JPS59122274A - コンタクト方式原稿読取り装置 - Google Patents
コンタクト方式原稿読取り装置Info
- Publication number
- JPS59122274A JPS59122274A JP57231166A JP23116682A JPS59122274A JP S59122274 A JPS59122274 A JP S59122274A JP 57231166 A JP57231166 A JP 57231166A JP 23116682 A JP23116682 A JP 23116682A JP S59122274 A JPS59122274 A JP S59122274A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は一次元ラインセンサを用いる原稿読取シ装置に
関し、特に−次元ラインセンサ上密着状態で原稿を移動
しながら読取シを行なうコンタクト方式原稿読取シ装置
に関する。
関し、特に−次元ラインセンサ上密着状態で原稿を移動
しながら読取シを行なうコンタクト方式原稿読取シ装置
に関する。
従来、−次元ラインセンサを用いる原稿読取シ装置とし
ては、長さ数αの一次元ラインセンサに縮小光学系を用
いて原稿像を結像させて原稿の読取りを行なうものが知
られている。しかしながら、この種の原稿読取シ装置は
結像のための光路長が長く光学系の体積が大きいために
コンパクトな読取装置の実現は不可能であった。
ては、長さ数αの一次元ラインセンサに縮小光学系を用
いて原稿像を結像させて原稿の読取りを行なうものが知
られている。しかしながら、この種の原稿読取シ装置は
結像のための光路長が長く光学系の体積が大きいために
コンパクトな読取装置の実現は不可能であった。
一方、原稿中と同じ長さの長尺−次元ラインセンサを用
いる等倍光学系を用いる場合においては、光学系の体積
は著しく減小でき、読取り装置のコンパクト化が図れる
。かかる等倍光学系を実現する方法としては、集束性フ
ァイバーを用いる方法やコンタクトレンズアレイを用い
る方法等が知られている。又、こうしたファイバーやレ
ンズアレイを全く用いないで、−次元ラインセンサ上密
着状態で原稿を移動しながら読取りを行なうコンタクト
方式の原稿読取逆方法（特開昭５５−７４２６２号、特
開昭５５−７５２７１号。
いる等倍光学系を用いる場合においては、光学系の体積
は著しく減小でき、読取り装置のコンパクト化が図れる
。かかる等倍光学系を実現する方法としては、集束性フ
ァイバーを用いる方法やコンタクトレンズアレイを用い
る方法等が知られている。又、こうしたファイバーやレ
ンズアレイを全く用いないで、−次元ラインセンサ上密
着状態で原稿を移動しながら読取りを行なうコンタクト
方式の原稿読取逆方法（特開昭５５−７４２６２号、特
開昭５５−７５２７１号。
特開昭５６−４５０８４号、特開昭５６〜１２２１７２
号）も本出願人の先出願に係るものとして既に開発され
ている。
号）も本出願人の先出願に係るものとして既に開発され
ている。
第１図は、上記コンタクト方式原稿読取シ装置の要部を
一部破断して示す側断面図で、該装置を概略説明するに
、透明基板１１上に形成された一次元ラインセンサを構
成する複数個の受光素子１２に、透明基板１１の照明窓
１３を通して入射した光（この入射光に対しては受光素
子１２は遮光層１６によって遮光されている）で原稿１
４を照明し、その反射光を受光素子１２で受けるように
構成され、不図示の電極配線を介して読み取り信号を取
り出すものである。したがって、原稿１４と受光素子１
２間の間隔は、通常０．１ ｍｍ程度として４〜８本ｊ
の読取り解像力が得られるが、このような解像力を確保
するためには、上記間隔は厳密に制御されなければなら
ない。該間隔の制御は、透明耐摩耗材層１５を受光素子
１２の上面に被覆形成することによって行なわれる。
一部破断して示す側断面図で、該装置を概略説明するに
、透明基板１１上に形成された一次元ラインセンサを構
成する複数個の受光素子１２に、透明基板１１の照明窓
１３を通して入射した光（この入射光に対しては受光素
子１２は遮光層１６によって遮光されている）で原稿１
４を照明し、その反射光を受光素子１２で受けるように
構成され、不図示の電極配線を介して読み取り信号を取
り出すものである。したがって、原稿１４と受光素子１
２間の間隔は、通常０．１ ｍｍ程度として４〜８本ｊ
の読取り解像力が得られるが、このような解像力を確保
するためには、上記間隔は厳密に制御されなければなら
ない。該間隔の制御は、透明耐摩耗材層１５を受光素子
１２の上面に被覆形成することによって行なわれる。
ところで、上記コンタクト方式原稿読取り装置において
は、原稿１４が耐摩耗材層１５上をすべり移動（副走査
）して順次読取シが行なわれるため耐摩耗性の高い材料
であっても、摩耗が徐々に進行し、耐摩耗材層１５の表
面に微細な凹凸（荒れ）ができて光の散乱がおこる。こ
のために、受光素子１２で得られるＳＮ比（Ｓ／ｆＶ）
が劣化し解像力も低下するという問題を生ずる。
は、原稿１４が耐摩耗材層１５上をすべり移動（副走査
）して順次読取シが行なわれるため耐摩耗性の高い材料
であっても、摩耗が徐々に進行し、耐摩耗材層１５の表
面に微細な凹凸（荒れ）ができて光の散乱がおこる。こ
のために、受光素子１２で得られるＳＮ比（Ｓ／ｆＶ）
が劣化し解像力も低下するという問題を生ずる。
本発明の目的は、上記の問題点を解決した高性能のコン
タクト方式原稿読取シ装置を提供することにある。
タクト方式原稿読取シ装置を提供することにある。
本発明は、表面上に順次受光素子列と原稿と受光素子列
間の間隔を規制する耐摩耗材層とを設けた透明基板の裏
面から入射する光で前記受光素子列と直角をなす方向に
移動する原稿を照射し、その反射光を直接受光素子列で
走査検知するようにしたコンタクト方式原稿読取シ装置
において、前記受光素子列に対する照明光反射区域の耐
摩耗材層部位に凹溝を形成したことを特徴とするもので
ある。
間の間隔を規制する耐摩耗材層とを設けた透明基板の裏
面から入射する光で前記受光素子列と直角をなす方向に
移動する原稿を照射し、その反射光を直接受光素子列で
走査検知するようにしたコンタクト方式原稿読取シ装置
において、前記受光素子列に対する照明光反射区域の耐
摩耗材層部位に凹溝を形成したことを特徴とするもので
ある。
第２図（ａ）、 （ｂ）に示す本発明の一実施例につい
て説明するに、まず透明基板２１上にＣｒ蒸着膜の遮光
層２６を形成し、次いでホトリソエツチングを行なって
照明窓２３を形成した。続いて導電性ＣｒＭ着膜の遮光
層２６を被覆するように全面にＳｉＨ４とＮ２混合ガス
をＲＦジグー放電分解法によって３μｍ厚の５ｉＮＨ絶
縁膜２７を形成し、更にＳ ｉＨ４ガスをＲＥグロー放
電分解して０．５μｍ厚の非晶質シリコン脱を形成した
。そこで再びホトリソエツチングによって７５μ口 の
半導体部（非晶質シリコン）として残る受光素子２２の
列を形成し、更にＡｔ金属を全面被覆しホトリソエツチ
ングによって電極配線２２−１．２２−２を形成した。
て説明するに、まず透明基板２１上にＣｒ蒸着膜の遮光
層２６を形成し、次いでホトリソエツチングを行なって
照明窓２３を形成した。続いて導電性ＣｒＭ着膜の遮光
層２６を被覆するように全面にＳｉＨ４とＮ２混合ガス
をＲＦジグー放電分解法によって３μｍ厚の５ｉＮＨ絶
縁膜２７を形成し、更にＳ ｉＨ４ガスをＲＥグロー放
電分解して０．５μｍ厚の非晶質シリコン脱を形成した
。そこで再びホトリソエツチングによって７５μ口 の
半導体部（非晶質シリコン）として残る受光素子２２の
列を形成し、更にＡｔ金属を全面被覆しホトリソエツチ
ングによって電極配線２２−１．２２−２を形成した。
続いて受巻素子２２および電極配線２２−１．２２−２
の保護用に１ ｐｍ厚の５ｉＮＨ絶縁膜２８を被覆形成
した。最後に紫外線硬化型ポリマー（アクリルウレタン
樹脂：関西ペイント社製）を７０μｍ厚にディッピング
塗布乾燥後受光素子列上に合わせて１００μｍのワイヤ
ーを張って紫外線を全幅にわたって照射し、続いてポリ
マーを溶解する溶剤として例えばメチル・エチル・ケト
ン（ＭＥＫ）を用いて受光素子列上のポリマーのみを洗
い出し、照明窓２３および受光素子２２列に対する照明
光反射区域の耐摩耗材層２５０部位に凹溝２９を形成し
た。
の保護用に１ ｐｍ厚の５ｉＮＨ絶縁膜２８を被覆形成
した。最後に紫外線硬化型ポリマー（アクリルウレタン
樹脂：関西ペイント社製）を７０μｍ厚にディッピング
塗布乾燥後受光素子列上に合わせて１００μｍのワイヤ
ーを張って紫外線を全幅にわたって照射し、続いてポリ
マーを溶解する溶剤として例えばメチル・エチル・ケト
ン（ＭＥＫ）を用いて受光素子列上のポリマーのみを洗
い出し、照明窓２３および受光素子２２列に対する照明
光反射区域の耐摩耗材層２５０部位に凹溝２９を形成し
た。
以上のようにして得られた構成を有する実施例装置によ
れば、原稿２１ｉは照明窓２３および受光素子列の部分
が凹溝２９となっているので、受光素子２２列に対する
照明光反射区域では原稿２４は凹溝２９の両側の耐摩耗
材層２５．２５に橋架状態で矢印方向に移動し、長期に
わたる反覆多数回の読取りに対しても安定したＳＮ比と
解像力が得られた。
れば、原稿２１ｉは照明窓２３および受光素子列の部分
が凹溝２９となっているので、受光素子２２列に対する
照明光反射区域では原稿２４は凹溝２９の両側の耐摩耗
材層２５．２５に橋架状態で矢印方向に移動し、長期に
わたる反覆多数回の読取りに対しても安定したＳＮ比と
解像力が得られた。
受光素子２２列に対する照嬰コブＬ反射区域の耐摩耗材
層部位に凹１１ｕを形成するには、上記した方法に限ら
れるものではなく、該当する部位を残して１００μｍ１
】厚程度のフィルムやガラスを張伺ける方法や、機械的
に凹溝切削する等種々の方法を採用することができ、要
は該当する部位に凹溝を形成して、該部位における移動
原稿と耐摩耗材層間の摩擦摺接をなくすることで所期の
１」的を達成することができる。
層部位に凹１１ｕを形成するには、上記した方法に限ら
れるものではなく、該当する部位を残して１００μｍ１
】厚程度のフィルムやガラスを張伺ける方法や、機械的
に凹溝切削する等種々の方法を採用することができ、要
は該当する部位に凹溝を形成して、該部位における移動
原稿と耐摩耗材層間の摩擦摺接をなくすることで所期の
１」的を達成することができる。
第３図は、本発明の他の実施例を示すもので、図中３１
は透明基板、３２１は受光素子、３３は照明窓、３４は
原稿、３５は硬化ポリマーからなるｍｌ摩耗材層、３’
７．３８は５ｉＮＨ絶縁層である。以上は第２図に示す
実施例とほぼ同様な構成であるが第３図に示す実施例に
おいては、耐摩耗拐層３５の上にＣ１−等の金属蒸着に
よる遮光層３６を設け、該遮光層３６′の所要部位に照
明窓３３′を形成した。さらに、第２図について説明し
たと同様にして凹溝３９を形成した耐摩耗材層３５′を
前記遮光層３６′上に設ける。この実施例において（甘
受光素子３２の列がそれぞれ照明窓３３および３３′を
有する二つの遮光層３６．３６′間に配置されているの
で第２図に示す実施例に比して解像力を向上せしめるの
に効果的である。
は透明基板、３２１は受光素子、３３は照明窓、３４は
原稿、３５は硬化ポリマーからなるｍｌ摩耗材層、３’
７．３８は５ｉＮＨ絶縁層である。以上は第２図に示す
実施例とほぼ同様な構成であるが第３図に示す実施例に
おいては、耐摩耗拐層３５の上にＣ１−等の金属蒸着に
よる遮光層３６を設け、該遮光層３６′の所要部位に照
明窓３３′を形成した。さらに、第２図について説明し
たと同様にして凹溝３９を形成した耐摩耗材層３５′を
前記遮光層３６′上に設ける。この実施例において（甘
受光素子３２の列がそれぞれ照明窓３３および３３′を
有する二つの遮光層３６．３６′間に配置されているの
で第２図に示す実施例に比して解像力を向上せしめるの
に効果的である。
以上の説明によって明らかなように、本発明によれば、
受光素子列に対する照明光反射区域の耐摩耗材層部位に
凹溝を設けて該部位における原稿との接触をなくしたの
でＳＮ比および解像力を向上せしめるとともに長期間の
使用によっても性能の低下を来だすことな〈従来のこの
種装置に↓ヒ較して優れたコンタクト方式原稿読取り装
置を提供するものである。
受光素子列に対する照明光反射区域の耐摩耗材層部位に
凹溝を設けて該部位における原稿との接触をなくしたの
でＳＮ比および解像力を向上せしめるとともに長期間の
使用によっても性能の低下を来だすことな〈従来のこの
種装置に↓ヒ較して優れたコンタクト方式原稿読取り装
置を提供するものである。
第１図は従来のコンタクト方式原稿読取り装置の要部を
一部破断して示す側断面図、第２図（ａ）、Ｏ））は本
発明によるコンタクト方式原稿読取り装置の一実施例を
示し、（ａ）は要部を一部破断して示す側断面図（ｂ）
は同じく平面図である。停３図は本発明の他の実施例を
示す第２図（ａ）と同様な側断面図である。 １］−・透明基板 １２ 受光素子１３ 照明窓
１４ 原稿 １５・・透明耐摩耗材層１６ 遮光層 ２１ ・透明基板 ２２・受光素子２２−１．２２
−２・・電極配線 ２３・照明窓２４ 原稿
２５ 透明耐摩耗材層２６・・遮光層 ２７，２
８−・５ｉＮＨ絶縁膜２９・凹溝 ３１ 透明
基板 ３２・受光素子 ３３．３３’・・照明窓３４・・
・原稿 ３５．３５’ 透明ｉｔ摩耗制“１
３Ｌ ３６’ 遮光層 ３７．３８・ ５ｉＮＨ絶
縁層３９ ・凹溝 習 第１図 第２図 ・ダ 第２図 （ｂ） 第３図
一部破断して示す側断面図、第２図（ａ）、Ｏ））は本
発明によるコンタクト方式原稿読取り装置の一実施例を
示し、（ａ）は要部を一部破断して示す側断面図（ｂ）
は同じく平面図である。停３図は本発明の他の実施例を
示す第２図（ａ）と同様な側断面図である。 １］−・透明基板 １２ 受光素子１３ 照明窓
１４ 原稿 １５・・透明耐摩耗材層１６ 遮光層 ２１ ・透明基板 ２２・受光素子２２−１．２２
−２・・電極配線 ２３・照明窓２４ 原稿
２５ 透明耐摩耗材層２６・・遮光層 ２７，２
８−・５ｉＮＨ絶縁膜２９・凹溝 ３１ 透明
基板 ３２・受光素子 ３３．３３’・・照明窓３４・・
・原稿 ３５．３５’ 透明ｉｔ摩耗制“１
３Ｌ ３６’ 遮光層 ３７．３８・ ５ｉＮＨ絶
縁層３９ ・凹溝 習 第１図 第２図 ・ダ 第２図 （ｂ） 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面上に順次受光素子列と原稿と受光素子間の間隔
を規制する耐摩耗材層とを設けた透明基板の裏面から入
射した光で前記受光素子列と直角をなす方向に移動する
原稿を照射し、その反射光を直接受光素子列で順次検知
するようにしたコンタクト方式原稿読取シ装置において
、前記受光素子列に対する照明光反射区域の耐摩耗材層
部位に凹溝を形成したことを特徴とするコンタクト方式
原自読取シ装置。 ２ 前記受光素子の下部層として照明窓を有する第１の
遮光層と前記耐摩耗材層の中間層として照明窓を有する
第２の遮光層とを設けて、二つの遮光層間に受光素子列
を配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のコンタクト 方式原稿読取シ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231166A JPS59122274A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | コンタクト方式原稿読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231166A JPS59122274A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | コンタクト方式原稿読取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59122274A true JPS59122274A (ja) | 1984-07-14 |
| JPH0471387B2 JPH0471387B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=16919344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231166A Granted JPS59122274A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | コンタクト方式原稿読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59122274A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262563A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサ |
| JPS6418754U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | ||
| US4805032A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Total contact type photoelectric conversion device and optical reader using the same |
| US4924282A (en) * | 1986-10-07 | 1990-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with moisture resistant layer |
| US4943839A (en) * | 1987-08-19 | 1990-07-24 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
| US5097304A (en) * | 1986-10-07 | 1992-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with voltage biases |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439590A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo electric converter |
| JPS5645084A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing of light-electricity converter |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57231166A patent/JPS59122274A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5439590A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo electric converter |
| JPS5645084A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing of light-electricity converter |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262563A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサ |
| US4924282A (en) * | 1986-10-07 | 1990-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with moisture resistant layer |
| US5097304A (en) * | 1986-10-07 | 1992-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading device with voltage biases |
| US4805032A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Total contact type photoelectric conversion device and optical reader using the same |
| JPS6418754U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | ||
| US4943839A (en) * | 1987-08-19 | 1990-07-24 | Ricoh Company, Ltd. | Contact type image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0471387B2 (ja) | 1992-11-13 |
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