JP2001244492A

JP2001244492A - 放射線検出器

Info

Publication number: JP2001244492A
Application number: JP2000056713A
Authority: JP
Inventors: Masahito Sato; 正仁佐藤; Kazuhiko Shima; 和彦島
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd; Yamanashi Electronics Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd; Yamanashi Electronics Co Ltd
Priority date: 2000-03-02
Filing date: 2000-03-02
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】放射線感応層としてセレン層を用いている放
射線検出器の感度を向上させることである。【解決手段】基体３上にセレン層５と上部電極層６と
を形成してなる放射線検出器において、前記セレン層５
が所定の電気特性を有するセレン又はセレン合金を用い
て形成されたものであり、セレン又はセレン合金の電気
特性が以下の条件を満たすこと。（条件）６．７×１０^−３Ｐａ以下の真空度において、
アルミニウム板上にセレン又はセレン合金を１分間に５
μｍ以下の割合で２０分間蒸着し、膜厚６０〜７０μｍ
のセレン感光板を製作する。次いで、このセレン感光板
の表面を、暗中でコロナ放電により−７００〜−９００
ｖに帯電し、白熱電球を用いて３００ルクス秒の光量で
露光した時に、前記セレン感光板の残留電位が−２００
ｖ以下となること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、医療分野、工業分
野、さらには原子力分野などに用いられる放射線検出器
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】放射線（例えばＸ線）の検出器として
は、Ｘ線を光に変換した後に電気信号へ変換する間接変
換方式のものと、Ｘ線感応層に入射したＸ線を直ちに電
気信号に変換する直接変換方式のものなどがある。後者
の直接変換方式の検出器として、例えば図１に示したよ
うに、ガラス板１の上にＩＴＯ膜（ＩｎｄｉｕｍＴｉ
ｎＯｘｉｄｅ）を薄くスパッタリングして下部電極２を
形成し、ガラス板１と下部電極２とで構成される基体３
上にＸ線感応層としてのセレン層５を設け、さらにその
上に上部電極層６を設けた構造のものが知られている。
なお、符号４はグランド電極である。このような構造か
らなるＸ線検出器にあっては、下部電極２と上部電極層
６の間に電源７から直流電圧を印加し、その状態でＸ線
が上部電極層６の上方から照射されるとセレン層５中に
電荷（電子・正孔対）が発生し、下部電極２に集められ
た後にＸ線照射電流Ｉとして読み出される。

【０００３】また、直接変換方式の他の例として、図２
に示すように、ガラス板１上に約１００〜２００μｍ角
の画素９をマトリックス状に多数設けて基体とし、その
上に上述と同様のセレン層５と上部電極層６を設けた構
造のものもある。この基体には各画素９毎にＸ線を照射
したときに発生する電荷を収集する電荷収集電極１０
と、収集した電荷を蓄積する電荷蓄積コンデンサ１１
と、蓄積した電荷を読み取る電気的スイッチ機構として
の薄膜トランジスタ１２とが形成されている。このよう
な構造のＸ線検出器に電圧を印加しＸ線を照射すること
により、電荷収集電極１０に集められた電流により電荷
蓄積コンデンサ１１が充電され、ゲートドライバからス
イッチングライン１３を通して薄膜トランジスタ１２の
ゲート端子に電圧が印加されると、薄膜トランジスタ１
２がオン状態となる。すると前記電荷蓄積コンデンサ１
１に充電された電荷は、薄膜トランジスタ１２のソース
端子に接続されている読み出しライン１４を介して読み
取られることになる。

【０００４】ところで、上記の直接変換方式のＸ線検出
器は、Ｘ線を照射したとき高感度であることを要求され
るが、Ｘ線検出器の感度は、下部電極２に流れるＸ線照
射電流Ｉの多少によって決まり、多い方が高感度とな
る。また、X線は物質への透過性が強いためにセレン層
５の厚み方向の全域に渡って入り込み、電荷（電子・正
孔対）がセレン層５内の全域で発生する。従って、セレ
ン層５内では電子、正孔の両方の電荷が移動距離の大き
いこと（電荷の移動度の大きいことや電荷が移動中にト
ラップ（捕獲）されないこと）が高感度化のために必要
となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セレン
層５内に除去できない微量な不純物があると、電荷がセ
レン層５内にトラップされてしまい、結果的に移動距離
が短くなって感度が低下するといった問題がある。

【０００６】ところで、X線検出器におけるセレン層５
には、セレン単体又はセレンにテルルやヒ素などを添加
したセレン合金が利用される。セレン単体としては、通
常９９．９９％以上に精製された高純度セレンが使用さ
れているが、一口に高純度セレンと言っても、原料ロッ
トが異なるとその中に含まれていて除去できない微量な
不純物の種類や濃度に違いが生じ、結果的にX線検出器
の感度に違いが生じるおそれがある。また、セレンにヒ
素を添加したセレン・ヒ素合金を使うことでセレン層５
の耐熱性を良くした場合にも、母材（ヒ素を添加する前
のセレン）として用いられるセレンの中に含まれる微量
な不純物の種類によって感度に違いが生じてしまうとい
った問題がある。

【０００７】本願の発明者は、セレン単体及びセレン合
金の不純物濃度と感度との関係を調査したが、不純物量
が微量であるため相関を見い出せなかった。現状では厚
膜のセレン層を形成したX線検出器を製作し、これに電
圧を印加しX線を照射してみて感度の善し悪しを判断す
る程度であり、どのようなセレン単体やセレン合金を使
った時にＸ線検出器の感度がよくなるかについては明ら
かになっていない。

【０００８】そこで本発明の目的は、放射線検出器の感
度を向上させるためにはどのような電気特性を示すセレ
ンを使えばよいかを明らかにすると共に、そのセレンを
用いて放射線検出器のセレン層を形成することで、高感
度の放射線検出器を得ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る放射線検出器は、基体上にセレン層と
電極層とを形成してなる放射線検出器において、前記セ
レン層が所定の電気特性を有するセレン又はセレン合金
を用いて形成されたものであり、セレン又はセレン合金
の電気特性が以下の条件を満たすことを特徴とする。即
ち、６．７×１０^−３Ｐａ以下の真空度において、アル
ミニウム板上にセレン又はセレン合金を１分間に５μｍ
以下の割合で２０分間蒸着し、膜厚６０〜７０μｍのセ
レン感光板を製作する。次いで、このセレン感光板の表
面を、暗中でコロナ放電により−７００〜−９００ｖの
負の電位に帯電し、白熱電球を用いて３００ｌｘ・ｓの
光量で露光した時に、前記セレン感光板の残留電位が−
２００ｖ以下となることが条件である。

【００１０】本願の発明者は、鋭意検討した結果、放射
線検出器の感度が、セレン層内における電子の移動距離
の大きさに依存していることを見出した。そして、この
電子の移動距離の大きさを、アルミニウム板上に設けた
セレン層の残留電位の大きさで規定した。即ち、アルミ
ニウム板上に設けた膜厚６０〜７０μｍのセレン層を負
の電位に帯電し、これに露光した時の残留電位を−２０
０ｖ以下の小さい値に規定した。このことは、放射線照
射により発生した電荷（電子・正孔対）の中で、電子も
極めて移動距離の大きくなることを意味する。元々移動
距離の大きい正孔に加えて電子の移動距離も大きくなる
ことで、放射線検出器が高感度になるのである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る放射線検出器の実施形態をＸ線検出器について詳
細に説明する。Ｘ線検出器の基本構成は、図１及び図２
に示した従来のものとほとんど同じであるが、図１及び
図２の中で示されたセレン層５が、所定の電気特性を有
するセレン単体又はセレン合金により形成された点で異
なる。

【００１２】本発明に係るX線検出器で用いられる基体
としては、図１に示したようにガラス板１などの絶縁物
上に導電性の下部電極２を設けたものの他、アルミニウ
ム板などをそのまま導電性基体として用いる場合、また
図２に示したようにガラス板１などの絶縁物上に画素９
をマトリックス状に設けたものなどがある。また、セレ
ン層５は、所定の電気特性を有するものであれば、セレ
ン単体のみならず、セレンとヒ素、セレンとテルルなど
のセレン合金、さらにはナトリウム（Ｎａ）、リチウム
（Ｌｉ）などのアルカリ金属を添加した添加物セレンな
どによって形成することができる。

【００１３】上記基体上に形成されるセレン層５の膜厚
は、約２００〜１５００μｍの範囲が望ましい。膜厚が
２００μｍより薄いとＸ線に対する量子効率が下がって
十分な感度を得ることができない一方、１５００μｍよ
り厚くなるとセレン層５内でトラップされる電荷が多く
なり、Ｘ線に対する応答性が悪くなるからである。

【００１４】上部電極層６の材料としては、金、銀、ア
ルミニウム、ニッケル等の導電材があり、蒸着法などに
よって形成することができる。上部電極層６の厚みは、
０．０１〜３．０μｍの範囲が望ましい。

【００１５】図１に示した構造のＸ線検出器において
は、基体３とセレン層５との間に中間層を設けることも
できる。この中間層をポリカーボネート樹脂の有機膜で
形成した場合には、基体３に対するセレン層５の接着性
が向上する。また、中間層を酸化セリウム（ＣｅＯ_２）
などの無機膜によって形成した場合には、下部電極２か
らセレン層５への電荷注入を阻止することができ、暗電
流を低減する役目を果たす。さらに、セレン層５と上部
電極層６との間に中間層を設けてもよい。この中間層を
三硫化アンチモンの薄層で形成した場合には、上部電極
層６からセレン層５への電荷の注入が阻止されて暗電流
が低減する。

【００１６】次に、本発明におけるセレン又はセレン合
金が有する所定の電気特性について説明する。先ず、セ
レン感光板を製作するためのセレンの蒸着方法と残留電
位の測定方法を述べる。

【００１７】１．蒸着方法セレンの電気特性を知るために、アルミニウム板上にセ
レンを蒸着して、セレン感光板を製作する。図３に真空
蒸着装置１５を示す。この真空蒸着装置１５の真空槽１
６内の下部には蒸発源容器１７が配置され、その中に蒸
発源となるセレン粒子１８が散布される。蒸発源容器１
７の裏側には温度センサ１９が取り付けられ、セレン粒
子１８の温度制御を行なう。蒸発源容器１７の上方には
ステンレス支持体２０が設置され、その下面にアルミニ
ウム板２１が密着支持される。アルミニウム板２１と蒸
発源容器１７との距離は１７０ｍｍである。ステンレス
支持体２０は２枚のステンレス板２０ａ，２０ｂで構成
され、両者の間にはステンレス板２０ａ，２０ｂを加熱
するヒータ２２が挟持されている。また、ステンレス支
持体２０の下面には温度センサ２３が取り付けられ、ア
ルミニウム板２１の温度制御を行なう。

【００１８】上記アルミニウム板２１は、厚み１．２ｍ
ｍの市販品を大きさ５５mm×５５mmに切断して使用した
ものである。セレンを蒸着する表面は、表面粗さＲｚ
（十点平均粗さ）が０．４μｍ以下の平滑な面である。
このようなアルミニウム板２１として、例えば、純度９
９．８０％以上である住友金属製のＡ８５Ｈ２６ＬＦ
（商品名）がある。アルミニウム板２１の表面の油脂分
を取り除くために有機溶剤中で超音波洗浄するのが望ま
しい。

【００１９】上記蒸発源容器１７は、図４に示したよう
に、厚み０．２５ｍｍのステンレス材を用いて箱型に形
成したもので、上部が開放された直方体形状である。蒸
発源容器１７の両側の短辺には電源取付用の電極片２４
ａ，２４ｂが形成されている。蒸発源容器１７の大きさ
は長辺（Ｌ１）×短辺（Ｌ２）×深さ（Ｈ）が１４０mm
×４０mm×１０mmであり、また電極片２４ａ，２４ｂを
含めた全体の長辺（Ｌ３）は１８０ｍｍである。蒸発源
容器１７は前記電極片２４ａ，２４ｂを介して交流電流
によって加熱される。

【００２０】前記蒸発源容器１７の中に散布されるセレ
ン粒子１８の量は、アルミニウム板２１に蒸着されたセ
レンの膜厚が６０〜７０μｍの範囲となるように調整さ
れる。

【００２１】セレンを蒸着する際の蒸着速度（１分間当
たりのアルミニウム板へ付着するセレン層膜厚）を５μ
ｍ以下とし、かつ蒸着時間（蒸発源電源をオンにし、蒸
発源電源をオフにするまでの時間）を２０分間とし、こ
の間にセレンがほぼ全量蒸発するような一定の蒸発源温
度で行う。本実施形態では、セレン単体及びナトリウム
を添加したセレンでは２７０℃、セレン・テルル合金及
びセレン・ヒ素合金では２８０℃の一定温度で行った。
本発明ではこの蒸発源温度条件を、検査しようとするセ
レンについて予め見つけておき、その条件で蒸着するこ
とが必要である。但し、蒸着速度が５μｍ以上になった
り、蒸着時間２０分を経過してもセレンが蒸発源容器１
７の中に残っているときには、蒸発源温度を変更するこ
とで対応できる。

【００２２】セレン感光板を製作する際、蒸発源容器１
７に通電する初期電流は約９０Ａが適当であり、室温か
ら蒸発源温度に達するのに要する時間は約１〜４分であ
る。なお、立ち上がり時間が上述の範囲に入らないとき
には初期電流を変更することで対応できる。

【００２３】蒸発源容器１７の温度制御およびアルミニ
ウム板２１の温度制御は、前述したようにそれぞれの温
度センサ１９，２３で測定した値に基づいて行われる。
予め、ステンレス支持体２０とアルミニウム板２１との
温度の相関を取っておき、ステンレス支持体２０の温度
を制御することにより、アルミニウム板２１の温度を３
９〜４３℃に制御する。なお、蒸発源電源をオンにした
ときに、ステンレス板を加熱するヒータの電源をオフに
し、以後は加熱しない方法で行う。

【００２４】真空槽１６内の空気は油回転ポンプと油拡
散ポンプによって排気され、６．７×１０^−３Ｐａ（５
×１０^−５Torr）の真空度になった時点で蒸発源容器１
７の電源を入れて蒸着を開始する。アルミニウム板２１
に蒸着されたセレン層の膜厚は、５５ｍｍ×５５ｍｍの
アルミニウム板２１の中央で測定して６０〜７０μｍの
範囲に規定される。膜厚がこの範囲より大きいと残留電
位が高くなり、一方小さいと残留電位が低くなる傾向を
示すからである。膜厚６０〜７０μｍの範囲では残留電
位がほぼ同じである。

【００２５】アルミニウム板２１を取り付けるためのス
テンレス支持体２０は、縦×横×厚みの大きさが約１７
０mm×２００mm×４ｍｍであり、前述したように同一形
状の２枚のステンレス板２０ａ，２０ｂの間にシリコン
ラバー製のヒータ２２を挟持したものである。なお、ヒ
ータ２２がはシリコンラバーに限定されないのは勿論で
ある。

【００２６】２．残留電位の測定方法上記セレンが蒸着されたアルミニウム板（セレン感光
板）は安定化処理が行われ、所定時間放置した後、図５
及び図６に示したような測定装置２５によって残留電位
の測定が行われる。この測定装置２５は、セレン感光板
２６を載置する円形のターンテーブル２７を備える。タ
ーンテーブル２７は、中心軸Ａを回転中心として３．５
秒で１回転する。ターンテーブル２７の上方にはコロナ
帯電器２８が配置され、その下をセレン感光板２６が通
過した時にコロナ放電によってセレン表面が帯電する。
セレン感光板２６が表面電位計のプローブ２９の真下に
達したときターンテーブル２７が停止する。停止してか
ら５秒後の電位を露光前の帯電電位として測定する。そ
の直後に、図６に示すように前記プローブ２９の上方に
設けられた露光装置３０によって照射し、所定時間露光
した後の電位を残留電位とする。露光装置３０は白熱電
球を光源としており、白熱電球とプローブ２９との間に
設置されたシャッタ３１の開閉動作によって所定時間照
射する。

【００２７】上述した安定化処理の方法としては、セレ
ン感光体を暗中に２４時間放置した後、図５に示した測
定装置２５によって正帯電（約６００ｖ）と蛍光灯によ
る放電とを５０回繰り返すものである（蛍光灯はターン
テーブル２７上に配置してあるが、図示してない）。負
帯電は、安定化処理終了後、さらに暗中に２４時間放置
した後に測定される。測定時の雰囲気温度は約２４℃で
ある。露光前の帯電電位は、−７００〜−９００ｖの範
囲に設定される。この範囲より大きいと残留電位が高く
なり、反対に小さいと残留電位が低くなる傾向を示すか
らである。−７００〜−９００ｖの範囲では残留電位が
ほぼ同じである。

【００２８】露光装置３０から照射した時にセレン表面
における照度は５０ルクスである。照射を６秒間続ける
ことで３００ルクス秒の露光量となる。セレン層の電位
の測定は、光を透過するタイプのプローブ２９を用いた
表面電位計で測定する。露光装置３０の光源である白熱
電球は白色光であり、フィラメントの色温度は約２８５
０Ｋである。例えば一般照明用として用いられる白色塗
装電球があり、形式はＬｗ１００Ｖ５４Ｗなどである。

【００２９】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。（実施例１）前記の方法によりセレン感光板を製作し、
残留電位が−１０ｖであったセレンを用いる。一方、大
きさ１００ｍｍ×１００mm、厚さ０．７ｍｍのガラス板
（コーニング社製製品番号７０５９）の上に薄いＩＴ
Ｏ膜からなる大きさ６０ｍｍ×６０mmの下部電極を形成
して基体とした。この基体上に残留電位が−１０ｖであ
る上述のセレンを用いて、真空度６．７×１０^−３Ｐａ
（５×１０^−５Torr）以下で、大きさ８０mm×８０ｍｍ
のセレン層を５００μｍの厚みに形成した。この時の蒸
発源温度は２９０℃、基体の温度は５５〜６０℃、蒸着
時間は約４．５時間であった。さらに、その上に真空蒸
着によって大きさ６０mm×６０ｍｍの金層を０．１μｍ
の厚みに形成して上部電極層とし、図１に示したような
Ｘ線検出器を作製した。なお、前記上部電極層６は、セ
レン層５を挟んで下部電極２と対向する位置にある。

【００３０】（実施例２）上記実施例１におけるセレン
に代えて、残留電位が−４０ｖであるセレンを用いた他
は、実施例１と同様な方法でX線検出装置を作製した。

【００３１】（実施例３）上記実施例１におけるセレン
に代えて、残留電位が−８０ｖであるセレンを用いた他
は、実施例１と同様な方法でX線検出装置を作製した。

【００３２】（実施例４）上記実施例１におけるセレン
に代えて、残留電位が−２００ｖであるセレンを用いた
他は、実施例１と同様な方法でX線検出装置を作製し
た。

【００３３】（実施例５）上記実施例１におけるセレン
に代えて、残留電位が−５０ｖであるセレン・ヒ素合金
（ヒ素濃度０．１重量％）を用い、また蒸発源温度を３
００℃にした他は、実施例１と同様な方法でX線検出器
を作製した。

【００３４】（実施例６）上記実施例１におけるセレン
に代えて、残留電位が−６０ｖであるナトリウムを添加
したセレン（ナトリウム濃度７０ｐｐｍ）を用いた他
は、実施例１と同様な方法でX線検出器を作製した。

【００３５】（実施例７）上記実施例１におけるセレン
に代えて、残留電位が−９０ｖであるセレン・テルル合
金（テルル濃度０．５重量％）を用いた他は、実施例１
と同様な方法でX線検出器を作成した。

【００３６】（実施例８）上記実施例２における基体の
代わりに、ガラス板の大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍ
で、その上に画素をマトリックス状（画素サイズ１５０
μｍ角）に設けた基体を使用した他は、実施例２と同様
な方法で図2に示すX線検出器を作製した。各画素９は、
入射したＸ線によりセレン層５に発生した電荷を収集す
るＩＴＯよりなる電荷収集電極１０と、収集した電荷を
蓄積する電荷蓄積コンデンサ１１と、蓄積した電荷を読
み取る電気的スイッチである薄膜トランジスタ１２とを
有する。

【００３７】（実施例９）上記実施例３における基板の
代わりに、ガラス板の大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍ
で、その上に画素をマトリックス状（画素サイズ１５０
μｍ角）に設けた基体を使用した他は、実施例３と同様
な方法でX線検出器を作製した。

【００３８】（実施例１０）上記実施例２において、セ
レン層と上部電極層との間に厚み約０．１μｍの三硫化
アンチモン層を中間層して設けた他は、実施例２と同様
な方法でX線検出器を作製した。

【００３９】（実施例１１）上記実施例２において、セ
レン層の膜厚を１０００μｍとした他は、実施例２と同
様な方法でX線検出器を作製した。

【００４０】

【比較例】（比較例１）上記実施例１におけるセレンに
代えて、残留電位が−２５０ｖであるセレンを用いた他
は、実施例１と同様な方法でX線検出器を作製した。

【００４１】（比較例２）上記実施例１におけるセレン
に代えて、残留電位が−４５０ｖであるセレンを用いた
他は、実施例１と同様な方法でX線検出器を作製した。

【００４２】（比較例３）上記実施例５におけるセレン
に代えて、残留電位が−２５０ｖであるセレン・ヒ素合
金（ヒ素濃度０．１重量％）を用いた他は、実施例５と
同様な方法でX線検出器を作製した。

【００４３】上記の実施例１〜１１及び比較例１〜３の
基礎となったセレン感光板の膜厚、帯電電位、残留電位
などセレン感光板における電気特性の結果を表１に示
す。また、実施例１〜１１及び比較例１〜３におけるＸ
線検出器に対して、上部電極層と基体との間にセレン層
５の膜厚１μｍ当たり７ｖの電圧を印加して、暗電流
（Ｘ線を照射しないときの電流で電圧を印加して５分経
過した後の値）と上部電極層６の上方からＸ線を管電圧
８０Ｋｖで１７００ｍR／分の線量で照射したときのＸ
線照射電流を測定した。なお、電圧を印加する際、上部
電極層５に正（＋）極性の電圧を印加し、また電流値は
単位面積に換算した。Ｘ線検出器における電気特性の結
果を表１に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】上記の表より、実施例１１を除いたセレン
層の膜厚５００μｍのＸ線検出器で比較すると、本発明
のＸ線検出器は、比較例のＸ線検出器と比べて２倍以上
のＸ線照射電流が得られ高感度である。一方暗電流は、
比較例のＸ線検出器と比べて同等である。従って、Ｘ線
検出器のＳ／Ｎ比（Ｘ線照射電流Ｓと暗電流Ｎとの比）
も大きくなる。

【００４６】なお、上述の実施形態はＸ線検出器での場
合について述べたが、本発明はこれに限定されるもので
なく、一般の放射線検出器にも適用できるものである。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る放射
線検出器によれば、上述した所定の電気特性を持つセレ
ン又はセレン合金を放射線感応層として用いたので、高
感度でＳ／Ｎ比の大きい放射線検出器が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＸ線検出器の一実施形態を示す概
念図である。

【図２】本発明に係るＸ線検出器の他の実施形態を示す
概念図である。

【図３】セレン感光板を製作する真空蒸着装置の概略図
である。

【図４】セレン粒子を収容する蒸発源容器の概略図であ
る。

【図５】感光板の電気特性を測定する機器の平面概念図
である。

【図６】感光板の電気特性を測定する機器の正面概念図
である。

【符号の説明】

１ガラス板２下部電極３基体５セレン層６上部電極層９画素１０電荷収集電極１１電荷蓄積容量１２薄膜トランジスタ１３スイッチングライン１５真空蒸着装置１７蒸発源容器２１アルミニウム板２６セレン感光板３０露光装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者島和彦山梨県甲府市宮原町1014番地山梨電子工業株式会社内Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE27 FF02 GG21 JJ05 JJ37 LL11 LL15 4M118 AA01 AB10 BA05 CA15 CB05 CB14 EA01 FB09 FB13 FB16 GA10 5F088 AA20 AB01 BA01 BA03 BB06 BB07 BB10 CA05 EA02 GA02 LA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上にセレン層と電極層とを形成して
なる放射線検出器において、前記セレン層が所定の電気特性を有するセレン又はセレ
ン合金を用いて形成されたものであり、セレン又はセレ
ン合金の電気特性が以下の条件を満たすことを特徴とす
る放射線検出器。（条件）６．７×１０^−３Ｐａ以下の
真空度において、アルミニウム板上にセレン又はセレン
合金を１分間に５μｍ以下の割合で２０分間蒸着し、膜
厚６０〜７０μｍのセレン感光板を製作する。次いで、
このセレン感光板の表面を、暗中でコロナ放電により−
７００〜−９００ｖに帯電し、白熱電球を用いて３００
ルクス秒の光量で露光した時に、前記セレン感光板の残
留電位が−２００ｖ以下となること。