JPS63194359A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野〕 本発明はファクシミリ装置等に使用される密着形イメー
ジセンサに関する。

〔従来の技術〕

従来の密着形イメージセンサは、原稿面から反射した光
を受光部へ誘導するため、集束性ロッドレンズアレイを
用いるもの、あるいは光電変換素子上に光路確保のため
薄板ガラス等を貼り付けたものが知られている。

このような従来の密着形イメージセンサについては日経
エレクトロニクス１９８２年４月２６日号第１４９頁乃
至第１６０頁に詳しい説明がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

これら従来の構成に於いては、集束性ロッドレンズアレ
イを使用する場合、密着形イメージセンサの外形寸法が
大きくなり、製品価格を上昇させるという問題があり、
°又薄板ガラスを貼り付ける完全密着形イメージセンサ
に於いては、イメージセンサ受光部上への薄板ガラス貼
り付は作業工数が増す、さらには薄板ガラス上に直接Ｉ
Ｋ稿が接触するため、キズ等の発生により読取品質が低
下する等の問題があった。

本発明の目的は上記した従来技術の問題点を解決して、
安価かつ高性能な完全密着形イメージセンサを提供する
ことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明では上記の目的を達成するために、イメージセン
サ光電変換素子部の構成として、透明なガラス基板上に
原稿照射光を通過させるための所定の開口部を有する下
部電極として働＜Ｃｒ膜、このＣｒ膜上に光電変換素子
としてアモルファスシリコン（以下ａ−８ｉと表記）を
各読取画素毎に分離独立して設け、ａ−８ｉ膜上を透明
電極材として一般的なＩＴＯ膜（上部電極）で形成し、
保護膜として耐摩耗性にすぐれ、　かつ透明なＳｉｘＮ
ｙ膜を設けたものである。

ａ−８ｉセンサ基板に対し、読取原稿を前記ＳｉｘＮｙ
膜上に密着し、ガラス基板裏面より原稿面を照射する。

照明光はガラス基板、　ａ−５ｉ膜、ＩＴＯ膜ＳｉｘＮ
ｙ膜を透過し原稿面に達し、原稿面からの反射光が再び
ａ−５ｉ膜に達し光電変換により画信号として読出しさ
れる。

〔作用〕

本発明は薄膜で形成された光電変換素子、上部電極、保
護膜に対しガラス基板側から光を透過させ原稿面に光を
照射するものである。下部電極の面積より大きく形成し
た光電変換素子に於いては。

最初下部電極で遮光されない光電変換素子部に光が入る
。次に光電変換素子であるアモルファスシリコンを透過
した光が上部透明電極（工ＴＯ）。

保護膜（ＳｉｘＮｙ）を透過し、原稿面に達する。原稿
面が白の場合、光は反射され再び保護膜、上部電極を介
し光電変換素子アモルファスシリコンに入射する。原稿
面が黒の場合、反射光の入射はない。

本発明によれば原稿の白黒にかかわらず光電変換が起こ
ることになるが、白原稿時の反射光による光の入射分だ
け光電変換出力が大きくなることから、この出力差を画
情報として読出す。

〔実施例〕

以下本発明の一実施例を図により説明する。第１図（ａ
）は本発明の密着形イメージセンサの光電変換素子部の
拡大平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩ−Ｉ断面
図を示し、原稿との係合状態を表わす。

第１図に於いてガラス基板１上にはＣｒ膜上下部電極２
設けられ、更にａ−８ｉ光電変換素子３がＣｒ膜上下部
電極２り大きく設けられ、かつその上にＩＴｏ上部電極
４及びＳｉｘＮｙ保護膜５が形成される。

本発明の密着形イメージセンサでは原稿７はＳｉｘＮｙ
保護膜５の側に配置され、かつ光照射６はガラス基板１
の側から行なわれる。

本発明の密着形イメージセンサの動作は、次のようであ
る。すなわちガラス基板１の裏面から光照射６がなされ
るとまずＣｒ膜上下部電極２光が達する。Ｃｒ膜上下部
電極２は、透光用の窓状の透光部１１が設けられており
、該窓１１に位置した光は遮光されることな（ａ−５ｉ
光電変換素子３に入射する。又、ａ−８１光電変換素子
３はＣｒ膜上下部電極２りも大きく形成されているから
、Ｃｒ膜上下部電極２周辺部もこの窓間様透光部１１を
構成することになる。この時ａ−５ｉ光電変換素子３に
あらかじめ蓄積された電荷は光量に比例した光電流とな
り出力を発生する。このａ−５ｉ光電変換素子３に入射
した光は厚さ０．５〜１．５μｍのａ−５ｉ光電変換素
子３を透過し、ＩＴ○上部電極４　、　　ＳｉｘＮｙ保
護膜５を透過し、原稿７に達する。原稿７が白の場合、
光は反射し再びＳｉｘＮｙ保護膜５．ＩＴＯ上部電極４
を透過し、ａ−８ｉ光電変換素子３に入射する。この時
反射した光量に比例した光電流が、前記した光電流にプ
ラスされ出力を発生する。原稿７が黒の場合反射光はな
い故、呂力増とはならない。よって光電流量から原稿７
の白黒出力差を画情報とすることが可能となる。なお第
１図に示したＣｒ膜上下部電極２設けた透光用の窓その
他の透光部１１は一例を示すもので、第２図（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）に示すような形状であっても良い。

第３図は本発明による密着形イメージセンサを機器に実
装した場合の側面図である。図に於いて符号８は密着イ
メージセンサ組立体、符号９はセンサ駆動用ＩＣ１符号
１５は原稿走行用プラテンローラであって、密着イメー
ジセンサのガラス基板側に原稿照明用の光源１０が設け
られ、原稿７はプラテンローラ１５により、密着イメー
ジセンサのＳｉｘＮｙ保護膜に押しつけられながら、送
られる。

次に本発明の密着形イメージセンサの製造方法について
説明する。

透明なガラス基板１に遮光をかねたＣｒ膜上下部電極２
スパッタリング法などにより成膜し、ホトエツチング加
工により所望の形に形成する。次にａ−８ｉ光電変換素
子３をプラズマＣＶＤ法などにより成膜し、ホトエツチ
ング加工により所望の形に形成する。以下同様にＩＴＯ
上部電極４　、　ＳｉｘＮｙ保護膜５を形成してなる。

［発明の効果〕 本発明によれば、従来使用していた集束性ロッドレンズ
アレイが不要となり経済性に寄与するとともに光路長を
短く構成することが不可能となり照明光の光量増が図れ
読取出力の増大による出力信号処理が簡単化される。ま
た完全密着形イメージセンサの場合、薄板ガラス貼り付
は作業が不要となり経済性に寄与するとともに、耐摩耗
性を具備した保護層の採用により、原稿の接触による走
行キズの発生が少なくなり読取品質の向上に効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の一実施例のアモルファスシリコ
ン密着形イメージセンサ受光部拡大平面図を示し、第１
図（ｂ）は第１図（ａ）のＩ−Ｉ断面を示す断面図で原
稿との係合状態をも示す図、第２図（ａ）、（ｂ）、（
ｃ）は本発明の密着イメージセンサのＣｒ膜上下部電極
他の形状例を示す平面図、第３図は本発明の一実施例の
アモルファスシリコン密着形イメージセンサの全体構成
を示す側面図で、プラテン、原稿との係合状態を示す図
である。 １・・・ガラス基板、２・・・Ｃｒ膜上下部電極３・・
・ａ−３ｉ光電変換素子、４・・・ＩＴＯ上部電極、５
・・・ＳｉｘＮｙ保護膜、６・・・光照射、７・・・原
稿、８・・・イメージセンサ組立、９・・・駆動ＩＣ１
１０・・・照射用光源、１１・・・原稿走行用プラテン
ローラ。 ｌ′

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ガラス基板と、このガラス基板上に形成された所定
   形状の遮光性下部電極と、この下部電極上に形成された
   アモルファスシリコン光電変換素子と、このアモルファ
   スシリコン光電変換素子上に形成された透明性上部電極
   と、この上部電極上に形成された耐摩耗性保護膜とから
   成り、読取原稿を前記耐摩耗性保護膜上に密着させ、原
   稿照射光を前記ガラス基板上から照射して読取り動作を
   行なう密着形イメージセンサ。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記遮光性下部電
   極は原稿照射光を通過させるための所望の大きさの透光
   部を有してなる密着形イメージセンサ。