JPH01108765A - 密着型イメージセンサ作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）技術分野 本発明はイメージスキャナー、ファクシミリ等に使用さ
れる密着型イメージセンサの作製方法に関するものであ
る。

（ロ）従来技術 密着型イメージセンサには、構造として概して次の２つ
に分類される、１つはセンサ０■と原稿（１）の間に、
等倍結像レンズ０１）をつかうもの。このタイプのもの
は例えば第２図のように、センサ０ωとレンズ００を結
ぶ軸に対して、ななめから読み取り光（７）を入射させ
、原稿の反射光をセンサ面０ωに、１対１に結像させて
、読みとる。この方法をもちいると、レンズＯＤを使う
ことでイメージセンサ装置が大きくなり、コストがかか
るという難点をもつ。

２つめのタイプはセンサ０［Ｄと原稿（１）の間にレン
ズを用いない完全密着性イメージセンサである。

このタイプのものは、第３図に示すように、従来はフォ
トリソグラフィーの技術を用いて素子０１ｌＯ内に光入
射用窓（８）を設けて透明保護膜に密着している原稿（
１）のパターンを読みとるものである。この構造のイメ
ージセンサは光学系が不要でありスペースをとらずかつ
部品点数が少なく製造コストを低くすることができると
いう特徴を持っている。

本発明はこの第３図と類似の構造を有する密着型イメー
ジセンサの作製方法に関するものであります。

この第３図の構造を持つ従来のイメージセンサはフォト
リソグラフィー法を多用して作製されたものであり、そ
のため工程数の増加、フォトマスク費用等、製造コスト
高の原因となっていた。

（ハ）発明の構成 本発明はこめ原稿読み取り光通過窓を設けるニー　程を
レーザ光を用いることを特徴とし、その設ける位置もイ
メージセンサ素子の内部又は外部に隣接して存在するも
のであります。

このレーザ光を用いることにより、少なくとも遮光性導
電膜部及び光電変換半導体部を除去し原、稿読み取り光
を通過させる窓を形成する。

この際にレーザ光の出力又はレーザ光の照射回数等を任
意に変化させることで除去部分の深さを調整できるもの
であります。

またレーザ光を用いる加工のため、第４図（Ａ）〜（Ｃ
）に示すようにイメージセンサ素子Ｏｏ）に対して任意
の位置に読み取り光通過窓（８）を設けることができる
という自由度を持てるようになった為イメージセンサ装
置の設計に余裕を持てるようになった。

以下に実施例により本発明を説明す志。

〔実施例〕

第１図（Ａ）から（Ｄ）に本発明の作製方法を示す。

基板として透明ガラス基板（２）を用いその上に透光性
導電腹部（３）としてＳｎＯ，膜を０．５〜０．６μｌ
の厚さに公知のＣＶＤ法により成膜する。

まず第１のレーザ加工としてＫｒＦエキシマレーザ光を
使用してＳｎＯ，膜（３）を巾１２５μ翔、間隔５０μ
ｍ、長さ１００μ−の大きさに分離し満面を形成する。

この上面に光電変換半導体部（４）として、ＮＩＮ型の
アモルファスシリコン半導体を公知のプラズマＣＶＤ法
にて約０．７μ鋼の厚さに成膜する。

その成膜条件を以下に示す。

Ｎ型層　　原料ガスＰＨｓ／５ｉＨａ　Ｏ，５Ｘ　　５
ＳＣＣＭＳｉｇｎ　　　１００χ　１１００５ＣＣ圧力
　　　　０．１Ｔｏｒｒ 高周波電力　１３．５６ＭＨｚ　　　２（Ｖ基板温度　
　２５０℃ ■型層　　原料ガス　　５ｉＨａ　　　１００χ　１１
００５ＣＣその他はＮ型層と同条件 このようにして形成された半導体部の上面に公知のスパ
ッタリング法によりモリブデン電極（５）を約０．２μ
ｍ形成する。

次に第２のレーザ加工工程として、第１のレーザ加工溝
０■とほぼ同位置に同様のレーザ光を照射し巾１０μｍ
の溝に）を硝子基板まで設ける。

次に本実施例においてはイメージセンサ素子上に原稿読
み取り光用通過窓（８）をレーザ加工により設ける。こ
の通過窓（８）は巾５０μ−で直線状となっているが特
にこの形状に限定されることなく第４図（Ａ）に示すよ
うに、丸等の形状でもよい。

しかしながら、本実施例の場合はもちいるレーザ光のビ
ーム形状が巾１０μｍ１長さ１００ｍｍと超偏平の形状
をしているので直線状の加工のほうが生産性はよかった
。

また通過窓（８）位置はイメージセンサ素子上である必
要はなく隣接している位置であればよい。すなわち第４
図（Ａ）〜（Ｃ）に示されているように通過窓（８）を
通過した光（７）が原稿（１）によって反射しその反射
光（９）がイメージセンサ素子に到達する位置であれば
よい。

また本実施例の場合、通過窓（８）を形成するためにレ
ーザ加工溝はＳｎＯ，膜（３）上で止まっている必要は
なく基板（２）上まで溝が設けられていてもよい。

最後に多層配線とａ−３ｉ側面面の遮光のための遮光性
エポキシ樹脂（６）をスクリーン印刷法で印刷する。

その際溝（８）は完全に遮光されないような印刷パター
ンを用いる。これによってエポキシ樹脂側から入射した
光は窓（８）Ｓ　ｎ　Ｏｘ　、ガ、ラスを通して原稿（
１）に入射してその反射光は窓の両側の素子Ｏｅと０７
）によって吸収され原稿よりの反射光に対応して明暗の
電気的出力をすることができる。

（ニ）効果 本発明構成をとることにより、従来法に比べて工程数源
及びフォトマスク化が不要となる等イメージセンサ素子
の製造コストを下げることが可能となった。

またレーザ加工を用いるので、原稿読み取り光通過窓の
位置を任意に可変できる自由度が発生する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の工程図を示す。 第２図第３図は従来装置の概略図を示す。 第４図は本発明方法の応用例を示す。 １・・・原稿　　　　４・・・半導体部２・・・基板　
　　　８・・・通過窓 ３．５・電極部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板上に透光性導電膜部、光電変換機能を有す
   る半導体部、及び遮光性導電膜部とを順次形成し積層体
   を構成せしめる工程と前記積層体の遮光性導電膜部側よ
   り、前記積層体に対し光電変換機能を有する半導体部ま
   でを少なくとも加工除去することにより原稿読み取り用
   の光が通過できる窓をイメージセンサ素子の内部又は外
   部に隣接して設ける工程を有することを特徴とする密着
   型イメージセンサ作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において前記通過窓を形成す
   る工程にはレーザ光を用いたレーザ加工法を採用したこ
   とを特徴とする密着型イメージセンサ作製方法