JPS59121974A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
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- JPS59121974A JPS59121974A JP57227621A JP22762182A JPS59121974A JP S59121974 A JPS59121974 A JP S59121974A JP 57227621 A JP57227621 A JP 57227621A JP 22762182 A JP22762182 A JP 22762182A JP S59121974 A JPS59121974 A JP S59121974A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はファクシミリ、光学文字読取装置などに用いら
れる密着型イメージセンサに関するものである。
れる密着型イメージセンサに関するものである。
（２）従来技術と問題点
従来よりファクシミリ、光学文字読取装置などには密着
型イメージセンサが用いられている。
型イメージセンサが用いられている。
第１図はこの密着型イメージセンサの構造を示す図であ
り、同図において１は光源、２は導光系、３は受光素子
アレイをそれぞれ示している。
り、同図において１は光源、２は導光系、３は受光素子
アレイをそれぞれ示している。
この密着型イメージセンサにおいて、光源１から出た光
は、原稿４に照射され、白黒の模様を含んだ情報として
反射される。この原稿４カ・ら反射された光はライトフ
ォーカシングロッドレンズアレイと呼ばれる導光系２で
受光素子アレイ３に導かれそこに原稿面での王立同倍の
実像を結ぶ。受光素子アレイ３は受光した光量の大小を
光血流の大小に光変換し原稿の読取りを行なうのである
。
は、原稿４に照射され、白黒の模様を含んだ情報として
反射される。この原稿４カ・ら反射された光はライトフ
ォーカシングロッドレンズアレイと呼ばれる導光系２で
受光素子アレイ３に導かれそこに原稿面での王立同倍の
実像を結ぶ。受光素子アレイ３は受光した光量の大小を
光血流の大小に光変換し原稿の読取りを行なうのである
。
このような、ライトフォーカシングロッドレンズアレイ
を導光系として用いた密着型イメージセ／すは、ライト
フォーカシングロッドレンズアレイが光ファイバを用い
ているため、その屈折率変化を大きくすることができな
いことから開口率が小さく、また高価であるという欠点
があった。
を導光系として用いた密着型イメージセ／すは、ライト
フォーカシングロッドレンズアレイが光ファイバを用い
ているため、その屈折率変化を大きくすることができな
いことから開口率が小さく、また高価であるという欠点
があった。
（３）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、開口率が太きく光測用
効率の高い導光系を具備し、且つ安価な密着型イメージ
センサを提供することを目的とするものである。
効率の高い導光系を具備し、且つ安価な密着型イメージ
センサを提供することを目的とするものである。
（４）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、原稿サイズ２同じ大
きさを有する一次元の密着型イメージセンサにおいて、
透明基板の一方の面には受光素子アレイを形成し、他方
の面を入射光面とし、載面には、透光性の半球状の島を
受光素子と同じ間隔で配置し、かつ他の部分は非透光性
の膜を被着Ｌ７、さらに半球状の高上に屈折率を連続的
に変化させた多層Ｎｔ膜を形成したことを特徴とする密
着型イメージセンサを提供することによって達成される
。
きさを有する一次元の密着型イメージセンサにおいて、
透明基板の一方の面には受光素子アレイを形成し、他方
の面を入射光面とし、載面には、透光性の半球状の島を
受光素子と同じ間隔で配置し、かつ他の部分は非透光性
の膜を被着Ｌ７、さらに半球状の高上に屈折率を連続的
に変化させた多層Ｎｔ膜を形成したことを特徴とする密
着型イメージセンサを提供することによって達成される
。
（５）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第２図は本発明の密着型イメージセ／すの構造を説明す
る念めの図である。同図において、１０はガラス等の透
明基板、１１は受光素子アレイの受光素子、１２は透光
性の半球状の島、１３は不透光性膜、１４は屈折率を連
続的に変化させた多層薄膜をそれぞれ示す。なお１５は
原稿、矢印１６は光源よりの光を示す。
る念めの図である。同図において、１０はガラス等の透
明基板、１１は受光素子アレイの受光素子、１２は透光
性の半球状の島、１３は不透光性膜、１４は屈折率を連
続的に変化させた多層薄膜をそれぞれ示す。なお１５は
原稿、矢印１６は光源よりの光を示す。
図により本発明の密着型イメージセンサの構成法を説明
すると、先ずガラス等の透明基板１０の一方の面に等間
隔列状に受光素子１１を形成して受光素子アレイを形成
する。次に基板１０の他方の面に受光素子１１と対応し
た位置に高屈折率透光性の半球状の島１２を形成し他の
部分は不透光性の膜１３を被着する。この場合不透光性
の膜１３は金属の真空蒸着後、島１２部分をエツチング
除去するか、あるいはリフトオフ法を用いる。
すると、先ずガラス等の透明基板１０の一方の面に等間
隔列状に受光素子１１を形成して受光素子アレイを形成
する。次に基板１０の他方の面に受光素子１１と対応し
た位置に高屈折率透光性の半球状の島１２を形成し他の
部分は不透光性の膜１３を被着する。この場合不透光性
の膜１３は金属の真空蒸着後、島１２部分をエツチング
除去するか、あるいはリフトオフ法を用いる。
その後ＴｉＯ２ｆｘどの材料をスパッタ及びエツチング
して高屈折率透光性の半球状の島１２を形成する。次に
この島１２及び不透光性の膜１３の上に屈折率を連続的
に変化させた多層薄膜１４を形成する。この多層薄膜１
４はシランガスと酸素の混合ガス中でＣＶＤ法により形
成されるが、シランガスと酸素の混合比を変えることに
より５ｉｏｘのＳｒとＯの混合比Ｘを変化させることが
できもそして透光性の島１２に近い方を高屈折率とし順
次低屈折率へと変化せしめる。
して高屈折率透光性の半球状の島１２を形成する。次に
この島１２及び不透光性の膜１３の上に屈折率を連続的
に変化させた多層薄膜１４を形成する。この多層薄膜１
４はシランガスと酸素の混合ガス中でＣＶＤ法により形
成されるが、シランガスと酸素の混合比を変えることに
より５ｉｏｘのＳｒとＯの混合比Ｘを変化させることが
できもそして透光性の島１２に近い方を高屈折率とし順
次低屈折率へと変化せしめる。
このように構成された本実施例は多層薄膜１４がレンズ
効果を有し、且つ透光性の島１２もレンズとして作用す
るため開口率の大きな導光系を実現することができる、
例えば従来のライトフォーカシングロッドレンズアレイ
の開口率が０．１であるのに対し本発明の導光系の開口
率は約０．８と太きく、従来に比して著［２〈犬となる
。従って光測用効率が高くなる。またその価格は光ファ
イバを使用しないので安価となる。
効果を有し、且つ透光性の島１２もレンズとして作用す
るため開口率の大きな導光系を実現することができる、
例えば従来のライトフォーカシングロッドレンズアレイ
の開口率が０．１であるのに対し本発明の導光系の開口
率は約０．８と太きく、従来に比して著［２〈犬となる
。従って光測用効率が高くなる。またその価格は光ファ
イバを使用しないので安価となる。
（６）発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の密着型イメージセ
ンサはエツチング並びに薄膜技術を用いることにより光
測用効率が高く且つ安価な導光系を具備したものであり
ファクシミリ、光学文字読取装置等に使用し得るといっ
た効果大なるものである。
ンサはエツチング並びに薄膜技術を用いることにより光
測用効率が高く且つ安価な導光系を具備したものであり
ファクシミリ、光学文字読取装置等に使用し得るといっ
た効果大なるものである。
第１図は従来の密着型イメージセンサを説明するための
図、第２図は本発明による密着型イメージセンサを説明
するための図である。 図面において、１０は透明基板、１１は受光素子、１２
は透光性の半球状の島、１３は不透光性の膜、１４は屈
折率を連続的に変化させた多層薄膜をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
図、第２図は本発明による密着型イメージセンサを説明
するための図である。 図面において、１０は透明基板、１１は受光素子、１２
は透光性の半球状の島、１３は不透光性の膜、１４は屈
折率を連続的に変化させた多層薄膜をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、原稿サイズと同じ大きさを有する一次元の密着型イ
メージセンサにおいて、透明基板の一方の面には受光素
子アレイを形成し、他方の面を入射光面とし、該面には
透光性の半球状の島を受光素子と同じ間隔で配置し、か
つ他の部分は非透光性の膜を被着し、さらに半球状の高
上に屈折率を連続的に変化させた多層薄膜を形成したこ
とを特徴とする密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227621A JPS59121974A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57227621A JPS59121974A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121974A true JPS59121974A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16863796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57227621A Pending JPS59121974A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121974A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0154962A2 (en) * | 1984-03-12 | 1985-09-18 | Hitachi, Ltd. | Image sensor |
| JPS6135464U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-04 | 東北リコ−株式会社 | ラインセンサ |
| WO1992006506A1 (en) * | 1990-10-01 | 1992-04-16 | Eastman Kodak Company | Static control overlayers on opto-electronic devices |
| WO1997021301A3 (de) * | 1995-12-06 | 1997-07-17 | Deutsche Telekom Ag | Bildaufnahmeeinrichtung |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57227621A patent/JPS59121974A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0154962A2 (en) * | 1984-03-12 | 1985-09-18 | Hitachi, Ltd. | Image sensor |
| US4689652A (en) * | 1984-03-12 | 1987-08-25 | Hitachi, Ltd. | Image sensor |
| JPS6135464U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-03-04 | 東北リコ−株式会社 | ラインセンサ |
| WO1992006506A1 (en) * | 1990-10-01 | 1992-04-16 | Eastman Kodak Company | Static control overlayers on opto-electronic devices |
| WO1997021301A3 (de) * | 1995-12-06 | 1997-07-17 | Deutsche Telekom Ag | Bildaufnahmeeinrichtung |
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