JPS60225103A - 反射位相格子及び反射位相格子の製造方法 - Google Patents
反射位相格子及び反射位相格子の製造方法Info
- Publication number
- JPS60225103A JPS60225103A JP60069252A JP6925285A JPS60225103A JP S60225103 A JPS60225103 A JP S60225103A JP 60069252 A JP60069252 A JP 60069252A JP 6925285 A JP6925285 A JP 6925285A JP S60225103 A JPS60225103 A JP S60225103A
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- Japan
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- reflective
- phase grating
- layered
- photoresist
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に二つの間隔をおいた反射層から成る％に元亀位
渦」１］定器のための反射位相格子に関するものである
。
渦」１］定器のための反射位相格子に関するものである
。
（産業上の利用分野）
こＣ９独Ｑ、、）反射位相格子に例えば二つの可動対象
物の相メ１位置の測定のための位置測定装置ではスクー
ルとして使用されろ。相対的に運動ｎ］能な対象物は工
作機械（・）二つの機械部分から成る。
物の相メ１位置の測定のための位置測定装置ではスクー
ルとして使用されろ。相対的に運動ｎ］能な対象物は工
作機械（・）二つの機械部分から成る。
反射位相格子はＲ４拶した格子要素から発した等しい波
長の光波が同一伝播方向において各々等しい位相差・２
有するような３反射光の位相ずれのために使用される。
長の光波が同一伝播方向において各々等しい位相差・２
有するような３反射光の位相ずれのために使用される。
この位相差は二つの光波の間の光学的路程差から生じ、
その際一方の光ｔ９Ｖｉ上方の反射層によって、イ゛し
て他方の光波は反９ＩＪ位Ａ１１格イの１對定の段差を
有する多層格子の下方の反射層によって反射される。
その際一方の光ｔ９Ｖｉ上方の反射層によって、イ゛し
て他方の光波は反９ＩＪ位Ａ１１格イの１對定の段差を
有する多層格子の下方の反射層によって反射される。
従沫の校閲
Ｊ、 Ｍｘ １ｌｘｅ １＋ｎ 著ｒ三格イスデツプ発
信器」ＩＳ’７ｉ３年発行の１９頁及び２０頁には位相
格子が相応したずれをもった二つの振巾格子から構成さ
れてふ・す、その際一つの振巾部子に冑一つの位相層が
／ｌ＋１さノＬでいること力・記載されている。
信器」ＩＳ’７ｉ３年発行の１９頁及び２０頁には位相
格子が相応したずれをもった二つの振巾格子から構成さ
れてふ・す、その際一つの振巾部子に冑一つの位相層が
／ｌ＋１さノＬでいること力・記載されている。
（毎次すべきＫＴ１６１、）
７−′３Ｆ、 ”’；―上記の布１ソ【の反射ｔ″ｌ相
格子を安定した棺、 ｉｉ＋・？−市しかつ調整なしに
簡単な製造カニできるよう番ですることをＩ；」の部や
とする。
格子を安定した棺、 ｉｉ＋・？−市しかつ調整なしに
簡単な製造カニできるよう番ですることをＩ；」の部や
とする。
（解決（：・ための手段）
本光り１によれば、この銖題に両反射緬が少なくとも一
つの透り１間隔層の両ｆ１・に配設されており、１して
少なくとも一つの反射層が振巾格子さして形成さノ１て
いることによって解決される。
つの透り１間隔層の両ｆ１・に配設されており、１して
少なくとも一つの反射層が振巾格子さして形成さノ１て
いることによって解決される。
（発明の作用効果）
本発明によって得られる利点は所定の段深さの階段格子
の代りに比較的薄い反射層のみが構造的に設けられれば
よく、そして段の高さは透明な間隔層の厚さＫよっての
み決定されるので、段の高さは構造化プロセスによって
影響されないことにある。それ罠よって本願の反射位相
格子の場合、従来の反射位相格子の階段格子では生じえ
た輪郭問題又は側面問題は生じない。二つの反射層の構
造化では露光マスクに関する調整の問題は生じない、そ
のわけは、第二反射層は第一反射層を使って光学的にっ
くられるからである。それによって、汚染によっても損
われない最適の干渉特性をもった安定して構成された反
射位相格子が得られる、そのわけは外方へ向いた反射層
を備えた透明間隔層は平面の表面を有するからである。
の代りに比較的薄い反射層のみが構造的に設けられれば
よく、そして段の高さは透明な間隔層の厚さＫよっての
み決定されるので、段の高さは構造化プロセスによって
影響されないことにある。それ罠よって本願の反射位相
格子の場合、従来の反射位相格子の階段格子では生じえ
た輪郭問題又は側面問題は生じない。二つの反射層の構
造化では露光マスクに関する調整の問題は生じない、そ
のわけは、第二反射層は第一反射層を使って光学的にっ
くられるからである。それによって、汚染によっても損
われない最適の干渉特性をもった安定して構成された反
射位相格子が得られる、そのわけは外方へ向いた反射層
を備えた透明間隔層は平面の表面を有するからである。
本発明の有利な構成は実施態様類から把握される。
（実施例）
本発明の実施例を図面に基いて詳しく説明する。
第１ａ〜θ図は振巾格子としての二つの組織状の反射層
Ｒ，、Ｒ２を備えた反射位相格子の製造のための方法を
示す。
Ｒ，、Ｒ２を備えた反射位相格子の製造のための方法を
示す。
例えばガラスから成る透明担持層Ｔ上にフォトレジスト
層Ｐ、が層性され、そして露光１スクＢの使用の下に構
造的Ｋ１１ｌ、光される（第１ａ図）現像された第一７
オドレジスト層Ｐ、上に第一反射層Ｒ１が層性される（
第１ｂ図）。残った第一フオドレジスト層Ｐ、Ｆ′ｉ一
括してその上にある第一反射層Ｒ５と共にはがされる。
層Ｐ、が層性され、そして露光１スクＢの使用の下に構
造的Ｋ１１ｌ、光される（第１ａ図）現像された第一７
オドレジスト層Ｐ、上に第一反射層Ｒ１が層性される（
第１ｂ図）。残った第一フオドレジスト層Ｐ、Ｆ′ｉ一
括してその上にある第一反射層Ｒ５と共にはがされる。
担持層Ｔの構造相持面上に全面的に均一厚さの間隔層Ａ
がそしてその上に第二ポジフォトレジスト層Ｐ２が層性
されており、この層は透明の担持層Ｔ及び残った第一反
射層Ｒ１によって構造的に露光される（第１ｃ図）。
がそしてその上に第二ポジフォトレジスト層Ｐ２が層性
されており、この層は透明の担持層Ｔ及び残った第一反
射層Ｒ１によって構造的に露光される（第１ｃ図）。
第二のポジフォトレジスト層Ｐ２の現像の後残った第二
フォトレジスト層Ｐ２及び透明間隔層Ａの自由表面上に
第二反射層Ｒ２が層性される（第１ｄ図）。残った第二
フォトレジスト層ｐ２Ｆｉ一括してその上にある第二反
射層Ｒ２と共Ｔ／Ｃはがされる（第１θ図〕。
フォトレジスト層Ｐ２及び透明間隔層Ａの自由表面上に
第二反射層Ｒ２が層性される（第１ｄ図）。残った第二
フォトレジスト層ｐ２Ｆｉ一括してその上にある第二反
射層Ｒ２と共Ｔ／Ｃはがされる（第１θ図〕。
第２ａ−ｃ図は振巾格子の構成された反射層Ｒ２を備え
た反射位相格子の製造プロセスを示す。
た反射位相格子の製造プロセスを示す。
例えばガラス又は了ルミニウムから成る透明又は半透明
担持層Ｔ上に全面に第一反射層Ｒ′、及びその上に均一
厚さの間隔層Ａがつけられる。
担持層Ｔ上に全面に第一反射層Ｒ′、及びその上に均一
厚さの間隔層Ａがつけられる。
間隔層Ａ上ＩＣＶｉフォトレジスト層Ｐがつけられ、か
つ露光マスクＢの使用の下に構造的に露光される（第２
ａ図）。現像されたフォトレジスト増Ｐ上には第二反射
層Ｒ２が層性される（第２ｂ図）。残ったフォトレジス
ト層Ｐは一括してその上Ｋｈる第二反射層Ｒ２と共に除
去される（第２ｃ図）。
つ露光マスクＢの使用の下に構造的に露光される（第２
ａ図）。現像されたフォトレジスト増Ｐ上には第二反射
層Ｒ２が層性される（第２ｂ図）。残ったフォトレジス
ト層Ｐは一括してその上Ｋｈる第二反射層Ｒ２と共に除
去される（第２ｃ図）。
第３ａ〜Ｃ図ハ、振巾格子としての構造的反射層Ｒ１を
備えた他の反射層の製造のためのプロセスを示す。
備えた他の反射層の製造のためのプロセスを示す。
例えはガラスから成る透明担持層Ｔ上にフォトレジスト
層Ｐが層性されかつ露光マスクＢの使用の下に構造的に
露光される（第３ａ図）。
層Ｐが層性されかつ露光マスクＢの使用の下に構造的に
露光される（第３ａ図）。
現像されたフォトレジスト層Ｐ上に第一反射層Ｒ１が層
性される（第３ｂ図）。残ったフォトレジスト層Ｐはそ
の上にある第一反射層Ｒ１と共に除去される。担持層Ｔ
の構造担持面上には全面に均一厚さの間隔層Ａとその上
の第二反射層Ｒ′２がつけられる。
性される（第３ｂ図）。残ったフォトレジスト層Ｐはそ
の上にある第一反射層Ｒ１と共に除去される。担持層Ｔ
の構造担持面上には全面に均一厚さの間隔層Ａとその上
の第二反射層Ｒ′２がつけられる。
一定厚さの担持層Ｔ上に配置された間隔ＭＩＡは両反射
層Ｒ，、Ｒ２，：Ｒ’１．Ｒ’２：の間の正確な平行間
隔を可能にし、それによって反射位相格子の最適の干渉
特性を可能にする。
層Ｒ，、Ｒ２，：Ｒ’１．Ｒ’２：の間の正確な平行間
隔を可能にし、それによって反射位相格子の最適の干渉
特性を可能にする。
この平行距離は反射位相格子の「段深さ」を形成し、か
つ所望の位相ずれに従って選択される。
つ所望の位相ずれに従って選択される。
第１ｅ図による反射位相格子は、振巾格子として二つの
相互にずれた反射層Ｒ４，Ｒ２を有する。
相互にずれた反射層Ｒ４，Ｒ２を有する。
そして、透明な担持層Ｔを設けて両側から利用可能であ
る。
る。
第２ｃ図による反射位相格子でに第二反射層Ｒ２のみが
振巾格子として形成されており、一方、組織状になって
−へない第一反射層ＨＪ、は全面的に担持層Ｔ上に廷在
し、その結果この反射位相格子は第二反射層の側でのみ
振巾格〕′として利用されることができる。従って担持
層Ｔｉ１ｔ透明か又は不透明でありうる。
振巾格子として形成されており、一方、組織状になって
−へない第一反射層ＨＪ、は全面的に担持層Ｔ上に廷在
し、その結果この反射位相格子は第二反射層の側でのみ
振巾格〕′として利用されることができる。従って担持
層Ｔｉ１ｔ透明か又は不透明でありうる。
第３ｃ図による反射位相格子では第一反射層Ｒ４は振巾
格子として形成されており、一方組織状ではない第二反
射Ｎ！ＩＲ′２は担体層Ｔ上に全面的にひろがり、その
結果この反射位相格子Ｖｉ第一反射層Ｒ４のｇｉｌｌで
のみ振巾格子として利用されることができ、従って担持
層Ｔは透明でなければならない。
格子として形成されており、一方組織状ではない第二反
射Ｎ！ＩＲ′２は担体層Ｔ上に全面的にひろがり、その
結果この反射位相格子Ｖｉ第一反射層Ｒ４のｇｉｌｌで
のみ振巾格子として利用されることができ、従って担持
層Ｔは透明でなければならない。
第１図による両反射層Ｒ，、Ｒ２の構成では露光マスク
について何ら調整上の問題は生じない、そのわけは第一
反射層Ｒ３の構成のために一つの無光マスクＢしか必要
ないからである一組二の反射層Ｒ２の構成は第一反射層
Ｒ１を利用して行われ、その結果第二ポジフォトレジス
ト層Ｐ２の使用の下に両反射層Ｒ１，Ｒ２の間のウェブ
隙間ずれが生じない。
について何ら調整上の問題は生じない、そのわけは第一
反射層Ｒ３の構成のために一つの無光マスクＢしか必要
ないからである一組二の反射層Ｒ２の構成は第一反射層
Ｒ１を利用して行われ、その結果第二ポジフォトレジス
ト層Ｐ２の使用の下に両反射層Ｒ１，Ｒ２の間のウェブ
隙間ずれが生じない。
第二反射層Ｒ２，Ｒ’２を備えた透明な間隔層への外表
面は平面状であるから、反射位相格子の最適の干渉特性
に汚れによって世われえない。機械曲損＆に対する辿加
的保蝕のために第４図にとができる。
面は平面状であるから、反射位相格子の最適の干渉特性
に汚れによって世われえない。機械曲損＆に対する辿加
的保蝕のために第４図にとができる。
第４図において、カラスから成る透明カバー〜Ｄを備え
た第２ｃ図による反射位相格子が示され、このカバ一層
は透明な間隔ｆｉＡ及び第二反射層Ｒ２と光学的接着剤
から成る接着層Ｋを介して結合されている。不透明の担
持層Ｔにアルミニウムから成る。お−１持噛Ｔとカバー
ＮｌＩＤの横断面寸法す、・ｄ、及びｂ２・ｄ２は担持
層Ｔとカバ一層すとの等しい白は強ｇＬＢを有するより
にされている。
た第２ｃ図による反射位相格子が示され、このカバ一層
は透明な間隔ｆｉＡ及び第二反射層Ｒ２と光学的接着剤
から成る接着層Ｋを介して結合されている。不透明の担
持層Ｔにアルミニウムから成る。お−１持噛Ｔとカバー
ＮｌＩＤの横断面寸法す、・ｄ、及びｂ２・ｄ２は担持
層Ｔとカバ一層すとの等しい白は強ｇＬＢを有するより
にされている。
Ｓ＝Ｅ、（ｂ、・ｄｌ ’１２）−Ｒ２（ｂ２・Ｒ２′
名、ンＥ−弾性率 担持層Ｔとカバ一層りの等しい曲は強度Ｓは反射位相格
子全体の中立平面に両反射層Ｒ’、、Ｒ２を備えた透明
な間隔層Ａがあり、その層は反射位相層の撓みの際に伸
びも縮みもしないことを保鉦する。第４図による反射位
相格子は位置測定製蓋に使用する際高い側（精度を保〜
卜する。
名、ンＥ−弾性率 担持層Ｔとカバ一層りの等しい曲は強度Ｓは反射位相格
子全体の中立平面に両反射層Ｒ’、、Ｒ２を備えた透明
な間隔層Ａがあり、その層は反射位相層の撓みの際に伸
びも縮みもしないことを保鉦する。第４図による反射位
相格子は位置測定製蓋に使用する際高い側（精度を保〜
卜する。
透明な間隔層Ａは、例えばＭｇＦ２． ＳｉＯ又はガラ
ス等の誘電体から成る。両反射層”、ｒ Ｒ２＋ ｌ（
′、＋Ｒ１２は好ましくはクロム又は金から成る。
ス等の誘電体から成る。両反射層”、ｒ Ｒ２＋ ｌ（
′、＋Ｒ１２は好ましくはクロム又は金から成る。
第１ａ〜第１θ図は二つの反射１−を備えた反射位相格
子の製造プロセス、第２ａ−第２Ｃ図＃′１反射、ｌ［
Ｉを備えた反射格子の製造プロセス、第６ａ−第３ｃ図
は、反射層を備えた他の反射イ、−相格子の製造プロセ
ス、そして第４図はカバ一層を備えた反射位相格子の横
断面図でメＱ０図中符号 Ａ・・・透明間隔層 Ｒ，、Ｒ２・・・反射層 Ｂ・・・無光マスク ｐｐ ・・・フォトレジスト ’１１ ２ Ｔ・・・担持層 代理人 江崎光好 代理人 江 崎 光 史 ＋＋＋＋＋ １１１１１ −よ ゛Ｒ１１
子の製造プロセス、第２ａ−第２Ｃ図＃′１反射、ｌ［
Ｉを備えた反射格子の製造プロセス、第６ａ−第３ｃ図
は、反射層を備えた他の反射イ、−相格子の製造プロセ
ス、そして第４図はカバ一層を備えた反射位相格子の横
断面図でメＱ０図中符号 Ａ・・・透明間隔層 Ｒ，、Ｒ２・・・反射層 Ｂ・・・無光マスク ｐｐ ・・・フォトレジスト ’１１ ２ Ｔ・・・担持層 代理人 江崎光好 代理人 江 崎 光 史 ＋＋＋＋＋ １１１１１ −よ ゛Ｒ１１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）二つの間隔をおいて位置する反射層から成る、特
に光電的位置測定装置のための反射位相格子において、 両反射層（Ｒ１，Ｒ２）は少なくとも一つの透明間隔層
（Ａ）の両側に配設されており、そして少なくとも一つ
の反射層ＣＲ１，Ｒ２）が振巾格子として形成されてい
ることを特徴とする反射位相格子。 （２）両反射層（Ｒ，、Ｒ２）が振巾格子として形成さ
れている、特許請求の範囲第１′ｆＪ４記載の反射位相
格子。 （５）透明間隔層（Ａ）が防電体から成る特許請求の範
囲第１項記載の反射位相格子。 （４） 第一反射層（Ｒ１）が担持層（Ｔ）上に取付け
られており、そして第二反射層（Ｒ２）上に少なくとも
カバ一層（Ｄ）がある、特許請求の範囲第１項記載の反
射位相格子。 （５）第二反射層（Ｒ２）とカバ一層（Ｄ）との間に接
着層（Ｋ）がある、特許請求の範囲第４項記載の反射位
相格子。 （６）担持層（Ｔ）及びカバ一層（Ｄ）が同−曲げ強度
を有する、特許請求の範囲第４項記載の反射位相格子。 （７）透明間隔層（Ａ） カＭｇＦ２．ＳｉＯ又ｉｊ：
カフ スカら成る特許請求の範囲第６項記載の反射位
相格子。 （８）両反射ｍ （Ｒ，、ＩＲ２）がクロム又は金から
成る、特許請求の範囲第１項又は第２項記載の反射請求
の範囲第５項記載の反射位相格子。 （１０）二つの間隔をおいて位置する反射層から成る、
特に光電的位置測定装置のための反射位相格子による反
射位相格子の製造方法において、 （ａＪ 透明な担持層（Ｔ）上に第一フォトレジスト層
（Ｆ、）が層性され、露光マスクＣＢ）の使用の下に構
造的に露光され、続いて現象され、 （ｂ） それから第一反射層（Ｒ１）が層性され、（ｃ
） 残った第一フォトレジスト層（Ｆ、）が一括して、
その上にある第一反射層（）（）からはがされ、 （ｄｌ 担持層（Ｔ）の構造担持面上に全面に均一な厚
さの間隔層（Ａ）が取付けらノ１、（ｅ） １１隔層（
Ａ）上に第二ポジフォトレジスト層（Ｒ２）が取付けら
れ、 担持層（Ｔ）の側方に残っている第一反射層（Ｒ４）に
よって構造的に露光されかつ続いて玩像され、 （ｆ） 第二反射＃ （Ｒ２）が層性され、そして（ロ
） 桟された第二フォトレジスト層（Ｒ２）が一括して
その上にある第二反射層（Ｒ２）からひきはがされるこ
とを特徴とする製造方法。 （１１）二つの間隔をおいて位置する反射層から成る、
特に光電的位置測屍装置のための反射位相格子による反
射位相格子の製造方法において （ａ） ８ｆ！−反射層（Ｒ’、）が層性され、（ｂ）
ｆｆ１−反射層（Ｒ’、 ）上に全面的に均一な厚さ
の間隔層（Ａ）が層性され、 （ｃｌ 間隔層（Ａ）土に７オトレジスト層（ｐ）が層
性され、露光マスク（Ｂ）の使用の下に構造的に雑光さ
れ、続いて現像され、 （ａ） それから第二反射層（Ｒ２）が層性され、（θ
） 残りのフォトレジスト層（Ｐ）が一括してその上に
ある第二反射ＮｊＩ（Ｒ２）からになされることを特徴
とする製造方法。 （１２）二つの間隔をおいて位置する反射層から成る、
特に光亀的位置測定装負のための反射位相格子による反
射位相格子の製造方法において、 （ａｌ 透明担持層（Ｔ）上にフォトレジスト層＜ｐ＞
が崩性され、露光マスク（Ｂ）の使用の下に構造的に澁
光され、続いて現像され、（ｂ） それから第一反射層
（Ｒ１）が層性され、（Ｃ） 残ったフォトレジスト層
（Ｐ）が一括してその上にある反ＪＭＦ（Ｒ，）からは
がされ、（ｄ） 担持層（Ｔ）の揮）造和持面トに全面
に杓等厚さの間隔ｊＶ（Ａ）が層性され、 （θ） 間隔層（Ａ）上に第二反射層（Ｒ’２）が層性
されることを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3412980.4 | 1984-04-06 | ||
| DE19843412980 DE3412980A1 (de) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Auflichtphasengitter und verfahren zur herstellung eines auflichtphasengitters |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225103A true JPS60225103A (ja) | 1985-11-09 |
| JPH0377961B2 JPH0377961B2 (ja) | 1991-12-12 |
Family
ID=6232847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60069252A Granted JPS60225103A (ja) | 1984-04-06 | 1985-04-03 | 反射位相格子及び反射位相格子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4708437A (ja) |
| EP (1) | EP0160784B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60225103A (ja) |
| AT (1) | ATE36761T1 (ja) |
| DE (2) | DE3412980A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185101U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-29 |
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| ATE210832T1 (de) * | 1995-04-13 | 2001-12-15 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Ma stab und verfahren zur herstellung eines ma stabes sowie positionsmesseinrichtung |
| ATE190408T1 (de) * | 1995-11-11 | 2000-03-15 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Auflicht-phasengitter |
| DE19754595B4 (de) * | 1997-12-10 | 2011-06-01 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Lichtelektrische Positionsmeßeinrichtung |
| DE10150099A1 (de) | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Verfahren zur Herstellung eines Maßstabes, sowie derart hergestellter Maßstab und eine Positionsmesseinrichtung |
| DE10236788A1 (de) * | 2002-08-10 | 2004-03-04 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Maßverkörperung in Form eines Amplitudengitters, sowie eine Positionsmesseinrichtung |
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| DE102016201068A1 (de) * | 2016-01-26 | 2017-07-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Maßverkörperung und Positionsmesseinrichtung mit dieser Maßverkörperung |
| CN107015373B (zh) * | 2017-06-16 | 2019-08-02 | 宁波维真显示科技股份有限公司 | 光栅对位贴合方法 |
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