JPH03291049A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
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- JPH03291049A JPH03291049A JP2093613A JP9361390A JPH03291049A JP H03291049 A JPH03291049 A JP H03291049A JP 2093613 A JP2093613 A JP 2093613A JP 9361390 A JP9361390 A JP 9361390A JP H03291049 A JPH03291049 A JP H03291049A
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- JP
- Japan
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- light
- photoelectric conversion
- conversion element
- image sensor
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- Pending
Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 14
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ、複写機、イメージスキャナ等に
用いられる画像入力装置である完全密着型イメージセン
サに関するものである。
用いられる画像入力装置である完全密着型イメージセン
サに関するものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ、複写機、イメージスキャナ等に用
いられるリニアイメージセンサには、光学系としてセル
フォックレンズアレイを用いた密着型、ミラーおよびレ
ンズを用いた縮小光学等、光学系を使用しない完全密着
型等がある。そのなかで、コスト的に最も有利な方式で
ある完全密着型のセンサは、ファクシミリを中心にその
需要が増加しつつある。
いられるリニアイメージセンサには、光学系としてセル
フォックレンズアレイを用いた密着型、ミラーおよびレ
ンズを用いた縮小光学等、光学系を使用しない完全密着
型等がある。そのなかで、コスト的に最も有利な方式で
ある完全密着型のセンサは、ファクシミリを中心にその
需要が増加しつつある。
以下図面を参照しながら、上述した従来の完全密着型イ
メージセンサの1例について説明する。
メージセンサの1例について説明する。
第3図において、1は光電変換素子、2はガラス基板、
3は導光窓、4は光源、5は共通電極膜、6はa−8i
膜、7は金属膜、8は透明保護層、9は原稿である。
3は導光窓、4は光源、5は共通電極膜、6はa−8i
膜、7は金属膜、8は透明保護層、9は原稿である。
密着型イメージセンサは、画像読み取り時に原稿9面上
に透明保護層8が接触し、センサ裏面に設けられた光源
4から遮光窓3を通して光が原稿9に照射される。光源
4は、光電変換素子1の主走査方向の中心線上に複数個
配列されており、この光源4から照射された光は原稿9
面で反射されて光電変換素子1に入射されることにより
、原稿9面の情報読み取りが行われる。
に透明保護層8が接触し、センサ裏面に設けられた光源
4から遮光窓3を通して光が原稿9に照射される。光源
4は、光電変換素子1の主走査方向の中心線上に複数個
配列されており、この光源4から照射された光は原稿9
面で反射されて光電変換素子1に入射されることにより
、原稿9面の情報読み取りが行われる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成の完全密着型のイメージ
センサは、透明保護層と原稿面との間のギャップが太き
(なると、原稿面からの反射光が隣接する光電変換素子
に到達し、イメージセンサの分解能が低下するという問
題を有していた。
センサは、透明保護層と原稿面との間のギャップが太き
(なると、原稿面からの反射光が隣接する光電変換素子
に到達し、イメージセンサの分解能が低下するという問
題を有していた。
本発明は上記問題に鑑み、透明保護層と原稿面との間の
ギャップが大きくなっても分解能の低下が少ない完全密
着型イメージセンサを提供するものである。
ギャップが大きくなっても分解能の低下が少ない完全密
着型イメージセンサを提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、上記課題を解決するため、ガラス基板に、主
走査方向に複数個設けられた光電変換素子と、各光電変
換素子毎に設けられた導光窓と、各導光窓に照明光を入
射する光源と、原稿に接する透明保護層とを備え、光源
により導光窓を通して原稿面の照明を行ない、その反射
光を各々の光電変換素子により読み取る完全密着型イメ
ージセンサにおいて、ガラス基板と透明保護層との間に
、導光窓に入射された光を原稿面に導き、原稿面がらの
反射光を光電変換素子へ導く導波路が各光電変換素子毎
に設けられたものである。
走査方向に複数個設けられた光電変換素子と、各光電変
換素子毎に設けられた導光窓と、各導光窓に照明光を入
射する光源と、原稿に接する透明保護層とを備え、光源
により導光窓を通して原稿面の照明を行ない、その反射
光を各々の光電変換素子により読み取る完全密着型イメ
ージセンサにおいて、ガラス基板と透明保護層との間に
、導光窓に入射された光を原稿面に導き、原稿面がらの
反射光を光電変換素子へ導く導波路が各光電変換素子毎
に設けられたものである。
作 用
本発明は上記した構成によって、透明保護層と原稿面と
の間のギャップが大きい場合に、導光窓から原稿面に向
かって出射される光の散乱を導波路のコア部を通すこと
により低減することができる。また導波路のクラッド部
内に散乱体を配すると、原稿面からの反射光のうち導波
路の開口角よりも大きな角度で導波路に入射しようとす
る迷光の入射量を低減することができる。
の間のギャップが大きい場合に、導光窓から原稿面に向
かって出射される光の散乱を導波路のコア部を通すこと
により低減することができる。また導波路のクラッド部
内に散乱体を配すると、原稿面からの反射光のうち導波
路の開口角よりも大きな角度で導波路に入射しようとす
る迷光の入射量を低減することができる。
これにより、イメージセンサの分解能を高めることがで
きる。
きる。
実 施 例
以下、本発明の実施例の完全密着型イメージセンサにつ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第1図および第2図において、11は光電変換素子、1
2はガラス基板、13は導光窓、14は光源、15は共
通電極膜、16はa−3i膜、17は金属膜、18は透
明保護層、19は原稿、20は導波路のコア部、21は
導波路のクラッド部である。クラッド部21内には、光
の散乱体を配している。光電変換素子11、導光窓13
およびコア部20は主走査方向に複数個形成されている
。
2はガラス基板、13は導光窓、14は光源、15は共
通電極膜、16はa−3i膜、17は金属膜、18は透
明保護層、19は原稿、20は導波路のコア部、21は
導波路のクラッド部である。クラッド部21内には、光
の散乱体を配している。光電変換素子11、導光窓13
およびコア部20は主走査方向に複数個形成されている
。
次に動作について説明する。
光源14から照射された光は画素毎に導光窓13および
コア部20を通って原稿19面を照射し、その反射光が
光電変換素子11へ導かれ、電気的な画像情報を得るこ
とができる。このとき、原稿19面に照射される光は、
導波路のコア部20を通るため、隣接した画素への分散
が少なくなる。また、原稿19面からの反射光について
は、導波路の開口角よりも大きな角度で入射する迷光の
入射量をクラッド部21内の散乱体により低減できる。
コア部20を通って原稿19面を照射し、その反射光が
光電変換素子11へ導かれ、電気的な画像情報を得るこ
とができる。このとき、原稿19面に照射される光は、
導波路のコア部20を通るため、隣接した画素への分散
が少なくなる。また、原稿19面からの反射光について
は、導波路の開口角よりも大きな角度で入射する迷光の
入射量をクラッド部21内の散乱体により低減できる。
その結果、隣接した光電変換素子11へのクロストーク
が低減し、イメージセンサの分解能が向上する。また透
明保護膜18の外表面と原稿19面との間の距離が大き
くなった場合(300μm程度)でも良好な分解能を維
持することができる。
が低減し、イメージセンサの分解能が向上する。また透
明保護膜18の外表面と原稿19面との間の距離が大き
くなった場合(300μm程度)でも良好な分解能を維
持することができる。
なお、光電変換素子11としてCd5−CdSe系の薄
膜を用いることも可能である。また、透明保護膜18は
、ハードコート処理を施した樹脂や、マイクロシートガ
ラスを使用することができる。
膜を用いることも可能である。また、透明保護膜18は
、ハードコート処理を施した樹脂や、マイクロシートガ
ラスを使用することができる。
以上のように本実施例によれば、センサガラス基板12
と透明保N膜18との間に、導光窓13から入射された
光を原稿19面に導き、原稿19面からの反射光を光電
変換素子11へ導く導波路が各光電変換素子11毎に形
成され、またその導波路のクラッド部21内に散乱体を
配したことにより、透明保護膜18の外表面と原稿19
面との間の距離が大きくなっても良好な分解能を維持す
ることができる。
と透明保N膜18との間に、導光窓13から入射された
光を原稿19面に導き、原稿19面からの反射光を光電
変換素子11へ導く導波路が各光電変換素子11毎に形
成され、またその導波路のクラッド部21内に散乱体を
配したことにより、透明保護膜18の外表面と原稿19
面との間の距離が大きくなっても良好な分解能を維持す
ることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、センサガラス基板と透明保護層
との間に導光窓から入射された光を原稿面に導き、原稿
面からの反射光を光電変換素子へ導く導波路が各光電変
換素子毎に設けられているので、出射光の散乱を低減す
ることができ、透明保護膜の外表面と原稿面との間の距
離が大きくなっても良好な分解能を維持することができ
る。
との間に導光窓から入射された光を原稿面に導き、原稿
面からの反射光を光電変換素子へ導く導波路が各光電変
換素子毎に設けられているので、出射光の散乱を低減す
ることができ、透明保護膜の外表面と原稿面との間の距
離が大きくなっても良好な分解能を維持することができ
る。
第1図は本発明の実施例における密着型イメージセンサ
の副走査方向の断面図、第2図は同主走査方向の断面図
、第3図は従来の完全密着型イメージセンサの断面図で
ある。 11・・・・・・光電変換素子、12・・・・・・ガラ
ス基板、13・・・・・・導光窓、14・・・・・・光
源、18・・・・・・透明保護層、19・・・・・・原
稿、20・・・・・・導波路のコア部、21・・・・・
・導波路のクラッド部。
の副走査方向の断面図、第2図は同主走査方向の断面図
、第3図は従来の完全密着型イメージセンサの断面図で
ある。 11・・・・・・光電変換素子、12・・・・・・ガラ
ス基板、13・・・・・・導光窓、14・・・・・・光
源、18・・・・・・透明保護層、19・・・・・・原
稿、20・・・・・・導波路のコア部、21・・・・・
・導波路のクラッド部。
Claims (5)
- (1)ガラス基板に、主走査方向に複数個設けられた光
電変換素子と、各光電変換素子毎に設けられた導光窓と
、各導光窓に照明光を入射する光源と、原稿に接する透
明保護層とを備え、光源により導光窓を通して原稿面の
照明を行い、その反射光を各々の光電変換素子により読
み取る完全密着型イメージセンサにおいて、ガラス基板
と透明保護層との間に、導光窓に入射された照明光を原
稿面に導き、原稿面からの反射光を光電変換素子へ導く
導波路が各光電変換素子毎に設けられたことを特徴とす
る密着型イメージセンサ。 - (2)導波路を構成するクラッド部内に光の散乱体を含
有させたことを特徴とする請求項1記載の密着型イメー
ジセンサ。 - (3)透明保護層としてマイクロシートガラスを用いた
ことを特徴とする請求項1記載の密着型イメージセンサ
。 - (4)透明保護層として蒸着されたガラスを用いたこと
を特徴とする請求項1記載の密着型イメージセンサ。 - (5)透明保護層としてハードコート樹脂およびハード
コート処理を施した樹脂シートを用いたことを特徴とす
る請求項1記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2093613A JPH03291049A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2093613A JPH03291049A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03291049A true JPH03291049A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14087182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2093613A Pending JPH03291049A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03291049A (ja) |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2093613A patent/JPH03291049A/ja active Pending
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