JPH0393344A

JPH0393344A - 画像読取装置

Info

Publication number: JPH0393344A
Application number: JP22934089A
Authority: JP
Inventors: Kazuhisa Ando; 和久安藤; Kiichi Yamada; 紀一山田; Masao Funada; 雅夫舟田
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1989-09-06
Filing date: 1989-09-06
Publication date: 1991-04-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はファクシミリやスキャナ等に川いられる画像読
取装置に係り、特に分解能を向上させるためのＥＬ発光
・受光素子一体型の画像読取装置に関する。

（従来の技術）従来のファクシミリやスキャナ等には、光源としてＥＬ
発光素子を用いるものがあり、特にＥＬ発光素子と密着
型イメージセンサとを一体化した超小型の画像読取装置
が提案されている。

この画像読取装置は、例えば第３図に示すように、ガラ
ス、セラミック等から或る越板１上に形成された受光素
子２と、ガラス等の透明部伺から成るＥＬ基板１１上に
形成されたＥＬ発光素子４とを、透光性を有する絶縁部
材３で結合させて構成されるもので、図の表裏方向（主
走査方向）に長尺状に形威されている。

受光素子２は、基仮１上に第３図の表裏方向に複数配列
されるようクロム（Ｃ『）等で形成された個別電極２１
と、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓｉ）で形成された
光導電層２２と、酸化インジウム・スズ（Ｉ　ＴＯ）で
形成された通明電極２３とから成る。

ＥＬ発光素子４は、ＥＬ基Ｉ！ｉ２１１上＋：　Ｉ　Ｔ
　Ｏ、Ｉ　ｎ，ｏ，　、ＳｎＯ，等から構成される透明
電極４１と、Ｙ，０，　、Ｓ　Ｌ　Ｎ，　、ＢａＴｉＯ
，等から成る絶縁層４２と、ＺｎＳ：Ｍｎ等から成る発
光層４３と、同上の絶縁層４２と、アルミニウム（ＡＩ
）等の金属から或る不透明電極４４とを順次積層して成
る。透明電極４１と不透明電極４４との間に電圧をかけ
ると、その間て挾持された発光層４３から光が放射され
、原稿１００に照射される。また、プラテンローラ１０
１の回転により、原稿１００が移動する仕組みとなって
いる。

前記不透明電極４４には、受光素子２の各受光部分に対
応するよう方形状の光透過窓４５が開目され、発光層４
３から発光した光が原稿１００で反射し、その反射光が
光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照射す
るような構成となっている（特開昭５９−２１０６６４
号公報参照）。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上記のような画像読取装置の横或では、
不透明電極４４で光透過窓４５を通過する反射光以外の
光を一応遮光しているものの、ＥＬ基板１１の端面部お
よびＥＬ発光素子４の端部において遮光が成されていな
いため、ＥＬ発光光がＥＬ基板１１内あるいはＥＬ発光
素子４内で反射して迷光となり、当該迷光がＥＬ発光素
子４の不透明電極４４と受光素子２の基板１の間を反射
して受光素子２の受光部分に入射することもあるし、ま
た画像読取装置の外部からの入射光が受光素子２の受光
部分に入射することもある。例えば、第３図に示すよう
に、発光光Ｘか原稿１００に反射して光透過窓４５を通
過して受光素子２の受光部分に入射するのはよいが、発
光光ｙのように光透過窓４５を通過しないて迷光となり
、受光素子２の受光部分に入射するもの、また、画像読
取装置の外部からの人９１光２が受光素子２の受光部分
に入射するものもあった。そうなると、受光素子２にお
いて、正確な電荷を出力することができないとの問題点
があった。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、両像読取装
置において、受光素子２の受光部分に入射する迷光と外
部からの入射光を防ぎ、正確な電荷を出力させて正確な
画情報を得ることのできる画像読取装置を提供すること
を目的とする。

（課題を解決するための手段）上記従来例の問題点をＨ決するため本発明は、第１の基
板上に形成された受光素子と、第２の基阪上に透明電極
、発光層、不透明電極の順で形成したＥＬ発光素子とを
絶縁部材を介して対向するよう配置し、前記ＥＬ発光素
子から発光する光が反受光素子側に配置された原稿の面
で反射し、その反射光を前記受光素子へ導く光透過窓が
前記不透明電極に設けられた画像読取装置において、前
記ＥＬ発光素子と前記絶縁部材の間に絶縁性の遮光膜を
少なくとも前記光透過窓部分を除いて設け、前記絶縁部
材の側面に絶縁性の遮光膜を設けたことを特徴としてい
る。

（作用）本発明によれば、ＥＬ発光・受光素子一体型の画像読取
装置において、少なくともＥＬ発光素ｒの不透明電極に
設けられた光透過窓を除き、ＥＬ発光素子と絶縁部材の
間に絶縁性の遮光膜を形或し、ＥＬ発光素子と受光素子
の間に形成された絶縁部材の側面をも絶縁性の遮光膜で
覆うような構成にしたので、ＥＬ発光光の迷光が光透過
窓以外の部分より受光素子に人財したり、画像読取装置
の外部から光が受光素子に人１・１するのを防ぐことが
できる。

（実施例）本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。

第１図は、本発明の一実施例に係る画像読取装置の断面
説明図を示し、第２図は、第１図の構成をその上部から
示した平面説明図である。第３図と同様の構成をとる部
分については同一の符号を付している。

実施例の画像読取装置の溝或は、ガラス、セラミック等
から或る基仮１上に形成された受光素子２とガラスから
成るＥＬ基阪１１上に形成されたＥＬ発光素子４とを、
透光性を６する絶縁部材３で結合させるものである。

受光素子２の構或は、基板１上にクロム（Ｃ『）等の金
属から或り下部の個別電極２１が形成され、その上にア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から成る光導電層２２
が形成され、さらにその上に酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ）から或る透明電極２３が形成される。

尚、ここでは下部の個別電極２１は主走査方向に離散的
に分割して形成され、透明電極２３はシ１｝状の共通電
極となるよう形威されることにより、光導電層２２を個
別電極２１と透明電極２３とで挟んだ部分が各受光素子
２を構成し、その集まりが受光素子アレイを形威してい
る。また、離散的に分割形威された個別電極２１の端部
２４は駆動用ＩＣ（図示せず）に接続され、受光素子２
で生成される電荷を抽出するようになっている。また、
受光素子２において、アモルファスシリコンの代わりに
、ＣｄＳｅ　（カドミウムセレン）等を光導電層３とす
ることも可能である。

ＥＬ発光素子４は、ＥＬ基板１１上にＩＴＯ，Ｉｎ，Ｏ
，　、ＳｎＯ，等から構成される透明電極４１が形或さ
れ、その上にＹ２０，　、Ｓｉ，Ｎａ、ＢａＴｉＯ，等
から成る絶縁層４２と、次ぎに２ｎｓ：Ｍｎ等から或る
発光層４３が形成され、またその上に絶縁層４２と、ア
ルミニウム（ＡＩ）等の金属から威る不透明導電膜４４
とを順次積層している。

前記不透明電極４４には、受光素子２の各受光部分に対
応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層４
３から発光した光が原稿１００で反射し、その反ｑ・ｌ
光が光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照
射するような構成となっている更に、画像読取装置は、上記受光素子２の上に上記ＥＬ
発光素子４をＥＬ基仮１１か外側になるよう透光性を有
する絶縁部材３て桔合し、受光素子２とＥＬ発光素子４
とを電気的に絶縁している。

この場合、ＥＬ発光素子４と絶縁部材３との間に、光透
過窓４５部分を除いてＥＬ発光素子４全体を覆うように
絶縁性遮光膜１２を設ける。つまり、不透明電極４４、
絶縁層４２、発光層４３および透明電極４１の側面を覆
うように絶縁性遮光膜１２が形成される。また、絶縁性
遮光膜１２はＥＬ基板１１と絶縁部材３の間にも形成さ
れて、それぞれを遮光している。さらに接合された画像
読取装置について、ＥＬ基板１１と絶縁部材３の側面を
覆うように、絶縁部材３の側面部に長尺方向に沿って遮
光性封止樹脂１３、１３を形成する。

次に、この画像読取装置の製造方法について説明する。

この画像読取装置は、受光素子２部分とＥＬ発光素子４
部分をそれぞれ別々に作製し、これらを接合して形或す
るものである。

まず、受光素子２の製造方法は、ガラスまたはセラミッ
ク等で形成された基板１上の全面にクロム（Ｃ『）を着
膜し、この上にレジストを塗布する。マスクパターンを
用いて前記レジストを露光、現像してレジストパターン
を形威し、エッチングした後にレジストパターンを除去
して下部電極となる個別電極２１を形或する。そして、
ｐ−ｃｖＤ法によりアモルファスシリコンを着膜し、フ
オトリソ峡によるＣＦ，等を用いたプラズマエッチング
ミまたはメタルマスクによるバターニング蒸着により前
記個別電極２の先端部分を覆う帯状の光導電層２２を形
成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウム
・スズ（ＩＴＯ）を着膜し、フォトリソ法による混酸を
用いたウエットエッチングにより前記個別電極２１の先
端部分を覆い、ａ−Ｓｔの光導電層２２を挟むよう受光
素子２の透明電極２３を形戊する。

次に、ＥＬ発光素子４の製造方法は、ガラス等で形威し
たＥＬ基阪１１上にＩＴＯ、Ｉｎ，Ｏ，、Ｓｎ０２等を
スパッタ法または蒸着て着膜して発光素子の透明電極４
１を形成し、この透明電極４１上にＳ　ｍ２　０ｓ　、
Ｙ２　０３　、Ｓ　ｉＯ２　等を着膜して絶縁層４２を
形成し、絶縁層４２上にスバッタ法、電子ビーム法等で
ＺｎＳ：Ｍｎ等を着膜して帯状の発光層４３を形或し、
再度前記同様の絶縁層４２を形威し、絶縁層４２上にア
ルミニウム等の金属を蒸着し、フォトリソ法によりバタ
ーニングして光透過窓４５を有する不透明電！！４４を
形威してＥＬ発光素子４を作製する。この光透過窓４５
は、予め、ＥＬ発光素子４と受光素子２とが接合した場
合に受光素子２の受光部分に対応して設けられている。

これにより、ＥＬ発光光が原稿１００を照射し、その反
射光が光透過窓４５を透過して受光素子２の受光部分に
入射する構或となっている。

そして、不透明電極４４と絶縁部材３の間に光透過窓４
５部分を除いてＥＬ発光素子４を覆うように絶縁性遮光
膜ｌ２を形成する。

この場合、透明電極４１と不透明電極４４に一定の電圧
を受光素子２の基板１側から供給するために、第２図の
不透明電極４４側から見たＥＬ発・光素子４の平面説明
図に示すように、図中の両端部にそれぞれ２箇所の接続
端子部を方形状とするよう絶縁性遮光膜１２を除去して
、接続端子窓１４を形成する。このように、両端部に接
続端子部を設けたのは、一箇所からの電荷の供給では透
明電極・不透明電極のシート抵抗によってＥＬ発光光の
輝度にむらが生しるが、両端部分から電荷を供給するこ
とで、その輝度むらを低減させるためである。

また、絶縁性遮光膜１２の形或方法は、ＥＬ発光素子４
における不透明電極４４の受光素子２側の而にＥＬ発光
素子４の全体を覆うように絶縁性遮光膜材料（Ｂｒｅｗ
ｅｒ　　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製ＤＡＲＣ）をコーティング
し、当該絶縁性遮光膜材料を２００℃〜３００℃でプリ
ベークして固め、次にレジストコートし、その後レジス
トベークしてレジストを固めて、第２図に示すパターン
を形成するためにマスクパターンを用いレジストを露光
・現像し、絶縁性遮光膜材料をエッチングして光透過窓
４５部分と接続端子窓１４部分を除去する。その後、洗
浄し、レジスト剥離して、絶縁性遮光膜材料をファイナ
ルベークして光透過窓４５部分と接続端子部１４部分を
除いた絶縁性遮光膜１２が形成される。

これから、受光素子２の上にＥＬ基板１１が外側になる
ようＥＬ発光素子４を透光性を有する絶縁部材３を介し
て接合する。絶縁性遮光膜ｌ２に形威された接続端子窓
１４の開口を通して、基板１側から電荷か透明電極４１
と不透明電極４４にそれぞれ供給されるよう接続端子部
に電源が接続されている。

そして、ＥＬ基阪１１の両側面、絶縁部材３の両側而を
連光性封止樹脂（信越化学工業製：ＫＪＲ９０５０）で
覆うよう塗布し、遮光性封止樹脂膜１３を形或する。ま
た、同一の遮光性封止樹脂を用いて駆動用ＩＣを保護す
るため駆動用ＩＣの上からコーティングすることも可能
である。本実施例では、ＥＬ基板１１の側面からの入射
光を防ぐために、ＥＬ基板１１の両側面をも遮光性封止
樹脂で覆って遮光したか、ＥＬ基板１１の側面に遮光性
封止樹脂が塗布されていなくても、絶縁部材３の側面を
遮光しているのであれば、画像読取装置の外部から受光
素子２に余計な光を入射させることはない。すなはち、
ＥＬ発光素子４の側面およびＥＬ基板１１と絶縁部材３
との間で光透過窓４５以外から光が入射するのを防ぐ構
造であればよい。また、本実施例では絶縁性遮光膜１２
に光透過窓４５にχ１応ずる位置を開口したが、絶縁性
遮光膜１２の中央部に全ての光透過窓４５が含まれるよ
うな長方形状の一つの開口を設けてもよい。

次に、本発明に係る一実施例の画像読取装置の駆動方注
について説明すると、ＥＬ発光素−Ｔ−　４において、
透明電極４１と不透明電極４４間に±２００ｖ程度の交
流電圧が印加されると、透明電極４１と不透明電極４４
に挟まれた発光層４３からＥＬ発光光が発光し、プラテ
ンローラ１０１によってＥＬＭ板１１上に送られてきた
原稿１００を照射し、その反射光か光透過窓４５を透過
して、受光素子２の受光部分に入躬する。すると、受光
素子２が光に反応して電荷を発生させ、駆動用ＩＣの制
御によって画情報を信号として出力する。

本実施例によれば、少なくとも光透過窓４５の部分を除
き、ＥＬ発光素子４と受光素子２の間に絶縁性遮光膜１
２を形成し、ＥＬ基板１１の両側面、絶縁部材３の両側
而を同しく絶縁性の遮光性封正樹脂膜１３て覆うように
しているので、第３図の従来例で示したＥＬ発光光ｙが
ＥＬ基仮１１内あるいはＥＬ発光素子４内を反射して迷
光となり、当該迷光が光透過窓４５以外から受光素子２
の受光部分に入射するのを防ぐことができ、また、絶縁
性の遮光性封止樹脂膜１３の存在によって、画像読取装
置の外部から漏れ込む光２を遮光できるため、不要な光
人射による誤った読み取りをなくし正確な電荷を出力さ
せて正確な画情報を得ることができる効果がある。

（発明の効果）本発明によれば、少なくともＥＬ発光素子の不透明電極
に設けられた光透過窓を除き、ＥＬ発光素子と絶縁部材
の間に絶縁性の遮光膜を形成し、ＥＬ発光素子と受光素
子の間に形成された絶縁部材の側面をも絶縁性の遮光膜
で覆うような構成にしたので、ＥＬ発光光の迷光が光透
過窓以外の部分より受光素子に入射したり、画像読取装
置の外部から光が受光素子に入射するのを防ぐことがで
き、不要な光人射による誤った読み取りをなくし疋確な
電荷を出力させて正確な画情報を得ることができ、画像
読取装置の精度を高める効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の画像読取装置の一実施例の断面説明図
、第２図は第１図のＥＬ発光素子の平面説明図、第３図
は従来の画像読取装置の断面説明図である。１・・・・・・・・・基板１１・・・・・・ＥＬ基板１２・・・・・・絶縁性遮光膜１３・・・・・・遮光性封止樹脂膜１４・・・・・・接続端子窓２・・・・・・・・・受光素子２ｌ・・・・・・個別電極２２・・・・・・光導電層２３・・・・・・透明電極３・・・・・・・・・接着層４・・・・・・・・ＥＬ発光素子４１・・・・・・透明電極４２・・・・・・絶縁層４３・・・・・・発光層４４・・・・・・不透明電極４５・・・・・・光透過窓１００・・・原稿１０１・・・プラテンローラ

Claims

【特許請求の範囲】

　第１の基板上に形成された受光素子と、第２の基板上
に透明電極、発光層、不透明電極の順で形成したＥＬ発
光素子とを絶縁部材を介して対向するよう配置し、前記
ＥＬ発光素子から発光する光が反受光素子側に配置され
た原稿の面で反射し、その反射光を前記受光素子へ導く
光透過窓が前記不透明電極に設けられた画像読取装置に
おいて、前記ＥＬ発光素子と前記絶縁部材の間に絶縁性
の遮光膜を少なくとも前記光透過窓部分を除いて設け、
前記絶縁部材の側面に絶縁性の遮光膜を設けたことを特
徴とする画像読取装置。