ｘ線光電変換器
１０全体の耐久性が高くなる。また、上記のような下引
き層３を有するＸ線光電変換器１０はＳ／Ｎ比も高い。
換器を得る。 【解決手段】本発明のＸ線光電変換器１０は、電荷収集
電極２と、電荷収集電極２上に配置された下引き層３
と、下引き層３上に配置されたＸ線光導電層４と、Ｘ線
光導電層４上に配置された上部電極５とを有している。
下引き層３は、真空雰囲気で成膜材料から熱等のエネル
ギーによりＳｉＯ2粒子を放出させ、該ＳｉＯ2粒子が成
膜対象物に堆積することによって形成される。このよう
な下引き層３は物理的衝撃に強いので、Ｘ線光電変換器
１０全体の耐久性が高くなる。また、上記のような下引
き層３を有するＸ線光電変換器１０はＳ／Ｎ比も高い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線光導電層と電
極の間に下引層を設けた電界印加型Ｘ線光電変換器の技
術分野に関する。
極の間に下引層を設けた電界印加型Ｘ線光電変換器の技
術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線を電気信号に変換し、取出した電荷
をデジタル化し処理する技術は、産業用や医療用など幅
広く活用されはじめている。
をデジタル化し処理する技術は、産業用や医療用など幅
広く活用されはじめている。
【０００３】本発明者らは、Ｘ線を電気信号に変換し取
出すためのＸ線光電変換器として、平行する電極間にＸ
線光導電層を設けたＸ線光電変換器を研究していたが、
Ｘ線光電変換器に電界を与えたときの電流値（ノイズ）
が大きく、電界を与えたＸ線光電変換器にＸ線を照射し
た時の電流値（シグナル）とノイズの比（Ｓ／Ｎ比）が
小さくなってしまった。また、電極間に高電界を与える
と、Ｘ線光電変換器が放電破壊を起こし、外的エネルギ
ーに対して弱いものであった。
出すためのＸ線光電変換器として、平行する電極間にＸ
線光導電層を設けたＸ線光電変換器を研究していたが、
Ｘ線光電変換器に電界を与えたときの電流値（ノイズ）
が大きく、電界を与えたＸ線光電変換器にＸ線を照射し
た時の電流値（シグナル）とノイズの比（Ｓ／Ｎ比）が
小さくなってしまった。また、電極間に高電界を与える
と、Ｘ線光電変換器が放電破壊を起こし、外的エネルギ
ーに対して弱いものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電界印加型
Ｘ線光電変換器について、Ｓ／Ｎ比を向上させること、
外的エネルギーに高い耐久性を示すことを目的とする。
Ｘ線光電変換器について、Ｓ／Ｎ比を向上させること、
外的エネルギーに高い耐久性を示すことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、真空雰囲
気でＳｉＯ2を含有する成膜材料からＳｉＯ2粒子を放出
させることによって成膜された下引層を、Ｘ線光導電層
の下部、即ち電荷収集電極とＸ線光導電層との間に設け
ることにより、上記課題を解決できることを見出した。
気でＳｉＯ2を含有する成膜材料からＳｉＯ2粒子を放出
させることによって成膜された下引層を、Ｘ線光導電層
の下部、即ち電荷収集電極とＸ線光導電層との間に設け
ることにより、上記課題を解決できることを見出した。
【０００６】かかる知見に基づいてなされた請求項１記
載の発明は、基板と、前記基板上に配置された電荷収集
電極と、前記電荷収集電極上に配置されたＸ線光導電層
と、前記Ｘ線光導電層上に配置された上部電極とを有
し、前記電荷収集電極と前記上部電極との間に電圧を印
加した状態でＸ線を照射すると、前記Ｘ線光導電層内に
潜像が形成されるＸ線光電変換器であって、前記電荷収
集電極と前記Ｘ線光導電層との間には下引層が配置さ
れ、前記下引層は、前記基板と、ＳｉＯ2を主成分とす
る成膜材料とを真空雰囲気に配置し、前記真空雰囲気で
前記成膜材料からＳｉＯ2粒子を放出させることによっ
て、前記基板上の前記電荷収集電極上に成膜されたＸ線
光電変換器である。請求項２記載の発明は、請求項１記
載のＸ線光電変換器であって、前記ＳｉＯ 2粒子は、真
空加熱蒸着法により前記真空雰囲気に放出されたＸ線光
電変換器である。請求項３記載の発明は、請求項１記載
のＸ線光電変換器であって、前記ＳｉＯ 2粒子は、スパ
ッタリング法により前記真空雰囲気に放出されたＸ線光
電変換器である。
載の発明は、基板と、前記基板上に配置された電荷収集
電極と、前記電荷収集電極上に配置されたＸ線光導電層
と、前記Ｘ線光導電層上に配置された上部電極とを有
し、前記電荷収集電極と前記上部電極との間に電圧を印
加した状態でＸ線を照射すると、前記Ｘ線光導電層内に
潜像が形成されるＸ線光電変換器であって、前記電荷収
集電極と前記Ｘ線光導電層との間には下引層が配置さ
れ、前記下引層は、前記基板と、ＳｉＯ2を主成分とす
る成膜材料とを真空雰囲気に配置し、前記真空雰囲気で
前記成膜材料からＳｉＯ2粒子を放出させることによっ
て、前記基板上の前記電荷収集電極上に成膜されたＸ線
光電変換器である。請求項２記載の発明は、請求項１記
載のＸ線光電変換器であって、前記ＳｉＯ 2粒子は、真
空加熱蒸着法により前記真空雰囲気に放出されたＸ線光
電変換器である。請求項３記載の発明は、請求項１記載
のＸ線光電変換器であって、前記ＳｉＯ 2粒子は、スパ
ッタリング法により前記真空雰囲気に放出されたＸ線光
電変換器である。
【０００７】本発明は上記のように構成されており、下
引層の成膜に用いられる成膜材料はＳｉＯ2を主成分と
し、溶剤を含有しない。従って、本発明の下引層は緻密
なＳｉＯ2の膜であって、スピンコート法等により形成
したＳｉＯ2薄膜のように溶媒などの不純物が残留する
ことがない。尚、成膜材料に添加剤を添加することがで
き、例えば、添加剤として着色剤を添加すれば、下引層
を着色することができる。
引層の成膜に用いられる成膜材料はＳｉＯ2を主成分と
し、溶剤を含有しない。従って、本発明の下引層は緻密
なＳｉＯ2の膜であって、スピンコート法等により形成
したＳｉＯ2薄膜のように溶媒などの不純物が残留する
ことがない。尚、成膜材料に添加剤を添加することがで
き、例えば、添加剤として着色剤を添加すれば、下引層
を着色することができる。
【０００８】また、本発明では成膜材料から直接ＳｉＯ
2粒子が放出され、該ＳｉＯ2粒子が電荷収集電極上に堆
積することによって成膜される。従って、成膜材料とし
てシラン化合物を用い、該シラン化合物を重合させてＳ
ｉＯ2膜を成膜する場合のように、成膜材料を重合させ
る必要がなく、成膜の際に反応の副生成物が生じないの
で、得られるＳｉＯ2膜の膜質が優れている。
2粒子が放出され、該ＳｉＯ2粒子が電荷収集電極上に堆
積することによって成膜される。従って、成膜材料とし
てシラン化合物を用い、該シラン化合物を重合させてＳ
ｉＯ2膜を成膜する場合のように、成膜材料を重合させ
る必要がなく、成膜の際に反応の副生成物が生じないの
で、得られるＳｉＯ2膜の膜質が優れている。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の電界印加型Ｘ線光電変換
器の実施形態を以下に示すが、これに限定されるもので
はない。
器の実施形態を以下に示すが、これに限定されるもので
はない。
【００１０】図１の符号１１はＸ線光電変換器の製造に
用いられる真空加熱蒸着装置の一例を示している。真空
加熱蒸着装置１１は真空槽１２を有しており、真空槽１
２内の底壁側にはるつぼ又はボート等の容器１５が配置
されている。真空槽１２外部には真空排気系１４が設置
されている。
用いられる真空加熱蒸着装置の一例を示している。真空
加熱蒸着装置１１は真空槽１２を有しており、真空槽１
２内の底壁側にはるつぼ又はボート等の容器１５が配置
されている。真空槽１２外部には真空排気系１４が設置
されている。
【００１１】この真空加熱蒸着装置１１を用いてＸ線光
電変換器を製造するには、先ず、真空排気系１４を起動
して、真空槽１２内を真空排気し、該真空槽１２内に所
定真空度の真空雰囲気を形成する。
電変換器を製造するには、先ず、真空排気系１４を起動
して、真空槽１２内を真空排気し、該真空槽１２内に所
定真空度の真空雰囲気を形成する。
【００１２】次に、真空雰囲気を維持したまま、片面に
電荷収集電極２が形成されたガラスからなる基板１を真
空槽１２内に搬入し、電荷収集電極２が形成された面を
下に向けた状態で、該ガラス基板１を容器１５上方に配
置する。
電荷収集電極２が形成されたガラスからなる基板１を真
空槽１２内に搬入し、電荷収集電極２が形成された面を
下に向けた状態で、該ガラス基板１を容器１５上方に配
置する。
【００１３】容器１５内には二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）
粉末からなる成膜材料１７が予め収容されており、容器
１５に設けられた不図示の加熱手段に通電して容器１５
を昇温させ、容器１５内の成膜材料１７を加熱して成膜
材料１７を蒸発させ、真空雰囲気中にＳｉＯ2粒子を蒸
気として放出させる。真空雰囲気中に放出させたＳｉＯ
2粒子が電荷収集電極２表面に到達すると、電荷収集電
極２表面にケイ素酸化物（ＳｉＯ2）の薄膜からなる下
引層が形成される（真空加熱蒸着法）。
粉末からなる成膜材料１７が予め収容されており、容器
１５に設けられた不図示の加熱手段に通電して容器１５
を昇温させ、容器１５内の成膜材料１７を加熱して成膜
材料１７を蒸発させ、真空雰囲気中にＳｉＯ2粒子を蒸
気として放出させる。真空雰囲気中に放出させたＳｉＯ
2粒子が電荷収集電極２表面に到達すると、電荷収集電
極２表面にケイ素酸化物（ＳｉＯ2）の薄膜からなる下
引層が形成される（真空加熱蒸着法）。
【００１４】下引層が形成された状態の基板１を別の真
空加熱蒸着装置へ搬入し、成膜材料としてセレンを用い
て下引層３表面にセレン薄膜からなるＸ線光導電層を形
成した後、更に基板１を別の真空加熱蒸着装置へ搬入
し、成膜材料として金を用いてＸ線光導電層表面に金薄
膜からなる上部電極５を形成すると、本発明のＸ線光電
変換器が得られる。図２の符号１０は上部電極５が形成
された状態のＸ線光電変換器を示している。
空加熱蒸着装置へ搬入し、成膜材料としてセレンを用い
て下引層３表面にセレン薄膜からなるＸ線光導電層を形
成した後、更に基板１を別の真空加熱蒸着装置へ搬入
し、成膜材料として金を用いてＸ線光導電層表面に金薄
膜からなる上部電極５を形成すると、本発明のＸ線光電
変換器が得られる。図２の符号１０は上部電極５が形成
された状態のＸ線光電変換器を示している。
【００１５】以上は、Ｘ線光導電層４を下引層３表面に
形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば、図３に示すＸ線光電変換
器２０のように、下引層３の上に電荷輸送層６を設けて
もよい。また、図４に示すＸ線光電変換器３０のよう
に、Ｘ線光導電層４と上部電極５との間に電荷輸送層６
を設けることもできる。更に、図５に示すＸ線光電変換
器４０のように、上部電極５の上に保護層７を設けても
よい。更にまた、図６に示すＸ線光電変換器５０のよう
に、Ｘ線光導電層４と上部電極５との間に上引層８を設
けてもよい。
形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば、図３に示すＸ線光電変換
器２０のように、下引層３の上に電荷輸送層６を設けて
もよい。また、図４に示すＸ線光電変換器３０のよう
に、Ｘ線光導電層４と上部電極５との間に電荷輸送層６
を設けることもできる。更に、図５に示すＸ線光電変換
器４０のように、上部電極５の上に保護層７を設けても
よい。更にまた、図６に示すＸ線光電変換器５０のよう
に、Ｘ線光導電層４と上部電極５との間に上引層８を設
けてもよい。
【００１６】なお、特に図示はしないが、電荷輸送層６
と、保護層７と、上引層８とを同じＸ線光電変換器に設
けることもできる。本発明の下引層３は、上述した真空
加熱蒸着法のように、真空雰囲気で熱や電子ビーム、イ
オン衝突などのエネルギーを成膜材料であるＳｉＯ2に
与えることによって、該成膜材料からＳｉＯ2粒子を放
出させて形成される。
と、保護層７と、上引層８とを同じＸ線光電変換器に設
けることもできる。本発明の下引層３は、上述した真空
加熱蒸着法のように、真空雰囲気で熱や電子ビーム、イ
オン衝突などのエネルギーを成膜材料であるＳｉＯ2に
与えることによって、該成膜材料からＳｉＯ2粒子を放
出させて形成される。
【００１７】下引層３を形成する具体的方法としては、
真空加熱蒸着法以外にも、Ａｒガスのような不活性ガス
を基板１が配置された真空雰囲気中に導入し、該真空雰
囲気中で不活性ガスのプラズマを発生させてＳｉＯ2か
らなるターゲット（成膜材料）をスパッタリングして成
膜するスパッタリング法を用いることができる。
真空加熱蒸着法以外にも、Ａｒガスのような不活性ガス
を基板１が配置された真空雰囲気中に導入し、該真空雰
囲気中で不活性ガスのプラズマを発生させてＳｉＯ2か
らなるターゲット（成膜材料）をスパッタリングして成
膜するスパッタリング法を用いることができる。
【００１８】下引層３は透明でもよく着色されていても
よい。下引層３の膜厚は特に限定されないが０．１μｍ
以上１００μｍ以下が好ましい。また、上記のような方
法で得られたケイ素酸化物からなる下引層３は、電気抵
抗が高いもので、アモルファス状態でもよく結晶状態で
もよい。
よい。下引層３の膜厚は特に限定されないが０．１μｍ
以上１００μｍ以下が好ましい。また、上記のような方
法で得られたケイ素酸化物からなる下引層３は、電気抵
抗が高いもので、アモルファス状態でもよく結晶状態で
もよい。
【００１９】本発明の電荷収集電極２としては、金、ア
ルミニウム、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）などを用
いることができる。この電極２はＸ線照射領域を覆うよ
うに一様に形成してもよく、また、マトリクス状やスト
ライプ状に形成してもよい。また、ガラス基板１と電荷
収集電極２との間にトランジスタを設けたＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）としてもよい。
ルミニウム、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）などを用
いることができる。この電極２はＸ線照射領域を覆うよ
うに一様に形成してもよく、また、マトリクス状やスト
ライプ状に形成してもよい。また、ガラス基板１と電荷
収集電極２との間にトランジスタを設けたＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）としてもよい。
【００２０】本発明のＸ線光導電層４としては、Ｘ線を
電気変換する材料を用いる。この材料としては、セレ
ン、セレンテルル化合物、セレンヒ素化合物、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機材料
を用いることができ、セレン若しくはセレン化合物が好
ましい。
電気変換する材料を用いる。この材料としては、セレ
ン、セレンテルル化合物、セレンヒ素化合物、硫化カド
ミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機材料
を用いることができ、セレン若しくはセレン化合物が好
ましい。
【００２１】Ｘ線光導電層４は、用いる材料によって異
なるが、真空加熱蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどに
よって形成できる。形成されたＸ線光導電層４の膜厚
も、用いる材料によって異なるが、５０μｍ以上２００
０μｍ以下程度に形成する。
なるが、真空加熱蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどに
よって形成できる。形成されたＸ線光導電層４の膜厚
も、用いる材料によって異なるが、５０μｍ以上２００
０μｍ以下程度に形成する。
【００２２】本発明の上部電極５としては、金、アルミ
ニウム、ＩＴＯなどを用いることができる。また、上部
電極５の成膜方法は真空加熱蒸着法に限定されるもので
はなく、スパッタリング法等種々の方法で成膜すること
ができる。
ニウム、ＩＴＯなどを用いることができる。また、上部
電極５の成膜方法は真空加熱蒸着法に限定されるもので
はなく、スパッタリング法等種々の方法で成膜すること
ができる。
【００２３】本発明に用いることができる電荷輸送層６
は、ノイズの更なる低減効果がある。電荷輸送層６の材
料としては、三硫化二アンチモン、テルル化亜鉛カドミ
ウムなどの無機材料を用いることができる。また、電荷
移動性を示す有機材料を用いることもできる。
は、ノイズの更なる低減効果がある。電荷輸送層６の材
料としては、三硫化二アンチモン、テルル化亜鉛カドミ
ウムなどの無機材料を用いることができる。また、電荷
移動性を示す有機材料を用いることもできる。
【００２４】本発明に用いることができる保護層７及び
上引層８としては、有機または無機の高抵抗膜を用いる
ことができる。Ｘ線光導電層４としてセレンを用いる場
合は、セレンの結晶転移点温度以下で形成できるものが
好ましい。
上引層８としては、有機または無機の高抵抗膜を用いる
ことができる。Ｘ線光導電層４としてセレンを用いる場
合は、セレンの結晶転移点温度以下で形成できるものが
好ましい。
【００２５】また、Ｘ線を照射する位置も特に限定され
るものではなく、結果としてＸ線がＸ線光導電層４に到
達するのであれば、Ｘ線を上部電極５に対して照射して
も良いし、ガラス基板１に対して照射しても良い。
るものではなく、結果としてＸ線がＸ線光導電層４に到
達するのであれば、Ｘ線を上部電極５に対して照射して
も良いし、ガラス基板１に対して照射しても良い。
【００２６】
【実施例】以下、実施例によって本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
【００２７】＜実施例１＞ガラス基板１上に電荷収集電
極２としてＩＴＯをマトリックス形成したものを用意
し、それを真空加熱蒸着装置１１内に設置する。真空加
熱蒸着装置１１の容器１５に成膜材料１７であるＳｉＯ
2を各々散布し、真空状態にし、ＳｉＯ2を散布した容器
を１８００℃に加熱し、電荷収集電極２表面に膜厚１μ
ｍの下引層３を形成した。
極２としてＩＴＯをマトリックス形成したものを用意
し、それを真空加熱蒸着装置１１内に設置する。真空加
熱蒸着装置１１の容器１５に成膜材料１７であるＳｉＯ
2を各々散布し、真空状態にし、ＳｉＯ2を散布した容器
を１８００℃に加熱し、電荷収集電極２表面に膜厚１μ
ｍの下引層３を形成した。
【００２８】次いで、成膜材料としてセレンを用い、真
空加熱蒸着法により下引層３上に膜厚５００μｍのセレ
ン層（Ｘ線光導電層）４を成膜し、次いで成膜材料とし
て金を用い、真空加熱蒸着法によりＸ線光導電層４上に
膜厚０．１μｍの金薄膜（上部電極）５を形成し、実施
例１のＸ線光電変換器１０を作製した。
空加熱蒸着法により下引層３上に膜厚５００μｍのセレ
ン層（Ｘ線光導電層）４を成膜し、次いで成膜材料とし
て金を用い、真空加熱蒸着法によりＸ線光導電層４上に
膜厚０．１μｍの金薄膜（上部電極）５を形成し、実施
例１のＸ線光電変換器１０を作製した。
【００２９】＜比較例１＞実施例１において、下引層を
形成せずに電荷収集電極上に膜厚５００μｍのセレン層
と次いで膜厚０．１μｍの金薄膜を形成し、下引層を有
しない比較例１のＸ線光電変換器を作製した。
形成せずに電荷収集電極上に膜厚５００μｍのセレン層
と次いで膜厚０．１μｍの金薄膜を形成し、下引層を有
しない比較例１のＸ線光電変換器を作製した。
【００３０】＜比較例２＞ポリカーボネート１００容量
部を溶剤であるクロロホルム１００容量部に添加し、攪
拌しながらポリカーボネイトを溶解させ、下引層形成用
塗液とした。次に、ガラス基板上にＩＴＯをマトリック
ス形成した電荷収集電極の上に上記下引層形成用塗液を
塗り、これを１００℃で５時間加熱してクロロホルムを
蒸発させ、膜厚１μｍの透明なポリカーボネイト薄膜か
らなる下引層を形成した。更に、該下引層上に、実施例
１と同様にＸ線光導電層と上部電極とを成膜し、比較例
２のＸ線光電変換器を作製した。
部を溶剤であるクロロホルム１００容量部に添加し、攪
拌しながらポリカーボネイトを溶解させ、下引層形成用
塗液とした。次に、ガラス基板上にＩＴＯをマトリック
ス形成した電荷収集電極の上に上記下引層形成用塗液を
塗り、これを１００℃で５時間加熱してクロロホルムを
蒸発させ、膜厚１μｍの透明なポリカーボネイト薄膜か
らなる下引層を形成した。更に、該下引層上に、実施例
１と同様にＸ線光導電層と上部電極とを成膜し、比較例
２のＸ線光電変換器を作製した。
【００３１】＜比較例３＞上記実施例１で用いたＳｉＯ
2に変え、成膜材料としてＣｅＯ2を用いた以外は実施例
１と同じ条件で電荷収集電極上にＣｅＯ2からなる下引
層を形成した後、該下引層上に実施例１と同じ条件でＸ
線光導電層と上部電極とをそれぞれ成膜し、比較例３の
Ｘ線光電変換器を作成した。
2に変え、成膜材料としてＣｅＯ2を用いた以外は実施例
１と同じ条件で電荷収集電極上にＣｅＯ2からなる下引
層を形成した後、該下引層上に実施例１と同じ条件でＸ
線光導電層と上部電極とをそれぞれ成膜し、比較例３の
Ｘ線光電変換器を作成した。
【００３２】＜比較例４＞ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）１００容量部をテトラヒドロフラン１００
容量部でよく攪拌しながら溶解させた。これにシランカ
ップリング剤であるβ−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルトリメトキシシラン３０容量部を加えてよ
く混合し、溶液を調整し下引層形成用塗液とした。次
に、ガラス基板上にＩＴＯをマトリックス形成した電荷
収集電極に、上記下引層形成用塗液を塗り、これを１０
０℃で５時間加熱し、膜厚１μｍの透明な下引層を形成
した。尚、この反応では、シランカップリング剤の加水
分解による縮重合反応は起こらず、下引層はＳｉＯ2で
はなく、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシランを主成分とする。
（ＰＭＭＡ）１００容量部をテトラヒドロフラン１００
容量部でよく攪拌しながら溶解させた。これにシランカ
ップリング剤であるβ−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルトリメトキシシラン３０容量部を加えてよ
く混合し、溶液を調整し下引層形成用塗液とした。次
に、ガラス基板上にＩＴＯをマトリックス形成した電荷
収集電極に、上記下引層形成用塗液を塗り、これを１０
０℃で５時間加熱し、膜厚１μｍの透明な下引層を形成
した。尚、この反応では、シランカップリング剤の加水
分解による縮重合反応は起こらず、下引層はＳｉＯ2で
はなく、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシランを主成分とする。
【００３３】更に、この下引層上に実施例１と同じ条件
でＸ線光導電層と上部電極とを形成して比較例４のＸ線
光電変換器を作製した。尚、上記実施例１及び比較例２
〜４で作製されたＸ線光電変換器は図２に示したＸ線光
電変換器１０と同じ構造を有する。
でＸ線光導電層と上部電極とを形成して比較例４のＸ線
光電変換器を作製した。尚、上記実施例１及び比較例２
〜４で作製されたＸ線光電変換器は図２に示したＸ線光
電変換器１０と同じ構造を有する。
【００３４】＜評価＞実施例及び比較例１〜４で作製さ
れたＸ線光電変換器に対する評価項目を以下に示す。
れたＸ線光電変換器に対する評価項目を以下に示す。
【００３５】耐久性試験
Ｘ線光電変換器１０を図７に示すように回路接続し、Ｘ
線放射装置６１から上部電極５表面にＸ線６５を照射し
たまま、上部電極５に対し、１Ｖ／μｍ／時間で印加電
圧を上げ、放電破壊した電界値を測定し、耐久性試験と
した。この時のＸ線照射条件としては、Ｘ線管電圧１２
０ｋＶで線量は１８Ｒ／分である。
線放射装置６１から上部電極５表面にＸ線６５を照射し
たまま、上部電極５に対し、１Ｖ／μｍ／時間で印加電
圧を上げ、放電破壊した電界値を測定し、耐久性試験と
した。この時のＸ線照射条件としては、Ｘ線管電圧１２
０ｋＶで線量は１８Ｒ／分である。
【００３６】Ｓ／Ｎ比
Ｘ線光電変換器１０を図７に示すように回路接続し、電
界を１０Ｖ／μmとした場合に、Ｘ線を照射せずに暗所
１０分放置したときの電流値をノイズ電流値Ｎとし、１
８Ｒ／分のＸ線を照射をさせたときの電流値をシグナル
電流値Ｓとした。得られたシグナル電流値Ｓとノイズ電
流値Ｎの比（Ｓ／Ｎ比）を算出した。
界を１０Ｖ／μmとした場合に、Ｘ線を照射せずに暗所
１０分放置したときの電流値をノイズ電流値Ｎとし、１
８Ｒ／分のＸ線を照射をさせたときの電流値をシグナル
電流値Ｓとした。得られたシグナル電流値Ｓとノイズ電
流値Ｎの比（Ｓ／Ｎ比）を算出した。
【００３７】上記及びの試験の評価結果を下記表１
に示す。
に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】上記表１によると、ＳｉＯ2を真空加熱蒸
着で形成させてなるケイ素酸化物からなる下引層３が設
けられている実施例１のＸ線光電変換器１０は、耐久性
試験において２０Ｖ／μｍの電界を与えても放電破壊せ
ず、連続使用にも耐え得ることがわかった。また、Ｓ／
Ｎ比は４５００以上であり優れた特性を示すことがわか
った。
着で形成させてなるケイ素酸化物からなる下引層３が設
けられている実施例１のＸ線光電変換器１０は、耐久性
試験において２０Ｖ／μｍの電界を与えても放電破壊せ
ず、連続使用にも耐え得ることがわかった。また、Ｓ／
Ｎ比は４５００以上であり優れた特性を示すことがわか
った。
【００４０】一方、下引層を全く設けていない比較例１
やシラン化合物からなる下地層を設けた比較例４では、
耐久性試験においてそれぞれ１２Ｖ／μｍ、１５Ｖ／μ
ｍで放電破壊を起こし、また、Ｓ／Ｎ比も非常に小さ
く、ノイズ電流が大きく実用に耐えないことがわかっ
た。
やシラン化合物からなる下地層を設けた比較例４では、
耐久性試験においてそれぞれ１２Ｖ／μｍ、１５Ｖ／μ
ｍで放電破壊を起こし、また、Ｓ／Ｎ比も非常に小さ
く、ノイズ電流が大きく実用に耐えないことがわかっ
た。
【００４１】また、ポリカーボネートからなる下引層を
設けた比較例２及びＣｅＯ2からなる下引層を設けた比
較例３は、耐久性試験において１５Ｖ／μｍで放電破壊
を起こし高電界の印加に弱いことがわかった。
設けた比較例２及びＣｅＯ2からなる下引層を設けた比
較例３は、耐久性試験において１５Ｖ／μｍで放電破壊
を起こし高電界の印加に弱いことがわかった。
【００４２】尚、真空加熱蒸着法に変え、ＳｉＯ2から
なるターゲットを用いてスパッタリング法により下引層
３を形成したところ、耐久性とＳ／Ｎ比が上記実施例１
と同程度に優れたＸ線光電変換器１０が得られた。
なるターゲットを用いてスパッタリング法により下引層
３を形成したところ、耐久性とＳ／Ｎ比が上記実施例１
と同程度に優れたＸ線光電変換器１０が得られた。
【００４３】
【発明の効果】以上の結果より、真空中でＳｉＯ2にエ
ネルギーを与えて飛翔させて形成させてなるケイ素酸化
物からなる下引層が設けられている本発明のＸ線光電変
換器は、高電界印加に対する耐久性が高く、Ｓ／Ｎ比の
高い優れたＸ線光電変換器である。
ネルギーを与えて飛翔させて形成させてなるケイ素酸化
物からなる下引層が設けられている本発明のＸ線光電変
換器は、高電界印加に対する耐久性が高く、Ｓ／Ｎ比の
高い優れたＸ線光電変換器である。
【図１】本発明のＸ線光電変換器の製造に用いる真空加
熱蒸着装置の一例を示す断面図
熱蒸着装置の一例を示す断面図
【図２】本発明のＸ線光電変換器の第一例を示す断面図
【図３】本発明のＸ線光電変換器の第二例を示す断面図
【図４】本発明のＸ線光電変換器の第三例を示す断面図
【図５】本発明のＸ線光電変換器の第四例を示す断面図
【図６】本発明のＸ線光電変換器の第五例を示す断面図
【図７】寿命試験及びＳ／Ｎ比を測定するための回路接
続図
続図
１……ガラス基板
２……電荷収集電極
３……下引層
４……Ｘ線光導電層
５……上部電極
６……電荷輸送層
７……保護層
８……上引層
１０、２０、３０、４０、５０……Ｘ線光電変換器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 志村 陽一郎
山梨県甲府市宮原町1014番地 山梨電子工
業株式会社内
(72)発明者 鶴田 秀生
山梨県甲府市宮原町1014番地 山梨電子工
業株式会社内
Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG21 JJ05 JJ09
JJ32 JJ37 LL11
5F088 AA11 AB01 BA03 BA13 BB03
FA04 FA05 GA02 LA08
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に配置された電荷収集
電極と、前記電荷収集電極上に配置されたＸ線光導電層
と、前記Ｘ線光導電層上に配置された上部電極とを有
し、 前記電荷収集電極と前記上部電極との間に電圧を印加し
た状態でＸ線を照射すると、前記Ｘ線光導電層内に潜像
が形成されるＸ線光電変換器であって、 前記電荷収集電極と前記Ｘ線光導電層との間には下引層
が配置され、 前記下引層は、前記基板と、ＳｉＯ2を主成分とする成
膜材料とを真空雰囲気に配置し、前記真空雰囲気で前記
成膜材料からＳｉＯ2粒子を放出させることによって、
前記基板上の前記電荷収集電極上に成膜されたＸ線光電
変換器。 - 【請求項２】前記ＳｉＯ2粒子は、真空加熱蒸着法によ
り前記真空雰囲気に放出された請求項１記載のＸ線光電
変換器。 - 【請求項３】前記ＳｉＯ2粒子は、スパッタリング法に
より前記真空雰囲気に放出された請求項１記載のＸ線光
電変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328640A JP3913031B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | Ｘ線光電変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001328640A JP3913031B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | Ｘ線光電変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133576A true JP2003133576A (ja) | 2003-05-09 |
| JP3913031B2 JP3913031B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=19144673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001328640A Expired - Fee Related JP3913031B2 (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | Ｘ線光電変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3913031B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007137738A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujifilm Corp | 酸化物薄膜の製造方法および放射線画像検出器 |
| JP2008175709A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001328640A patent/JP3913031B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007137738A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fujifilm Corp | 酸化物薄膜の製造方法および放射線画像検出器 |
| JP2008175709A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3913031B2 (ja) | 2007-05-09 |
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