JPH11254752A

JPH11254752A - 露光素子

Info

Publication number: JPH11254752A
Application number: JP6326598A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kimura; 宏一木村; Mitsuru Sawano; 充沢野
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1998-03-13
Filing date: 1998-03-13
Publication date: 1999-09-21

Abstract

(57)【要約】【課題】装置コストの増大するレーザ光を用いず、高
速なデジタルマルチ露光が可能で、しかも、アレイ化が
容易で且つ駆動電圧の低い露光素子を得る。【解決手段】紫外線の平面光源上に、電気機械動作に
より平面光源からの光を光変調する一次元又は二次元マ
トリクス状の光変調部１４を配設する。この光変調部１
４は、導光板１と、導光板上に設けた透明な信号電極３
と、信号電極３に空隙１１を挟んで対向する透明な可撓
薄膜９と、可撓薄膜９に設けられ信号電極３に対向する
走査電極１３とを具備し、信号電極３と走査電極１３と
に電界を印加することで発生したクーロン力によって可
撓薄膜９を撓ませ可撓薄膜９を透過して出射する光を変
調させるものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感光材料或いは各
種作像プロセスのデジタル露光に用いて好適な露光素子
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、各種作像プロセスに用いるデジタ
ル露光方法としては、レーザ光を用いるものや、ＵＶ光
源とＬＣＤシャッターとを用いるもの、或いは、ＵＶ光
源と電気光学結晶シャッターとを用いるものなどがあ
る。レーザ光を用いるものは、像形成体と、レーザビー
ムとを相対的に移動させる例えばラスタ走査により連続
的な露光を行う。この方法は、微細な像の作像を、それ
自体の像発生機能を用いて行うことができる。ＵＶ光源
とＬＣＤシャッターとを用いるものは、ＬＣＤシャッタ
ーの有する、電界による分子の配列変化に伴う光学的性
質の変化を利用して、紫外線を選択的に遮断することで
露光を制御する。ＵＶ光源と電気光学結晶シャッターと
を用いるものは、屈折率変化が印加電界の１乗に比例す
る電気光学結晶の一次電気光学効果を利用したものであ
る。この電気光学結晶シャッターとしては、例えばポッ
ケルスセルがある。ポッケルスセルは、電気光学結晶の
平行平面板を光学軸に垂直に切り出し、光学軸方向に電
界を印加するとともに、この方向に紫外線を透過した時
に生じる複屈折を利用して露光を制御する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たデジタル露光に用いる各手段には、以下に述べる種々
の問題があった。即ち、レーザ光を用いるものでは、装
置が大型化するとともに、装置コストが増大する不利が
ある。また、レーザビームを走査することにより露光を
行うため、像形成体に対して全面露光を行うことができ
ず、マルチチャンネル化が難しく、高速露光が困難であ
った。ＵＶ光源とＬＣＤシャッターとを用いるもので
は、ＬＣＤシャッターを構成する複数の透過要素を透過
させるため、光利用効率が低下するとともに、ＬＣＤシ
ャッターの紫外線に対する耐久性が低い問題もあった。
ＵＶ光源と電気光学結晶シャッターとを用いるものは、
駆動電圧が高いとともに、ＡＤＰ（ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ4
）、ＫＤＰ（ＫＨ2 ＰＯ4 ）などの結晶を切り出して
電気光学結晶シャッターを作成するため、二次元アレイ
化が困難である問題があった。本発明は上記状況に鑑み
てなされたもので、装置コストの増大するレーザ光を用
いず、高速なデジタルマルチ露光が可能で、しかも、ア
レイ化が容易で且つ駆動電圧の低い露光素子の提供を目
的とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る請求項１の露光素子は、紫外線の平面光
源上に、電気機械動作により該平面光源からの光を光変
調する一次元又は二次元マトリクス状の光変調部を配設
したことを特徴とするものである。

【０００５】この露光素子では、紫外線の平面光源上に
設けた光変調部を電気機械動作させることにより、例え
ばファブリペロー干渉を利用して、光変調部から出射さ
れる光の強度を制御し、光変調が可能となる。

【０００６】前記光変調部は、前記平面光源上に設けた
一方の電極と、該一方の電極に少なくとも空隙を挟んで
対向する他方の電極と、前記一方の電極と該他方の電極
との間に介装して紫外線に透明な可撓薄膜とを具備し、
前記一方の電極と前記他方の電極とに電界を印加するこ
とで発生したクーロン力によって前記可撓薄膜を撓ませ
該可撓薄膜を透過する光を変調して出射することを特徴
とする。

【０００７】この露光素子では、空隙を挟んで、信号電
極と、走査電極の形成された可撓薄膜とが対向配置さ
れ、可撓薄膜が電気機械動作可能になって、積層構造の
露光素子が構成可能になる。また、この露光素子では、
導光板からの光が、空隙を挟む一対の透明電極を透過す
るのみであるので、光利用効率が高くなる。

【０００８】請求項３の露光素子は、帯状に形成した複
数の平行な前記一方の電極を前記平面光源上に並設し、
帯状に形成した複数の平行な前記他方の電極を該一方の
電極に直交する方向で前記可撓薄膜に並設することで前
記一方の電極と前記他方の電極とを格子状に対向配置し
たことを特徴とする。

【０００９】この露光素子では、帯状に形成した複数の
平行な信号電極と、走査電極とが、直交方向で格子状に
対向配置され、光変調部をデジタルマルチ露光で駆動で
き、高速露光が可能になる。

【００１０】請求項４の露光素子は、電気的にスイッチ
する能動素子を画素毎に設け、前記一方の電極を該能動
素子のドレイン（又はソース）に接続し、前記他方の電
極を共通電極に接続し、列毎の画像信号ラインを前記能
動素子のソース（又はドレイン）に接続し、行毎の走査
信号ラインを前記能動素子のゲートに接続し、前記能動
素子を行毎に走査し、前記一方の電極に画像信号を印加
してアクティブマトリクス駆動による光変調を行うこと
を特徴とする。

【００１１】この露光素子では、能動素子のゲートに接
続された走査信号ラインに、能動素子を導通させる電圧
が印加され、ドレインに接続された画像信号ラインに所
望の画像信号電圧が印加されると、ドレインとソースが
導通し、画像信号電圧が画素電極に印加される。これに
より、共通電極の電位と画素電極の電位との電圧により
静電応力が働き、所望の光変調が可能となる。

【００１２】請求項５の露光素子は、前記平面光源を紫
外線ランプと導光板とによって構成し、前記一方の電極
と前記他方の電極に電界を印加し、前記導光板に前記可
撓薄膜を接触、又は十分に近づけることにより、前記導
光板に導光させた前記紫外線を可撓薄膜側に透過・出射
させて光変調を行うことを特徴とする。

【００１３】この露光素子では、電極間の電圧がゼロ
で、可撓薄膜と導光板との間に空隙が存在すると、紫外
線が導光板内を全反射しながら進む。一方、両電極間に
電圧が印加され、可撓薄膜と導光板とが接触、又は十分
に近づくと、紫外線が可撓薄膜側に伝播透過し、可撓薄
膜の表面側へ出射される。従って、電圧印加による可撓
薄膜の位置制御によって、光変調が可能となる。

【００１４】請求項６の露光素子は、前記可撓薄膜が、
前記導光板から透過した光を拡散又は散乱により出射さ
せる機能を有することを特徴とする。

【００１５】この露光素子では、可撓薄膜と導光板とが
接触、又は十分に近づくと、紫外線が可撓薄膜の光拡散
作用によって、拡散されて表面側へ出射される。

【００１６】請求項７の露光素子は、前記一方の電極と
前記他方の電極とに電界を印加し、前記可撓薄膜が撓む
ことにより光学的な多層膜干渉効果を発生させて前記紫
外線の光変調を行うことを特徴とする。

【００１７】この露光素子では、電極間に電圧を印加し
ないときは、導光板と可撓薄膜との間に空隙が形成され
たままの状態となり、光強度透過率が低く抑えられて、
紫外線が殆ど透過しない。一方、電極間に電圧が印加さ
れると、導光板と可撓薄膜との空隙間隔が短くなり、光
強度透過率が高くなり、紫外線が透過する。この結果、
光変調が可能となる。

【００１８】請求項８の露光素子は、前記紫外線に対し
て光強度反射率を有する前記可撓薄膜と、該可撓薄膜に
対向配置され前記紫外線に対して光強度反射率を有する
膜とを具備し、該２つの膜の光学長を前記可撓薄膜が撓
むことにより変化させて光学的な多層膜干渉効果を発生
させ、前記紫外線の光変調を行うことを特徴とするもの
である。

【００１９】この露光素子では、電極間に電圧を印加し
ないときは、対向配置された光強度反射率を有する２つ
の膜の光学長が変化しない。一方、電極間に電圧が印加
されると、可撓薄膜が撓むことにより、２つの膜の光学
長が変化し、光学的な多層膜干渉効果を発生させる。こ
の結果、光変調が可能となる。

【００２０】請求項９の露光素子は、前記一方の電極と
前記他方の電極に電界を印加し、前記可撓薄膜が撓むこ
とにより、前記紫外線の進路を変化させて該紫外線の光
変調を行うことを特徴とする。

【００２１】この露光素子では、電極間に電圧を印加し
ないときは、可撓薄膜が紫外線を吸収又は反射させて進
路を遮断する。一方、電極間に電圧が印加されると、可
撓薄膜が撓むことにより、紫外線の進路から外れて、紫
外線の前方への透過が可能となる。この結果、光変調が
可能となる。

【００２２】請求項１０の露光素子は、前記光変調部の
出射側基板にファイバーフェースプレート又は出射側に
分布屈折率レンズを使用したことを特徴とする。

【００２３】この露光素子では、出射側基板にファイバ
ーフェースプレートが用いられることで、露光素子によ
るＵＶ光像が、投影レンズにより感材に投影露光可能と
なる。また、感材との密着露光も可能となる。更に、出
射側基板に分布屈折率レンズが用いられることで、感材
との距離を十分に近づけた露光が可能となる。

【００２４】請求項１１の露光素子は、前記平面光源の
紫外線が、コリメートされた光であることを特徴とす
る。

【００２５】この露光素子では、平面光源の紫外線がコ
リメートされた光となることで、指向性を持った紫外線
の出射が可能となる。

【００２６】請求項１２の露光素子は、前記平面光源
が、低圧水銀ランプを光源とし、その紫外線が２５４ｎ
ｍを中心とした波長であることを特徴とする。

【００２７】この露光素子では、２５４ｎｍの線スペク
トルが主な成分となり、線スペクトルなので非常に高い
エネルギー透過率を有し、高効率でコントラストの高い
変調が可能となる。

【００２８】請求項１３の露光素子は、前記平面光源
が、紫外線を発光する蛍光体を塗布した低圧水銀ランプ
を光源とし、その紫外線が３００ｎｍ乃至４００ｎｍを
中心とした波長であることを特徴とする。

【００２９】この露光素子では、特定の波長の紫外線が
バックライト光として使用される。従って、電極間に電
圧を印加したときと、しないときとの誘電体多層膜ミラ
ーの光強度反射率を、特定の波長の紫外線に対応させて
設定しておくことで、電圧を印加したときに、特定の波
長の紫外線のみが透過可能となる。この結果、光変調が
可能となる。

【００３０】請求項１４の露光素子は、前記平面光源
が、紫外線を出射する発光素子であることを特徴とす
る。

【００３１】この露光素子では、光源として発光素子を
用いることで光源自体の小型化が可能となる。

【００３２】請求項１５の露光素子は、前記電界の強度
により前記可撓薄膜を連続的に変化させることで光変調
部の透過光量を任意に制御することを特徴とする。

【００３３】この露光素子では、透過光量が連続的に制
御され、印加電圧の制御による階調制御が可能となる。

【００３４】請求項１６の画像記録装置は、像形成体に
画像情報に基づいた露光を行い、該像形成体に像を形成
する画像記録装置において、請求項１乃至請求項３のい
ずれか１項記載の露光素子を用いて光源からの光を光変
調することによって前記像形成体に像を形成することを
特徴とするものである。

【００３５】この画像記録装置では、デジタルマルチ露
光により、露光素子と像作成体とを相対移動させながら
のライン制御が行え、面単位を静止させて露光を行う従
来方式に比べて高速の記録が可能となる。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る露光素子の好
適な実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１
は本発明に係る露光素子の第一実施形態の断面図、図２
は図１のＡ−Ａ矢視図である。

【００３７】導光板１上には帯状の透明な一方の電極
（信号電極）３を、間隔を有して平行に複数並設してあ
る。導光板１上には隣接する信号電極３同士を仕切る支
柱５を形成してある。支柱５は、例えば導光板１と同質
材料をエッチングすることにより形成することができ
る。導光板１の側面には、光源となる紫外線ランプ（低
圧水銀ランプ）７を配設してあり、低圧水銀ランプ７か
らの光は、導光板１の表面（図１の上面）へ導かれる。

【００３８】支柱５の上端面には、信号電極３から離れ
た位置で透明な可撓薄膜９を形成してある。従って、信
号電極３と可撓薄膜９との間には、空隙１１が形成され
ている。可撓薄膜９の上面には、信号電極３と直交する
方向に長い透明な帯状の他方の電極（走査電極）１３
を、間隔を有して平行に複数並設してある。即ち、信号
電極３と走査電極１３とは、図２に示すように、相互に
直交する方向に並んだ格子状に配設されている。信号電
極３と走査電極１３とは、所定のものを選択すること
で、特定の対向電極部を指定できるマトリックス電極と
なっている。導光板１、信号電極３、可撓薄膜９、走査
電極１３は、光変調部１４を構成する。

【００３９】それぞれの信号電極３と走査電極１３とに
は電源１５を接続してあり、電源１５は画像情報に基づ
きそれぞれ所定のものに選択的に電圧が印加できるよう
になっている。

【００４０】このように構成される露光素子１９は、導
光板１を透明ガラス板の他、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネートなどの樹脂フィルムにより形成す
ることができる。

【００４１】また、信号電極３、走査電極１３は、透明
な導電性材料で構成される。この透明電極は、紫外線を
透過する材料又は光学特性を有する。一般的には微粒子
化により透明になされた金属或いは導電性を有する金属
化合物で構成される。この金属しては、金、銀、パラジ
ウム、亜鉛、アルミニウムなどを用いることができ、金
属化合物としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、アルミ
ニウム添加酸化亜鉛（通称；ＡＺＯ）などを用いること
ができる。具体的には、ＳｎＯ2 膜（ネサ膜）、ＩＴＯ
膜などを挙げることができる。

【００４２】信号電極３、走査電極１３は、導光板１又
は可撓薄膜９の表面に上述した導電性材料の薄膜を、ス
パッタリング法、真空蒸着法により積層し、この薄膜の
表面にレジストを塗布して、露光、現像を行うことで形
成できる。露光はフォトレジストの上にフォトマスクを
配置し、その上から紫外線を照射して行い、現像はフォ
トレジストの可溶部が除去できる現像液にて処理するこ
とにより行う。

【００４３】信号電極３、走査電極１３に接続される電
源供給回路も、これら信号電極３及び走査電極１３の形
成と同時にパターン形成することができる。

【００４４】図３は図１に示した露光素子の動作時の状
態を示す断面図である。この露光素子１９では、信号電
極３と走査電極１３との間に電源１５により電圧を印加
すると、クーロン力によって可撓薄膜９が吸引されて空
隙１１側に撓む。このクーロン力による可撓薄膜９の撓
み動作を以下、電気機械動作と称する。これにより、導
光板１から可撓薄膜９を透過して出射される光が変調さ
れることになる。従って、画像情報に基づき、電源１５
の電圧をそれぞれの信号電極３と走査電極１３とに選択
的に印加することで、所望の露光制御が可能となる。

【００４５】この露光素子１９は、デジタルマルチ露光
が可能となるため、特に露光により作像を行う画像記録
装置（プリンタ、印刷機など）に用いて、高速な記録
（印字或いは印刷）を可能にすることができる。即ち、
従来の露光素子を用いたプリンタでは、図４（Ａ）に示
すように一定の面積を所定時間で露光するため、その
間、露光素子と像作成体との相対移動は停止することと
なる。これに対し、上述の露光素子１９を用いたプリン
タでは、個々のマトリクス電極に対応して設けた可撓薄
膜９を選択的に駆動することで、デジタルマルチ露光が
可能となるため、図４（Ｂ）に示すように、露光素子１
９と像作成体とを相対移動させながらのライン制御が行
え、高速露光が可能となって、記録速度を大幅に向上さ
せることができる。

【００４６】更に、この露光素子１９は、デジタルマル
チ露光を活用することで、例えば電子写真技術とオフセ
ット印刷技術を融合したＤＤＣＰ（デジタルダイレクト
カラープルーフ）や、刷版に直接作像して転写を行うＣ
ＴＰ（コンピュータｔｏプレート）にも好適に用いるこ
とができる。

【００４７】このように、上述の露光素子１９によれ
ば、装置コストの増大するレーザ光を用いず、安価な低
圧水銀ランプ７を用いて高速なデジタルマルチ露光を可
能にすることができる。そして、導光板１、信号電極
３、支柱５などのエッチングによるアレイ化が容易であ
るので、製造コストを安価にすることができる。また、
導光板１からの光が、空隙１１を挟む一対の透明電極を
透過するのみであるので、光利用効率を向上させること
ができる。更に、レーザ光を用いる露光に比べて駆動電
圧を低くすることができる。

【００４８】また、露光素子１９は、いずれかの光路に
波長を選択する色フィルター、干渉フィルターなどを設
けてもよい。

【００４９】露光素子１９の光変調部１４は、導光板１
を基板として一体形成するもの、又は別体で形成するも
ののいずれであってもよい。

【００５０】露光素子１９の光変調部１４は、脱気した
後、希ガスを封入して、全体を封止し、外乱の影響を防
止して安定化を図るものであってもよい。

【００５１】次に、本発明に係る露光素子の第二実施形
態を説明する。図５は第二実施形態の光変調部を示す平
面図、図６は図５のＡ−Ａ断面図、図７は図５のＢ−Ｂ
断面図、図８は図５に示した画素部の等価回路図であ
る。

【００５２】上述した第一実施形態の露光素子は単純マ
トリクス駆動を可能としたが、露光素子はアクティブ駆
動を行うものであってもよい。即ち、この実施形態によ
る露光素子２１では、画素毎に能動素子（例としてＴＦ
Ｔ）２３を設けてある。ＴＦＴ２３は、ゲート電極２
５、絶縁膜２７、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２９、一方の電極（ド
レイン電極）３１、一方の電極（ソース電極）３３から
構成される。このＴＦＴ２３は、基板３５上に形成され
る。

【００５３】ＴＦＴ２３のソース電極３３には、画素電
極３７が接続される。ドレイン電極３１には、列毎の画
像信号ライン３９が接続される。ゲート電極２５には、
行毎の走査信号ライン４１が接続される。

【００５４】画素電極３７は、光変調部４３にある可撓
薄膜９の上部に積層される。可撓薄膜９は、支柱５に架
橋される。また、画素電極３７と対向して、基板３５に
は他の電極（共通電極）４７が設けられ、電位Ｖｃｏｍ
が印加される。

【００５５】このように構成された露光素子２１の光変
調部４３では、ゲート電極２５に接続された走査信号ラ
イン４１にＴＦＴ２３を導通させる電圧が印加される。
そして、ドレイン電極３１に接続された画像信号ライン
３９に所望の画像信号電圧が印加されると、ドレイン電
極３１とソース電極３３とが導通する。従って、画像信
号電圧が、画素電極３７に印加されることになる。これ
により、共通電極４７の電位Ｖｃｏｍと画素電極３７の
電位との電圧により静電気応力が働き、所望の光変調を
行うことができる。

【００５６】この後に他の行の走査のため、ＴＦＴ２３
が非導通となっても上述の光変調状態は維持され、複数
の行のマトリクス変調が可能となる。

【００５７】次に、本発明に係る露光素子の第三実施形
態を説明する。図９は第三実施形態の露光素子の光変調
部を示す断面図、図１０は図９に示した露光素子の動作
状態を説明する断面図である。

【００５８】可撓薄膜を電気機械動作させて光変調させ
る動作原理としては、可撓薄膜と透明な信号電極とを離
反又は接触させることによる導光拡散作用（以下、導光
拡散と称する。）を利用することができる。導光拡散で
は、空隙を光の透過抵抗として、空隙が形成されている
際には、信号電極からの出射光を遮断若しくは減衰させ
る一方、可撓薄膜を信号電極に接触させた時のみに、信
号電極からの出射光を可撓薄膜へ導光（モード結合）さ
せ、その光を可撓薄膜において拡散させることで、可撓
薄膜からの出射光の強度を制御する（光変調する）。

【００５９】図９に示すように、導光板１上には、紫外
線に対して透明な一方の電極（電極）５１を形成してあ
る。この例としては、電子密度の高いＩＴＯなどの金属
酸化物、非常に薄い金属薄膜（アルミなど）、金属微粒
子を透明絶縁体に分散した薄膜、又は高濃度ドープした
ワイドハンドギャップ半導体などが好適である。

【００６０】電極５１の上には、絶縁性の支柱５を形成
してある。支柱５には、例えばシリコン酸化物、シリコ
ン窒化物、セラミック、樹脂などを用いることができ
る。支柱５の上端面には、ダイヤフラム５３を形成して
ある。電極５１とダイヤフラム５３との間には、空隙
（キャビティ）１１が形成されている。このダイヤフラ
ム５３には、ポリシリコンなどの半導体、絶縁性のシリ
コン酸化物、シリコン窒化物、セラミック、樹脂などを
用いることができる。また、ダイヤフラム５３の屈折率
は、導光板１の屈折率と同等かそれ以上が好ましい。

【００６１】ダイヤフラム５３の上には、光拡散層５
５、例えば、無機、有機透明材料の表面に凹凸を形成し
たもの、マイクロプリズム、マイクロレンズを形成した
ものや、無機、有機多孔質材料、又は屈折率の異なる微
粒子を透明基材に分散したものなどを形成してある。

【００６２】光拡散層５５の上には、紫外線に対して透
明な他方の電極（電極）５７を形成してある。例として
電極５１と同様の材料のものを用いることができる。ダ
イヤフラム５３、光拡散層５５、電極５７は、可撓薄膜
を構成している。

【００６３】導光板１とダイヤフラム５３との間には空
隙１１が存在するが、この空隙１１は支柱５の高さで略
決定される。空隙１１の高さは、例えば、０．１μｍか
ら１０μｍ程度が好ましい。この空隙１１は、通常、犠
牲層のエッチングにより形成される。

【００６４】また、上述の構成例の他に、ダイヤフラム
５３と光拡散層５５とを同一の材料で構成しても良い。
例えば、窒化シリコン膜でダイヤフラム５３を構成し、
上面側の表面に凹凸を形成することによって、拡散機能
を持たせることができる。

【００６５】このように構成した露光素子６１の光変調
の動作原理を説明する。電圧ＯＦＦ時、両電極５１、５
７の電圧がゼロで、ダイヤフラム５３と導光板１との間
に空隙１１（例：空気）が存在する場合、導光板１の屈
折率をｎｗとすると、空気との界面における全反射臨界
角θｃは、θｃ＝ｓｉｎ^-1（ｎｗ）となる。従
って、紫外線は、界面への入射角θが、θ＞θｃのと
き、図９に示すように、導光板１内を全反射しながら進
む。

【００６６】電圧ＯＮ時、両電極５１、５７に電圧を印
加し、ダイヤフラム５３と導光板１表面とを接触又は十
分な距離に近づけた場合、図１０に示すように、紫外線
は、ダイヤフラム５３側に伝搬透過し、更に光拡散層５
５により拡散されて表面側に出射する。

【００６７】この実施形態による露光素子６１によれ
ば、電圧印加によるダイヤフラム５３の位置制御によ
り、光変調を行うことができる。なお、導光板１とダイ
ヤフラム５３の間には紫外線に対して透明な電極５１が
あるが、通常使用される薄膜の厚さ（２０００Ａ）程度
であれば、上述の動作上問題の生ずることはない。

【００６８】また、この露光素子６１では、電圧の値に
より、ダイヤフラム５３と導光板１との間隙距離、接触
面積を変化させることができる。これによって、透過光
量の制御が可能となる。このような作用を利用すること
により、印加電圧を可変して階調制御も可能にできる。

【００６９】次に、本発明に係る露光素子の第四実施形
態を説明する。可撓薄膜を電気機械動作させて光変調さ
せる動作原理としては、ファブリペロー干渉を利用する
ことができる。ファブリペロー干渉では、二枚の平面が
向かい合わせに平行に配置された状態において、入射光
線は、反射と透過を繰り返して多数の光線に分割され、
これらは互いに平行となる。透過光線は、無限遠におい
て重なり合い干渉する。面の垂線と入射光線のなす角を
ｉとすれば、相隣る二光線間の光路差はｘ＝ｎｔ・ｃｏ
ｓｉで与えられる。但し、ｎは二面間の屈折率、ｔは間
隔である。光路差ｘが波長λの整数倍であれば透過線は
互いに強め合い、半波長の奇数倍であれば互いに打ち消
し合う。即ち、反射の際の位相変化がなければ、２ｎｔ
・ｃｏｓｉ＝ｍλ で透過光最大
となり、２ｎｔ・ｃｏｓｉ＝（２ｍ＋１）λ／２
で透過光最小となる。但し、ｍは正整数である。

【００７０】即ち、光路差ｘが所定の値となるように、
可撓薄膜を移動させることにより、信号電極側から出射
される光を、光変調して可撓薄膜から出射させることが
可能となる。

【００７１】このようなファブリペロー干渉を利用した
露光素子の具体例を図１１乃至図１８を参照して説明す
る。図１１は第四実施形態の露光素子の光変調部を示す
平面図、図１２は図１１のＡ−Ａ断面図、図１３は図１
１のＢ−Ｂ断面図、図１４は図１１に示した露光素子の
動作状態を説明する断面図、図１５はブラックライト用
低圧水銀ランプの分光特性を示す説明図、図１６は光変
調素子の光強度透過率を示す説明図、図１７は低圧水銀
ランプによるバックライトの分光特性を示す説明図、図
１８は光変調素子の光強度透過率を示す説明図である。

【００７２】紫外線に対して透明な基板７１上には、誘
電体多層膜ミラー７３を設けてある。基板７１上には、
誘電体多層膜ミラー７３を挟んで両側に一方の電極（電
極）７５を一対設けてある。基板７１上には、電極７５
の左右側（図１１の左右側）に支柱５を設けてある。支
柱５の上端面には、ダイヤフラム５３を設けてある。誘
電体多層膜ミラー７３に対向するダイヤフラム５３の下
面には、誘電体多層膜ミラー７７を設けてある。誘電体
多層膜ミラー７３と誘電体多層膜ミラー７７との間に
は、空隙１１が形成されている。ダイヤフラム５３の表
面には、電極７５と対向するように、他方の電極（電
極）７９を一対設けてある。なお、図中、８０はスペー
サである。

【００７３】図１４に示すように、板状の平面光源ユニ
ット８１の側面には、ブラックライト用紫外線ランプ
（低圧水銀ランプ）８３を配設してある。平面光源ユニ
ット８１は、ブラックライト用低圧水銀ランプ８３から
の紫外線を側面から取り入れて、表面側から出射する。

【００７４】低圧水銀ランプ８３の内壁にブラックライ
ト用の蛍光体（例えば、ＢａＳｉ2Ｏ5 ：Ｐｂ2+) を塗
布した場合、その発光紫外線の分光特性は、図１５のよ
うになる。即ち、３６０ｎｍ付近に中心波長λ０を持
つ。この紫外線をバックライト光として使用する。

【００７５】このように構成される光変調部８５におい
て、電圧ＯＦＦのときの空隙１１の間隔をｔoff とする
（図１４の左側の状態）。これは素子作製時に制御可能
である。また電圧を印加したとき静電気力により空隙１
１の間隔が短くなるがこれをｔonとする（図１４の右側
の状態）。ｔonの制御は、印加する静電気応力とダイヤ
フラム５３が変形したとき発生する復元力のバランスで
可能である。より安定な制御を行うには、変位が一定と
なるようにスペーサを電極上に形成してもよい。このス
ペーサは絶縁体の場合、その比誘電率（１以上）によ
り、印加電圧を低減する効果がある。また、導電性の場
合には、更にこの効果は大きくなる。また、電極とスペ
ーサとは、同一材料で形成してもよい。

【００７６】ここで、ｔon、ｔoff を下記のように設定
する。（ｍ＝１）。ｔon ＝１／２×λ０＝１８０ｎｍ（λ０：紫外線の
中心波長）ｔoff ＝３／４×λ０＝２７０ｎｍ

【００７７】また、誘電体多層膜ミラー７３、７７は、
光強度反射率をＲ＝０．８５とする。更に、空隙１１は
空気又は希ガスとし、その屈折率はｎ＝１とする。紫外
線は、コリメートされているので光変調部８５に入射す
る入射角ｉは、略ゼロである。このときの光変調部８５
の光強度透過率は図１６のようになる。従って、電圧を
印加しないときはｔoff ＝２７０ｎｍであり、紫外線は
ほとんど透過しない。一方、電圧を印加してｔon＝１８
０ｎｍとなると、紫外線は透過する。

【００７８】この光変調部８５を有した露光素子９１に
よれば、このようにして、ダイヤフラム５３を撓ませる
ことにより、多層膜干渉効果を発生させて、紫外線の光
変調を行うことができる。

【００７９】なお、干渉の条件を満たせば、空隙１１の
間隔ｔ、屈折率ｎ、誘電体多層膜ミラー７３、７７の光
強度反射率Ｒなどはいずれの組合せでも良い。

【００８０】また、電圧の値により、間隔ｔを連続的に
変化させると、透過スペクトルの中心波長を任意に変化
させることが可能である。これにより透過光量を連続的
に制御することも可能である。即ち、印加電圧による階
調制御が可能となる。

【００８１】この実施形態による光変調部８５の変形例
として、上述のブラックライト用低圧水銀ランプ８３に
代えて、低圧水銀ランプによるバックライトを用いるこ
ともできる。即ち、低圧水銀ランプの直接発光分光特性
は、２５４ｎｍの線スペクトルが主な成分である。この
ランプを光源とし、石英ガラスなどによる導光板と組み
合わせてバックライトユニットを構成する。他の波長
は、フィルターなどでカットする。このとき、紫外線バ
ックライトの分光特性は図１７のようになる。

【００８２】また、光変調部において、有効画素エリア
の構成材料（ダイヤフラム、誘電体多層膜ミラー、基板
など）は、２５４ｎｍの紫外線を透過する材料とする。

【００８３】ここで、ｔon、ｔoff を下記のように設定
する。（ｍ＝１）。ｔon ＝１／２×λ０＝１２７ｎｍ（λ０：紫外線の
中心波長）ｔoff ＝３／４×λ０＝１９１ｎｍ

【００８４】その他の条件は、上述の例と同じでＲ＝
０．８５、ｎ＝１、ｉ＝０とする。このときの光変調素
子の光強度透過率は図１８のようになる。従って、電圧
を印加しないときはｔoff ＝１９１ｎｍであり、紫外線
は殆ど透過せず、電圧を印加してｔon＝１２７ｎｍにな
ると紫外線は透過する。このようにして光変調が可能で
ある。

【００８５】特にこの変形例の場合、紫外線は線スペク
トルなので非常に高いエネルギー透過率を示し、高効率
でコントラストの高い変調が可能となる。

【００８６】なお、この変形例においても、干渉の条件
を満たせば、空隙１１の間隔ｔ、屈折率ｎ、誘電体多層
膜ミラー７３、７７の光強度反射率Ｒなどはいずれの組
合せでも良い。

【００８７】また、この変形例においても、電圧の値に
より、間隔ｔを連続的に変化させると、透過スペクトル
の中心波長を任意に変化させることが可能である。これ
により透過光量を連続的に制御することも可能である。
即ち、印加電圧による階調制御が可能となる。

【００８８】次に、本発明に係る露光素子の第五実施形
態を説明する。図１９は第五実施形態の露光素子の光変
調部を示す斜視図、図２０は図１９に示した光変調部の
断面図、図２１は図１９に示した露光素子の動作状態を
説明する断面図である。

【００８９】紫外線に対して透明な基板１０１上には、
紫外線に対して透明な透明電極１０３を設けてある。基
板１０１は、光が透過する開口部以外を絶縁性の遮光膜
１０５で遮光してある。透明電極１０３、遮光膜１０５
の表面には、絶縁膜１０７を形成してある。

【００９０】また、この基板１０１上の開口部の両側に
は、絶縁性の支柱１０９を設けてある。支柱１０９の上
端には、可撓薄膜である遮光板１１１を設けてある。遮
光板１１１は、片持ち梁構造を有し、導電性で紫外線を
吸収、又は反射する材料で構成される。この梁構造を有
した導電性の遮光板１１１は、単一の薄膜で構成されて
もよく、また複数の薄膜で構成されてもよい。

【００９１】具体的には、紫外線を反射するアルミ、ク
ロムなどの金属薄膜、紫外線を吸収するポリシリコンな
どの半導体による単体構成や、シリコン酸化物、シリコ
ン窒化物などの絶縁膜、ポリシリコンなどの半導体薄膜
に金属を蒸着した構成、又は誘電体多層膜などのフィル
ターを蒸着した複合構成とすることができる。遮光板１
１１は、開口部の形状と対応しており、開口部の大きさ
より若干大きくしてある。

【００９２】このように構成された光変調部１１３を有
する露光素子１１５を、紫外線平面光源ユニット８１上
に配置する。導電性の遮光板１１１と透明電極１０３と
の間に電圧を印加しないときは、遮光板１１１は開口部
と対向しており、開口部から透過した紫外線は遮光板１
１１によって吸収又は反射される（図２１の左側の状
態）。

【００９３】一方、遮光板１１１と透明電極１０３との
間に電圧を印加すると、両者間に働く静電気応力によ
り、遮光板１１１がねじれながら透明電極１０３側に傾
く（図２１の右側の状態）。即ち、遮光板１１１による
遮蔽がなくなる。これにより開口部から透過した紫外線
は、更に前方に透過することができる。また、再度電圧
をゼロにすると、梁の弾性により遮光板１１１は元の位
置に復帰する。

【００９４】また、電圧の値により、遮光板１１１の傾
き度合い、即ち、透過光量を連続的に変化させることが
可能である。これを利用して印加電圧による階調制御が
可能となる。

【００９５】このように、上述の露光素子１１５によれ
ば、遮光板１１１を撓めることにより、紫外線の進路を
変化させて、紫外線の光変調を行うことができる。

【００９６】次に、本発明に係る露光素子の第六実施形
態を説明する。図２２は第六実施形態の露光素子を示す
断面図、図２３は第六実施形態の変形例１を示す断面
図、図２４は第六実施形態の変形例２を示す断面図であ
る。

【００９７】この実施形態による露光素子１２１は、図
２２に示すように、ＵＶ光源側の透明基板１２２の表面
に、複数の信号電極３を設けてある。隣接する信号電極
３の間には、支柱５を設けてある。支柱５の上端面に
は、可撓薄膜９を架橋してある。信号電極３と可撓薄膜
９との間は、空隙１１となっている。可撓薄膜９の表面
には、走査電極１３を形成してある。走査電極１３の出
射側の前面には、前面側透明基板１２３を設けてある。

【００９８】透明基板１２３の走査電極１３に対向する
面には、隣接する画素１２５同士の境界部に、ブラック
マスク１２７を形成してある。ブラックマスク１２７
は、画素境界部の光漏れを遮蔽してコントラスト効果を
高めるように作用する。この露光素子１２１は、信号電
極３、空隙１１、可撓薄膜９、走査電極１３、ブラック
マスク１２７によって光変調部１２８が構成されてい
る。

【００９９】この露光素子１２１によれば、前面に透明
基板１２３を配置したので、露光素子１２１の光変調部
１２８におけるＵＶ光像を投影レンズにより、感材に投
影露光することができる。

【０１００】また、露光素子は、前面の透明基板１２３
に代えて、図２３に示すように、ファイバーフェースプ
レート１２９を設けるものであってもよい。このような
露光素子１２１ａによれば、上述の露光に加えて、感材
との密着露光を可能にすることができる。

【０１０１】更に、露光素子は、前面の透明基板１２３
に代えて、図２４に示すように、分布屈折率レンズ（例
えば、商品名：セルフォックレンズなど）１３１を設け
るものであってもよい。セルフォックレンズ１３１は、
屈折率が連続的に変化することでレンズ作用を有する。
このような露光素子１２１ｂによれば、上述の露光に加
えて、感材との距離を十分に近づけた露光を可能にする
ことができる。

【０１０２】次に、本発明に係る露光素子の第七実施形
態を説明する。図２５は第七実施形態の露光素子に用い
る平面光源の断面図、図２６は図２５の平面光源からの
出射光を示す説明図、図２７は第七実施形態の変形例１
を示す断面図、図２８は第七実施形態の変形例２を示す
断面図である。

【０１０３】露光素子の平面光源ユニットとしては、種
々の構成が考えられる。図２５に示すように、平面光源
ユニット１４１は、紫外線ランプ（低圧水銀ランプ）１
４３と、ＵＶ光反射板１４５と、導光板１４７と、拡散
板１４９と、集光板１５１とにより構成することができ
る。

【０１０４】低圧水銀ランプ１４３は、導光板１４７の
端面側に配置してある。低圧水銀ランプ１４３からの紫
外線は、ＵＶ光反射板１４５によって導光板１４７の端
面から入射する。導光板１４７の表面には拡散板１４９
を設けてあり、拡散板１４９の表面には更に集光板１５
１を設けてある。導光板１４７の端面から入射した紫外
線は、拡散板１４９、集光板１５１を通過して出射され
る。

【０１０５】このような平面光源ユニット１４１によれ
ば、図２６に示すように、面法線方向に指向性を持った
拡散光を出射させることができる。この平面光源ユニッ
ト１４１は、上述した第四実施形態、第五実施形態の露
光素子９１、１１５に好適に用いることができる。

【０１０６】また、平面光源ユニットは、図２７に示す
ように、出射光が出射面に対し略垂直であるコリメート
光光源を用いてもよい。コリメート光は、公知技術によ
り出射させることができる。ランプ周囲に配置されたＵ
Ｖ光反射板１４５の形状、導光板背面に配置された反射
板１４５の構造、集光板１５１の構造などを工夫するこ
とにより可能となる。

【０１０７】このようなコリメート光を出射させる平面
光源ユニット１４１ａによれば、導光板１４７からの出
射光を平行ビームに変換して、指向性を持たせることが
できる。この平面光源ユニット１４１ａは、上述した第
四実施形態、第五実施形態の露光素子９１、１１５に好
適に用いることができる。

【０１０８】更に、平面光源ユニットは、図２８に示す
ように、導光板１４７内の光路が全反射臨界角度より高
くなるように、ランプ周囲のＵＶ光反射板１４５を傾斜
させ、導光板１４７内に紫外線を入射させるものとして
もよい。

【０１０９】この平面光源ユニット１４１ｂでは、入射
された紫外線が導光板１４７を全反射しなが終端まで進
み、終端に設けた反射板１５３で反射されて、さらに全
反射をしながら低圧水銀ランプ１４３側に戻る。

【０１１０】この平面光源ユニット１４１ｂによれば、
指向性の無い平面光源を得ることができる。この平面光
源ユニット１４１ｂは、上述した第三実施形態の露光素
子６１に好適に用いることができる。

【０１１１】そして更に、平面光源ユニットは、分散型
の無機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）、薄膜型の無
機ＥＬ、低分子型の有機ＥＬ、高分子型の有機ＥＬ、無
機半導体ＬＥＤ（ライトエミッティングダイオード）、
ＦＥＤ（紫外発光蛍光体を電界放出電子により発光させ
るもの）などの紫外線を出射する発光素子を用いたもの
でもよい。

【０１１２】発光素子の発光面側に光変調部を設けるこ
とで、発光素子から出射される光が直接的に光変調部に
導入される。

【０１１３】このような発光素子による平面光源ユニッ
トによれば、均一な発光強度をよりコンパクトな形状で
得ることができ、特に、有機ＥＬ、無機ＬＥＤに対して
は低電圧化を図ることができる。さらに、無機ＬＥＤに
対しては光源の寿命を大幅に向上させることができ、薄
膜無機ＥＬ、有機ＥＬ、ＦＥＤに対しても同様に寿命の
向上が期待できる。

【０１１４】次に、本発明に係る露光素子の第八実施形
態を説明する。図２９は第八実施形態の露光素子を示す
断面図である。ここで示す露光素子は、例えば上述の第
六実施形態で示した図２２の露光素子１２１と略同様の
ものを用いてある。従って、同一部材には同一の符号を
付して、重複する説明は省略するものとする。図２９に
示すように、露光素子１２１は、バックライトユニット
１６１との間に間隙１６３を設け、分離して配置してあ
る。

【０１１５】透明基板１２２、１２３は、少なくともＵ
Ｖ光を透過する基板を使用してある。この場合、紫外線
が３６５ｎｍであるときは、透明基板１２２、１２３
は、ガラス系、アクリル系樹脂などが好適となる。ま
た、紫外線が２４５ｎｍであるときは、透明基板１２
２、１２３は、溶融石英などが好適となる。

【０１１６】この露光素子１２１によれば、透明基板１
２２とバックライトユニット１６１との間に間隙１６３
を形成して、光変調部と発光部とを分離したので、透明
基板１２２とバックライトユニット１６１とを別体で製
作できる。従って、導光板１に信号電極３を直接形成す
る第一実施形態の露光素子１９に比べて、透明基板１２
２、或いはバックライトユニット用導光板のそれぞれ
に、好適な材料を用いることができる。この結果、使用
材料の選択自由度を高めることができる。

【０１１７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る露光素子によれば、紫外線の平面光源上に、電気機械
動作により平面光源の光を光変調する光変調部を配設し
たので、装置コストの増大するレーザ光を用いず、駆動
電圧の低い、且つ安価な露光素子を得ることができる。

【０１１８】そして、導光板上に透明な信号電極を設け
るとともに、信号電極に空隙を挟んで透明な可撓薄膜を
対向させ、信号電極に対向する走査電極をこの可撓薄膜
に設ける積層構造とするので、アレイ化が容易であり、
製造コストの安価な露光素子を得ることができる。ま
た、導光板からの光が、空隙を挟む一対の透明電極を透
過するのみであるので、光利用効率を向上させることが
できる。

【０１１９】更に、帯状に形成した複数の平行な信号電
極及び走査電極を、直交方向で格子状に対向配置するの
で、高速なデジタルマルチ露光が可能で、高速露光を実
現させることができる。

【０１２０】本発明に係る画像記録装置によれば、デジ
タルマルチ露光が可能となるため、露光素子と像作成体
とを相対移動させながらのライン制御が行え、高速露光
が可能となって、記録速度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る露光素子の第一実施形態の断面図
である。

【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。

【図３】図１に示した露光素子の動作時の状態を示す断
面図である。

【図４】従来の露光素子を用いた面露光と図１の露光素
子を用いたデジタルマルチ露光との動作を比較した説明
図である。

【図５】第二実施形態の光変調部を示す平面図である。

【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。

【図７】図５のＢ−Ｂ断面図である。

【図８】図５に示した画素部の等価回路図である。

【図９】第三実施形態の露光素子の光変調部を示す断面
図である。

【図１０】図９に示した露光素子の動作状態を説明する
断面図である。

【図１１】第四実施形態の露光素子の光変調部を示す平
面図である。

【図１２】図１１のＡ−Ａ断面図である。

【図１３】図１１のＢ−Ｂ断面図である。

【図１４】図１１に示した露光素子の動作状態を説明す
る断面図である。

【図１５】ブラックライト用低圧水銀ランプの分光特性
を示す説明図である。

【図１６】光変調素子の光強度透過率を示す説明図であ
る。

【図１７】低圧水銀ランプによるバックライトの分光特
性を示す説明図である。

【図１８】光変調素子の光強度透過率を示す説明図であ
る。

【図１９】第五実施形態の露光素子の光変調部を示す斜
視図である。

【図２０】図１９に示した光変調部の断面図である。

【図２１】図１９に示した露光素子の動作状態を説明す
る断面図である。

【図２２】第六実施形態の露光素子を示す断面図であ
る。

【図２３】第六実施形態の変形例１を示す断面図であ
る。

【図２４】第六実施形態の変形例２を示す断面図であ
る。

【図２５】第七実施形態の露光素子に用いる平面光源の
断面図である。

【図２６】図２５の平面光源からの出射光を示す説明図
である。

【図２７】第七実施形態の変形例１を示す断面図であ
る。

【図２８】第七実施形態の変形例２を示す断面図であ
る。

【図２９】第八実施形態の露光素子を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１、１４７導光板３信号電極（一方の電極）７、８３、１４３低圧水銀ランプ（紫外線ランプ）９可撓薄膜１１空隙１３走査電極（他方の電極）１４、４３、８５、１１３、１２８光変調部１９、２１、６１、９１、１１５、１２１、１２１ａ、
１２１ｂ露光素子２３ＴＦＴ（能動素子）２５ゲート３１ドレイン（一方の電極）３３ソース（一方の電極）３９画像信号ライン４１走査信号ライン４７共通電極（他方の電極）５１電極（一方の電極）５３ダイヤフラム（可撓薄膜）５７電極（他方の電極）７５電極（他方の電極）７９電極（一方の電極）８１、１４１、１４１ａ、１４１ｂ平面光源１２９ファイバーフェースプレート１３１セルフォックレンズ（分布屈折率レンズ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】紫外線の平面光源上に、電気機械動作に
より該平面光源からの光を光変調する一次元又は二次元
マトリクス状の光変調部を配設したことを特徴とする露
光素子。
【請求項２】前記光変調部は、前記平面光源上に設けた一方の電極と、該一方の電極に少なくとも空隙を挟んで対向する他方の
電極と、前記一方の電極と該他方の電極との間に介装して紫外線
に透明な可撓薄膜とを具備し、前記一方の電極と前記他方の電極とに電界を印加するこ
とで発生したクーロン力によって前記可撓薄膜を撓ませ
該可撓薄膜を透過する光を変調して出射することを特徴
とする請求項１記載の露光素子。
【請求項３】帯状に形成した複数の平行な前記一方の
電極を前記平面光源上に並設し、帯状に形成した複数の
平行な前記他方の電極を該一方の電極に直交する方向で
前記可撓薄膜に並設することで前記一方の電極と前記他
方の電極とを格子状に対向配置したことを特徴とする請
求項２記載の露光素子。
【請求項４】電気的にスイッチする能動素子を画素毎
に設け、前記一方の電極を該能動素子のドレイン（又は
ソース）に接続し、前記他方の電極を共通電極に接続
し、列毎の画像信号ラインを前記能動素子のソース（又
はドレイン）に接続し、行毎の走査信号ラインを前記能
動素子のゲートに接続し、前記能動素子を行毎に走査
し、前記一方の電極に画像信号を印加してアクティブマ
トリクス駆動による光変調を行うことを特徴とする請求
項２記載の露光素子。
【請求項５】前記平面光源を紫外線ランプと導光板と
によって構成し、前記一方の電極と前記他方の電極に電
界を印加し、前記導光板に前記可撓薄膜を接触、又は十
分に近づけることにより、前記導光板に導光させた前記
紫外線を可撓薄膜側に透過・出射させて光変調を行うこ
とを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に
記載の露光素子。
【請求項６】前記可撓薄膜は、前記導光板から透過した光を拡散又は散乱により出射さ
せる機能を有することを特徴とする請求項５記載の露光
素子。
【請求項７】前記一方の電極と前記他方の電極とに電
界を印加し、前記可撓薄膜が撓むことにより光学的な多
層膜干渉効果を発生させて前記紫外線の光変調を行うこ
とを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に
記載の露光素子。
【請求項８】前記紫外線に対して光強度反射率を有す
る前記可撓薄膜と、該可撓薄膜に対向配置され前記紫外
線に対して光強度反射率を有する膜とを具備し、該２つ
の膜の光学長を前記可撓薄膜が撓むことにより変化させ
て光学的な多層膜干渉効果を発生させ、前記紫外線の光
変調を行うことを特徴とする請求項７記載の露光素子。
【請求項９】前記一方の電極と前記他方の電極に電界
を印加し、前記可撓薄膜が撓むことにより、前記紫外線
の進路を変化させて該紫外線の光変調を行うことを特徴
とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の露
光素子。
【請求項１０】前記光変調部の出射側基板にファイバ
ーフェースプレート又は出射側に分布屈折率レンズを使
用したことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれ
か１項に記載の露光素子。
【請求項１１】前記平面光源の紫外線は、コリメートされた光であることを特徴とする請求項１乃
至請求項４、又は請求項７乃至請求項１０のいずれか１
項に記載の露光素子。
【請求項１２】前記平面光源は、低圧水銀ランプを光源とし、その紫外線が２５４ｎｍを
中心とした波長であることを特徴とする請求項１乃至請
求項１１のいずれか１項に記載の露光素子。
【請求項１３】前記平面光源は、紫外線を発光する蛍光体を塗布した低圧水銀ランプを光
源とし、その紫外線が３００ｎｍ乃至４００ｎｍを中心
とした波長であることを特徴とする請求項１乃至請求項
１１のいずれか１項に記載の露光素子。
【請求項１４】前記平面光源は、紫外線を出射する発光素子であることを特徴とする請求
項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の露光素子。
【請求項１５】前記電界の強度により前記可撓薄膜を
連続的に変化させることで光変調部の透過光量を任意に
制御することを特徴とする請求項２乃至請求項１４のい
ずれか１項に記載の露光素子。
【請求項１６】像形成体に画像情報に基づいた露光を
行い、該像形成体に像を形成する画像記録装置におい
て、請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の露光素
子を用いて光源からの光を光変調することによって前記
像形成体に像を形成することを特徴とする画像記録装
置。