JPH05102455A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents

完全密着型イメージセンサ

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Publication number
JPH05102455A
JPH05102455A JP3284153A JP28415391A JPH05102455A JP H05102455 A JPH05102455 A JP H05102455A JP 3284153 A JP3284153 A JP 3284153A JP 28415391 A JP28415391 A JP 28415391A JP H05102455 A JPH05102455 A JP H05102455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
white
electrode
image sensor
chart
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3284153A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuto Ueno
拓人 上野
Terutake Hayashi
輝威 林
Akira Yamazawa
亮 山沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP3284153A priority Critical patent/JPH05102455A/ja
Publication of JPH05102455A publication Critical patent/JPH05102455A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 完全密着型イメージセンサの白色ダミービッ
トにおいて、受光素子の上部に位置する耐摩耗層に白色
チャートを貼付ることによるチャートの摩耗、原稿走
行、チャートの位置精度の問題を解決する。 【構成】 透明な基板1と、その上に設けた採光窓10
を有し遮光性の下部共通電極2および光電変換層3なら
びに上部個別電極4とからなる受光部と、個別電極4に
接続された遮光性の引出電極7からなる受光素子の複数
から構成されるイメージセンサにおいて、一部の受光素
子の引出電極7を受光部および採光窓10の上部まで延
長して白色ダミービットとし、白色チャートを貼付るこ
とにより生じる欠点を解消した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリなどに用い
られる完全密着型イメージセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】完全密着型イメージセンサにおいては、
センサの白出力の変動を補正するために、イメージセン
サを構成する受光素子の一部を白ダミービットとして利
用し明状態の基準を得ることが行われている。図3に示
すように、白ダミービットとして、完全密着型イメージ
センサの受光素子上部に白色チャートなどを貼り付け
て、明状態の基準となる受光素子とすることが行われて
いる。
【0003】ガラス基板1の上に遮光性で下部電極とな
る第1配線層2を各受光部に共通して形成し、その一部
に採光窓10を設ける。この上に光電変換層3および透
明電極4が積層されて受光部が形成される。この上に透
明電極4に達するコンタクトホール6が設けられた層間
絶縁層5が形成され、透明電極4と個別引出電極7とが
接続されて受光素子が形成される。さらに、この上に受
光素子の保護と薄板ガラスからなる耐摩耗層9を接着す
る機能を有する保護・接着層8が設けられる。白色ダミ
ービットとなる受光素子の耐摩耗層9の上には白色チャ
ート11が貼り付けられている。原稿13が耐摩耗層9
の上を走行して副走査方向に走査され原稿が読み取られ
る。白色ダミービットにおいては照明光12が採光窓1
0を通って白色チャート11に照射され、反射光が受光
素子に到達し明状態の基準信号を得る様に構成されてい
る。
【0004】このような、完全密着型イメージセンサは
受光素子がその上の耐摩耗層9を介して原稿13と直接
接しているので、原稿の送りによって白色チャート11
が摩耗してしまう問題や、白色チャート11の厚さによ
って原稿13の走行や隣接する原稿部分の情報の読み取
りが不正確になる等の問題がある。さらに、白色チャー
ト11は白色ダミービットに対して正確な位置に貼り付
けなければならず、製造に当って位置精度の問題があ
る。
【0005】他の手段として、耐摩耗層9の下層に白色
チャート11を貼り付け、白色チャート11の耐摩耗性
の問題を回避する方法があるが、この場合にも白色チャ
ート11の厚さによる原稿13の走行性の問題及び白色
チャート11の貼付け位置精度の問題は前記と同様に存
在する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、完全密着型イメージセンサに設ける明状態
の基準となる白色ダミービットにおいて、白色チャート
貼付けにより生じるチャートの耐摩耗性の向上および原
稿の走行性の改善ならびにチャート貼付けの位置精度の
改善である。
【0007】
【課題を解決するための手段】イメージセンサの白色ダ
ミービットを、上部個別透明電極からコンタクトホール
を介して設けた個別引出電極が、光電変換層全体および
採光窓の上部を覆うように延長して形成した構造とす
る。採光窓から入射した照明光は、該電極の金属材料
(Al)の全反射面によって原稿の明暗に関係なく常に
反射され、明状態の基準を得ることができる。
【0008】
【実施例】本発明による完全密着型イメージセンサの構
造を図1によって、さらに該イメージセンサの成形工程
の実施例を図2によって説明する。
【0009】完全密着型のイメージセンサの白色ダミー
ビットは、透明なガラス基板1の上に照明光が直接光電
変換層に照射されることを防ぐ遮光層として働き、各受
光部に共通の下部電極となる第1配線層2をクロム、モ
リブデン、チタンなどの着膜により形成し、これをパタ
ーニングすることによって各受光素子の採光窓10を設
ける。この上にアモルファスシリコン(a-Si)からなる
光電変換層3および酸化インジウム錫(ITO)などの
透明金属からなる透明電極4が積層され、これをパター
ニングして下部電極と光電変換層と上部個別電極からな
る受光部が形成される。この上に上部個別電極4に達す
るコンタクトホール6が設けられた窒化珪素(SiNx)
もしくはポリイミドからなる層間絶縁層5が形成され、
その上にアルミニウム(Al)などの遮光性で反射率の
大きい金属からなる個別引出電極7となる層を形成し、
上部個別電極4とアルミニウム(Al)からなる個別引
出電極7とをコンタクトホール6を介して接続する。白
色ダミービットとなる受光素子にあっては個別引出電極
7は光電変換層3と採光窓10の上部を覆うように延長
して形成する。さらに、この上に受光素子の保護と薄板
ガラスからなる耐摩耗層9を接着する機能を有する保護
・接着層8を設ける。
【0010】原稿13が耐摩耗層9の上を走行して原稿
が読み取られるが。白色ダミービットにおいては照明光
12が採光窓10を通って個別引出電極7の延長部分に
照射され、反射光が受光素子に到達する様に構成されて
いる。
【0011】密着型イメージセンサの全受光素子数のう
ち連続する24画素を本発明による明状態となる受光部
として形成し、該24画素中隣接する採光窓からの散乱
光の影響があると思われる両端の4画素ずつの計8画素
を除く16画素からの画像信号を明状態の出力とした。
該出力信号は通常の受光部に白色チャートをあてた時に
出力されるレベルと等しくなり、明状態の基準出力とし
て用いることができる。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、明状態の基準信号を得
る白色ダミービットにおいて、白色チャートに相当する
部分を受光素子の内部に一様に形成したので、白色チャ
ートの摩耗の問題は生じず、白色チャートの寿命が長い
白色ダミービットが得られるとともに耐摩耗層の上面が
平坦となるので、原稿を走行させるときに何等の問題を
生ずることもない。
【0013】また、白色チャートは個別引出電極を形成
する工程で同時に作られるので、位置精度は極めて高い
ものとなる。
【0014】さらに、上部個別電極と同電位の個別引出
電極の延長部で受光部を覆ったので、通常の受光素子に
は生じない電位差が白色ダミービットの受光部に生じる
こともない。
【0015】白色ダミービットとなる受光素子の上部は
個別引出電極の延長部で覆われているので、原稿からの
散乱光が該受光素子に入射することが防げ、正確な明状
態の基準を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による白色ダミービットを形成する受
光素子の断面図。
【図2】 受光素子を形成する工程を示した流れ図。
【図3】 従来の白色ダミービットを形成する受光素子
の断面図。
【符号の説明】
1 ガラス基板、2 下部共通電極(遮光性)、3 光
電変換層、4 上部個別透明電極、5 層間絶縁層、6
コンタクトホール、7 個別引出電極、8保護、接着
層、9 薄板ガラス(8、9 耐摩耗層)、10 採光
窓、11 白色チャート、12 照明光、13 原稿、
14 散乱光

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明な基板と、その上に設けた遮光性の
    下部共通電極と光電変換層と上部個別透明電極とからな
    る受光部と、該受光部の透明電極側に遮光性の引出電極
    が接続され、前記下部共通電極の一部に採光窓を設けた
    受光素子からなる完全密着型イメージセンサにおいて、 一部の受光素子の引出電極を、受光部および採光窓の上
    方を覆って延長したことを特徴とする完全密着型イメー
    ジセンサ。
JP3284153A 1991-10-04 1991-10-04 完全密着型イメージセンサ Pending JPH05102455A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3284153A JPH05102455A (ja) 1991-10-04 1991-10-04 完全密着型イメージセンサ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3284153A JPH05102455A (ja) 1991-10-04 1991-10-04 完全密着型イメージセンサ

Publications (1)

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JPH05102455A true JPH05102455A (ja) 1993-04-23

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ID=17674866

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JP3284153A Pending JPH05102455A (ja) 1991-10-04 1991-10-04 完全密着型イメージセンサ

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