JPH0193165A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH0193165A JPH0193165A JP62250426A JP25042687A JPH0193165A JP H0193165 A JPH0193165 A JP H0193165A JP 62250426 A JP62250426 A JP 62250426A JP 25042687 A JP25042687 A JP 25042687A JP H0193165 A JPH0193165 A JP H0193165A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
- H04N1/0316—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes illuminating the scanned image elements through the plane of the photodetector, e.g. back-light illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0313—Direct contact pick-up heads, i.e. heads having no array of elements to project the scanned image elements onto the photodectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はファクシミリ等で使用する密着型イメージセン
サに関する。
サに関する。
従来ファクシミリ等に使用される光電変換素子による読
み取り系は、第１図に示すようにＩＣ技術等で製造され
るＭＯＳやＣＣＤ等のイメージセンサ１を用い、原稿２
を蛍光灯３で照明し、その反射光を縮小光学系４によっ
て前記イメージセンサ１上に縮小結像して、光電変換す
る方法を行なっている。
み取り系は、第１図に示すようにＩＣ技術等で製造され
るＭＯＳやＣＣＤ等のイメージセンサ１を用い、原稿２
を蛍光灯３で照明し、その反射光を縮小光学系４によっ
て前記イメージセンサ１上に縮小結像して、光電変換す
る方法を行なっている。
この方法は、縮小光学系４を使用するため縮率が大きい
場合、原稿２からイメージセンサ１までの光路長が大き
くなり装置の小形化に不利であること、又、縮小光学系
Ａに使用されるレンズの特性上縮小結像の周辺画像の分
解能が低下すること、および周辺画像の光量が低下しＳ
／Ｎが悪い等の欠点を有していた。
場合、原稿２からイメージセンサ１までの光路長が大き
くなり装置の小形化に不利であること、又、縮小光学系
Ａに使用されるレンズの特性上縮小結像の周辺画像の分
解能が低下すること、および周辺画像の光量が低下しＳ
／Ｎが悪い等の欠点を有していた。
このため、第２図に示すように原稿２と１＝１に対応す
る大きさのイメージセンサ５を用い、蛍光灯３あるいは
ＬＥＤアレイ等によってイメージセンサ５を通して原稿
２を照明し、反射光を再びイメージセンサ５が受光し光
電変換するものが提案されている。
る大きさのイメージセンサ５を用い、蛍光灯３あるいは
ＬＥＤアレイ等によってイメージセンサ５を通して原稿
２を照明し、反射光を再びイメージセンサ５が受光し光
電変換するものが提案されている。
第３図はこのイメージセンサ５の側断面図、第４図は正
面拡大図を示しているにの方法は、透光性絶縁基板６の
上に採光窓１７を有する不透光性金属膜７を形成し、さ
らに透光性絶縁膜８を形成する。この上に採光窓１７を
有する下部電極９を形成し、この上に光電変換層１０．
透明導電膜１１を分離形成する。その後、層間絶縁膜１
２を形成し、透明導電膜１１とスルーホール部を介して
上部引出し電極１３を形成する。最後にパッシベーショ
ン膜１４を形成し、透光性耐摩耗板１６を接着層１５に
より固定する。
面拡大図を示しているにの方法は、透光性絶縁基板６の
上に採光窓１７を有する不透光性金属膜７を形成し、さ
らに透光性絶縁膜８を形成する。この上に採光窓１７を
有する下部電極９を形成し、この上に光電変換層１０．
透明導電膜１１を分離形成する。その後、層間絶縁膜１
２を形成し、透明導電膜１１とスルーホール部を介して
上部引出し電極１３を形成する。最後にパッシベーショ
ン膜１４を形成し、透光性耐摩耗板１６を接着層１５に
より固定する。
この場合には、蛍光灯３より出た照明光は、前記採光窓
１７を通して、透光性耐摩耗板１６に密着された原稿で
反射され、その反射光が透明導電膜１１を通して、光電
変換層１０に入り下部電極９及び上部引出し電極１３の
間で信号として読み取ることができる。したがって、原
稿とイメージセンサ間の距離は、縮小光学系を用いた場
合に較べて大幅に短縮され全体として小型化出来る利点
がある。又、原稿と１＝１に対応するイメージセンサで
あることにより、原稿の周辺部での分解能の低下もない
。
１７を通して、透光性耐摩耗板１６に密着された原稿で
反射され、その反射光が透明導電膜１１を通して、光電
変換層１０に入り下部電極９及び上部引出し電極１３の
間で信号として読み取ることができる。したがって、原
稿とイメージセンサ間の距離は、縮小光学系を用いた場
合に較べて大幅に短縮され全体として小型化出来る利点
がある。又、原稿と１＝１に対応するイメージセンサで
あることにより、原稿の周辺部での分解能の低下もない
。
しかし、受光面と原稿２を密着し読み取るため、照明用
光源３はセンサの裏面に設け、採光窓１７を通して原稿
２と照明するため、光電変換層１０に照明光が直接入射
することを防止するための不透光性金属膜７を設ける必
要がある。
光源３はセンサの裏面に設け、採光窓１７を通して原稿
２と照明するため、光電変換層１０に照明光が直接入射
することを防止するための不透光性金属膜７を設ける必
要がある。
この場合第４図に示す様に透光性絶縁基板６の上に不透
光性金属膜７を採光窓１７を設けて一体化で形成し、そ
の上に透光性絶縁膜８を形成する。その上に下部電極９
．光電変換層ｌＯ１透明導電膜１１、層間絶縁膜１２、
上部引出し電極１３を順次形成し、最後にパッシベーシ
ョン膜１４を形成後透光性耐摩耗板１６を接着層１５に
より固定したイメージセンサは、不透光性金属膜７と透
光性絶縁膜８を介して下部電極９により浮遊容量が形成
される。イメージセンサを長尺化した場合において、こ
の寄生容量の影響によって信号出力の低下、雑音の増加
、又、クロストークの増大等、センサ特性を悪化させる
大きな要因となっている。
光性金属膜７を採光窓１７を設けて一体化で形成し、そ
の上に透光性絶縁膜８を形成する。その上に下部電極９
．光電変換層ｌＯ１透明導電膜１１、層間絶縁膜１２、
上部引出し電極１３を順次形成し、最後にパッシベーシ
ョン膜１４を形成後透光性耐摩耗板１６を接着層１５に
より固定したイメージセンサは、不透光性金属膜７と透
光性絶縁膜８を介して下部電極９により浮遊容量が形成
される。イメージセンサを長尺化した場合において、こ
の寄生容量の影響によって信号出力の低下、雑音の増加
、又、クロストークの増大等、センサ特性を悪化させる
大きな要因となっている。
又、不透光性金属膜７と下部電極９の対向する面積が大
きいため、透光性絶縁膜８のピンホール等によるショー
トの発生率も高く１歩留りが悪い等の欠点を有していた
。
きいため、透光性絶縁膜８のピンホール等によるショー
トの発生率も高く１歩留りが悪い等の欠点を有していた
。
本発明はファクシミリ等に使用される光電変換素子によ
る読み取り系の小型化を目指し、原稿と寸法的に１：１
に対応する大きさのイメージセンサに関するものであり
、信号出力の増大、低ノイズ化、又低クロストーク等の
センサ特性を向上し、忠実な画像読み取りを可能とした
イメージセンサを提供することを目的としている。
る読み取り系の小型化を目指し、原稿と寸法的に１：１
に対応する大きさのイメージセンサに関するものであり
、信号出力の増大、低ノイズ化、又低クロストーク等の
センサ特性を向上し、忠実な画像読み取りを可能とした
イメージセンサを提供することを目的としている。
本発明は透明基板上に不透光性金属膜および透光性絶縁
膜を設け、この上に順次下部電極、光電変換膜、透明導
電膜および上部引出し電極を設け、この上に透光性耐摩
耗層を形成した密着型イメージセンサにおいて、前記不
透光性金属膜が前記下部電極同志の間及び上記引出し電
極同志の間を遮光するように個別化して設けられたこと
を特徴とするものである。
膜を設け、この上に順次下部電極、光電変換膜、透明導
電膜および上部引出し電極を設け、この上に透光性耐摩
耗層を形成した密着型イメージセンサにおいて、前記不
透光性金属膜が前記下部電極同志の間及び上記引出し電
極同志の間を遮光するように個別化して設けられたこと
を特徴とするものである。
以下、図面についてこの発明の詳細な説明する。
第５図、第６図および第７図は本発明の一実施例を示す
ものであり第５図は平面拡大図、第６図は第５図のＸ、
−Ｘユ゛間の断面図、第７図は第５図のｘ、 −ｘ、’
間の断面図を示すものである。
ものであり第５図は平面拡大図、第６図は第５図のＸ、
−Ｘユ゛間の断面図、第７図は第５図のｘ、 −ｘ、’
間の断面図を示すものである。
例えばパイレックス（コーニング・グラス社商品名）又
は石英等の耐熱ガラスのような透光性絶縁基板６の上に
Ｃｒ又はＮ ｉ Ｃｒ 、Ｗ、Ｍ 。
は石英等の耐熱ガラスのような透光性絶縁基板６の上に
Ｃｒ又はＮ ｉ Ｃｒ 、Ｗ、Ｍ 。
等の不透光性金属膜７を１０００〜１５００人程度、蒸
着又は大黒ッタリング法等により被着し、フォトリソグ
ラフィー技術によって、下部電極９及び上部引出し電極
１３の配線パターン幅より５〜１０μ鴇広く、７ａ〜７
ｅの様に面別化し、不透光性金属膜７８〜７ｅと形成す
る。つぎに５ｉｎ２あるいはＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ、Ｎ４
等の透光性絶縁膜８をスパッタリング又はプラズマＣＶ
Ｄ法により２〜３μｍの厚さに形成する。続いて、Ｃｒ
又はＮｉＣｒ等の金属膜を１０００〜１５００人程度蒸
着又はス大黒タリング法等により被着し、フォトリソゲ
ラフイー技術によって、下部電極９を採光窓１７を設け
て形成する。この時不透光性金属膜７８〜７ｅと、下部
電極９が透光性絶縁膜８を介して重なり合う部分は５〜
１０μｍとなる様にする。続いて、光電変換層１０とし
てａ−８Ｌ等の多層膜をプラズマＣＶＤ法等により５０
００人〜２μ程度に被着し、さらに透明導電膜１１とし
てＩＴＯあるいは８．０２等をスパッタリングあるいは
蒸着法により（７５０〜１５００人程度に）被着大黒フ
ォトリソグラフィー技術によって透明導電膜１１および
光電変換層１０を、下部電極９上に個別分離形成する。
着又は大黒ッタリング法等により被着し、フォトリソグ
ラフィー技術によって、下部電極９及び上部引出し電極
１３の配線パターン幅より５〜１０μ鴇広く、７ａ〜７
ｅの様に面別化し、不透光性金属膜７８〜７ｅと形成す
る。つぎに５ｉｎ２あるいはＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ、Ｎ４
等の透光性絶縁膜８をスパッタリング又はプラズマＣＶ
Ｄ法により２〜３μｍの厚さに形成する。続いて、Ｃｒ
又はＮｉＣｒ等の金属膜を１０００〜１５００人程度蒸
着又はス大黒タリング法等により被着し、フォトリソゲ
ラフイー技術によって、下部電極９を採光窓１７を設け
て形成する。この時不透光性金属膜７８〜７ｅと、下部
電極９が透光性絶縁膜８を介して重なり合う部分は５〜
１０μｍとなる様にする。続いて、光電変換層１０とし
てａ−８Ｌ等の多層膜をプラズマＣＶＤ法等により５０
００人〜２μ程度に被着し、さらに透明導電膜１１とし
てＩＴＯあるいは８．０２等をスパッタリングあるいは
蒸着法により（７５０〜１５００人程度に）被着大黒フ
ォトリソグラフィー技術によって透明導電膜１１および
光電変換層１０を、下部電極９上に個別分離形成する。
この時透明導電膜１１は光電変換膜１０より５μ程度小
さく形成した方が良い。
さく形成した方が良い。
次に光電変換層１０の端面保護の層間絶縁膜１２として
、５ｉｎ２あるいはＳ ｉ Ｏｘ Ｎ ｙ ｇ ８１３
Ｎ ４等の透光性層間絶縁膜１２をスパッタリング又
はプラズマＣＶＤ法により３０００〜５ｏｏｏ人被着し
、フォトリソグラフィー技術によって前記透明導電膜１
１と接続するためのスルーホールを形成する。
、５ｉｎ２あるいはＳ ｉ Ｏｘ Ｎ ｙ ｇ ８１３
Ｎ ４等の透光性層間絶縁膜１２をスパッタリング又
はプラズマＣＶＤ法により３０００〜５ｏｏｏ人被着し
、フォトリソグラフィー技術によって前記透明導電膜１
１と接続するためのスルーホールを形成する。
続いて上部引出し電極１３として−Ｃｒ−Ａ Ｑ ｇ
Ｃｒ−ＡＲ−８ｉ−Ｃｕ等の多層金属膜を１０００人〜
１μ程度被着し、フォトリソグラフィー技術により形成
する。この時、不透光性金属膜７８〜７ｅと上部引出し
電極１３が透光性層間絶縁膜１２及び透光性絶縁膜８を
界して重なり合う部分は５〜１０μｍとなる様にする。
Ｃｒ−ＡＲ−８ｉ−Ｃｕ等の多層金属膜を１０００人〜
１μ程度被着し、フォトリソグラフィー技術により形成
する。この時、不透光性金属膜７８〜７ｅと上部引出し
電極１３が透光性層間絶縁膜１２及び透光性絶縁膜８を
界して重なり合う部分は５〜１０μｍとなる様にする。
続いてパッシベーション膜１４としてＳｉｏ□あるいは
ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ、Ｎ４等の透光性絶縁膜をスパッタ
リング又はプラズマＣＶＤ法により１〜２μｍ被着形成
する。最後に透光性耐摩耗板１６として２０〜１００μ
ｍ程度の薄板ガラスに５１３Ｎ４あるいはＢＮ等の硬質
膜を１〜２μｍ程度プラズマＣＶＤ法等により被着し、
接着層１５として透明エポキシ樹脂系又は透明アクリル
樹脂系の接着剤を用いて前記パッシベーション膜１４の
上に形成する。
ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ、Ｎ４等の透光性絶縁膜をスパッタ
リング又はプラズマＣＶＤ法により１〜２μｍ被着形成
する。最後に透光性耐摩耗板１６として２０〜１００μ
ｍ程度の薄板ガラスに５１３Ｎ４あるいはＢＮ等の硬質
膜を１〜２μｍ程度プラズマＣＶＤ法等により被着し、
接着層１５として透明エポキシ樹脂系又は透明アクリル
樹脂系の接着剤を用いて前記パッシベーション膜１４の
上に形成する。
以上の方法により形成された密着形イメージセンサは、
第６図及び第７図に示す様に蛍光灯３より原稿２を照明
する光は、第６図においては採光窓１６を通して原稿２
を照明し反射光が得られ下部電極９同志の間は不透光性
金属膜７ａ〜７ｅによって遮光される。
第６図及び第７図に示す様に蛍光灯３より原稿２を照明
する光は、第６図においては採光窓１６を通して原稿２
を照明し反射光が得られ下部電極９同志の間は不透光性
金属膜７ａ〜７ｅによって遮光される。
又、第７゛図においては、下部電極９と、不透光性金属
膜７ａ〜７ｅによって遮光される。又、同様に一部は上
部引出し電極１３と不透光性金属膜７ａ〜７ｅによって
遮光されるため、蛍光灯３より原稿２を照明する光は採
光窓１６からのみ原稿２へ照射されることとなる。
膜７ａ〜７ｅによって遮光される。又、同様に一部は上
部引出し電極１３と不透光性金属膜７ａ〜７ｅによって
遮光されるため、蛍光灯３より原稿２を照明する光は採
光窓１６からのみ原稿２へ照射されることとなる。
本発明の実施例においては、下部電極９とセンサ１ビツ
ト毎に個別化した場合について説明したが下部電極９を
例えば６４ビツト毎に共通−体化し、不透光性金属膜７
ａ〜７ｅを６４ビツト毎に設けても良い。この様な共通
一体化のビット数と、不透光性金属膜７８〜７ｅの数は
、光電変換層１０の光電変換特性と、センサ信号読み取
り回路特性により最適な値を選ぶ必要がある。
ト毎に個別化した場合について説明したが下部電極９を
例えば６４ビツト毎に共通−体化し、不透光性金属膜７
ａ〜７ｅを６４ビツト毎に設けても良い。この様な共通
一体化のビット数と、不透光性金属膜７８〜７ｅの数は
、光電変換層１０の光電変換特性と、センサ信号読み取
り回路特性により最適な値を選ぶ必要がある。
又、本発明の実施例においては、下部電極９と、透光性
層間絶縁膜８と上部電極１３との間で容量成分を持たせ
た構造を示しているが、これは光電変換特性向上のため
の付加容量を形成したもので下部電極９と上部電極１３
との対向面積及び透光性層間絶縁膜１２の膜厚、誘電率
によって最適化される。
層間絶縁膜８と上部電極１３との間で容量成分を持たせ
た構造を示しているが、これは光電変換特性向上のため
の付加容量を形成したもので下部電極９と上部電極１３
との対向面積及び透光性層間絶縁膜１２の膜厚、誘電率
によって最適化される。
さらに本発明の実施例においては、光電変換層１０を直
接下部電極９上に被着形成した場合について説明したが
、主走査方向又、副走査方向のＭＴＦ向上のため、セン
サ受光面積を規定する上で、下部電極９上に透光性絶縁
膜１２と同質膜を３０００〜５０００人程度被着形成し
大黒変換層１０を形成する位置にスルーホールを形成し
、下部電極９を露出させ、その上に光電変換層１０を形
成することによりセンサ受光面積がスルーホール開孔部
により規定されるため、ＭＴＦの向上さらに白波形平坦
度も向上する。
接下部電極９上に被着形成した場合について説明したが
、主走査方向又、副走査方向のＭＴＦ向上のため、セン
サ受光面積を規定する上で、下部電極９上に透光性絶縁
膜１２と同質膜を３０００〜５０００人程度被着形成し
大黒変換層１０を形成する位置にスルーホールを形成し
、下部電極９を露出させ、その上に光電変換層１０を形
成することによりセンサ受光面積がスルーホール開孔部
により規定されるため、ＭＴＦの向上さらに白波形平坦
度も向上する。
又、本発明の実施例においては、透明導電膜１１より直
接上部引出し電極を層間絶縁膜１２のスルーホールより
接続する方法について説明したが、層間絶縁膜１２のス
ルーホールのフォトリソエツチング時に透明導電膜１１
がダメージを受ける場合がありこの場合、透明導電膜１
１のスルーホール開孔部にバリア金属としてＣｒ、Ｍｏ
、Ｗ等の金属薄膜を形成しておくことによりダメージ防
止を図ることができる。
接上部引出し電極を層間絶縁膜１２のスルーホールより
接続する方法について説明したが、層間絶縁膜１２のス
ルーホールのフォトリソエツチング時に透明導電膜１１
がダメージを受ける場合がありこの場合、透明導電膜１
１のスルーホール開孔部にバリア金属としてＣｒ、Ｍｏ
、Ｗ等の金属薄膜を形成しておくことによりダメージ防
止を図ることができる。
この様に形成された密着型イメージセンサは従来不透光
性金属７と透光性絶縁膜８を界して下部電極９により浮
遊容量が形成されることによる信号出力の低下、雑音の
増加がその不透光性金属７ａ〜７ｅと透光性絶縁膜８を
かいして下部電極９との重なり部分を５〜ｌＯμｍ程度
と小さくすることで浮遊容量を激減することができ、信
号出力の増大、雑音の低下を図ることができた。
性金属７と透光性絶縁膜８を界して下部電極９により浮
遊容量が形成されることによる信号出力の低下、雑音の
増加がその不透光性金属７ａ〜７ｅと透光性絶縁膜８を
かいして下部電極９との重なり部分を５〜ｌＯμｍ程度
と小さくすることで浮遊容量を激減することができ、信
号出力の増大、雑音の低下を図ることができた。
又、不透光性金属膜７８〜７ｅを、下部電極９間で個別
化し形成したことで下部電極間のクロストークが低減し
、ＭＴＦ等イメージセンサ特性が向上した。
化し形成したことで下部電極間のクロストークが低減し
、ＭＴＦ等イメージセンサ特性が向上した。
さらに不透光性金属膜７ａ〜７ｅと下部電極９の対向す
る面積が小さくなったことにより透光性絶縁膜８のピン
ホール等によるショートが激減し、歩留りが向上した。
る面積が小さくなったことにより透光性絶縁膜８のピン
ホール等によるショートが激減し、歩留りが向上した。
第１図は従来のファクシミリ等の読み取り系の斜視図、
第２図は縮小光学系を使用しない密着型読み取り系の構
成を示す斜視図、第３図は従来の密着型イメージセンサ
の副走査方向の要部側断面図、第４図は従来の密着型イ
メージセンサの要部正面拡大図、第５図は本発明の一実
施例の要部正面拡大図、第６図は第５図のｘｌ−Ｘ１′
の主走査方向の側断面図、第７図は第５図のｘ、 −ｘ
、’の主走査方向の側断面図である。 １・・・ＭＯＳ、ＣＣＤ等のイメージセンサ２・・・原
稿 ３・・・蛍光灯又はＬＥＤアレイ等光源４・・・縮小光
学系 ５・・・密着型イメージセンサ ６・・・透光性絶縁基板 ７・・・不透光性金属膜８
・・・透光性絶縁膜 ９・・・下部電極１０・・・
光電変換層 １１・・・透明導電膜１２・・・透
光性層間絶縁膜 １３・・・上部引出し電極１４・・・
パッシベーション膜 １５・・・接着層 １６・・・透光性耐摩耗
層１７・・・採光窓 特許出願人 株式会社リコー外１名 第４閉
第２図は縮小光学系を使用しない密着型読み取り系の構
成を示す斜視図、第３図は従来の密着型イメージセンサ
の副走査方向の要部側断面図、第４図は従来の密着型イ
メージセンサの要部正面拡大図、第５図は本発明の一実
施例の要部正面拡大図、第６図は第５図のｘｌ−Ｘ１′
の主走査方向の側断面図、第７図は第５図のｘ、 −ｘ
、’の主走査方向の側断面図である。 １・・・ＭＯＳ、ＣＣＤ等のイメージセンサ２・・・原
稿 ３・・・蛍光灯又はＬＥＤアレイ等光源４・・・縮小光
学系 ５・・・密着型イメージセンサ ６・・・透光性絶縁基板 ７・・・不透光性金属膜８
・・・透光性絶縁膜 ９・・・下部電極１０・・・
光電変換層 １１・・・透明導電膜１２・・・透
光性層間絶縁膜 １３・・・上部引出し電極１４・・・
パッシベーション膜 １５・・・接着層 １６・・・透光性耐摩耗
層１７・・・採光窓 特許出願人 株式会社リコー外１名 第４閉
Claims (1)
- １、透明絶縁基板上に不透光性金属膜および透光性絶縁
膜を設け、この上に順次、下部電極、光電変換膜、透明
導電膜および上部引出し電極を設けこの上に透光性耐摩
耗層を形成した密着型イメージセンサにおいて前記不透
光性金属膜が前記下部電極同志の間及び上部引出し電極
同志の間を遮光するように個別化して設けられたことを
特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250426A JPH0193165A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 密着型イメージセンサ |
| US07/249,673 US4874957A (en) | 1987-10-02 | 1988-09-27 | Contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250426A JPH0193165A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193165A true JPH0193165A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17207709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250426A Pending JPH0193165A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4874957A (ja) |
| JP (1) | JPH0193165A (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5026980A (en) * | 1987-04-17 | 1991-06-25 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | Light biased photoresponsive array having low conductivity regions separating individual cells |
| JP2680002B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US5162644A (en) * | 1988-03-14 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
| DE68926448T2 (de) * | 1988-10-14 | 1996-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung |
| JPH02123767A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメージセンサ |
| US4970381A (en) * | 1989-04-28 | 1990-11-13 | At&T Bell Laboratories | Integrated optics facsimile apparatus |
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
| JPH03165569A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 画像伝送素子及びその製造方法 |
| KR920008899B1 (ko) * | 1989-11-24 | 1992-10-10 | 삼성전자 주식회사 | 밀착형 이미지 센서 |
| US5360744A (en) * | 1990-01-11 | 1994-11-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing image sensor |
| DE69325300T2 (de) * | 1992-03-10 | 1999-10-14 | Mitsui Chemicals | Leiterplatte für ein optisches Element |
| US5875269A (en) * | 1995-08-29 | 1999-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Information reading device |
| JP3805100B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2006-08-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| BE1013248A3 (nl) * | 2000-01-26 | 2001-11-06 | Krypton Electronic Eng Nv | Optisch apparaat. |
| TWI241122B (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-01 | Avision Inc | Document property detection device |
| JP2005275262A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Denso Corp | 車載用液晶表示装置 |
| CN102779918B (zh) | 2007-02-01 | 2015-09-02 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件 |
| JP2012231000A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
| JPS617766A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Kyocera Corp | 読み取り装置 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62250426A patent/JPH0193165A/ja active Pending
-
1988
- 1988-09-27 US US07/249,673 patent/US4874957A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4874957A (en) | 1989-10-17 |
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