JPH1093785A - 薄型光源を用いたイメージセンサ装置 - Google Patents
薄型光源を用いたイメージセンサ装置Info
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- JPH1093785A JPH1093785A JP8246135A JP24613596A JPH1093785A JP H1093785 A JPH1093785 A JP H1093785A JP 8246135 A JP8246135 A JP 8246135A JP 24613596 A JP24613596 A JP 24613596A JP H1093785 A JPH1093785 A JP H1093785A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い分解能で原稿を読み取り、光源の消費電
力が低く、携帯型機器への搭載に有利なイメージセンサ
装置を提供する。 【解決手段】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の光電変換素子１１２を有するイメージセンサ
１１０と、イメージセンサ１１０の読み取り原稿側に密
着して配設され、読み取り原稿に向けて光を発する薄型
光源１２０とを備え、薄型光源１２０が、個々の光電変
換素子１１２に対して光電変換素子より少ない面積の一
個以上の発光部を有し、発光部は、光電変換素子側に遮
光層となる不透明電極１２４を有し、光電変換素子１１
２の下面の中央に配置されている。厚さは、透明基板が
５０μｍ程度、薄膜光源１２０は１μ以下、イメージセ
ンサ１１０は１ｍｍ以下で、合計１ｍｍ程度のコンパク
トな構造となる。
力が低く、携帯型機器への搭載に有利なイメージセンサ
装置を提供する。 【解決手段】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の光電変換素子１１２を有するイメージセンサ
１１０と、イメージセンサ１１０の読み取り原稿側に密
着して配設され、読み取り原稿に向けて光を発する薄型
光源１２０とを備え、薄型光源１２０が、個々の光電変
換素子１１２に対して光電変換素子より少ない面積の一
個以上の発光部を有し、発光部は、光電変換素子側に遮
光層となる不透明電極１２４を有し、光電変換素子１１
２の下面の中央に配置されている。厚さは、透明基板が
５０μｍ程度、薄膜光源１２０は１μ以下、イメージセ
ンサ１１０は１ｍｍ以下で、合計１ｍｍ程度のコンパク
トな構造となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイメージセンサ装置
に関し、特に、ファクシミリやハンディスキャナ等の画
像入力装置に搭載される完全密着型のイメージセンサ装
置に関する。
に関し、特に、ファクシミリやハンディスキャナ等の画
像入力装置に搭載される完全密着型のイメージセンサ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、イメージセンサ装置の一部と
して、ファクシミリやハンディスキャナ等の小型の画像
入力装置に搭載される完全密着型イメージセンサがあ
り、種々の構成のものが知られている。その中でも、特
に、イメージセンサ装置のさらなる小型化を可能にする
手段として面放射型の薄型の光源が使用されている。こ
のような薄型光源を使用したイメージセンサ装置につい
ても、種々の構成が知られている。以下に代表的なもの
を説明する。
して、ファクシミリやハンディスキャナ等の小型の画像
入力装置に搭載される完全密着型イメージセンサがあ
り、種々の構成のものが知られている。その中でも、特
に、イメージセンサ装置のさらなる小型化を可能にする
手段として面放射型の薄型の光源が使用されている。こ
のような薄型光源を使用したイメージセンサ装置につい
ても、種々の構成が知られている。以下に代表的なもの
を説明する。
【０００３】第一の従来例として、特許出願公告昭５９
−４１６２９号に開示されているイメージセンサ装置を
説明する。図１２は、第一の従来例のイメージセンサ装
置の構成を示す斜視図である。
−４１６２９号に開示されているイメージセンサ装置を
説明する。図１２は、第一の従来例のイメージセンサ装
置の構成を示す斜視図である。
【０００４】このイメージセンサ装置は、光ファイバ１
２０２を多数束ねて構成した光ファイバ収束部材１２０
１と、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用した照
明体１２０４と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等
の薄膜半導体を利用した光電変換素子１２０３と、光遮
蔽体１２０５とで構成される。図１２では光電変換素子
１２０３が３つしか図示されていないが、実際にはこの
ような構成が光電変換素子１２０３の配列方向に連続し
て配置され、光電変換素子の数は数百から数千に及ぶ。
２０２を多数束ねて構成した光ファイバ収束部材１２０
１と、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用した照
明体１２０４と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等
の薄膜半導体を利用した光電変換素子１２０３と、光遮
蔽体１２０５とで構成される。図１２では光電変換素子
１２０３が３つしか図示されていないが、実際にはこの
ような構成が光電変換素子１２０３の配列方向に連続し
て配置され、光電変換素子の数は数百から数千に及ぶ。
【０００５】次に本装置の動作を説明する。照明体１２
０４から一様に発せられた光は、光ファイバ１２０２内
を通過して原稿１２９０へ至る。原稿１２９０で反射さ
れた光の内で、原稿の内部や原稿と光ファイバ収束部材
１２０１との間のわずかな隙間を伝わった成分が、光フ
ァイバ１２０２内を通過して光電変換素子１２０３によ
り検出される。これらのライン状に配置された複数の光
電変換素子の出力から、原稿の一行分の明暗情報を得ら
れる。次つぎと原稿を平行移動しながらこれらの情報を
記録することにより、原稿の読み取りが行われる。も
し、照明体１２０４からの光が直接に光電変換素子１２
０３へ入射すると、原稿の読取り画像のコントラストが
劣化する。その影響を防ぐために設けられた光遮蔽体１
２０５によって、光が直接に光電変換素子１２０３へ入
射することが防がれている。また、光ファイバ収束部材
１２０１は、薄膜プロセスで形成される光電変換素子１
２０４の支持体としても機能している。
０４から一様に発せられた光は、光ファイバ１２０２内
を通過して原稿１２９０へ至る。原稿１２９０で反射さ
れた光の内で、原稿の内部や原稿と光ファイバ収束部材
１２０１との間のわずかな隙間を伝わった成分が、光フ
ァイバ１２０２内を通過して光電変換素子１２０３によ
り検出される。これらのライン状に配置された複数の光
電変換素子の出力から、原稿の一行分の明暗情報を得ら
れる。次つぎと原稿を平行移動しながらこれらの情報を
記録することにより、原稿の読み取りが行われる。も
し、照明体１２０４からの光が直接に光電変換素子１２
０３へ入射すると、原稿の読取り画像のコントラストが
劣化する。その影響を防ぐために設けられた光遮蔽体１
２０５によって、光が直接に光電変換素子１２０３へ入
射することが防がれている。また、光ファイバ収束部材
１２０１は、薄膜プロセスで形成される光電変換素子１
２０４の支持体としても機能している。
【０００６】第二の従来例として、ＣＣＤやＭＯＳ型セ
ンサのような結晶シリコンで形成されるイメージセンサ
を用いた例が公開特許公報平７−５８９１０号に開示さ
れている。図１３は第二の従来例のイメージセンサ装置
の構成を示す断面図である。
ンサのような結晶シリコンで形成されるイメージセンサ
を用いた例が公開特許公報平７−５８９１０号に開示さ
れている。図１３は第二の従来例のイメージセンサ装置
の構成を示す断面図である。
【０００７】このイメージセンサ装置は、光ファイバア
レイ１３０１を不透明ガラス基板１３０２と透明ガラス
板１３０３とで挟んだ支持体に、ＣＣＤ等のイメージセ
ンサチップ１３０５を、その受光素子アレイ１３０６が
原稿側を向くように接着層１３０９を介して実装して構
成される。このときイメージセンサチップ１３０５は、
不透明ガラス基板上に形成された回路導体層１３０８と
電極１３０７とにより、図示していない外部回路に電気
的に接続される。さらに、透明ガラス板１３０３の上部
の、受光素子アレイ１３０６に近接した場所に、エレク
トロルミネッセンス（ＥＬ）を利用した照明体１３１０
を配置する。透明ガラス板の原稿側の面には遮光層１３
０４が設けられている。
レイ１３０１を不透明ガラス基板１３０２と透明ガラス
板１３０３とで挟んだ支持体に、ＣＣＤ等のイメージセ
ンサチップ１３０５を、その受光素子アレイ１３０６が
原稿側を向くように接着層１３０９を介して実装して構
成される。このときイメージセンサチップ１３０５は、
不透明ガラス基板上に形成された回路導体層１３０８と
電極１３０７とにより、図示していない外部回路に電気
的に接続される。さらに、透明ガラス板１３０３の上部
の、受光素子アレイ１３０６に近接した場所に、エレク
トロルミネッセンス（ＥＬ）を利用した照明体１３１０
を配置する。透明ガラス板の原稿側の面には遮光層１３
０４が設けられている。
【０００８】次に動作を説明する。照明体１３１０から
発せられた光は、透明ガラス板１３０３を通過して光フ
ァイバアレイ１３０１に側面から入射し、受光素子アレ
イ１３０６に対向した場所の原稿を照明する。そこから
の反射光が光ファイバアレイ１３０１を通過して受光素
子アレイ１３０６によって検出される。
発せられた光は、透明ガラス板１３０３を通過して光フ
ァイバアレイ１３０１に側面から入射し、受光素子アレ
イ１３０６に対向した場所の原稿を照明する。そこから
の反射光が光ファイバアレイ１３０１を通過して受光素
子アレイ１３０６によって検出される。
【０００９】以上に示した二つの構成例は光ファイバ収
束部材を用いた例であるが、これを用いない構成の例を
第三の従来例として示す。第三の従来例は、公開特許公
報昭６２−２７９７７５号に開示されたイメージセンサ
装置であり、図１４は、第三の従来例のイメージセンサ
装置の構成を示す断面図である。
束部材を用いた例であるが、これを用いない構成の例を
第三の従来例として示す。第三の従来例は、公開特許公
報昭６２−２７９７７５号に開示されたイメージセンサ
装置であり、図１４は、第三の従来例のイメージセンサ
装置の構成を示す断面図である。
【００１０】ガラス基板１４０１の上に、ａ−Ｓｉ層１
４０３を共通電極１４０２と透明電極１４０４とで挟ん
で構成するセンサ部１４１０と、薄膜のＥＬ素子１４０
６を電極１４０５と透明電極１４０７とで挟んで構成す
る照明部１４２０とを互いに近接して並列して形成し、
保護層１４０８で覆った構成である。
４０３を共通電極１４０２と透明電極１４０４とで挟ん
で構成するセンサ部１４１０と、薄膜のＥＬ素子１４０
６を電極１４０５と透明電極１４０７とで挟んで構成す
る照明部１４２０とを互いに近接して並列して形成し、
保護層１４０８で覆った構成である。
【００１１】次に動作を説明する。照明部１４２０から
原稿１４９０に向かって発せられた光は、保護層１４０
８を通過して原稿１４９０を照射する。原稿１４９０か
らの反射光の一部がセンサ部１４１０により検出され
て、原稿の明暗情報が得られる。
原稿１４９０に向かって発せられた光は、保護層１４０
８を通過して原稿１４９０を照射する。原稿１４９０か
らの反射光の一部がセンサ部１４１０により検出され
て、原稿の明暗情報が得られる。
【００１２】これまでに示した構成例は、照明部とセン
サ部を同一平面上に互いに近接して並列に設置する構成
であるが、両者を積層する構成例を第四の従来例として
示す。第四の従来例は公開特許公報平５−３４４２８０
号に開示されたイメージセンサ装置であり、図１５は、
第四の従来例のイメージセンサ装置の構成を示す断面図
である。
サ部を同一平面上に互いに近接して並列に設置する構成
であるが、両者を積層する構成例を第四の従来例として
示す。第四の従来例は公開特許公報平５−３４４２８０
号に開示されたイメージセンサ装置であり、図１５は、
第四の従来例のイメージセンサ装置の構成を示す断面図
である。
【００１３】受光素子アレイ１５０２を形成した透明基
板１５０１に、透明電極１５０５と発光層１５０６と絶
縁層１５０７と不透明電極１５０８とから構成される分
散型ＥＬ素子１５０４を形成した透明基板１５０３を、
接着層１５１１を介して積層した構成である。分散型Ｅ
Ｌ素子１５０４には受光素子アレイ１５０２に対応して
光透過窓１５１０が設けられ、分散型ＥＬ素子１５０４
からの光が直接に受光素子アレイ１５０２に入射しない
ために、枠部１５０９と不透明電極１５０８で発光部を
覆う構成になっている。
板１５０１に、透明電極１５０５と発光層１５０６と絶
縁層１５０７と不透明電極１５０８とから構成される分
散型ＥＬ素子１５０４を形成した透明基板１５０３を、
接着層１５１１を介して積層した構成である。分散型Ｅ
Ｌ素子１５０４には受光素子アレイ１５０２に対応して
光透過窓１５１０が設けられ、分散型ＥＬ素子１５０４
からの光が直接に受光素子アレイ１５０２に入射しない
ために、枠部１５０９と不透明電極１５０８で発光部を
覆う構成になっている。
【００１４】次に動作を説明する。発光層１５０６から
発せられた光は透明基板１５０３を通過して原稿１５９
０を照明する。原稿１５９０からの反射光の中で、光通
過窓１５１０を通過した光が受光素子アレイ１５０２で
検出されて、原稿の明暗情報が得られる。
発せられた光は透明基板１５０３を通過して原稿１５９
０を照明する。原稿１５９０からの反射光の中で、光通
過窓１５１０を通過した光が受光素子アレイ１５０２で
検出されて、原稿の明暗情報が得られる。
【００１５】以上に説明した従来例の構成要素を組み合
わせれば、即ち、薄型の光源として分散型ＥＬ素子か薄
膜ＥＬ素子のどちらを用いるか、イメージセンサとして
ＣＣＤ等の結品シリコンで形成するセンサか、ａ−Ｓｉ
等の薄膜半導体で形成するセンサのどちらを用いるか、
光源部とセンサ部とを並設するか積層するか、等に応じ
て、多様な組み合せの構成が可能である。
わせれば、即ち、薄型の光源として分散型ＥＬ素子か薄
膜ＥＬ素子のどちらを用いるか、イメージセンサとして
ＣＣＤ等の結品シリコンで形成するセンサか、ａ−Ｓｉ
等の薄膜半導体で形成するセンサのどちらを用いるか、
光源部とセンサ部とを並設するか積層するか、等に応じ
て、多様な組み合せの構成が可能である。
【００１６】特に最近の有機ＥＬ光源の開発の進展を鑑
みれば、分散型ＥＬ光源よりも有機ＥＬ光源の方が、薄
型で、高輝度で、低電圧駆動が可能という、イメージセ
ンサ装置への塔載に有利な特徴を備えている。図１６
は、このようにして以上の従来例から類推されるイメー
ジセンサ装置の一例を示す分解斜視図である。
みれば、分散型ＥＬ光源よりも有機ＥＬ光源の方が、薄
型で、高輝度で、低電圧駆動が可能という、イメージセ
ンサ装置への塔載に有利な特徴を備えている。図１６
は、このようにして以上の従来例から類推されるイメー
ジセンサ装置の一例を示す分解斜視図である。
【００１７】複数の光電変換素子１６１２をイメージセ
ンサ基板１６１１に一様に配列したイメージセンサ１６
１０と、透明基板１６２１上に透明電極１６２２を形成
し、有機ＥＬ素子からなる発光層１６２３を形成し、さ
らに、光電変換素子１６１２に対応して開口部１６２５
を備えた不透明電極１６２４を形成した薄型光源１６２
０とを組み合わせて構成される。
ンサ基板１６１１に一様に配列したイメージセンサ１６
１０と、透明基板１６２１上に透明電極１６２２を形成
し、有機ＥＬ素子からなる発光層１６２３を形成し、さ
らに、光電変換素子１６１２に対応して開口部１６２５
を備えた不透明電極１６２４を形成した薄型光源１６２
０とを組み合わせて構成される。
【００１８】図１７は図１６のイメージセンサ装置の細
部の説明図であり（ａ）は開口部１６２５と透明電極１
６２２を含む平面の断面図、（ｂ）は薄型光源１６２０
とイメージセンサ１６１０を原稿側から見た様子を示す
下面図である。図１７（ａ）に示すように、発光層１６
２３と光電変換素子１６１２とが近接して並設されるよ
うに、薄型光源１６２０とイメージセンサ１６１０とを
接着層１６３０を介して積層する。また、図１７（ｂ）
に示すように、イメージセンサ１６１０の薄型光源１６
２０に面する方の表面は、光電変換素子１６１２の中央
部を除いて、不透明電極１６２４により遮光されてい
る。ここで薄膜光源１６２０の構成要素として、簡単の
ため、有機ＥＬ素子からなる発光層１６２３と記述した
が、実際には、例えば文献“有機発光素子”（０ Plus
Ｅ，１９９６年３月、ＰＰ．７０−７５）に解説されて
いるように、この発光層として２種類以上の有機薄膜を
積層して形成した素子構造が一般に知られている。これ
らの素子はイメージセンサ搭載に十分な発光強度を持っ
ている。
部の説明図であり（ａ）は開口部１６２５と透明電極１
６２２を含む平面の断面図、（ｂ）は薄型光源１６２０
とイメージセンサ１６１０を原稿側から見た様子を示す
下面図である。図１７（ａ）に示すように、発光層１６
２３と光電変換素子１６１２とが近接して並設されるよ
うに、薄型光源１６２０とイメージセンサ１６１０とを
接着層１６３０を介して積層する。また、図１７（ｂ）
に示すように、イメージセンサ１６１０の薄型光源１６
２０に面する方の表面は、光電変換素子１６１２の中央
部を除いて、不透明電極１６２４により遮光されてい
る。ここで薄膜光源１６２０の構成要素として、簡単の
ため、有機ＥＬ素子からなる発光層１６２３と記述した
が、実際には、例えば文献“有機発光素子”（０ Plus
Ｅ，１９９６年３月、ＰＰ．７０−７５）に解説されて
いるように、この発光層として２種類以上の有機薄膜を
積層して形成した素子構造が一般に知られている。これ
らの素子はイメージセンサ搭載に十分な発光強度を持っ
ている。
【００１９】次に動作を説明する。発光層１６２３から
発せられた光は、透明基板１６２１を通過して原稿１６
９０を照明する。原稿１６９０からの反射光の一部は透
明基板１６２１と開口部１６２５とを通過して光電変換
素子１６１２により検出されて、原稿の明暗情報が得ら
れる。
発せられた光は、透明基板１６２１を通過して原稿１６
９０を照明する。原稿１６９０からの反射光の一部は透
明基板１６２１と開口部１６２５とを通過して光電変換
素子１６１２により検出されて、原稿の明暗情報が得ら
れる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄型光源を用い
たイメージセンサ装置では、高い分解能で画像を入力す
ることが困難である。また、光源の消費電力が下げられ
ないため、携帯型機器への搭載が困難である。以下にそ
の理由を説明する。
たイメージセンサ装置では、高い分解能で画像を入力す
ることが困難である。また、光源の消費電力が下げられ
ないため、携帯型機器への搭載が困難である。以下にそ
の理由を説明する。
【００２１】一般に、面発光型の薄型光源は、垂直方向
へ放射する光の強度が最も大きく、垂直方向からの角度
が増すに従って強度が低くなるという指向性を持つ。従
って、薄型光源の発光部に対向した原稿の部分が最も強
く照明され、その周辺部もそれより低い強度で照明され
る。また、一般に原稿からの反射光は拡散光なので、あ
る指向性を持って様々な方向に発せられる。その中で、
光電変換素子の方向に反射された光のみが検出される。
従って、光電変換素子に対向する原稿の部分に近いほ
ど、反射光が光電変換素子へ入射する確率が高い。
へ放射する光の強度が最も大きく、垂直方向からの角度
が増すに従って強度が低くなるという指向性を持つ。従
って、薄型光源の発光部に対向した原稿の部分が最も強
く照明され、その周辺部もそれより低い強度で照明され
る。また、一般に原稿からの反射光は拡散光なので、あ
る指向性を持って様々な方向に発せられる。その中で、
光電変換素子の方向に反射された光のみが検出される。
従って、光電変換素子に対向する原稿の部分に近いほ
ど、反射光が光電変換素子へ入射する確率が高い。
【００２２】従って、光ファイバ収束部材を用いない従
来の構成例では、光電変換素子の出力は、照明部に対向
した部分とその周辺部、及び、光電変換素子に対向した
部分とその周辺部という、ある広がりを持った原稿の部
分の明暗情報を反映することになる。これでは高い分解
能で画像を入力することはできない。
来の構成例では、光電変換素子の出力は、照明部に対向
した部分とその周辺部、及び、光電変換素子に対向した
部分とその周辺部という、ある広がりを持った原稿の部
分の明暗情報を反映することになる。これでは高い分解
能で画像を入力することはできない。
【００２３】光ファイバ収束部材を用いた図１２と図１
３の従来例では、光ファイバにより、光電変換素子が対
向する部分の原稿以外からの反射光は除去される。即
ち、最も効率よく照明できる照明部と対向する場所から
の反射光は利用できない。また、光ファイバ収束部材を
用いない従来の構成例でも、薄型光源が発した光が原稿
で反射され、光電変換素子に入射する割合は低い。即
ち、大多数の発光は無駄になっている。これでは十分な
信号量が得られないので、発光部の面積を広げる、ＥＬ
素子に印加する電圧を上げる、等の、光源の発光量を増
加させる措置を取ることになる。いずれの措置も光源の
消費電力を上げる方向なので、イメージセンサ装置の小
型化、さらには携帯型機器への搭載、という目的にそぐ
わない。また、発光部の面積を広げれば、前述の理由に
より分解能が劣化する。
３の従来例では、光ファイバにより、光電変換素子が対
向する部分の原稿以外からの反射光は除去される。即
ち、最も効率よく照明できる照明部と対向する場所から
の反射光は利用できない。また、光ファイバ収束部材を
用いない従来の構成例でも、薄型光源が発した光が原稿
で反射され、光電変換素子に入射する割合は低い。即
ち、大多数の発光は無駄になっている。これでは十分な
信号量が得られないので、発光部の面積を広げる、ＥＬ
素子に印加する電圧を上げる、等の、光源の発光量を増
加させる措置を取ることになる。いずれの措置も光源の
消費電力を上げる方向なので、イメージセンサ装置の小
型化、さらには携帯型機器への搭載、という目的にそぐ
わない。また、発光部の面積を広げれば、前述の理由に
より分解能が劣化する。
【００２４】このように、従来の薄型光源を利用したイ
メージセンサ装置では、高い分解能で画像が入力できな
い、また、光の利用効率が低いので光源の消費電力が下
げられないという不都合が生じていた。
メージセンサ装置では、高い分解能で画像が入力できな
い、また、光の利用効率が低いので光源の消費電力が下
げられないという不都合が生じていた。
【００２５】イメージセンサ装置の入力画像の画質を向
上させ、光の利用効率を上げるためには、読み取りたい
原稿の部分のみを照明し、それ以外からの反射光を極力
排除することが望ましい。
上させ、光の利用効率を上げるためには、読み取りたい
原稿の部分のみを照明し、それ以外からの反射光を極力
排除することが望ましい。
【００２６】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
を改善し、高い分解能で原稿を読み取り、光源の消費電
力が低く、携帯型機器への搭載に有利なイメージセンサ
装置を提供することを、その目的とする。
を改善し、高い分解能で原稿を読み取り、光源の消費電
力が低く、携帯型機器への搭載に有利なイメージセンサ
装置を提供することを、その目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄型光源を用い
たイメージセンサ装置は、読み取り原稿側を向いて整列
して配設された複数の受光素子を有するイメージセンサ
部と、該イメージセンサ部の読み取り原稿側に密着して
配設され、読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源と
を備えるイメージセンサ装置において、薄型光源が、個
々の受光素子に対して受光素子より少ない面積の一個以
上の発光部を有し、発光部は、受光素子側に遮光層を有
し、受光素子と読み取り原稿との間の受光素子の下面に
配置されている。
たイメージセンサ装置は、読み取り原稿側を向いて整列
して配設された複数の受光素子を有するイメージセンサ
部と、該イメージセンサ部の読み取り原稿側に密着して
配設され、読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源と
を備えるイメージセンサ装置において、薄型光源が、個
々の受光素子に対して受光素子より少ない面積の一個以
上の発光部を有し、発光部は、受光素子側に遮光層を有
し、受光素子と読み取り原稿との間の受光素子の下面に
配置されている。
【００２８】また、薄型光源が、個々の受光素子に対し
て受光素子以上の面積の発光部を有し、発光部は、受光
素子側に遮光層を有し、受光素子と読み取り原稿との間
の受光素子の下面に配置され、受光素子へ読み取り原稿
からの光を通過させるための１個以上の開口部を有して
もよく、薄型光源が発する光を読み取り原稿の一部を限
定して照射させるために、発光部と読み取り原稿との間
に原稿照射部を除いて光吸収体が配置されいてもよく、
光線を平行化させるための反射ミラーと誘電体ミラーと
が、薄型光源の発光部を挟んで薄型光源の構成要素とし
て一体化して形成されていてもよく、発光部と読み取り
原稿との間に光線を平行化させるための光ファイバ収束
部材が配置されていてもよく、発光部と読み取り原稿と
の間に光線を平行化させるための光ファイバ収束部材が
配置され、光ファイバ収束部材と読み取り原稿との間に
光の進路を所定の方向に曲げるための光学手段が配置さ
れていてもよい。光学手段が、回折格子、マイクロレン
ズ、Ｖ型溝のいずれかであることが好ましい。
て受光素子以上の面積の発光部を有し、発光部は、受光
素子側に遮光層を有し、受光素子と読み取り原稿との間
の受光素子の下面に配置され、受光素子へ読み取り原稿
からの光を通過させるための１個以上の開口部を有して
もよく、薄型光源が発する光を読み取り原稿の一部を限
定して照射させるために、発光部と読み取り原稿との間
に原稿照射部を除いて光吸収体が配置されいてもよく、
光線を平行化させるための反射ミラーと誘電体ミラーと
が、薄型光源の発光部を挟んで薄型光源の構成要素とし
て一体化して形成されていてもよく、発光部と読み取り
原稿との間に光線を平行化させるための光ファイバ収束
部材が配置されていてもよく、発光部と読み取り原稿と
の間に光線を平行化させるための光ファイバ収束部材が
配置され、光ファイバ収束部材と読み取り原稿との間に
光の進路を所定の方向に曲げるための光学手段が配置さ
れていてもよい。光学手段が、回折格子、マイクロレン
ズ、Ｖ型溝のいずれかであることが好ましい。
【００２９】さらに、薄型光源が発する光を、複数の受
光素子の中の１個あるいは複数の特定の受光素子に導く
ための導光手段と、特定の受光素子の検出した信号出力
に応じてイメージセンサ部の感度を調整する調整手段と
を有してもよく、導光手段が、薄型光源と読取り原稿と
の間に配置された反射層であってもよい。
光素子の中の１個あるいは複数の特定の受光素子に導く
ための導光手段と、特定の受光素子の検出した信号出力
に応じてイメージセンサ部の感度を調整する調整手段と
を有してもよく、導光手段が、薄型光源と読取り原稿と
の間に配置された反射層であってもよい。
【００３０】薄型光源の発光部が、有機薄膜と有機薄膜
を挟む透明電極と不透明電極とで構成され、不透明電極
が、イメージセンサ部の受光素子を除く領域のための遮
光層として機能する材料で形成されていてもよく、イメ
ージセンサ部の受光素子を除く領域に遮光手段が設けら
れてもよく、イメージセンサ部が、結晶シリコンウェハ
に構成されるイメージセンサおよび透明基板上に薄膜半
導体プロセスで形成されてるイメージセンサのいずれか
であってもよく、薄型光源が、異なる複数の色の光を発
してもよく、薄型光源と読取り原稿との間に光ファイバ
収束部材を有してもよい。
を挟む透明電極と不透明電極とで構成され、不透明電極
が、イメージセンサ部の受光素子を除く領域のための遮
光層として機能する材料で形成されていてもよく、イメ
ージセンサ部の受光素子を除く領域に遮光手段が設けら
れてもよく、イメージセンサ部が、結晶シリコンウェハ
に構成されるイメージセンサおよび透明基板上に薄膜半
導体プロセスで形成されてるイメージセンサのいずれか
であってもよく、薄型光源が、異なる複数の色の光を発
してもよく、薄型光源と読取り原稿との間に光ファイバ
収束部材を有してもよい。
【００３１】薄型光源の発光部が、受光素子より少ない
面積で受光素子の下面に配設されていたり、受光素子の
下面に設けられた受光素子より広い面積の発光部に開口
部が設けられていることにより、発光部の下部の狭い範
囲の原稿に入射した光が反射して真上の受光素子に入射
し、受光素子の分解能が向上し、光源の消費電力も低減
できる。
面積で受光素子の下面に配設されていたり、受光素子の
下面に設けられた受光素子より広い面積の発光部に開口
部が設けられていることにより、発光部の下部の狭い範
囲の原稿に入射した光が反射して真上の受光素子に入射
し、受光素子の分解能が向上し、光源の消費電力も低減
できる。
【００３２】光吸収体で必要な部分以外の光を吸収した
り、一体化して構成された反射ミラーと誘電体ミラーに
より光線を平行化したり、光ファイバー収束部材により
光線を平行化したり、光ファイバーで平行化した光線の
進路を光学手段で曲げたりして、受光素子に対応した所
定の場所に光線を集中させることにより、同様に狭い範
囲からの反射光が受光素子に入射するので受光素子の分
解能が向上する。
り、一体化して構成された反射ミラーと誘電体ミラーに
より光線を平行化したり、光ファイバー収束部材により
光線を平行化したり、光ファイバーで平行化した光線の
進路を光学手段で曲げたりして、受光素子に対応した所
定の場所に光線を集中させることにより、同様に狭い範
囲からの反射光が受光素子に入射するので受光素子の分
解能が向上する。
【００３３】光源の発する光を導光手段で特定の受光素
子に導光し、検出した信号出力に応じてイメージセンサ
の感度を調整することにより、イメージセンサが安定し
て作動する。
子に導光し、検出した信号出力に応じてイメージセンサ
の感度を調整することにより、イメージセンサが安定し
て作動する。
【００３４】有機薄膜と接する不透明電極を遮光性を持
った材料で形成することにより、独立した遮光層を設け
る必要がなくなる。
った材料で形成することにより、独立した遮光層を設け
る必要がなくなる。
【００３５】異なる複数の色を発する光源を組み合せる
ことにより、カラーフィルタを用いないで高感度のカラ
ー画像入力が実現できる。
ことにより、カラーフィルタを用いないで高感度のカラ
ー画像入力が実現できる。
【００３６】薄型光源と読み取り原稿の間に光ファイバ
収束部材を配設することにより、イメージセンサの支持
体としての機能と他の構造材を保護する機能が得られ
る。
収束部材を配設することにより、イメージセンサの支持
体としての機能と他の構造材を保護する機能が得られ
る。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
および図２に基づいて説明する。図１は、第一の実施の
形態に示すファクシミリやハンディスキャナ等の画像入
力装置として使用されるイメージセンサ装置の構成を示
す分解斜視図である。
および図２に基づいて説明する。図１は、第一の実施の
形態に示すファクシミリやハンディスキャナ等の画像入
力装置として使用されるイメージセンサ装置の構成を示
す分解斜視図である。
【００３８】このイメージセンサ装置は、複数の光電変
換素子１１２をイメージセンサ基板１１１に整列して配
設したイメージセンサ１１０と、薄型光源１２０とを組
み合わせて構成される。ここで、イメージセンサ１１０
は、ＣＣＤ、ＭＯＳ型センサ等の結晶シリコンウェハ上
に形成するもの、または、アモルファスシリコン等の薄
膜半導体プロセスにより絶縁基板上に形成するもののど
ちらでもよい。また、薄型光源１２０は、第一に、光電
変換素子１１２の中央部に対応して、透明基板１２１上
に櫛の歯状の形状を有する透明電極１２２をインジウム
スズの酸化物等の材料で形成し、第二に、有機ＥＬ膜か
らなる発光層１２３を櫛状の突起部の上に形成し、第三
に、アルミニウム等の不透明材料で不透明電極１２４を
発光層１２３の上に形成して構成される。両電極は発光
層１２３により絶縁されている。図２は図１のイメージ
センサ装置の細部の説明図であり、（ａ）は図１の発光
層１２３と透明電極１２２と不透明電極１２４とを含む
平面の断面図、（ｂ）は薄型光源１２０とイメージセン
サ１１０を原稿側から見た様子を示す下面図である。図
２（ａ）に示すように、光電変換素子１１２の中心部に
発光層１２３が位置するように、薄型光源１２０とイメ
ージセンサ１１０とを接着層１３０を介して積層する。
ここで数値例を示すと、例えば２００ｄｐｉのイメージ
センサでは、光電変換素子１１２の配列ピッチは１２５
ミクロンである。光電変換素子１１２の面積は１００×
ｌ００ミクロン程度とする。発光層１２３の発光部の面
積は、光源の発光量とイメージセンサ１１０の感度とを
勘案して決定される。厚さ方向の距離は、透明基板１２
１は５０ミクロン程度、接着層１３０は数ミクロン以下
とする。また、薄膜光源の電極と発光層は合計で１ミク
ロン以下である。イメージセンサ１１０の厚さは、数百
ミクロンからせいぜい１ｍｍ程度である。従って、合計
の厚さが１ｍｍ程度という、非常にコンパクトなイメー
ジセンサ装置となる。
換素子１１２をイメージセンサ基板１１１に整列して配
設したイメージセンサ１１０と、薄型光源１２０とを組
み合わせて構成される。ここで、イメージセンサ１１０
は、ＣＣＤ、ＭＯＳ型センサ等の結晶シリコンウェハ上
に形成するもの、または、アモルファスシリコン等の薄
膜半導体プロセスにより絶縁基板上に形成するもののど
ちらでもよい。また、薄型光源１２０は、第一に、光電
変換素子１１２の中央部に対応して、透明基板１２１上
に櫛の歯状の形状を有する透明電極１２２をインジウム
スズの酸化物等の材料で形成し、第二に、有機ＥＬ膜か
らなる発光層１２３を櫛状の突起部の上に形成し、第三
に、アルミニウム等の不透明材料で不透明電極１２４を
発光層１２３の上に形成して構成される。両電極は発光
層１２３により絶縁されている。図２は図１のイメージ
センサ装置の細部の説明図であり、（ａ）は図１の発光
層１２３と透明電極１２２と不透明電極１２４とを含む
平面の断面図、（ｂ）は薄型光源１２０とイメージセン
サ１１０を原稿側から見た様子を示す下面図である。図
２（ａ）に示すように、光電変換素子１１２の中心部に
発光層１２３が位置するように、薄型光源１２０とイメ
ージセンサ１１０とを接着層１３０を介して積層する。
ここで数値例を示すと、例えば２００ｄｐｉのイメージ
センサでは、光電変換素子１１２の配列ピッチは１２５
ミクロンである。光電変換素子１１２の面積は１００×
ｌ００ミクロン程度とする。発光層１２３の発光部の面
積は、光源の発光量とイメージセンサ１１０の感度とを
勘案して決定される。厚さ方向の距離は、透明基板１２
１は５０ミクロン程度、接着層１３０は数ミクロン以下
とする。また、薄膜光源の電極と発光層は合計で１ミク
ロン以下である。イメージセンサ１１０の厚さは、数百
ミクロンからせいぜい１ｍｍ程度である。従って、合計
の厚さが１ｍｍ程度という、非常にコンパクトなイメー
ジセンサ装置となる。
【００３９】上記各構成からなる本実施の形態の画像読
み取り動作を説明する。発光層１２３の中で、透明電極
１２２と不透明電極１２４とで挟まれた部分のみが発光
する。即ち、図２（ｂ）に見るように、本実施の形態で
は、薄膜光源１２０の発光部が、光電変換素子１１２の
中央部に対向する場所に限定される。これらの発光部か
ら発せられた光は、透明基板１２１を通過して、対応す
る光電変換素子に最も近い部分の原稿１９０を限定して
照明する。原稿１９０からの反射光は透明基板１２１を
通過して、この発光部に対応する光電変換素子１１２に
より検出されて、原稿の明暗情報が得られる。ここで、
発光部と原稿１９０からの反射光を検出する光電変換素
子１１２がこの例では１対１で対応しているが一個の光
電変換素子に複数の発光部が対応してもよい。また、最
も強く照明される原稿１９０の部分が、光電変換素子１
１２に対向する原稿１９０の部分とほぼ一致している。
み取り動作を説明する。発光層１２３の中で、透明電極
１２２と不透明電極１２４とで挟まれた部分のみが発光
する。即ち、図２（ｂ）に見るように、本実施の形態で
は、薄膜光源１２０の発光部が、光電変換素子１１２の
中央部に対向する場所に限定される。これらの発光部か
ら発せられた光は、透明基板１２１を通過して、対応す
る光電変換素子に最も近い部分の原稿１９０を限定して
照明する。原稿１９０からの反射光は透明基板１２１を
通過して、この発光部に対応する光電変換素子１１２に
より検出されて、原稿の明暗情報が得られる。ここで、
発光部と原稿１９０からの反射光を検出する光電変換素
子１１２がこの例では１対１で対応しているが一個の光
電変換素子に複数の発光部が対応してもよい。また、最
も強く照明される原稿１９０の部分が、光電変換素子１
１２に対向する原稿１９０の部分とほぼ一致している。
【００４０】上述のように、本実施の形態では、読み取
りたい原稿の部分を限定して照明し、その場所に最も近
い光電変換素子が効率よく反射光を検出することができ
る。従って、本実施の形態に示すイメージセンサ装置を
画像読み取り装置等に装備することにより、高い分解能
で画像の読み取りを行うことが可能となる。また、反射
光が光電変換素子へ入射する確率が高いので、光源の発
光量を低減でき、消費電力を低く押さえることが可能と
なっている。
りたい原稿の部分を限定して照明し、その場所に最も近
い光電変換素子が効率よく反射光を検出することができ
る。従って、本実施の形態に示すイメージセンサ装置を
画像読み取り装置等に装備することにより、高い分解能
で画像の読み取りを行うことが可能となる。また、反射
光が光電変換素子へ入射する確率が高いので、光源の発
光量を低減でき、消費電力を低く押さえることが可能と
なっている。
【００４１】なお、本実施の形態の発光部の形状は矩形
としたが、例えば円形や多角形の発光部を形成しても同
様の効果が得られる。本発明は発光部の詳細な形状に限
定を加えるものではない。例えば、発光部に開口部を設
けて、対応する光電変換素子の全面を覆うように配置し
てもよい。このような本発明の第二の実施の形態を図３
に示す。図３は第二の実施の形態のイメージセンサ装置
の細部の説明図であり（ａ）は発光層２２３と透明電極
２２２と不透明電極２２４とを含む平面の断面図、
（ｂ）は薄型光源２２０とイメージセンサ２１０を原稿
側から見た様子を示す下面図である。
としたが、例えば円形や多角形の発光部を形成しても同
様の効果が得られる。本発明は発光部の詳細な形状に限
定を加えるものではない。例えば、発光部に開口部を設
けて、対応する光電変換素子の全面を覆うように配置し
てもよい。このような本発明の第二の実施の形態を図３
に示す。図３は第二の実施の形態のイメージセンサ装置
の細部の説明図であり（ａ）は発光層２２３と透明電極
２２２と不透明電極２２４とを含む平面の断面図、
（ｂ）は薄型光源２２０とイメージセンサ２１０を原稿
側から見た様子を示す下面図である。
【００４２】この薄型光源２２０の透明電極２２２は、
光電変換素子２１２とほぼ同じ形状の突起部を持つ。発
光層２２３は光電変換素子２１２の巾と同じかそれ以上
の巾を持つ。不透明電極２２４の形状は、光電変換素子
２１２とほぼ同じ形状の突起部を持ち、複数の矩形の開
口部２２５を備えている。
光電変換素子２１２とほぼ同じ形状の突起部を持つ。発
光層２２３は光電変換素子２１２の巾と同じかそれ以上
の巾を持つ。不透明電極２２４の形状は、光電変換素子
２１２とほぼ同じ形状の突起部を持ち、複数の矩形の開
口部２２５を備えている。
【００４３】次に、上記各構成からなる本実施の形態の
画像読み取り動作を説明する。透明電極２２２と不透明
電極２２４で挟まれた部分の発光層２２３が発光部とな
る。発光部から発せられた光は、透明基板２２１を通過
して、最も近い原稿２９０の場所を最も強く照明する。
そこからの反射光は透明基板２２１と不透明電極２２４
の開口部２２５を通過し、光電変換素子２１２により検
出される。開口部２２５の面積は、光源の発光量とイメ
ージセンサ２１０の感度とを勘案して決定される。この
実施の形態の効果については、第一の実施の形態と同様
である。
画像読み取り動作を説明する。透明電極２２２と不透明
電極２２４で挟まれた部分の発光層２２３が発光部とな
る。発光部から発せられた光は、透明基板２２１を通過
して、最も近い原稿２９０の場所を最も強く照明する。
そこからの反射光は透明基板２２１と不透明電極２２４
の開口部２２５を通過し、光電変換素子２１２により検
出される。開口部２２５の面積は、光源の発光量とイメ
ージセンサ２１０の感度とを勘案して決定される。この
実施の形態の効果については、第一の実施の形態と同様
である。
【００４４】図４は、本発明の第三の実施の形態のイメ
ージセンサ装置の構造を示す断面図である。図１７
（ａ）の従来例の構成要素に加えて、透明基板３２１の
原稿面側に光吸収層３２６を備えている。光吸収層３２
６は、光電変換素子３１２の形状に相当する開口部３２
７を持っており、黒色塗料を分散させたレジストを用い
フォトリソグラフィ等の通常の写真工程により形成され
る。
ージセンサ装置の構造を示す断面図である。図１７
（ａ）の従来例の構成要素に加えて、透明基板３２１の
原稿面側に光吸収層３２６を備えている。光吸収層３２
６は、光電変換素子３１２の形状に相当する開口部３２
７を持っており、黒色塗料を分散させたレジストを用い
フォトリソグラフィ等の通常の写真工程により形成され
る。
【００４５】次に動作を説明する。発光層３２３からあ
る指向性をもって発せられた光は、開口部３２７に対応
する原稿の部分を限定して照明する。ここからの反射光
の中で、開口部３２５を通過する光が、光電変換素子３
１２により検出される。この実施の形態でも、原稿の一
部が限定して照明されるので、高い分解能で画像の入力
が可能である。但し、光の利用効率の観点からは、図１
６、図１７の従来例と同等である。
る指向性をもって発せられた光は、開口部３２７に対応
する原稿の部分を限定して照明する。ここからの反射光
の中で、開口部３２５を通過する光が、光電変換素子３
１２により検出される。この実施の形態でも、原稿の一
部が限定して照明されるので、高い分解能で画像の入力
が可能である。但し、光の利用効率の観点からは、図１
６、図１７の従来例と同等である。
【００４６】図５は、本発明の第四の実施の形態のイメ
ージセンサの構造を示す断面図である。図１７（ａ）の
従来例に対して、薄型光源４２０が平行光線に近い光線
を発することを特徴とする。このような光源は、文献
“微少光共振器型有機ＥＬ素子からの強い指向性発光”
（９６年春季応用物理学会予稿集、２７ａ−ＳＹ−３
０）に報告されているように、有機薄膜を透明電極と不
透明電極とで挟んだ構成において、透明電極を誘電体ミ
ラー、不透明電極を反射ミラーとして機能させる共振器
構造とすることにより形成できることが知られている。
ージセンサの構造を示す断面図である。図１７（ａ）の
従来例に対して、薄型光源４２０が平行光線に近い光線
を発することを特徴とする。このような光源は、文献
“微少光共振器型有機ＥＬ素子からの強い指向性発光”
（９６年春季応用物理学会予稿集、２７ａ−ＳＹ−３
０）に報告されているように、有機薄膜を透明電極と不
透明電極とで挟んだ構成において、透明電極を誘電体ミ
ラー、不透明電極を反射ミラーとして機能させる共振器
構造とすることにより形成できることが知られている。
【００４７】図５において、薄型光源４２０は、透明電
極を兼ねた誘電体ミラー４３２と、有機薄膜からなる発
光層４２３と、不透明電極を兼ねた反射ミラー４３１と
から構成される。
極を兼ねた誘電体ミラー４３２と、有機薄膜からなる発
光層４２３と、不透明電極を兼ねた反射ミラー４３１と
から構成される。
【００４８】次に動作を説明する。発光層４２３から発
せられた（擬似）平行光は、それに対向する原稿の部分
を限定して照明する。ここからの反射光の中で、開口部
４２５を通過する光が、光電変換素子４１２により検出
される。この実施の形態でも、原稿の一部が限定して照
明されるので、高い分解能で画像の入力が可能である。
但し、光の利用効率の観点からは、図１６、図１７の従
来例と同等である。
せられた（擬似）平行光は、それに対向する原稿の部分
を限定して照明する。ここからの反射光の中で、開口部
４２５を通過する光が、光電変換素子４１２により検出
される。この実施の形態でも、原稿の一部が限定して照
明されるので、高い分解能で画像の入力が可能である。
但し、光の利用効率の観点からは、図１６、図１７の従
来例と同等である。
【００４９】図６は、本発明の第五の実施の形態のイメ
ージセンサの構造を示す断面図である。図１７（ａ）の
従来例に対して、光ファイバ収束部材５４０に、透明電
極５２２と発光層５２３と不透明電極５２４とから成る
薄型光源５２０を形成し、透明基板５６１を原稿との間
に挿入したことを特徴とする。ここで、光ファイバ収束
部材５４０は、開口数の小さい光ファイバ５４１と開口
数の大きい光ファイバ５４２とを組み合せて構成され、
光ファイバ５４１が発光層５２３に、光ファイバ５４２
が光電変換素子５１２に、それぞれ対向するように配置
される。厚さ方向の距離は、光ファイバ収束部材５４０
とイメージセンサ５１０が共に１ｍｍ以下、透明基板５
６１はせいぜい５０ミクロン程度なので、合計でも２ｍ
ｍ以下になる。
ージセンサの構造を示す断面図である。図１７（ａ）の
従来例に対して、光ファイバ収束部材５４０に、透明電
極５２２と発光層５２３と不透明電極５２４とから成る
薄型光源５２０を形成し、透明基板５６１を原稿との間
に挿入したことを特徴とする。ここで、光ファイバ収束
部材５４０は、開口数の小さい光ファイバ５４１と開口
数の大きい光ファイバ５４２とを組み合せて構成され、
光ファイバ５４１が発光層５２３に、光ファイバ５４２
が光電変換素子５１２に、それぞれ対向するように配置
される。厚さ方向の距離は、光ファイバ収束部材５４０
とイメージセンサ５１０が共に１ｍｍ以下、透明基板５
６１はせいぜい５０ミクロン程度なので、合計でも２ｍ
ｍ以下になる。
【００５０】次に動作を説明する。発光層５２３から発
せられた光の中で、光ファイバ５４１の開口数で決まる
角度以上で入射する光は、光ファイバの壁で吸収される
か、外部にもれるかして、光ファイバ内を転送されな
い。その結果、光ファイバ５４１内を転送されるのは、
入射角がある一定の角度以下で入射した光のみである。
従って、開口数の十分小さい光ファイバを選択すること
で、擬似的な平行光線を作ることができ、これらの擬似
平行光が、発光部に対向する原稿の部分を限定して照明
する。ここからの反射光の中で、光ファイバ５４２を転
送される光が、光電変換素子５１２により検出される。
この実施の形態でも、原稿の一部が限定して照明される
ので、高い分解能で画像の入力が可能である。但し、光
の利用効率の観点からは、図１６、図１７の従来例と同
等である。
せられた光の中で、光ファイバ５４１の開口数で決まる
角度以上で入射する光は、光ファイバの壁で吸収される
か、外部にもれるかして、光ファイバ内を転送されな
い。その結果、光ファイバ５４１内を転送されるのは、
入射角がある一定の角度以下で入射した光のみである。
従って、開口数の十分小さい光ファイバを選択すること
で、擬似的な平行光線を作ることができ、これらの擬似
平行光が、発光部に対向する原稿の部分を限定して照明
する。ここからの反射光の中で、光ファイバ５４２を転
送される光が、光電変換素子５１２により検出される。
この実施の形態でも、原稿の一部が限定して照明される
ので、高い分解能で画像の入力が可能である。但し、光
の利用効率の観点からは、図１６、図１７の従来例と同
等である。
【００５１】図７は、本発明の第六の実施の形態のイメ
ージセンサの構造を示す断面図である。図３の本発明の
第二の実施の形態の透明基板２２１の代わりに、光ファ
イバ収束部材６４０上に、透明電極６２２と発光層６２
３と不透明電極６２４とから成る薄型光源を形成したこ
とを特徴とする。ここで、同一の光ファイバ６４３によ
り、原稿の照明と反射光の転送が行われるので、この実
施の形態でも、図３の本発明の第二の実施の形態と同様
の効果が得られる。それに加えて、光ファイバ収束部材
６４０がイメージセンサ６１０の支持体として機能する
ので、本発明のイメージセンサ装置をファクシミリやハ
ンディスキャナ等の画像入力装置へ搭載するときに、支
持体に関する部品の点数が削減できるという利点もあ
る。また、光ファイバ収束部材６４０がその他の構成要
素の保護材として機能するので、このイメージセンサ装
置は原稿と接触する面からの損傷に強い。
ージセンサの構造を示す断面図である。図３の本発明の
第二の実施の形態の透明基板２２１の代わりに、光ファ
イバ収束部材６４０上に、透明電極６２２と発光層６２
３と不透明電極６２４とから成る薄型光源を形成したこ
とを特徴とする。ここで、同一の光ファイバ６４３によ
り、原稿の照明と反射光の転送が行われるので、この実
施の形態でも、図３の本発明の第二の実施の形態と同様
の効果が得られる。それに加えて、光ファイバ収束部材
６４０がイメージセンサ６１０の支持体として機能する
ので、本発明のイメージセンサ装置をファクシミリやハ
ンディスキャナ等の画像入力装置へ搭載するときに、支
持体に関する部品の点数が削減できるという利点もあ
る。また、光ファイバ収束部材６４０がその他の構成要
素の保護材として機能するので、このイメージセンサ装
置は原稿と接触する面からの損傷に強い。
【００５２】図８は、本発明の第七の実施の形態のイメ
ージセンサの構造を示す断面図である。図６の本発明の
第五の実施の形態の透明基板５６１と光ファイバ収束部
材５４０との間に、回折格子７６２を挿入したことを特
徴とする。
ージセンサの構造を示す断面図である。図６の本発明の
第五の実施の形態の透明基板５６１と光ファイバ収束部
材５４０との間に、回折格子７６２を挿入したことを特
徴とする。
【００５３】次に動作を説明する。第五の実施の形態と
同様にして、光ファイバ７４１の中を擬似平行光が転送
される。回折格子７６２による高次の回折光が図の方向
に現れて原稿を照明する。反射光が光ファイバ７４２を
転送されて、光電変換素子７１２で検出される。ここ
で、原稿の代わりに指紋を入力することも可能である。
即ち、透明基板７６１に密着させた指を高次の回折光で
斜めから照明すると、透明基板７６１に指の隆線が接触
していない場合には、透明基板７６１の指側の界面で全
反射条件が満たされて、強力な反射光が光ファイバ７４
２に入射する。逆に、隆線が透明基板に接触している場
合は全反射条件が乱されて、反射光は拡散光になる。従
って、光ファイバ７４２に入射する反射光はわずかであ
る。このように、隆線の有無、即ち、指紋画像が光学的
に強調されて入力できることになる。なお、この全反射
を利用した指紋画像強調を実現するための光学手段は回
折格子に限るものではない。例えば、本出願人による公
開特許公報平８−２０２５６５９号に開示されているよ
うに、マイクロレンズやＶ型溝の斜面に設けた反射ミラ
ーを用いて、垂直方向の平行光の進路を斜め方向に変換
することにより、同様の指紋画像の強調が実現できる。
従って、これらの光学手段を用いた構成も、本発明の変
形実施の形態とみなす。
同様にして、光ファイバ７４１の中を擬似平行光が転送
される。回折格子７６２による高次の回折光が図の方向
に現れて原稿を照明する。反射光が光ファイバ７４２を
転送されて、光電変換素子７１２で検出される。ここ
で、原稿の代わりに指紋を入力することも可能である。
即ち、透明基板７６１に密着させた指を高次の回折光で
斜めから照明すると、透明基板７６１に指の隆線が接触
していない場合には、透明基板７６１の指側の界面で全
反射条件が満たされて、強力な反射光が光ファイバ７４
２に入射する。逆に、隆線が透明基板に接触している場
合は全反射条件が乱されて、反射光は拡散光になる。従
って、光ファイバ７４２に入射する反射光はわずかであ
る。このように、隆線の有無、即ち、指紋画像が光学的
に強調されて入力できることになる。なお、この全反射
を利用した指紋画像強調を実現するための光学手段は回
折格子に限るものではない。例えば、本出願人による公
開特許公報平８−２０２５６５９号に開示されているよ
うに、マイクロレンズやＶ型溝の斜面に設けた反射ミラ
ーを用いて、垂直方向の平行光の進路を斜め方向に変換
することにより、同様の指紋画像の強調が実現できる。
従って、これらの光学手段を用いた構成も、本発明の変
形実施の形態とみなす。
【００５４】図９は、本発明の第八の実施の形態のイメ
ージセンサ装置の構造を示す分解斜視図である。図１の
本発明の第一の実施の形態の透明基板１２１の原稿側の
面上で、特定の光電変換素子に対応する場所にのみ、反
射層８５１を形成したことを特徴とする。さらに、図示
していないが、この特定の光電変換素子の出力に応じ
て、イメージセンサ８１０全体の出力の感度を調整する
ための感度調整手段を設ける。
ージセンサ装置の構造を示す分解斜視図である。図１の
本発明の第一の実施の形態の透明基板１２１の原稿側の
面上で、特定の光電変換素子に対応する場所にのみ、反
射層８５１を形成したことを特徴とする。さらに、図示
していないが、この特定の光電変換素子の出力に応じ
て、イメージセンサ８１０全体の出力の感度を調整する
ための感度調整手段を設ける。
【００５５】次に動作を説明する。第一の実施の形態と
同様にして、発光層８２３より発せられた光が原稿を照
射し、そこからの反射光が光電変換素子８１２で検出さ
れ、原稿の読取りが行われるのは前述の通りである。但
し、反射層８５１がある特定の光電変換素子８１２に
は、原稿からの反射光ではなく、光源からの光が反射層
８５１によって反射されて到達する。従って、この光電
変換素子８１２の出力は、光源の発光量に比例する。仮
に、長期間の使用などの理由で光源の発光量が低下した
場合でも、この特定の光源変換素子８１２の出力に応じ
てイメージセンサ８１０の感度を上げることにより、イ
メージセンサ装置の動作を保証することができる。
同様にして、発光層８２３より発せられた光が原稿を照
射し、そこからの反射光が光電変換素子８１２で検出さ
れ、原稿の読取りが行われるのは前述の通りである。但
し、反射層８５１がある特定の光電変換素子８１２に
は、原稿からの反射光ではなく、光源からの光が反射層
８５１によって反射されて到達する。従って、この光電
変換素子８１２の出力は、光源の発光量に比例する。仮
に、長期間の使用などの理由で光源の発光量が低下した
場合でも、この特定の光源変換素子８１２の出力に応じ
てイメージセンサ８１０の感度を上げることにより、イ
メージセンサ装置の動作を保証することができる。
【００５６】図１０は、本発明の第九の実施の形態のイ
メージセンサの構造を示す分解斜視図である。図１の本
発明の第一の実施の形態では発光層１２３をパターニン
グしたが、この例では発光層９２３を一様に全体に形成
したことを特徴とする。製造工程の簡略化により、製造
コストの低減が実現できる。
メージセンサの構造を示す分解斜視図である。図１の本
発明の第一の実施の形態では発光層１２３をパターニン
グしたが、この例では発光層９２３を一様に全体に形成
したことを特徴とする。製造工程の簡略化により、製造
コストの低減が実現できる。
【００５７】図１１は、本発明の第十の実施の形態のイ
メージセンサの構造を示す分解斜視図である。図１の本
発明の第一の実施の形態の発光層１２３の代わりに青色
の発光層１０７１を一様に全体に形成し、それぞれに異
なる色変換層１０７２、１０７３、１０７４を透明基板
１０２１と透明電極１０２２との間に形成したことを特
徴とする。また、光電変換素子１０１２を３列設け、そ
れらに対応して同数の発光部を設けている。
メージセンサの構造を示す分解斜視図である。図１の本
発明の第一の実施の形態の発光層１２３の代わりに青色
の発光層１０７１を一様に全体に形成し、それぞれに異
なる色変換層１０７２、１０７３、１０７４を透明基板
１０２１と透明電極１０２２との間に形成したことを特
徴とする。また、光電変換素子１０１２を３列設け、そ
れらに対応して同数の発光部を設けている。
【００５８】次に動作を説明する。青色の発光層１０７
１より発せられた光は、例えば、色変換層１０７３によ
り緑色に変換されて原稿を照射し、そこからの反射光が
光電変換素子１０１２で検出され、原稿の緑色情報が読
取られる。同様に、赤色、青色の原稿情報についても、
それぞれに対応した光電変換素子と発光部によって得ら
れる。ここで注意すべきは、３色の照明光は、それぞれ
の発光部に対応した原稿の一部分を限定して照明してい
る点である。従って、原稿上で色の混ざりがないため、
光電変換素子にカラーフィルタを設ける必要が無い。即
ち、カラーフィルタによる光吸収が無いために、高感度
のカラー画像入力が実現される。また、第一の実施の形
態と同様に、低消費電力で高分解能の画像入力が可能で
ある。
１より発せられた光は、例えば、色変換層１０７３によ
り緑色に変換されて原稿を照射し、そこからの反射光が
光電変換素子１０１２で検出され、原稿の緑色情報が読
取られる。同様に、赤色、青色の原稿情報についても、
それぞれに対応した光電変換素子と発光部によって得ら
れる。ここで注意すべきは、３色の照明光は、それぞれ
の発光部に対応した原稿の一部分を限定して照明してい
る点である。従って、原稿上で色の混ざりがないため、
光電変換素子にカラーフィルタを設ける必要が無い。即
ち、カラーフィルタによる光吸収が無いために、高感度
のカラー画像入力が実現される。また、第一の実施の形
態と同様に、低消費電力で高分解能の画像入力が可能で
ある。
【００５９】
【発明の効果】本発明では、個々の光電変換素子に対応
した発光部を設けることにより、原稿の一部分のみを限
定して照明することができ、高い分解能で画像の読み取
りを行うことが可能となる。
した発光部を設けることにより、原稿の一部分のみを限
定して照明することができ、高い分解能で画像の読み取
りを行うことが可能となる。
【００６０】また、発光を有効に利用することにより、
光源の消費電力を低減することができるため、携帯型機
器への搭載に有利になる。
光源の消費電力を低減することができるため、携帯型機
器への搭載に有利になる。
【００６１】また、本発明では、光の進路を斜めに変換
して指を照明することで、全反射を利用した指紋画像の
強調が実現できる。
して指を照明することで、全反射を利用した指紋画像の
強調が実現できる。
【００６２】さらに、イメージセンサの特定の光電変換
素子に光源からの光を導き、光源の発光量の変化に対応
してイメージセンサの感度を調整することにより、安定
して動作する信頼性の高いイメージセンサ装置が可能と
なっている。
素子に光源からの光を導き、光源の発光量の変化に対応
してイメージセンサの感度を調整することにより、安定
して動作する信頼性の高いイメージセンサ装置が可能と
なっている。
【００６３】本発明は以上のように構成され機能するた
め、従来にない優れたイメージセンサ装置を提供するこ
とができる。
め、従来にない優れたイメージセンサ装置を提供するこ
とができる。
【図１】第一の実施の形態に示すイメージセンサ装置の
構成を示す分解斜視図である。
構成を示す分解斜視図である。
【図２】図１のイメージセンサ装置の細部の説明図であ
る。（ａ）は図１の発光層と透明電極と不透明電極とを
含む平面の断面図である。（ｂ）は薄型光源とイメージ
センサを原稿側から見た様子を示す下面図である。
る。（ａ）は図１の発光層と透明電極と不透明電極とを
含む平面の断面図である。（ｂ）は薄型光源とイメージ
センサを原稿側から見た様子を示す下面図である。
【図３】第二の実施の形態のイメージセンサ装置の細部
の説明図である。（ａ）は発光層と透明電極と不透明電
極とを含む平面の断面図である。（ｂ）は薄型光源とイ
メージセンサを原稿側から見た様子を示す下面図であ
る。
の説明図である。（ａ）は発光層と透明電極と不透明電
極とを含む平面の断面図である。（ｂ）は薄型光源とイ
メージセンサを原稿側から見た様子を示す下面図であ
る。
【図４】本発明の第三の実施の形態のイメージセンサ装
置の構造を示す断面図である。
置の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第四の実施の形態のイメージセンサ装
置の構造を示す断面図である。
置の構造を示す断面図である。
【図６】本発明の第五の実施の形態のイメージセンサ装
置の構造を示す断面図である。
置の構造を示す断面図である。
【図７】本発明の第六の実施の形態のイメージセンサ装
置の構造を示す断面図である。
置の構造を示す断面図である。
【図８】本発明の第七の実施の形態のイメージセンサ装
置の構造を示す断面図である。
置の構造を示す断面図である。
【図９】本発明の第八の実施の形態のイメージセンサ装
置の構造を示す分解斜視図である。
置の構造を示す分解斜視図である。
【図１０】本発明の第九の実施の形態のイメージセンサ
装置の構造を示す分解斜視図である。
装置の構造を示す分解斜視図である。
【図１１】本発明の第十の実施の形態のイメージセンサ
装置の構造を示す分解斜視図である。
装置の構造を示す分解斜視図である。
【図１２】第一の従来例のイメージセンサ装置の構成を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１３】第二の従来例のイメージセンサ装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１４】第三の従来例のイメージセンサ装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１５】第四の従来例のイメージセンサ装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１６】従来例から類推されるイメージセンサ装置の
一例を示す分解斜視図である。
一例を示す分解斜視図である。
【図１７】図１６のイメージセンサ装置の細部の説明図
である。（ａ）は開口部と透明電極を含む平面の断面図
である。（ｂ）は薄型光源とイメージセンサを原稿側か
ら見た様子を示す下面図である。
である。（ａ）は開口部と透明電極を含む平面の断面図
である。（ｂ）は薄型光源とイメージセンサを原稿側か
ら見た様子を示す下面図である。
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、６１０、７
１０、８１０、９１０、１０１０、１６１０ イメー
ジセンサ １１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７
１１、８１１、９１１、１０１１、１６１１ イメー
ジセンサ基板 １１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７
１２、８１２、９１２、１０１２、１２０３、１６１２
光電変換素子 １２０、２２０、３２０、４２０、８２０、９２０、１
０２０、１６２０薄型光源 １２１、２２１、３２１、４２１、８２１、９２１、１
０２１、１５０３、１６２１ 透明基板 １２２、２２２、３２２、５２２、６２２、７２２、８
２２、９２２、１０２２、１４０４、１４０７、１５０
５、１６２２ 透明電極 １２３、２２３、３２３、４２３、５２３、６２３、７
２３、８２３、９２３、１５０６、１６２３ 発光層 １２４、２２４、３２４、５２４、６２４、７２４、８
２４、９２４、１０２４、１５０８、１６２４ 不透
明電極 １３０、２３０、３３０、５３０、６３０、７３０、１
３０９、１５１１接着層 １９０、２９０、１６９０ 原稿 ３２５、４２５、１６２５ 開口部 ３２６、４２６ 光吸収層 ３２７ 開口部 ４３１ 電極兼用反射ミラー ４３２ 透明電極兼用誘導体ミラー ５４０、６４０、７４０、１２０１ 光ファイバ収束
部材 ５４１、７４１ 開口数の小さい光ファイバ ５４２、７４２ 開口数の大きい光ファイバ ５６１、７６１ 透明基板 ６４３、１２０２ 光ファイバ ７６２ 回折格子 ８５１ 反射層 １０７１ 発光層（青色） １０７２ 色変換層（青→青） １０７３ 色変換層（青→緑） １０７４ 色変換層（青→赤） １２０４ 照明体 １２０５ 光遮蔽体 １３０１ 光ファイバアレー １３０２ 不透明ガラス基板 １３０３ 透明ガラス板 １３０４ 遮光層 １３０５ イメージセンサチップ １３０６ 受光素子アレー １３０７、１４０５ 電極 １３０８ 回路導体層 １３１０ ＥＬ光源 １４０１ ガラス基板 １４０２ 共通電極 １４０３ ａ−Ｓｉ層 １４０６ ＥＬ素子 １４０８ 保護層 １５０４ 分散型ＥＬ素子 １５０７ 絶縁層 １５０９ 枠部 １５１０ 光透過窓
１０、８１０、９１０、１０１０、１６１０ イメー
ジセンサ １１１、２１１、３１１、４１１、５１１、６１１、７
１１、８１１、９１１、１０１１、１６１１ イメー
ジセンサ基板 １１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７
１２、８１２、９１２、１０１２、１２０３、１６１２
光電変換素子 １２０、２２０、３２０、４２０、８２０、９２０、１
０２０、１６２０薄型光源 １２１、２２１、３２１、４２１、８２１、９２１、１
０２１、１５０３、１６２１ 透明基板 １２２、２２２、３２２、５２２、６２２、７２２、８
２２、９２２、１０２２、１４０４、１４０７、１５０
５、１６２２ 透明電極 １２３、２２３、３２３、４２３、５２３、６２３、７
２３、８２３、９２３、１５０６、１６２３ 発光層 １２４、２２４、３２４、５２４、６２４、７２４、８
２４、９２４、１０２４、１５０８、１６２４ 不透
明電極 １３０、２３０、３３０、５３０、６３０、７３０、１
３０９、１５１１接着層 １９０、２９０、１６９０ 原稿 ３２５、４２５、１６２５ 開口部 ３２６、４２６ 光吸収層 ３２７ 開口部 ４３１ 電極兼用反射ミラー ４３２ 透明電極兼用誘導体ミラー ５４０、６４０、７４０、１２０１ 光ファイバ収束
部材 ５４１、７４１ 開口数の小さい光ファイバ ５４２、７４２ 開口数の大きい光ファイバ ５６１、７６１ 透明基板 ６４３、１２０２ 光ファイバ ７６２ 回折格子 ８５１ 反射層 １０７１ 発光層（青色） １０７２ 色変換層（青→青） １０７３ 色変換層（青→緑） １０７４ 色変換層（青→赤） １２０４ 照明体 １２０５ 光遮蔽体 １３０１ 光ファイバアレー １３０２ 不透明ガラス基板 １３０３ 透明ガラス板 １３０４ 遮光層 １３０５ イメージセンサチップ １３０６ 受光素子アレー １３０７、１４０５ 電極 １３０８ 回路導体層 １３１０ ＥＬ光源 １４０１ ガラス基板 １４０２ 共通電極 １４０３ ａ−Ｓｉ層 １４０６ ＥＬ素子 １４０８ 保護層 １５０４ 分散型ＥＬ素子 １５０７ 絶縁層 １５０９ 枠部 １５１０ 光透過窓
Claims (14)
- 【請求項１】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の受光素子を有するイメージセンサ部と、該イ
メージセンサ部の前記読み取り原稿側に密着して配設さ
れ、前記読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源とを
備えるイメージセンサ装置において、 前記薄型光源が、個々の前記受光素子に対して前記受光
素子より少ない面積の一個以上の発光部を有し、前記発
光部は、前記受光素子側に遮光層を有し、前記受光素子
と前記読み取り原稿との間の前記受光素子の下面に配置
されている、ことを特徴とするイメージセンサ装置。 - 【請求項２】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の受光素子を有するイメージセンサ部と、該イ
メージセンサ部の前記読み取り原稿側に密着して配設さ
れ、前記読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源とを
備えるイメージセンサ装置において、 前記薄型光源が、個々の前記受光素子に対して前記受光
素子以上の面積の発光部を有し、前記発光部は、前記受
光素子側に遮光層を有し、前記受光素子と前記読み取り
原稿との間の前記受光素子の下面に配置され、前記受光
素子へ読み取り原稿からの光を通過させるための１個以
上の開口部を有する、ことを特徴とするイメージセンサ
装置。 - 【請求項３】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の受光素子を有するイメージセンサ部と、該イ
メージセンサ部の前記読み取り原稿側に密着して配設さ
れ、前記読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源とを
備えるイメージセンサ装置において、 前記薄型光源が発する光を前記読み取り原稿の一部を限
定して照射させるために、前記発光部と前記読み取り原
稿との間に原稿照射部を除いて光吸収体が配置されてい
る、ことを特徴とするイメージセンサ装置。 - 【請求項４】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の受光素子を有するイメージセンサ部と、該イ
メージセンサ部の前記読み取り原稿側に密着して配設さ
れ、前記読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源とを
備えるイメージセンサ装置において、 前記薄型光源が発する光を前記読み取り原稿の一部を限
定して照射させるために、光線を平行化させるための反
射ミラーと誘電体ミラーとが、前記薄型光源の発光部を
挟んで前記薄型光源の構成要素として一体化して形成さ
れている、ことを特徴とするイメージセンサ装置。 - 【請求項５】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の受光素子を有するイメージセンサ部と、該イ
メージセンサ部の前記読み取り原稿側に密着して配設さ
れ、前記読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源とを
備えるイメージセンサ装置において、 前記薄型光源が発する光を前記読み取り原稿の一部を限
定して照射させるために、前記発光部と前記読み取り原
稿との間に光線を平行化させるための光ファイバ収束部
材が配置されている、ことを特徴とするイメージセンサ
装置。 - 【請求項６】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の受光素子を有するイメージセンサ部と、該イ
メージセンサ部の前記読み取り原稿側に密着して配設さ
れ、前記読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源とを
備えるイメージセンサ装置において、 前記薄型光源が発する光を前記読み取り原稿の一部を限
定して照射させるために、前記発光部と前記読み取り原
稿との間に光線を平行化させるための光ファイバ収束部
材が配置され、前記光ファイバ収束部材と前記読み取り
原稿との間に光の進路を所定の方向に曲げるための光学
手段が配置されている、ことを特徴とするイメージセン
サ装置。 - 【請求項７】 前記光学手段が、回折格子、マイクロレ
ンズ、Ｖ型溝のいずれかである、請求項６に記載のイメ
ージセンサ装置。 - 【請求項８】 読み取り原稿側を向いて整列して配設さ
れた複数の受光素子を有するイメージセンサ部と、該イ
メージセンサ部の前記読み取り原稿側に密着して配設さ
れ、前記読み取り原稿に向けて光を発する薄型光源とを
備えるイメージセンサ装置において、 前記薄型光源が発する光を、前記複数の受光素子の中の
１個あるいは複数の特定の受光素子に導くための導光手
段と、前記特定の受光素子の検出した信号出力に応じて
前記イメージセンサ部の感度を調整する調整手段とを有
する、ことを特徴とするイメージセンサ装置。 - 【請求項９】 前記導光手段が、前記薄型光源と前記読
取り原稿との間に配置された反射層である、請求項８に
記載のイメージセンサ装置。 - 【請求項１０】 前記薄型光源の発光部が、有機薄膜と
前記有機薄膜を挟む透明電極と不透明電極とで構成さ
れ、前記不透明電極が、前記イメージセンサ部の前記受
光素子を除く領域のための遮光層として機能する材料で
形成されている、請求項１から請求項６もしくは請求項
８のいずれか１項に記載のイメージセンサ装置。 - 【請求項１１】 前記イメージセンサ部の前記受光素子
を除く領域に遮光手段が設けられている、請求項１から
請求項６もしくは請求項８のいずれか１項に記載のイメ
ージセンサ装置。 - 【請求項１２】 前記イメージセンサ部が、結晶シリコ
ンウェハに構成されるイメージセンサおよび透明基板上
に薄膜半導体プロセスで形成されるイメージセンサのい
ずれかである、請求項１から請求項６もしくは請求項８
のいずれか１項に記載のイメージセンサ装置。 - 【請求項１３】 前記薄型光源が、異なる複数の色の光
を発する、請求項１から請求項６もしくは請求項８のい
ずれか１項に記載のイメージセンサ装置。 - 【請求項１４】 前記薄型光源と前記読取り原稿との間
に光ファイバ収束部材を有する、請求項１から請求項４
もしくは請求項８のいずれか１項に記載のイメージセン
サ装置。
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| US08/932,238 US6815654B1 (en) | 1996-09-18 | 1997-09-17 | Image sensor device using thin film light source arranged light receiving elements and image to be sensed |
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|---|---|---|---|
| JP8246135A JP3008859B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 薄型光源を用いたイメージセンサ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093785A true JPH1093785A (ja) | 1998-04-10 |
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ID=17144009
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8246135A Expired - Fee Related JP3008859B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 薄型光源を用いたイメージセンサ装置 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3008859B2 (ja) |
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| WO2004008736A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus and image reading/displaying system incorporating the same |
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| JP2010153449A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 光源一体型光電変換装置 |
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| JP2014071800A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | 撮像装置および医療機器 |
| WO2017098758A1 (ja) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | コニカミノルタ株式会社 | 光学式指紋認証装置 |
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- 1996-09-18 JP JP8246135A patent/JP3008859B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1997
- 1997-09-17 US US08/932,238 patent/US6815654B1/en not_active Expired - Fee Related
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