KR920010921B1 - 이미지 센서(Image Sensor) - Google Patents

이미지 센서(Image Sensor) Download PDF

Info

Publication number
KR920010921B1
KR920010921B1 KR1019850001531A KR850001531A KR920010921B1 KR 920010921 B1 KR920010921 B1 KR 920010921B1 KR 1019850001531 A KR1019850001531 A KR 1019850001531A KR 850001531 A KR850001531 A KR 850001531A KR 920010921 B1 KR920010921 B1 KR 920010921B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent substrate
light
information
thin film
image sensor
Prior art date
Application number
KR1019850001531A
Other languages
English (en)
Other versions
KR850006792A (ko
Inventor
사또시 시마다
간지 가와가미
미쓰하루 다다우찌
모도히사 니시하라
Original Assignee
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
미다 가쓰시게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼, 미다 가쓰시게 filed Critical 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Publication of KR850006792A publication Critical patent/KR850006792A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920010921B1 publication Critical patent/KR920010921B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
    • H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
    • H04N1/0316—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes illuminating the scanned image elements through the plane of the photodetector, e.g. back-light illumination
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
    • G02B6/1245—Geodesic lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
    • H04N1/0311—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using an array of elements to project the scanned image elements onto the photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

이미지 센서(Image Sensor)
제1도는 종래의 이미지 센서의 일례를 나타낸 단면도.
제2도는 종래의 이미지 센서의 다른 예를 나타낸 단면도.
제3a,b도는 본원 발명에 의한 이미지 센서의 일실시예를 나타낸 구성도로서,
제3a도는 단면도.
제3b도는 일부 평면도.
제4a,b도는 본원 발명에 의한 이미지 센서의 다른 실시예를 나타낸 구성도로서,
제4a도는 단면도.
제4b도는 일부 평면도.
제5도 및 제6a,b도는 각기 본원 발명에 의한 다른 실시예를 나타낸 부분 구성도로서,
제5도는 포토센서얼레이의 평면도.
제6a,b도는 렌자의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 포토다이오우드 2 : 광원
3 : 렌즈얼레이 4,5 : 투명절연막
6 : 차광막 7 : 투명도전전극
8 : 금속전주막 10 : 투명기판
20 : 원고
본원 발명은 예를들어 팩시밀리 등에 사용하여 문서 등의 이미지(image)를 빛-전기신호로 변환하는 이미지 센서에 관한 것이며, 특히 광로장 저감과 소형화에 적합한 이미지 센서에 관한 것이다.
예를들어 팩시밀리 등의 정보기기는 입력부에 이미지 센서라고 칭하는 빛-전기신호 변환부를 가지고 있지만, 이 이미지 센서의 광로장을 크게 취하지 않을 수 없으며, 전기회로의 집적화를 진척시켜도 기기 전체의 크기를 저감시킬 수 없으므로, 가정용 등 소형화가 요구되고 있음에도 불구하고, 여전히 커다란 개발과제로 되어 있다. 종래, 이와 같은 이미지 센서로서 제1도 및 제2도에 나타낸 바와같은 구조가 알려져 있다. 제1도는 원고(10)에 광원(2)를 조사하여, 그 반사광을 로드렌즈얼레이(3)로 포토센서(1)에 1 : 1의 비율로 투영하는 구성이며, 종래의 광학렌즈를 사용한 것과 비교하면 소형화는 상당히 이루어져 있지만, 예를들어 원고 A4사이즈를 취급할 경우 1000개에 가까운 로드렌즈얼레이를 사용하기 때문에 구조가 복잡해져서 조립 원가의 상승은 피할 수 없는 문제를 남기고 있다. 또, 제2도에 나타낸 것처럼, 투명기판(10)의 주표면에 차광막(6)을 형성하고, 다시 그 위에 투명절연막(5),(4)를 형성하여 이 투명절연막(5),(4)내에 포토센서(1)를 배치한 것으로서, 렌즈를 사용하지 않으며 또한 원고(20)에 대해 완전히 밀착시키며, 광원(2)의 빛은 상기 투명기판(10)의 뒷면에서 조사시키는 것이 알려져 있다. 이 구조의 이점은 광로장이 저감되고 구조의 간소화를 도모할 수 있는 것이지만, 포토센서(1)를 보호하는 투명절연막(4)이 원고에 접촉하여 미끄러져 움직이기 때문에 이 면이“불투명유리”모양으로 되어 버린다고 하는 결점을 지닌 것이었다.
그래서, 일본국 특개소 58-105668호 공보에 나타낸 기술을 근거로 하여, 투명절연막(4)의 불투명화를 제거하기 위해 상기 투명절연막(4) 표면에 있어서의 빛의 반사부에 원호상의 홈을 형성하고, 이것에 의해 빛의 경로부에 있어서만 상기 투명절연막(4)의 불투명화를 방지하는 구성을 상상할 수 있다.
그러나, 이처럼 원고와 접촉하는 투명절연막(4) 표면에 홈을 형성하는 구성은 반사광이 모두 포토센서(1)에 수속(收束)되는 것은 아니며, 산란하는 빛의 일부를 포착하는데 불과하다. 따라서 상기 포토센서(1)의 출력은 약하며, 충분한 화상신호를 얻을 수 없는 것이었다.
본원 발명은 원고면에서 광감지소자까지의 광로장을 짧게 할 수 있고, 또한 상기 광감지소자의 출력을 크게 취할 수 있는 이미지 센서를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본원 발명은 투명판과, 이 투명판의 일면에 반도체 제조 프로세스에 사용되는 미세 가공에 의해 형성한 렌즈와, 상기 투명판의 다른 면에 형성되어 상기 렌즈를 통해 통과시킨 빛을 포착하는 광감지소자를 구비하여 이루어진 것이다.
제3a도는 본원 발명에 의한 이미지 센서의 일실시예를 나타낸 단면도이다. 동 도면에 있어서, 원고(20)에 대향해서 배치되는 투명기판(10)이 있고, 이 투명기판(10)의 상기 원고(20)측의 주표면에는 예를들어 Cr등을 증착하여 얻어지는 차광막(6)이 피복되고, 그 일부에는 예를들어 선택 에칭법 등에 의해 창문(A)이 형성되어 있다. 그리고 상기 창문(6A)을 포함하여 상기 차광막(6)상에는 예를들어 CVD법 등에 의해 형성된 SiO2등으로 이루어진 투명절연막(5)이 피착되어 있다. 또한, 이 투명절연막(5)의 상면에는 예를들어 Al등을 증착한 전극(8)이 형성되며, 이 전극(8)의 한쪽 끝부분은 일방향으로 연재되어 형성되어 있다. 상기 포토다이오우드(1)는 PN 접합을 갖는 반도체 재료로 구성되는 것이며, 상기 원고(20)측의 면의 광조사부를 제외하고 절연막(예를들어 SiO2)로 피복되어 있다. 또한, 상기 다이오우드(1)의 광조사부에는 예를들어 ITO로 이루어진 투명도전재가 피착되어 전극(7)이 형성되며, 이 전극(7)은 상기 전극(8)과 정반대의 방향으로 연재하여 형성되어 있다. 이처럼, 상기 포토다이오우드(1) 및 이것에 접속되는 전극(7) 및 (8)로 이루어진 포토센서부는 제3b도의 평면도에 나타낸 것처럼 전극(7),(8)의 연재방향과 직교하는 방향으로 다수 병설되어 형성된 것으로 이루어져 있다. 그리고, 상기 전극(7),(8)의 각각의 타단(전극 꺼내기부)을 노정시킨 상태에서 각 포토다이오우드(1)를 덮어 유리 또는 투명수지로 이루어진 투명기판(31)이 형성되며, 그 상기 원고(20)측의 주표면에는 각 포토다이오우드(1)상에 각기 렌즈(3)가 형성되어 있다. 이 렌즈(3)는 그 초점거리를 상기 투명기판(31)의 판두께가 일치하는 것이며, 반도체 제조프로세스 등에서 이용되는 사진식각법에 의해 형성되는 것이다. 즉, 예를들어 렌즈형성 영역부만을 제외하고 포토레지스트막에 의해 마스크를 형성하며, 이 마스크의 창문부에서 Th 또는 Ag 이온을 투명기판(31)측으로 확산시킨다. 그러면, 상기 Th 또는 Ag 이온은 투명기판(31)내의 Na이온과 치환되어 상기 투명기판(31)의 굴절율과 다른 굴절율의 재료가 확산의 성질에서 반철렌즈(半凸lens)형상으로 형성된다.
또, 다른 방법으로서, 유리기판(31)상에, 사진식각법에 의해 예를들어 합성수지로 이루어진 원형막을 그 직경을 작게 해서 순차 퇴적시키고, 그 연후에 이 퇴적된 합성수지체를 가열 응용하여, 그 유동을 이용해서 반철렌즈를 형성하도록 해도 된다.
그리고, 또한 상기 투명기판(10)의 뒷면측에는 광원(2)이 배치되며, 그 배치는 광원광이 차폐각(6)의 창문(6A)을 통해 원고(10)면을 조사하여 상기 렌즈(3)를 통해서 포토다이오우드(1)에 조사할 수 있도록 설정되어 있다.
이처럼 구성한 이미지 센서는 광원(2)에서 투사되는 빛의 일부가 원고(10)에 투사되고, 그 반사광이 렌즈(3)에 의해 대응하는 포토다이오우드(1)의 상면에 집광된다. 포토다이우드(1)의 출력전압은 원고(10)에 쓰여진 이미지에 응답해서 출력하여, 도시생략의 신호처리부로 전송된다.
상술한 바와같이 이미지 센서는 투명기판(31)상에 렌즈(3)를 반도체미세가공 프로세스를 사용하여 구성할 수 있으므로 초점거리가 예를들어 0.1~5mm로 작게 할 수 있고, 또 각 다이오우드(1)간의 피치도 125μ로 작게 할 수 있기 때문에, 광로장을 0.2~10mm로 종래의 일례에 나타낸 완전 밀착형으로 근접시킬 수 있게 되어 비접촉화를 도모할 수 있기 때문에 접촉 미끄러져 움직이기에 의한 투명보호막의 마모나 흐리는 것을 제거할 수 있다.
[제1표]
Figure kpo00001
제1표에 각 구조의 비교를 나타낸 것처럼 평면마이크로렌즈얼레이를 사용한 본 방식은 제1도에 상술한 로드렌즈얼레이 구조와 비교해도 광로장이나 F넘버의 점에서 유리하며, 소형이고 밝은 이미지 센서를 얻을 수 있는 특징이 있다. 또, 본 구조를 양산할 경우에는 반도체 프로세스에 의한 다량 생산방식을 취할 수 있기 때문에, 정도(精度)나 불균일성, 원가면에서도 유리해진다.
제4도는 본원 발명에 의한 이미지 센서의 다른 실시예를 나타낸 것으로서 투명기판(10)의 뒤쪽에 프레넬렌즈얼레이를 형성한 구조를 나타낸다. 제3도와 같은 부호의 것은 같은 재료를 나타내고 있다. 이 구조는 포토 센서얼레이(1)를 설치하는 면은 일체 관계없이 마이크로렌즈어레이(3)를 제작할 수 있으므로 양자의 제조프로세스에 있어서의 매칭을 고려하는 제약이 없는 것으로, 투명기판(10)의 두께를 렌즈(3)의 초점거리에 맞추어서 만들면 된다. 프레넬렌즈(3)는 그 평면도가 동도면(b)에 나타낸 것처럼 제n번째대(帶)의 직경 Rn이 다음 식으로 주어지는 관계로 설계된 것이다.
Figure kpo00002
여기서 n : 자연수
λ : 빛의 파장
f : 렌즈의 초점거리
프레넬렌즈(3)는 전자비임 묘화장치(描畵裝置)를 사용하여, 투명광학박막(약 1㎛두께)을 외주부 윤대피치(輪帶 pitch), 1㎛정도로 미세가공하여 제작하기 때문에, 그 치수는 거의 무시할 수 있을 정도로 작게 해도 빛을 포토다이오우드(1)에 집속시킬 수 있다. 프레넬윤대의 얼레이는 동 도면(b)에 나타낸 바와같은 포토다이오우드(1)와 대응한 평면형상을 취해도 좋지만, 제5도에 나타낸 것처럼 서로가 겹쳐진 형상으로 해도 집광작용이 있는 것이 실험적으로 확인되어 있다. 또, 윤대의 단면형상은 제6a도에 나타낸 바와같은 구형에서 제6b도에 나타낸 것처럼 3각형의 블레이즈형상이 집광효율이 높아지는 일로 이와 같이 해도 좋다.
이 프레넬렌즈를 사용함으로써 형상치수 정도가 높은 평면형상의 미소렌즈를 이미지 센서에 일체적으로 형성할 수 있는데다 수차보정등도 할 수 있기 때문에 성능이 좋은 렌즈를 만들 수 있다.
이상 기술한 것에서 명백한 것처럼, 본원 발명에 의한 이미지 센서에 의하면 그것에 미세 가공된 렌즈를 조입(租
Figure kpo00003
)할 수 있으므로, 원고면에서 광감지 소자까지의 광로장을 짧게 할 수 있고, 또한 상기 광감지소자의 출력을 크게 취할 수 있다.

Claims (10)

  1. 투명기판과, 상기 투명기판의 일주면에 일체로 형성되어 마이크로 광학렌즈 어레이로서 일렬로 배열된 복수의 광학렌즈와, 상기 투명기판의 다른 주면에 형성된 박막포토센서어레이로서 일렬로 배열되어, 각각 상기 복수의 광학렌즈에 대응하여 배설된 각각 출력전극을 가진 복수의 박막포토센서로 이루어지며, 상기 마이크로 광학렌즈 어레이의 복수의 광학렌즈에 입사되는 감지될 정보에 대응하는 광이 각각 상기 투명기판을 통해 상기 렌즈에 의해 대응하는 박막포토센서에 접속되며, 상기 박막포토센서어레이의 각 박막포토센서를 배설하여 상기 투명기판의 일주면에 인접하여 배치된 문서상에 기재된 감지될 정보에 대응하는 광을 수신하며, 상기 박막포토센서는 정보에 대응하여 전기출력신호를 상기 출력전극에 공급하는 것을 특징으로 하는 광학정보를 전기신호로 변환하는 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명기판은 상기 각 박막포토센서의 광전감도범위내에 주파수가 있는 광을 전달하는 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 각 광학렌즈는 상기 투명기판의 일주면에 금속이온을 도우핑함으로써 형성되는 볼록렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  4. 제2항에 있어서, 상기 각 광학렌즈는 상기 투명기판의 일주면에 형성된 프레넬렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  5. 제4항에 있어서, 상기 프레넬렌즈는 포토리소그래피공정을 통해 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  6. 제1항에 있어서, 감지될 정보에 대응하는 광을 상기 포토센서에 집속시키는 상기 각 광학렌즈는 집속길이가 5.0mm 이하인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  7. 제1항에 있어서, 상기 각 광학렌즈를 통해 문서와 상기 각 박막센서 사이에 뻗은 감지될 정보에 대응하는 광로장은 10mm 이하인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  8. 제1항에 있어서, 상기 투명기판의 다른 주면에 형성된 복수의 광전달창을 가진 차광막으로 이루어지며, 상기 각 박막포토센서는 상기 차광막에 형성되며, 상기 광전달창중 최소한 하나가 배설되어 상기 투명기판의 상기 다른 주면을 향해서 그 창을 통해서 직접 광을 전달하고, 또 상기 투명기판을 통해서 상기 투명기판의 상기 일주면에 인접한 문서에 광을 전달하며, 상기 각 박막포토센서는 상기 차광막의 광전달창중의 최소한 다른 하나에 인접하여 배설되어, 대응하는 상기 광학렌즈중 하나와 상기 투명기판과 상기 차광막의 최소한 하나의 다른 창을 통해서 상기 박막포토센서어레이에 감지되어 방사될 정보에 대응하는 문서로부터 반사되는 광을 수신하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  9. 제1항에 있어서, 상기 이미지 센서는 감지될 정보를 기재한 문서에 인접하여 배설되고, 문서는 상기 투명기판의 일주면에 인접하여 배설되어 상기 투명기판의 상기 다른 주면을 향해서 그리고 상기 투명기판을 통해서 문서상에 광이 전달되며, 상기 투명기판의 일주면은 문서로부터 반사되며, 반사광은 감지될 정보에 대응하며, 감지될 정보에 대응하는 반사광은 상기 마이크로 광학렌즈어레이의 상기 복수의 광학렌즈에 입사되어, 상기 투명기판을 통해 각각 상기 광학렌즈에 의해 대응하는 박막포토센서에 집속됨으로써, 상기 박막포토센서는 정보에 대응하는 전기신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 팩시밀리장치에 사용되는 이미지 센서.
  10. 일주면에 일체로 형성된 마이크로광학렌즈를 가지는 제1투명기판과, 일주면에 일체로 형성된 박막포토센서어레이를 가지는 제2투명기판으로 이루어지며, 상기 제1투명기판의 다른 주면은 상기 제2투명기판의 상기 일주면에 접합되며, 상기 박막포토센서어레이는 감지될 정보에 대응하는 전기출력신호를 제공하기 위한 출력전극을 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
KR1019850001531A 1984-03-12 1985-03-11 이미지 센서(Image Sensor) KR920010921B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59047472A JPS60191548A (ja) 1984-03-12 1984-03-12 イメ−ジセンサ
JP84-47472 1984-03-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850006792A KR850006792A (ko) 1985-10-16
KR920010921B1 true KR920010921B1 (ko) 1992-12-24

Family

ID=12776082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850001531A KR920010921B1 (ko) 1984-03-12 1985-03-11 이미지 센서(Image Sensor)

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4689652A (ko)
EP (1) EP0154962B1 (ko)
JP (1) JPS60191548A (ko)
KR (1) KR920010921B1 (ko)
DE (1) DE3582510D1 (ko)

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO861180L (no) * 1986-03-24 1987-09-25 Gudmunn Slettemoen Boelgefront-omformer.
EP0244394B1 (de) * 1986-04-23 1992-06-17 AVL Medical Instruments AG Sensorelement zur Bestimmung von Stoffkonzentrationen
JP2505767B2 (ja) * 1986-09-18 1996-06-12 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JPH0815211B2 (ja) * 1986-09-25 1996-02-14 株式会社日立製作所 光配線式半導体集積回路
US5124800A (en) * 1986-10-28 1992-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for reading and recording image
GB2241377B (en) * 1987-05-22 1991-12-11 Philips Electronic Associated Optical sensors
JPS6415970A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Canon Kk Image reading equipment
GB2212110B (en) * 1987-11-09 1992-06-03 Canon Kk Image recording apparatus
US5065006A (en) * 1988-10-14 1991-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Inc. Image sensors with simplified chip mounting
US5004905A (en) * 1988-11-10 1991-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Contact type image sensor with a fiber array coated in part with an absorber
GB2228366B (en) * 1989-02-21 1993-09-29 Canon Kk Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
US5261013A (en) * 1989-02-21 1993-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
US5130531A (en) * 1989-06-09 1992-07-14 Omron Corporation Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens
WO1991002380A1 (en) * 1989-08-11 1991-02-21 Santa Barbara Research Center Method of fabricating a binary optics microlens upon a detector array
JPH03107101A (ja) * 1989-09-20 1991-05-07 Dainippon Printing Co Ltd 集光性フィルター及びその製造方法
JP3118016B2 (ja) * 1990-07-06 2000-12-18 株式会社リコー 画像読み取り装置
GB2278723B (en) * 1991-01-17 1995-04-26 Honeywell Inc Binary optical microlens detector array
JP2777000B2 (ja) * 1991-06-27 1998-07-16 ローム株式会社 イメージセンサ
JP2954760B2 (ja) * 1991-09-30 1999-09-27 ローム株式会社 イメージセンサ
US5315375A (en) * 1992-02-11 1994-05-24 Acrogen, Inc. Sensitive light detection system
US5319182A (en) * 1992-03-04 1994-06-07 Welch Allyn, Inc. Integrated solid state light emitting and detecting array and apparatus employing said array
US5529936A (en) * 1992-09-30 1996-06-25 Lsi Logic Corporation Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor
US5519205A (en) * 1992-09-30 1996-05-21 Lsi Logic Corporation Color electronic camera including photosensor array having binary diffractive lens elements
US5340978A (en) * 1992-09-30 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array
KR0137398B1 (ko) * 1992-10-23 1998-04-29 모리시타 요이찌 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법
GB9301405D0 (en) * 1993-01-25 1993-03-17 Philips Electronics Uk Ltd An image sensor
GB9308543D0 (en) * 1993-04-24 1993-06-09 Philips Electronics Uk Ltd An image sensor
GB9314402D0 (en) * 1993-07-12 1993-08-25 Philips Electronics Uk Ltd An imaging device
JP2658873B2 (ja) * 1994-05-30 1997-09-30 日本電気株式会社 光電変換素子
US5734155A (en) * 1995-06-07 1998-03-31 Lsi Logic Corporation Photo-sensitive semiconductor integrated circuit substrate and systems containing the same
DE19545484C2 (de) * 1995-12-06 2002-06-20 Deutsche Telekom Ag Bildaufnahmeeinrichtung
US5770889A (en) * 1995-12-29 1998-06-23 Lsi Logic Corporation Systems having advanced pre-formed planar structures
US6491391B1 (en) 1999-07-02 2002-12-10 E-Vision Llc System, apparatus, and method for reducing birefringence
US6491394B1 (en) 1999-07-02 2002-12-10 E-Vision, Llc Method for refracting and dispensing electro-active spectacles
US6619799B1 (en) 1999-07-02 2003-09-16 E-Vision, Llc Optical lens system with electro-active lens having alterably different focal lengths
US6517203B1 (en) 1999-07-02 2003-02-11 E-Vision, Llc System, apparatus, and method for correcting vision using electro-active spectacles
US6733130B2 (en) 1999-07-02 2004-05-11 E-Vision, Llc Method for refracting and dispensing electro-active spectacles
US7775660B2 (en) 1999-07-02 2010-08-17 E-Vision Llc Electro-active ophthalmic lens having an optical power blending region
US7988286B2 (en) 1999-07-02 2011-08-02 E-Vision Llc Static progressive surface region in optical communication with a dynamic optic
US20040212724A1 (en) * 1999-07-30 2004-10-28 Bawolek Edward J. Imaging device with liquid crystal shutter
JP2002141556A (ja) * 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7340429B2 (en) * 2000-10-23 2008-03-04 Ebay Inc. Method and system to enable a fixed price purchase within a online auction environment
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
DE10236376A1 (de) * 2002-08-02 2004-02-26 Infineon Technologies Ag Träger für optoelektronische Bauelemente sowie optische Sendeeinrichtung und optische Empfangseinrichtung
US20040099789A1 (en) * 2002-11-27 2004-05-27 Chin-Yuan Lin Image sensor module having shortened optical path length and a film scanner using the same
JP3729353B2 (ja) * 2003-06-18 2005-12-21 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US7786421B2 (en) * 2003-09-12 2010-08-31 California Institute Of Technology Solid-state curved focal plane arrays
US9801709B2 (en) 2004-11-02 2017-10-31 E-Vision Smart Optics, Inc. Electro-active intraocular lenses
US8778022B2 (en) 2004-11-02 2014-07-15 E-Vision Smart Optics Inc. Electro-active intraocular lenses
US8915588B2 (en) 2004-11-02 2014-12-23 E-Vision Smart Optics, Inc. Eyewear including a heads up display
IL165168A (en) * 2004-11-11 2012-06-28 Elbit Systems Ltd Optical concentrator
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7439513B2 (en) * 2005-08-16 2008-10-21 Institut National D'optique Fast microbolometer pixels with integrated micro-optical focusing elements
JP4215071B2 (ja) * 2006-04-28 2009-01-28 三菱電機株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
US20080273166A1 (en) 2007-05-04 2008-11-06 William Kokonaski Electronic eyeglass frame
US7656509B2 (en) 2006-05-24 2010-02-02 Pixeloptics, Inc. Optical rangefinder for an electro-active lens
CN102520530A (zh) 2006-06-23 2012-06-27 像素光学公司 用于电活性眼镜镜片的电子适配器
AR064985A1 (es) 2007-01-22 2009-05-06 E Vision Llc Lente electroactivo flexible
EP2115519A4 (en) 2007-02-23 2012-12-05 Pixeloptics Inc DYNAMIC OPHTHALMIC OPENING
US20080273169A1 (en) 2007-03-29 2008-11-06 Blum Ronald D Multifocal Lens Having a Progressive Optical Power Region and a Discontinuity
US7883207B2 (en) 2007-12-14 2011-02-08 Pixeloptics, Inc. Refractive-diffractive multifocal lens
EP2130090A4 (en) 2007-03-07 2011-11-02 Pixeloptics Inc MULTIFOKALLINSE WITH A REGION WITH PROGRESSIVE OPTICAL STRENGTH AND A DISCONTINUITY
US11061252B2 (en) 2007-05-04 2021-07-13 E-Vision, Llc Hinge for electronic spectacles
US10613355B2 (en) 2007-05-04 2020-04-07 E-Vision, Llc Moisture-resistant eye wear
US8317321B2 (en) 2007-07-03 2012-11-27 Pixeloptics, Inc. Multifocal lens with a diffractive optical power region
TW200951410A (en) * 2008-01-28 2009-12-16 Koninkl Philips Electronics Nv Lighting unit with photosensor
EP2271964A4 (en) 2008-03-18 2017-09-20 Mitsui Chemicals, Inc. Advanced electro-active optic device
US8154804B2 (en) 2008-03-25 2012-04-10 E-Vision Smart Optics, Inc. Electro-optic lenses for correction of higher order aberrations
KR101042254B1 (ko) 2008-06-27 2011-06-17 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2012009816A (ja) 2010-05-28 2012-01-12 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR20230020587A (ko) 2012-01-06 2023-02-10 이-비전 스마트 옵틱스, 아이엔씨. 안경류 도킹 스테이션 및 전자 모듈
US20150124094A1 (en) * 2013-11-05 2015-05-07 Delphi Technologies, Inc. Multiple imager vehicle optical sensor system
US20160107576A1 (en) * 2013-11-05 2016-04-21 Delphi Technologies, Inc. Multiple imager vehicle optical sensor system
US10599006B2 (en) 2016-04-12 2020-03-24 E-Vision Smart Optics, Inc. Electro-active lenses with raised resistive bridges
EP3440508B1 (en) 2016-04-12 2021-01-27 E- Vision Smart Optics, Inc. Electro-active lenses with raised resistive bridges

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2404307A1 (fr) * 1977-09-27 1979-04-20 Centre Nat Etd Spatiales Cellules solaires a double heterojonction et dispositif de montage
JPS5846186B2 (ja) * 1980-02-28 1983-10-14 日本電信電話株式会社 光電変換装置及びその製造方法
JPS5774720A (en) * 1980-10-29 1982-05-11 Nippon Sheet Glass Co Ltd Optoelectronic element
JPS57148366A (en) * 1981-03-09 1982-09-13 Hitachi Ltd Solid state color image pickup element
JPS58105668A (ja) * 1981-12-18 1983-06-23 Fujitsu Ltd ラインセンサ
JPS58220106A (ja) * 1982-06-17 1983-12-21 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPS59121974A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Fujitsu Ltd 密着形イメ−ジセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
US4689652A (en) 1987-08-25
KR850006792A (ko) 1985-10-16
DE3582510D1 (de) 1991-05-23
JPH0510863B2 (ko) 1993-02-10
EP0154962B1 (en) 1991-04-17
JPS60191548A (ja) 1985-09-30
EP0154962A3 (en) 1986-12-17
EP0154962A2 (en) 1985-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920010921B1 (ko) 이미지 센서(Image Sensor)
US5877492A (en) Contact type image sensor comprising a plurality of microlenses
US4467195A (en) Information detecting apparatus
US4708436A (en) Optical imager with diffractive lenticular array
JPH06244391A (ja) イメージセンサー
CN110555367B (zh) 光学指纹感应模块
JP3044734B2 (ja) 固体撮像素子
US4233506A (en) Photo-sensor
JPH07301730A (ja) 導波路型縮小イメージセンサ
US4143399A (en) Imaging device
JPS5846182B2 (ja) 光電変換装置
JPH02174161A (ja) 画像読取装置
US11107851B2 (en) Lens layers for semiconductor devices
JPH1051589A (ja) 光導波路型縮小イメージセンサ及びその製造方法
JP2004028667A (ja) 光電式エンコーダおよびスケールの製造方法
JPH04233759A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2769812B2 (ja) 原稿読み取り装置
JPH06260627A (ja) 密着型イメージセンサ
GB2586377A (en) Improvements in lens layers for semiconductor devices
JPH0719893B2 (ja) 光半導体装置
JPH088416A (ja) 密着型イメージセンサ
JPH051664B2 (ko)
JPS58114684A (ja) 固体撮像素子
JPH06236980A (ja) フォトセンサ
JPH0575085A (ja) 固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021203

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee