JPS6242557A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6242557A JPS6242557A JP60182041A JP18204185A JPS6242557A JP S6242557 A JPS6242557 A JP S6242557A JP 60182041 A JP60182041 A JP 60182041A JP 18204185 A JP18204185 A JP 18204185A JP S6242557 A JPS6242557 A JP S6242557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- shaped
- band
- light
- conversion film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリやハンドスキャナー等の読み取
りに用いられる原稿幅と１：１に対応する大きさを有し
、原稿に密着して読み増る密着型イメージセンサに関す
るものである。
りに用いられる原稿幅と１：１に対応する大きさを有し
、原稿に密着して読み増る密着型イメージセンサに関す
るものである。
従来の技術
従来の密着型イメージセンサでは、例えば、特開昭６８
−４０８５６号公報に示されているように、第２図及び
第３図に示す構造となっていた。
−４０８５６号公報に示されているように、第２図及び
第３図に示す構造となっていた。
つまり、第２図の主走査方向の平面図及び第３図に第２
図Ｂ−Ｂ’断面図が示されている様に、ガラス等の透光
性絶縁基板１上に所定の大きさの照明窓３を有する遮光
層２をＳｉ 、 Ｏｒ 、 Ｔａ 、 Ｔｉ 。
図Ｂ−Ｂ’断面図が示されている様に、ガラス等の透光
性絶縁基板１上に所定の大きさの照明窓３を有する遮光
層２をＳｉ 、 Ｏｒ 、 Ｔａ 、 Ｔｉ 。
Ｗ等で形成し、その上に島状の光電変換素子７と遮光層
２との絶縁性を保つために５ｉｎ２．５ｔ３Ｎ４等の透
光性絶縁層８をスパッタ法等で形成する。
２との絶縁性を保つために５ｉｎ２．５ｔ３Ｎ４等の透
光性絶縁層８をスパッタ法等で形成する。
さらに、蒸着法等でＧｄＳ 、 ＣｄＳｅあるいはその
固溶体ＣｄＳ −ＣｄＳｅ等の光電変換膜を形成したの
ち、フ本トリン法等で、例えば、８素子／ｒｔｒｍ等の
場合１２６μｍピッチで島状の光電変換素子７を形成し
、ＣｄＣβ２雰囲気中で活性化熱処理後、前記光電変換
素子７を一定単位数、例えば３２素子ごとにまとめた共
通電極６と各光電変換素子７に対応した個別電極６から
なる対向電極を形成する。その上に例えばマイクロシー
トガラス等の薄膜ガラスなどを透明保護層９として形成
し、第３図に示す様に透光性絶縁基板１裏面から照明窓
３を通して入射し原稿１１からの反射光１０の強弱信号
を光電変換素子７上で電気信号に変換する構造の密着型
イメージセンサである。
固溶体ＣｄＳ −ＣｄＳｅ等の光電変換膜を形成したの
ち、フ本トリン法等で、例えば、８素子／ｒｔｒｍ等の
場合１２６μｍピッチで島状の光電変換素子７を形成し
、ＣｄＣβ２雰囲気中で活性化熱処理後、前記光電変換
素子７を一定単位数、例えば３２素子ごとにまとめた共
通電極６と各光電変換素子７に対応した個別電極６から
なる対向電極を形成する。その上に例えばマイクロシー
トガラス等の薄膜ガラスなどを透明保護層９として形成
し、第３図に示す様に透光性絶縁基板１裏面から照明窓
３を通して入射し原稿１１からの反射光１０の強弱信号
を光電変換素子７上で電気信号に変換する構造の密着型
イメージセンサである。
発明が解決しようとする問題点
しかし、この様な上記構造の密着型イメージセンサでは
、フォトリン法等で島状の光電変換素子を形成する素子
分離工程のために、解像度を例えば１６素子／ｒｔｒｍ
等に向上するために大面積にわたって微細加工する事は
困難であシ、また、電極形成時の位置合せの際、透光性
絶縁基板の膨張、収縮等による光電変換素子のピッチず
れを生じ、精度及び生産性の向上が得にくく、歩留り等
で問題であった。
、フォトリン法等で島状の光電変換素子を形成する素子
分離工程のために、解像度を例えば１６素子／ｒｔｒｍ
等に向上するために大面積にわたって微細加工する事は
困難であシ、また、電極形成時の位置合せの際、透光性
絶縁基板の膨張、収縮等による光電変換素子のピッチず
れを生じ、精度及び生産性の向上が得にくく、歩留り等
で問題であった。
本発明は、上記問題点を考慮して、簡単な素子構造で、
位置合わせ精度が高く、容易に高解像度化がはかれると
共に生産性も向上することのできる密着型イメージセン
サを提供することを目的とするものである。
位置合わせ精度が高く、容易に高解像度化がはかれると
共に生産性も向上することのできる密着型イメージセン
サを提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、上記問題点を解決するために、光電変換素子
を帯状の光電変換膜とし、電極構成による素子分離で形
成する事により、ピッチずれによる位置合わせの困難さ
がなくなり、これにより生産性が向上すると共に、電極
ピッチ精度によって解像度が決められるので、高解像度
化が非常に簡単にできるものである。
を帯状の光電変換膜とし、電極構成による素子分離で形
成する事により、ピッチずれによる位置合わせの困難さ
がなくなり、これにより生産性が向上すると共に、電極
ピッチ精度によって解像度が決められるので、高解像度
化が非常に簡単にできるものである。
作用
本発明は上記のように、帯状の光電変換膜とすることに
より基板の膨張収縮の影響を防ぎ、素子形成を容易にす
ることができるものである。
より基板の膨張収縮の影響を防ぎ、素子形成を容易にす
ることができるものである。
実施例
第１図は、本発明の密着型イメージセンサの主走査方向
の平面図であり、副走査方向のＡ −Ａ’断面図は、従
来例の第３図と同様である。
の平面図であり、副走査方向のＡ −Ａ’断面図は、従
来例の第３図と同様である。
第１図において、コーニング７０５９等の透光性絶縁基
板１上に、Ｓｉ 、 Ｏｒ 、 Ｔａ 、 Ｔｉ 、
Ｗ等で照明窓３を有する遮光層２を形成し、さらに帯状
の光電変換膜４と遮光層２との絶縁性を保つために、列
えばＳｉＯ２・Ｓｉ ５に１４等の透光性絶縁層８を６
０００人程度定法ッタ法等で形成する。その上にＣｄＳ
、 ｅｄＳｅ及びその固溶体ＣｄＳ −ＣｄＳｅ等を真
空蒸着法等で約４０００定法度付着しフォトリソ法等で
主走査方向で照明窓３近傍に帯状の光電変換膜４を形成
する。ここで帯状の光電変換膜４をメタルマスク等で一
度に形成してもよいが、この場合、第３図に示すように
照明窓３との相対位置関係の許゛容誤差がＯ〜６μｍ程
度以下である必要があシさらに、光電変換膜４の帯幅や
帯周辺の膜厚誤差等は、光電変換膜４の光感度に直接影
響す“るので実際には形成困難である。そして帯状の光
電変換膜４をＣｄＣｌ２雰囲気中で活性化熱処理後、第
１図に示す様に、帯状の光電変換膜４の帯を完全に横切
る様に設けた帯幅よシも長い複数の凸形の共通電極群５
と凸形の共通電極５間の中央部に対向して配置し帯状の
光電変換膜４の帯を完全に横切る様に設けた帯幅よりも
長い個別電極群６を、例えばＮｉ０ｒ−Ａｕ等で約１０
’ＯＯ人程度形成し、その上部に薄膜ガラス等の透明保
護層９を形成した密着型イメージセンサで第３図の様に
照明窓３から入射する光の原稿１１面からの反射光１０
の強弱信号を共通電極６と個別電極６とで挾まれた帯状
の光電変換膜４上で電気信号に変排し原稿情報を読み取
るものである。
板１上に、Ｓｉ 、 Ｏｒ 、 Ｔａ 、 Ｔｉ 、
Ｗ等で照明窓３を有する遮光層２を形成し、さらに帯状
の光電変換膜４と遮光層２との絶縁性を保つために、列
えばＳｉＯ２・Ｓｉ ５に１４等の透光性絶縁層８を６
０００人程度定法ッタ法等で形成する。その上にＣｄＳ
、 ｅｄＳｅ及びその固溶体ＣｄＳ −ＣｄＳｅ等を真
空蒸着法等で約４０００定法度付着しフォトリソ法等で
主走査方向で照明窓３近傍に帯状の光電変換膜４を形成
する。ここで帯状の光電変換膜４をメタルマスク等で一
度に形成してもよいが、この場合、第３図に示すように
照明窓３との相対位置関係の許゛容誤差がＯ〜６μｍ程
度以下である必要があシさらに、光電変換膜４の帯幅や
帯周辺の膜厚誤差等は、光電変換膜４の光感度に直接影
響す“るので実際には形成困難である。そして帯状の光
電変換膜４をＣｄＣｌ２雰囲気中で活性化熱処理後、第
１図に示す様に、帯状の光電変換膜４の帯を完全に横切
る様に設けた帯幅よシも長い複数の凸形の共通電極群５
と凸形の共通電極５間の中央部に対向して配置し帯状の
光電変換膜４の帯を完全に横切る様に設けた帯幅よりも
長い個別電極群６を、例えばＮｉ０ｒ−Ａｕ等で約１０
’ＯＯ人程度形成し、その上部に薄膜ガラス等の透明保
護層９を形成した密着型イメージセンサで第３図の様に
照明窓３から入射する光の原稿１１面からの反射光１０
の強弱信号を共通電極６と個別電極６とで挾まれた帯状
の光電変換膜４上で電気信号に変排し原稿情報を読み取
るものである。
ここで、帯状の光電変換膜４を照明窓３の両側に同様に
形成してもよいことは当然である。
形成してもよいことは当然である。
この構成により、帯状の光電変換膜４と共通電極５と個
別電極６とで形成される部分を光電変換部とできる。そ
してこの構成により、光電変換部は共通電極５で挾まれ
ているので漏れ電流も無くかつ光電変換部が従来の２倍
となり光電流が大きく信号処理回路構成が容易となる。
別電極６とで形成される部分を光電変換部とできる。そ
してこの構成により、光電変換部は共通電極５で挾まれ
ているので漏れ電流も無くかつ光電変換部が従来の２倍
となり光電流が大きく信号処理回路構成が容易となる。
さらに光電変換膜４との位置合わせが簡単であり共通電
極６ビツチで解像度が決められるためフォトリソ法の限
界まで解像度を向上でき、１６素子／叫程度の分解能は
非常に容易に形成できるものである。
極６ビツチで解像度が決められるためフォトリソ法の限
界まで解像度を向上でき、１６素子／叫程度の分解能は
非常に容易に形成できるものである。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、帯状の光電変
換膜を形成するという非常に簡単な構成で、位置合わせ
精度及び生産性の向上ならびに高解像度化に対しても歩
留りが低下することもなく得られるという実用上、非常
に優れた利点を持ち工業的に有用である。
換膜を形成するという非常に簡単な構成で、位置合わせ
精度及び生産性の向上ならびに高解像度化に対しても歩
留りが低下することもなく得られるという実用上、非常
に優れた利点を持ち工業的に有用である。
第１図は、本発明における密着型イメージセンサの主走
査方向の平面図、第２図は、従来の密着型イメージセン
サの主走査方向の平面図、第３図は、第１図Ａ −Ａ’
部又は第２図Ｂ −Ｂ’部の断面図である。 １・・・・・・透光性絶縁基板、２・・・・・・遮光層
、３・・・・・・照明窓、４・・・・・・帯状の光電変
換膜、５・・・・・・共通電極、６・・・・・・個別電
極、７・・・・・・光電変換素子、８・・・・・・透光
性絶縁層、９・・・・・・透明保護層、１０・・・・・
・反射光、１１・・・・・・原稿。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｉｉ
図
１−−一透九Ｊ王艶豪振鯨２−ｉ＆ｔ４ ３− 閘明名 ４〜ＩＰ１ｘ丸（醸視 ５−１肩電猛 Ｇ−＠５’Ｊ ’
査方向の平面図、第２図は、従来の密着型イメージセン
サの主走査方向の平面図、第３図は、第１図Ａ −Ａ’
部又は第２図Ｂ −Ｂ’部の断面図である。 １・・・・・・透光性絶縁基板、２・・・・・・遮光層
、３・・・・・・照明窓、４・・・・・・帯状の光電変
換膜、５・・・・・・共通電極、６・・・・・・個別電
極、７・・・・・・光電変換素子、８・・・・・・透光
性絶縁層、９・・・・・・透明保護層、１０・・・・・
・反射光、１１・・・・・・原稿。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｉｉ
図
１−−一透九Ｊ王艶豪振鯨２−ｉ＆ｔ４ ３− 閘明名 ４〜ＩＰ１ｘ丸（醸視 ５−１肩電猛 Ｇ−＠５’Ｊ ’
Claims (2)
- （１）透光性絶縁基板上に、照明窓を有する遮光層と、
透光性絶縁層と、主走査方向に沿った帯状の光電変換膜
と、前記光電変換膜を完全に横切る様に設けられ、すく
なくとも前記光電変換膜上では互いに分離した複数の共
通電極群および前記共通電極間のほぼ中央部に対向して
配置され前記光電変換膜を完全に横切る様に設けられた
個別電極群と、透明保護層とからなる密着型イメージセ
ンサ。 - （２）帯状の光電変換膜が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは
固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体とする光電変換膜で構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182041A JPS6242557A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182041A JPS6242557A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242557A true JPS6242557A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182041A Pending JPS6242557A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242557A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778263A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Adhesive type image sensor |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182041A patent/JPS6242557A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778263A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Adhesive type image sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5980964A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS61295659A (ja) | 光読み取り装置及びその製造方法 | |
| JPS6242557A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS60239072A (ja) | 光センサ | |
| JPS628951B2 (ja) | ||
| JPS5840856A (ja) | 光センサアレイ | |
| JPS62269358A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| US4691242A (en) | Contact type image sensor having multiple common electrodes to provide increased pixel density | |
| JPS6327871B2 (ja) | ||
| JPH0441862B2 (ja) | ||
| JPH0258381A (ja) | 光電変換素子およびラインイメージセンサ | |
| JPH01108765A (ja) | 密着型イメージセンサ作製方法 | |
| JPS61161757A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS60242669A (ja) | 光センサアレイ装置 | |
| JP2639664B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS6236962A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JP2573342B2 (ja) | 受光素子 | |
| JPS6281056A (ja) | レンズレス密着形イメ−ジセンサ | |
| JPS5999863A (ja) | カラ−原稿読取方法 | |
| JPS61141172A (ja) | 一次元イメ−ジセンサ | |
| JPH021866Y2 (ja) | ||
| JPS61245761A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPH01173752A (ja) | 等倍イメージセンサー | |
| JPS6279662A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS61198670A (ja) | アモルフアスイメ−ジセンサの製造方法 |