JP2953321B2

JP2953321B2 - 原稿読取装置における密着型イメージセンサ

Info

Publication number: JP2953321B2
Application number: JP6230649A
Authority: JP
Inventors: 近藤　　誠
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-08-31
Filing date: 1994-08-31
Publication date: 1999-09-27
Anticipated expiration: 2014-09-27
Also published as: JPH0879444A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ、スキャ
ナー等の原稿読取装置に用いられ、光源からの光を原稿
に反射させ、この反射光を光電変換素子列に結像させて
文字、図形等の読み取りを行なう密着型イメージセンサ
に関し、特に、光電変換素子にアモルファスシリコン半
導体を用いる場合に、光電変換素子の特性の劣化を防止
することができる原稿読取装置における密着型イメージ
センサ。

【０００２】

【従来の技術】従来の密着型イメージセンサについて、
図９を参照しつつ説明する。図９は従来例に係る密着型
イメージセンサを示す側面断面図である。

【０００３】同図において、１０はホルダであり、板
金、アルミダイキャスト又はプラスチック等によって形
成してあった。このホルダ１０は、中空部内に光源２
１、光電変換素子列３１等を収納し、また、光電変換素
子列３１に外光が入射しないような構成としてあった。
光源２１は、ＬＥＤ等の半導体、白熱灯又は蛍光灯によ
って形成され、ホルダ１０の中空内の底面側に配置され
た基板２０に実装してあった。光電変換素子列３１は、
直線状に配置した複数の光電変換素子３１ａ〜３１ｎか
らなり、ホルダ１０の中空内の基板２０上方に配置され
た基板３０上に実装してあった。

【０００４】光電変換素子列３１を形成する各光電変換
素子３１ａ〜３１ｎとしては、ＣｄＳ、ポリシリコン又
はアモルファスシリコン等の半導体からなるフォトダイ
オード型、フォトコンダクタ型又はフォトトランジスタ
型の光電変換素子が用いられていた。また、基板３０
は、透明なガラス基板によって形成してあり、光源２１
と対応する位置の配線パターンを切り欠くことにより、
光源２１からの照射光Ｐ₁を通過させる光源窓３０ａが
形成してあった。３２は信号処理回路であり、基板３０
上に実装してあり、配線パターン３０ｂを介して各光電
変換素子３１ａ〜３１ｎと接続してあった。

【０００５】１００は読取面保護ガラスであり、ホルダ
１０の開口部の光電変換素子列３１と対応する位置に取
り付けてあった。この読取面保護ガラス１００は、原稿
７０との摩擦から光電変換素子列３１を保護するための
ものであった。６０は潤滑板であり、原稿７０との摩擦
を軽減して、原稿７０の搬送をスムーズにしていた。

【０００６】次に、上記構成からなる従来の密着型イメ
ージセンサの動作について説明する。まず、光源２１が
発光し、光源窓３０ａ及び読取面保護ガラス１００を介
して、照射光Ｐ₁が原稿７０の所定位置に記された読取
対象画素７１に照射される。すると、読取対象画素７１
に応じた光量分布の読取光Ｐ₀が原稿７０から反射す
る。そして、この読取光Ｐ₀は、読取面保護ガラス１０
０を介して光電変換素子列３１に入射される。この読取
光Ｐ₀を受光した各光電変換素子３１ａ〜３１ｎは、読
取光Ｐ₀を光電変換して読取信号を出力する。この読取
信号は、配線パターン３０ｂを介して信号処理回路３２
に入力され、信号処理回路３２が、所定の信号処理を行
なう。

【０００７】なお、他の従来の密着型イメージセンサと
して、原稿７０と光電変換素子列３１の間に、読取光Ｐ
₀を光電変換素子列３１を形成する個々の光電変換素子
３１ａ〜３１ｎに結像させるセルフォックレンズアレイ
又はマイクロレンズアレイを設けた構成のものがあっ
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】一般に、密着型イメー
ジセンサでは、光電変換素子列３１を形成する光電変換
素子３１ａ〜３１ｂに安価なアモルファスシリコン半導
体を利用することが多い。しかし、このアモルファスシ
リコン半導体は、分子構造上、外光等の照射を受けると
アモルファス構造が破壊されてしまい、光電変換率が低
下して読取信号の特性が劣化してしまうという性質があ
った。本発明者が実験をしたところ、アモルファスシリ
コン半導体を用いた光電変換素子は、約４００Ｌｘの光
を１００時間照射したときに５％程度劣化してしまうこ
とが判明した。このため、密着型イメージセンサでは、
光電変換素子列３１に光が入射しないように配慮する必
要があった。

【０００９】ところが、上述した従来の密着型イメージ
センサでは、在庫保管時又はファクシミリ、スキャナ等
の装置への組み込み作業時のように、前記密着型イメー
ジセンサが単品状態のときの光電変換素子列３１への光
の入射を防止する手段を何ら備えていなかったので、読
取面保護ガラス１００を介して、光電変換素子列３１に
外光が照射され、光電変換素子３１ａ〜３１ｎの特性が
劣化してしまうという問題があった。このため、従来の
密着型イメージセンサでは、単品時における取扱いに注
意を要し、原稿読取装置への組み込み作業の効率が低下
してしまうという問題もあった。

【００１０】また、従来の密着型イメージセンサでは、
原稿読取装置への組み込み後において、極力光電変換素
子３１ａ〜３１ｎへの光の入射を防止しなければなら
ず、例えば、原稿読取動作時以外のときに光源２１を点
灯させない構成とし、また、外光が装置内に侵入しない
構成としなければならず、ファクシミリ等の原稿読取装
置の構成が複雑化してしまうという問題があった。

【００１１】なお、特開平３−９２０６４号では、光電
変換素子列の光路上に、この光電変換素子列への光を透
過させる状態及び遮光する状態に切換可能な液晶シャッ
タを配置し、密着型イメージセンサの原稿読取装置への
組み付け後において、前記密着型イメージセンサが露出
したときの前記光電変換素子列への光の入射を阻止する
密着型イメージセンサが提案されている。

【００１２】この特開平３−９２０６４号の密着型イメ
ージセンサは、ファクシミリなどの装置において原稿の
詰まりが生じたような場合、詰まった原稿を処理するた
め前記ファクシミリの開閉部分を開けるとき、前記液晶
シャッタを遮光状態にして前記光電変換素子列への光の
入射を阻止し、読取り画像の白抜けを防止するために利
用されている。したがって、前記液晶シャッタには、通
電時に遮光状態となり、非通電時に透光状態となる構成
のものが用いられていた。

【００１３】このため、特開平３−９２０６４号の密着
型イメージセンサでは、密着型イメージセンサが単品状
態のときの前記光電変換素子列への光の入射を防止する
ことができず、在庫保管時又は原稿読取装置への組み付
け作業時に、前記光電変換素子列に外光が照射され、光
電変換素子にアモルファスシリコン半導体を用いた場合
は、上記従来例と同様に特性が劣化してしまうという問
題があった。

【００１４】また、特開平３−９２０６４号の密着型イ
メージセンサでは、前記液晶シャッタと原稿を接触させ
て情報の読取りを行なう構成としてあったので、これら
液晶シャッタと原稿が擦れ合って前記液晶シャッタに静
電気が帯電し、前記液晶シャッタが誤動作してしまうと
いう問題もあった。

【００１５】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たものであり、密着型イメージセンサが単品状態のとき
の光電変換素子の劣化を防止することができ、これによ
り、密着型イメージセンサの取扱いが容易となって作業
効率を向上させることができ、また、装置の簡単化、静
電気による誤動作の防止を図ることができる密着型イメ
ージセンサの提供を目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の密着型イメージセンサは、光源から
の光を原稿に照射し、この原稿から反射してきた光をア
モルファスシリコン半導体によって形成した光電変換素
子列に入射させ、光電変換させることにより前記原稿の
読み取りを行なう密着型イメージセンサにおいて、前記
光電変換素子列の光路上に配置され、電源が供給されな
いときに遮光状態となって前記光電変換素子列へ入射さ
れる光を遮り、また、電源が供給されたときに透光状態
となって前記光電変換素子列に光を入射させる液晶シャ
ッタを設け、前記液晶シャッタの原稿側の面に、黒化処
理するとともにＧＮＤに接地し、かつ、前記光源及び光
電変換素子列と対応する長尺状のスリットを前記光源及
び光電変換素子列と同方向に形成した第一金属薄膜電極
を設け、また、前記液晶シャッタの前記光電変換素子列
側の面に、黒化処理し、かつ、前記光源及び光電変換素
子列を形成する各光電変換素子と個別に対応するととも
に前記第一金属薄膜電極のスリットと直交する複数のス
リットを形成した第二金属薄膜電極を設けた構成として
ある。

【００１７】請求項２記載の原稿読取装置における密着
型イメージセンサは、前記原稿読取装置が原稿読取モー
ドとなったとき、前記液晶シャッタに電源が供給され、
該液晶シャッタが透光状態となる構成としてある。

【００１８】請求項３記載の原稿読取装置における密着
型イメージセンサは、前記液晶シャッタと光電変換素子
列の間又は前記液晶シャッタと原稿の間に、前記原稿か
ら反射してきた光を前記光電変換素子列に結像させるマ
イクロレンズアレイを設けた構成としてある。

【００１９】請求項４記載の原稿読取装置における密着
型イメージセンサは、前記液晶シャッタと光電変換素子
列の間又は前記液晶シャッタと原稿の間に、前記原稿か
ら反射してきた光を前記光電変換素子列に結像させるセ
ルフォックレンズアレイを設けた構成としてある。

【００２０】

【作用】上記構成からなる請求項１記載の原稿読取装置
における密着型イメージセンサによれば、静電気放電用
の電極をスリットを形成した第一及び金属薄膜電極とし
たことにより、前記光電変換素子列を形成する個々の光
電変換素子に、対応する原稿の読取対象部分に反射した
光のみが照射されることとなり、焦点深度が深くなった
と同様の効果が得られ、前記原稿と光電変換素子列の間
に挿入した液晶シャッタの厚みによって生じる焦点のず
れを補なうことができる。

【００２１】請求項２記載の密着型イメージセンサによ
れば、本密着型イメージセンサを原稿読取装置に取り付
けた後において、光電変換素子列への外光の入射を阻止
することができ、前記光電変換素子列の特性の劣化を防
止することができる。

【００２２】請求項３又は４記載の密着型イメージセン
サによれば、マイクロレンズアレー又はセルフォックス
レンズアレーにより、原稿から反射してきた光を、この
光に対応する個々の光電変換素子に結像させることがで
きる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の原稿読取装置における密着型
イメージセンサの実施例について、図面を参照しつつ説
明する。まず、本発明の前提となる原稿読取装置におけ
る密着型イメージセンサに係る密着型イメージセンサに
ついて説明する。図１はこの原稿読取装置における密着
型イメージセンサを示す側面断面図である。また、図２
は本密着型イメージセンサの液晶シャッタを示す分解側
面断面図である。

【００２４】密着型イメージセンサは、電源が供給され
たときのみ透光状態となる液晶シャッタを備えた構成と
してあり、また、前記液晶シャッタの原稿と接する面
に、ＧＮＤに接地した透明薄膜電極を設けた構成として
ある。

【００２５】さらに、ここでは、上記密着型イメージセ
ンサをファクシミリ（原稿読取装置）に取り付ける構成
とし、ファクシミリに取り付けたとき、該ファクシミリ
が原稿読取モードでない場合は、前記液晶シャッタに駆
動電圧（電源）が供給されず遮光状態となる構成として
ある。

【００２６】なお、以下に説明する原稿読取装置におけ
る密着型イメージセンサにおいて上述した従来と同様の
部分については、同一符号を付して詳細な説明は省略す
る。

【００２７】図１において、３３は制御回路であり、本
密着型イメージセンサを図示しないファクシミリに取り
付けたとき、端子部３５を介して前記ファクシミリの制
御部に接続され、前記ファクシミリが原稿読取モードと
なったとき、前記制御部から信号を入力し、液晶シャッ
タ４０に駆動電圧を供給する構成としてある。

【００２８】液晶シャッタ４０は、ホルダ１０内の光電
変換素子列３１上方に配置してある。この液晶シャッタ
４０は、図２に示すように、液晶層４１の上下を配向膜
４２ａ，４２ｂとガラス板４４ａ，４４ｂによって挟持
するとともに、側部を封止材４３ａ，４３ｂによって封
止し、さらに、ガラス板４４ａ，４４ｂの外側にそれぞ
れ偏光板４５ａ，４５ｂを取り付けた構成としてある。

【００２９】ここで、配向膜４２ａとガラス板４４ａの
間、及び、配向膜４２ｂとガラス板４４ｂの間には、液
晶シャッタ４０の制御用の図示しない透明電極を介在さ
せてあり、これら透明電極は、制御線路３４を介して制
御回路３３と接続してある。

【００３０】また、液晶シャッタ４０には、スタティッ
ク駆動ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型のも
のを用いており、制御回路３３から駆動電圧が供給され
ないときは遮光状態となり、また、制御回路３３から駆
動電圧が供給されたときは透光状態となる。さらに、本
液晶シャッタ４０としては、透過率が遮光状態のときに
１％、透光状態のときに２０％程度のコントラスト比の
ものを用いている。

【００３１】５１は透明薄膜電極であり、偏光板４５ａ
の上面に設けられている。この透明薄膜電極５１は、酸
化インジウム、酸化すず、ネサガラス又はＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−ＴｉｎＯｘｉｄｅインジウムすず酸化
物）等によって形成してある。この透明薄膜電極５１
は、本密着型イメージセンサを前記ファクシミリに取り
付けたとき、配線５１、制御線路３４及び制御回路３３
を介して、前記ファクシミリのＧＮＤ端子に接続され
る。

【００３２】次に、上記構成からなる原稿読取装置にお
ける密着型イメージセンサの動作について説明する。ま
ず、在庫保管時又は前記ファクシミリへの組み付け作業
時のように、本密着型イメージセンサが単品状態のとき
は、制御回路３３に何ら信号が入力されないので、制御
回路３３から液晶シャッタ４０に駆動電圧が供給され
ず、液晶シャッタ４０が遮光状態となる。これによっ
て、外部から光電変換素子列３１に入射される光を遮る
ことができ、各光電変換素子３１ａ〜３１ｎの劣化が防
止される。

【００３３】一方、本密着型イメージセンサを前記ファ
クシミリへ組み付けた後は、前記ファクシミリが原稿読
取モードでない場合、上記単品放置時と同様、前記ファ
クシミリの制御部から制御回路３３に何ら信号が入力さ
れないので、制御回路３３から液晶シャッタ４０に駆動
電圧が供給されず、液晶シャッタ４０が遮光状態とな
る。したがって、前記ファクシミリに紙詰まり等のエラ
ーが発生したとき、エラー復旧処理するために前記ファ
クシミリの開閉部分を開いたとしても、液晶シャッタ４
０が遮光状態となっているので、外部から光電変換素子
列３１に入射される光を遮ることができる。

【００３４】また、前記ファクシミリが原稿読取モード
となった場合、原稿７０が本密着型イメージセンサ側に
搬送され、同時に、前記制御部から出力された信号が制
御回路３３に信号が入力される。すると、制御回路３３
が液晶シャッタ４０に駆動電圧を供給し、液晶シャッタ
４０が透光状態となる。これにより、図１に示すよう
に、光源２１からの照射光Ｐ₁が、液晶シャッタ４０を
透過して原稿７０上の所定の読取対象画素７１に照射さ
れ、原稿７０から反射してきた読取光（反射光）Ｐ
₀が、液晶シャッタ４０を透過して光電変換素子列３１
に入射される。そして、各光電変換素子３１ａ〜３１ｎ
は、受光した読取光Ｐ₀を光電変換して読取信号を出力
する。この読取信号は、配線パターン３０ｂを介して信
号処理回路３２に入力され、信号処理回路３２が、所定
の信号処理を行なう。

【００３５】また、原稿７０の読取りに際し、互いに擦
れ合う原稿７０と透明薄膜電極５１の間に静電気が発生
し、本密着型イメージセンサと原稿７０に静電気が帯電
する。ここで、本密着型イメージセンサに帯電した静電
気は、透明薄膜電極５１によって前記ファクシミリのＧ
ＮＤに放電され、また、原稿７０に帯電した静電気は、
前記ファクシミリの図示しない静電気除去ブラシによっ
て放電される。

【００３６】このような構成からなる原稿読取装置にお
ける密着型イメージセンサによれば、駆動電圧が供給さ
れないときに遮光状態となり、また、駆動電圧が供給さ
れたときに透光状態となる液晶シャッタ４０を設けたこ
とにより、在庫保管時又は前記ファクシミリへの組み込
み作業時のように、密着型イメージセンサが単品状態の
ときの光電変換素子列３１への光の入射を確実に防止す
ることができる。これにより、光によって劣化しやすい
アモルファスシリコン半導体を光電変換素子３１ａ〜３
１ｎとして用いた場合でも、読取信号の特性の劣化の問
題を生じることがなく、また、アモルファスシリコン半
導体によって形成される光電変換素子３１ａ〜３１ｎの
長寿化を図ることができる。

【００３７】ここで、本密着型イメージセンサでは、液
晶シャッタ４０に、透過率が遮光状態のときに１％、透
光状態のときに２０％程度のコントラスト比のものを用
いたことにより、図９に示す従来の密着型イメージセン
サに比べて、アモルファスシリコン半導体によって形成
される光電変換素子３１ａ〜３１ｎの劣化寿命が２０倍
になる。

【００３８】また、ＧＮＤに接地された透明薄膜電極５
１を、液晶シャッタ４０の原稿７０側の面に取り付けた
構成としたことにより、原稿７０との擦れによって生じ
る静電気を放電することができ、前記液晶シャッタの静
電気の帯電による誤動作を防止することができる。

【００３９】さらに、前記ファクシミリが原稿読取モー
ドでない場合は、前記液晶シャッタ４０に駆動電圧が供
給されず遮光状態となる構成としたことにより、本密着
型イメージセンサを前記ファクシミリに取り付けた後に
おける、光電変換素子列３１への外光の入射を阻止する
ことができ、光電変換素子３１ａ〜３１ｎの特性の劣化
を防止することができる。

【００４０】なお、本密着型イメージセンサの組立時に
は、液晶シャッタ４０をなるべく短時間でホルダ１０に
取り付けることが好ましい。液晶シャッタ４０を短時間
でホルダ１０に取り付けることにより、外光から光電変
換素子３１ａ〜３１ｎを確実に保護することができ、劣
化防止の完全化を図ることができる。

【００４１】次に、本発明の実施例に係る原稿読取装置
における密着型イメージセンサについて、図３〜図５を
参照しつつ説明する。図３は本発明の実施例に係る密着
型イメージセンサを示す側面断面図である。図４は本密
着型イメージセンサの液晶シャッタを示す分解側面断面
図である。図５は前記液晶シャッタに設けられた第一及
び第二金属薄膜電極を示すものであり、同図（ａ）は第
一金属薄膜電極を示す平面図、同図（ｂ）は第二金属薄
膜電極を示す平面図、同図（ｃ）はこれら第一及び第二
金属薄膜電極を重ねた状態を示す平面図である。

【００４２】本実施例の密着型イメージセンサは、液晶
シャッタの原稿側の面と光電変換素子側の面に、それぞ
れスリットを形成した第一及び第二金属薄膜電極を設け
た構成としてある。

【００４３】図３、図４及び図５（ａ）において、５３
はアルミニウム等の非透過性の金属によって形成された
第一金属薄膜電極であり、液晶シャッタ４０を形成する
偏向板４５ａの上面に設けてある。この第一金属薄膜電
極５３には、光源２１及び光電変換素子列３１と対応す
る長尺状の第一スリット５３ａが、光源２１及び光電変
換素子列３１と同方向に形成してあり、また、原稿７０
に反射した読取光Ｐ₀の内部散乱を防止するため、全体
を黒化処理してある。

【００４４】さらに、この第一金属薄膜電極５３は、本
密着型イメージセンサを前記ファクシミリに取り付けた
とき、配線５３ｂを介して前記ファクシミリのＧＮＤ端
子に接続され、静電気の放電用電極として作用するとと
もに、制御線路３４を介して制御回路３３に接続され、
液晶シャッタ４０の制御用電極として用いられる。

【００４５】図３、図４及び図５（ｂ）において、５４
は第二金属薄膜電極であり、液晶シャッタ４０を形成す
る偏向板４５ｂの下面に設けてある。この第二金属薄膜
電極５４は、上記第一金属薄膜電極５３と同様、非透過
性の金属によって形成され、全体を黒化処理した構成と
してある。また、第二金属薄膜電極５４には、光源７０
及び光電変換素子列３１を形成する各光電変換素子３１
ａ〜３１ｂと個別に対応するとともに、液晶シャッタ４
０に設けたとき、図５（ｃ）に示すように、第一金属薄
膜電極５３の第一スリット５３ａと直交し、その一部が
重複する複数の第二スリット５４ａを形成した構成とし
てある。

【００４６】この第二金属薄膜電極５４は、本密着型イ
メージセンサを前記ファクシミリに取り付けたとき、制
御線路３４を介して制御回路３３に接続され、液晶シャ
ッタ４０の制御用電極として用いられる。

【００４７】次に、上記構成からなる本実施例の密着型
イメージセンサの原稿読取り動作について、図６及び図
７を参照して説明する。図６及び図７は本実施例の密着
型イメージセンサの原稿読取り動作を示すものであり、
図６は部分断面正面図、図７は部分断面側面図である。

【００４８】これら図面において、前記ファクシミリの
原稿読取時には、まず、前記ファクシミリが原稿読取モ
ードとなり、前記制御部から制御回路３３に信号が入力
される。そして、制御回路３３からの駆動電圧が、第一
及び第二金属薄膜電極を介して液晶シャッタ４０に供給
され、液晶シャッタ４０が透光状態となる。

【００４９】次いで、光源２１から照射光Ｐ₁が照射さ
れる。この照射光Ｐ₁は、光源窓３０ａを介して各第二
スリット５４ａに個別に入射され、光電変換素子列３１
を形成する各光電変換素子３１ａ〜３１ｎにそれぞれ対
応する複数の平行光となり、液晶シャッタ４０を透過し
て第一スリット５３ａから原稿７０へと出射される。そ
して、これら複数の照射光Ｐ₁は、各光電変換素子３１
ａ〜３１ｎに対応する原稿７０の読取対象画素７１にそ
れぞれ照射され、その後、反射されて複数の読取光Ｐ₀
となる。これら各読取光Ｐ₀は、各第二スリット５４ａ
を介して対応する各光電変換素子３１ａ〜３１ｎに個別
に入射される。

【００５０】そして、各光電変換素子３１ａ〜３１ｎ
は、受光した読取光Ｐ₀を光電変換して読取信号を出力
する。この読取信号は、配線パターン３０ｂを介して信
号処理回路３２に入力され、信号処理回路３２が、所定
の信号処理を行なう。

【００５１】このような構成からなる第二実施例の密着
型イメージセンサによれば、各光電変換素子３１ａ〜３
１ｎには、それぞれ対応する原稿７０の読取対象画素７
１に反射した読取光Ｐ₀のみが、各第二スリット５４ａ
を介して個別に入射されるので、焦点深度が深くなった
ものと同様の効果が得られ、前記読取信号のＳ／Ｎ（Ｓ
ｉｇｎａｌＮｏｉｓｅ）比を向上させることができ
る。また、焦点深度が深くなったものと同様の効果が得
られることにより、原稿７０と光電変換素子列３１の間
に取り付けた液晶シャッタ４０の厚みによって生じる焦
点のずれを補なうことができる。

【００５２】さらに、第一及び第二金属薄膜電極５３，
５４を液晶シャッタ４０の制御用電極として用いる構成
としたことにより、液晶シャッタ４０内部に制御用の透
明電極を設ける必要がなくなり、液晶シャッタ４０の構
成の簡単化を図ることができる。またさらに、第一金属
薄膜電極５３を前記ファクシミリのＧＮＤ端子に接続す
る構成としたことにより、上記第一実施例の密着型イメ
ージセンサと同様に、原稿７０との擦れによって生じる
静電気を放電することができ、前記液晶シャッタの静電
気の帯電による誤動作を防止することができる。

【００５３】なお、本発明の原稿読取装置における密着
型イメージセンサは、上述した実施例に限定されるもの
ではない。上述した実施例の密着型イメージセンサは、
読取光Ｐ₀を直接光電変換素子列３１に受光させて結像
させる構成としたが、図８に示すように、液晶シャッタ
４０と光電変換素子列３１の間にセルフォックレンズア
レー（又はマイクロレンズアレー）を設けた構成として
もよい。このような構成とすると、読取光Ｐ₀を光電変
換素子列３１を形成する個々の光電変換素子３１ａ〜３
１ｎに結像させることができ、読取信号のＳ／Ｎ比を向
上させることができる。

【００５４】また、上述した実施例では、液晶シャッタ
４０と透明電極５１又は第一及び第二金属薄膜電極５
３，５４の両方を設けた構成としたが、液晶シャッタ４
０のみを設ける構成としても、光電変換素子列３１への
外光の入射を阻止することができ、光電変換素子３１ａ
〜３１ｎの劣化を防止することができる。

【００５５】さらに、上述した実施例では、本密着型イ
メージセンサをファクシミリに設けた構成としたが、フ
ァクシミリ以外の原稿読取装置、例えば、スキャナ等に
設けたとしても、上記実施例と同様の効果が得られる。

【００５６】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明の原稿読
取装置における密着型イメージセンサによれば、密着型
イメージセンサが単品状態のときの光電変換素子の劣化
を防止することができ、これにより、密着型イメージセ
ンサの取扱いが容易となって作業効率を向上させること
ができ、また、装置の簡単化、静電気による誤動作の防
止を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の前提となる原稿読取装置における密着
型イメージセンサを示す側面断面図である。

【図２】本密着型イメージセンサの液晶シャッタを示す
分解側面断面図である。

【図３】本発明の実施例に係る原稿読取装置における密
着型イメージセンサを示す側面断面図である。

【図４】本密着型イメージセンサの液晶シャッタを示す
分解側面断面図である。

【図５】前記液晶シャッタに設けられた第一及び第二金
属薄膜電極を示すものであり、同図（ａ）は第一金属薄
膜電極を示す平面図、同図（ｂ）は第二金属薄膜電極を
示す平面図、同図（ｃ）はこれら第一及び第二金属薄膜
電極を重ねた状態を示す平面図である。

【図６】本実施例の原稿読取装置における密着型イメー
ジセンサの原稿読取り動作を示す部分断面正面図であ
る。

【図７】本実施例の原稿読取装置における密着型イメー
ジセンサの原稿読取り動作を示す部分断面側面図であ
る。

【図８】本発明のその他の実施例に係る原稿読取装置に
おける密着型イメージセンサを示す側面断面図である。

【図９】従来例に係る密着型イメージセンサを示す側面
断面図である。

【符号の説明】

１０ホルダ２０，３０基板２１光源３１光電変換素子列３１ａ〜３１ｎ光電変換素子３２信号処理回路３３制御回路３４制御線路４０液晶シャッタ４１液晶層４２ａ，４２ｂ配向膜４３ａ，４３ｂ封止材４４ａ，４４ｂガラス板４５ａ，４５ｂ偏向板５１透明薄膜電極５３第一金属薄膜電極５３ａ第一スリット５４第二金属薄膜電極５４ｂ第二スリット６０潤滑板７０原稿７１読取対象画素８０セルフォックレンズアレー

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光源からの光を原稿に照射し、この原稿
から反射してきた光をアモルファスシリコン半導体によ
って形成した光電変換素子列に入射させ、光電変換させ
ることにより前記原稿の読み取りを行なう密着型イメー
ジセンサにおいて、前記光電変換素子列の光路上に配置され、電源が供給さ
れないときに遮光状態となって前記光電変換素子列へ入
射される光を遮り、また、電源が供給されたときに透光
状態となって前記光電変換素子列に光を入射させる液晶
シャッタを設け、前記液晶シャッタの原稿側の面に、黒化処理するととも
にＧＮＤに接地し、かつ、前記光源及び光電変換素子列
と対応する長尺状のスリットを前記光源及び光電変換素
子列と同方向に形成した第一金属薄膜電極を設け、また、前記液晶シャッタの前記光電変換素子列側の面
に、黒化処理し、かつ、前記光源及び光電変換素子列を
形成する各光電変換素子と個別に対応するとともに前記
第一金属薄膜電極のスリットと直交する複数のスリット
を形成した第二金属薄膜電極を設けたことを特徴とする
原稿読取装置における密着型イメージセンサ。
【請求項２】請求項１の原稿読取装置が原稿読取モー
ドとなったとき、前記液晶シャッタに電源が供給され、
該液晶シャッタが透光状態となることを特徴とする原稿
読取装置における密着型イメージセンサ。
【請求項３】前記液晶シャッタと光電変換素子列の間
又は前記液晶シャッタと原稿の間に、前記原稿から反射
してきた光を前記光電変換素子列に結像させるマイクロ
レンズアレイを設けたことを特徴とする請求項１又は２
記載の原稿読取装置における密着型イメージセンサ。
【請求項４】前記液晶シャッタと光電変換素子列の間
又は前記液晶シャッタと原稿の間に、前記原稿から反射
してきた光を前記光電変換素子列に結像させるセルフォ
ックレンズアレイを設けたことを特徴とする請求項１又
は２記載の原稿読取装置における密着型イメージセン
サ。