JPS59122273A - 原稿読取り装置 - Google Patents
原稿読取り装置Info
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- JPS59122273A JPS59122273A JP57231165A JP23116582A JPS59122273A JP S59122273 A JPS59122273 A JP S59122273A JP 57231165 A JP57231165 A JP 57231165A JP 23116582 A JP23116582 A JP 23116582A JP S59122273 A JPS59122273 A JP S59122273A
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- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、受光素子列よりなる一次元うインｔ、、Ｉす
を設け、原稿を受光素子列に対して直角の副走査方向に
移動させながら、原稿を受光素子列と平行の主走査方向
に走査して原稿を読み取る原稿読取り装置ｌζ関するも
のである。
を設け、原稿を受光素子列に対して直角の副走査方向に
移動させながら、原稿を受光素子列と平行の主走査方向
に走査して原稿を読み取る原稿読取り装置ｌζ関するも
のである。
このような原稿読取り装置としては、従来、原稿の長さ
より炒い、例えば数α長の一次元ＣＣＤライシセシサを
用いる原犠読取り装置が一般に使用されている。このよ
うな原稿読取り装置は、原稿の像を縮小光学系によって
一次元ＣＣＤライン七シづに結像させるように構成され
るが、そのために、光路長が長く光学系の体積は大きな
ものとなりコシバク′トな読取り装置の実現が不用能で
あった。
より炒い、例えば数α長の一次元ＣＣＤライシセシサを
用いる原犠読取り装置が一般に使用されている。このよ
うな原稿読取り装置は、原稿の像を縮小光学系によって
一次元ＣＣＤライン七シづに結像させるように構成され
るが、そのために、光路長が長く光学系の体積は大きな
ものとなりコシバク′トな読取り装置の実現が不用能で
あった。
また、上記とは異なり、原稿と同じ長さの長尺−次元ラ
イシセンサを用いる原稿読取り装置も提案されている。
イシセンサを用いる原稿読取り装置も提案されている。
この型式の原稿読取り装置は、原稿の像を等倍光学系圧
よって一次元ライ、、／ｌｌササ結像させるように構成
されるので、光学系の体積は著しく減少でき、読取り装
置のコシパクト化を計ることができる。こうした等倍光
学系を実現する方法としては、集束性ファイバーを用い
る方式のものやコシタクトファイバーを用いる方式のも
の等が知られている。又、このようなファイバーやし、
１．７ズを全く用いない密着読取り方式のもの（％開昭
５６−１２２１７２号、同５６−４５０８４号、同５５
−’７５２７１号、同５５−７４２６２号参照）も知ら
れている。
よって一次元ライ、、／ｌｌササ結像させるように構成
されるので、光学系の体積は著しく減少でき、読取り装
置のコシパクト化を計ることができる。こうした等倍光
学系を実現する方法としては、集束性ファイバーを用い
る方式のものやコシタクトファイバーを用いる方式のも
の等が知られている。又、このようなファイバーやし、
１．７ズを全く用いない密着読取り方式のもの（％開昭
５６−１２２１７２号、同５６−４５０８４号、同５５
−’７５２７１号、同５５−７４２６２号参照）も知ら
れている。
本発明は、特に、上記のような長尺−次元ラインｔ−Ｊ
すを用いかつファイバーやレ−Ｊｆｉを全く用いない密
着読取り方・式の原稿読取り装置に関するものである。
すを用いかつファイバーやレ−Ｊｆｉを全く用いない密
着読取り方・式の原稿読取り装置に関するものである。
このような原稿読取り装置の一例を第１図に示す。
第１図中、１は透明基板、２は図の面に対して垂直方向
にのびている受光素子列の中の１つの受光索子、３は遮
光層、４は該遮光層に設けられた照明窓、５は透明な耐
摩耗材層を示す。
にのびている受光素子列の中の１つの受光索子、３は遮
光層、４は該遮光層に設けられた照明窓、５は透明な耐
摩耗材層を示す。
原稿を読取る時、原稿６は耐摩耗材層５の上で受光素子
２０列と対向して配置される。透明基板１の裏面から該
基板を通して入射した光７は遮光層３の透明窓を通って
原稿６を照射し、その反射光を受光素子２で受けろ。然
して、上記の原稿６は受光素子２０列と直角の副走査方
向（矢印で示す方向）に移動されながら、主走査方向（
受光素子列と平行な方向、すなわち、図面の面に対して
垂直の方向）に走査されて、反射光を受光素子２により
順次に検知して原稿の読取りを行なう。このような原稿
読取り装置においては、原稿６と受光素子２０間隔は、
通常０．１１＋ｌ＋Ｉ＋程度として４〜８本廊の読取解
像力が得られるが、解像力を確保するためにこの間隔は
厳しく制御される。この間隔の制御のために、耐摩耗材
層５が受光素子を被覆するように上面に形成されている
のである。
２０列と対向して配置される。透明基板１の裏面から該
基板を通して入射した光７は遮光層３の透明窓を通って
原稿６を照射し、その反射光を受光素子２で受けろ。然
して、上記の原稿６は受光素子２０列と直角の副走査方
向（矢印で示す方向）に移動されながら、主走査方向（
受光素子列と平行な方向、すなわち、図面の面に対して
垂直の方向）に走査されて、反射光を受光素子２により
順次に検知して原稿の読取りを行なう。このような原稿
読取り装置においては、原稿６と受光素子２０間隔は、
通常０．１１＋ｌ＋Ｉ＋程度として４〜８本廊の読取解
像力が得られるが、解像力を確保するためにこの間隔は
厳しく制御される。この間隔の制御のために、耐摩耗材
層５が受光素子を被覆するように上面に形成されている
のである。
このような密着読取り方式の原稿読取り装置においては
、第１図に示すように理想的な平行光より成る照明光７
によって原稿上の点ａ、ｂ。
、第１図に示すように理想的な平行光より成る照明光７
によって原稿上の点ａ、ｂ。
Ｃを照射することは不可能で、例えば第２図に８で示す
ように、非平行光８により原稿上の点ｄを照射して、そ
の反射光が受光素子２の受光面に入るようなことがあっ
て、これにより、副走査方向の解像力が低下される。
ように、非平行光８により原稿上の点ｄを照射して、そ
の反射光が受光素子２の受光面に入るようなことがあっ
て、これにより、副走査方向の解像力が低下される。
本発明の目的は、上記のような密着読取り方式の原稿読
取り装置における欠点を改善し、特に、副走査方向の解
像力を向上させた原稿読取り装置を提供することにある
。
取り装置における欠点を改善し、特に、副走査方向の解
像力を向上させた原稿読取り装置を提供することにある
。
本発明による原稿読取り装置は、受光索子列を有する透
明基板の上に該受光素子列と対向して原稿を配置し、該
原稿を該受光素子列と直角の副走食方向に移動させなが
ら、該透明基板の裏面から入射した光で原稿を照射して
、この光により受光索子列と平行の主走査方向に該原稿
を走査し、その反射光を直接受光索子列により順次検知
する原稿読取り装置において、上記の受光素子列と原稿
の間に遮光層を配置して、該遮光層に上記の各受光素子
への光の入射を許す受光窓を設けたことを特徴とするも
のである。
明基板の上に該受光素子列と対向して原稿を配置し、該
原稿を該受光素子列と直角の副走食方向に移動させなが
ら、該透明基板の裏面から入射した光で原稿を照射して
、この光により受光索子列と平行の主走査方向に該原稿
を走査し、その反射光を直接受光索子列により順次検知
する原稿読取り装置において、上記の受光素子列と原稿
の間に遮光層を配置して、該遮光層に上記の各受光素子
への光の入射を許す受光窓を設けたことを特徴とするも
のである。
好ましくは、上記の受光窓は受光素子列の方向すなわち
主走査方向に連続したスリットとして構成される。
主走査方向に連続したスリットとして構成される。
以下、第３図〜第５図を参照して本発明の詳細な説明す
る。
る。
第３図（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施態様を示す
。これらの図中、１１．１２．１３．１４．１５および
１６は、それぞれ第１図に示すものと同様の透明基板、
受光素子、遮光層、照明窓、耐摩耗材層および原稿を示
す。
。これらの図中、１１．１２．１３．１４．１５および
１６は、それぞれ第１図に示すものと同様の透明基板、
受光素子、遮光層、照明窓、耐摩耗材層および原稿を示
す。
本発明によれば、上記の受光素子１２０列と原稿１６と
の間に、遮光層１７が配置され、この遮光層１７に、各
受光索子１２への光の入射を許す受光窓１８が設けられ
る。゛この受光窓１８は、主走査方向すなわち図の面に
対して垂直の方向のスリットとして構成してもよい。
の間に、遮光層１７が配置され、この遮光層１７に、各
受光索子１２への光の入射を許す受光窓１８が設けられ
る。゛この受光窓１８は、主走査方向すなわち図の面に
対して垂直の方向のスリットとして構成してもよい。
次に、上記のような原稿読取り装置つ製作の具体例につ
いて説明する。
いて説明する。
透明基板１の上に、遮光層１３としてＯｒの蒸着膜を形
成し、ホトリソエッチ、７ジによって照明窓１４を形成
する。ここで、「ホトリソエッチシグ」というのは、ホ
トエッチシフにおける窓明は技術をさすもので、本質的
にホトエッチ、、Ｉりと同一で、すなわち、基板表面に
感光性樹脂を塗布し、マスクによってパターシ露光した
後肢樹脂を選択的に除去し、これをマスクとして基板表
向をエッチジグするものである。次に、５ｔ８４ 十Ｎ
２ ’？Ｍ合ガスのＦｔＦグロー放電分解法によって、
３μ専の５ｉＮＨの絶縁膜を形成しさらにＳ ｉＨ４ガ
スのＲＦジグー放電分解法によってその上ＫＯ９５μｍ
の非晶質シリコシ膜を形成することにより、導電性のＣ
ｒの膜の全面を被覆する膜１９を形成した。再びホトリ
ソエツチングによって、７５μ口の半導体受光素子１２
を形成し、その上にアルミニウム金属を全面波器し、ホ
トリソエッチ、、７りによって電極配線１２二、１２ｂ
を形成した。続いて受光素子検診用の５ｉＮＨ膜を再び
１μ等形成後、ポリカーボネート樹脂溶液をヂッヒシジ
コートし乾燥させて、耐摩耗材層１５を形成した。この
耐摩耗拐層１５の膜厚は８０μとされた。続いて、ポリ
カーボネート樹脂の耐摩耗材層１５の上に、Ｏｒの蒸着
膜を２０００″Ａの厚さに形成することにより遮光層１
７を形成し、ホトリソエツチングによって受光窓１８を
形成した。受光窓１８は、はぼ受光素子と同等の大きさ
く８０μ口）でかつ第３図（ａ）および（ｂ）に示され
るように照明窓１４と受ｙ６素子１２の間に位置するよ
うに設けられる。
成し、ホトリソエッチ、７ジによって照明窓１４を形成
する。ここで、「ホトリソエッチシグ」というのは、ホ
トエッチシフにおける窓明は技術をさすもので、本質的
にホトエッチ、、Ｉりと同一で、すなわち、基板表面に
感光性樹脂を塗布し、マスクによってパターシ露光した
後肢樹脂を選択的に除去し、これをマスクとして基板表
向をエッチジグするものである。次に、５ｔ８４ 十Ｎ
２ ’？Ｍ合ガスのＦｔＦグロー放電分解法によって、
３μ専の５ｉＮＨの絶縁膜を形成しさらにＳ ｉＨ４ガ
スのＲＦジグー放電分解法によってその上ＫＯ９５μｍ
の非晶質シリコシ膜を形成することにより、導電性のＣ
ｒの膜の全面を被覆する膜１９を形成した。再びホトリ
ソエツチングによって、７５μ口の半導体受光素子１２
を形成し、その上にアルミニウム金属を全面波器し、ホ
トリソエッチ、、７りによって電極配線１２二、１２ｂ
を形成した。続いて受光素子検診用の５ｉＮＨ膜を再び
１μ等形成後、ポリカーボネート樹脂溶液をヂッヒシジ
コートし乾燥させて、耐摩耗材層１５を形成した。この
耐摩耗拐層１５の膜厚は８０μとされた。続いて、ポリ
カーボネート樹脂の耐摩耗材層１５の上に、Ｏｒの蒸着
膜を２０００″Ａの厚さに形成することにより遮光層１
７を形成し、ホトリソエツチングによって受光窓１８を
形成した。受光窓１８は、はぼ受光素子と同等の大きさ
く８０μ口）でかつ第３図（ａ）および（ｂ）に示され
るように照明窓１４と受ｙ６素子１２の間に位置するよ
うに設けられる。
上記のようにして、受光素子１２０列と原稿１６との間
に遮光層１７を配置し、この遮光層１７に各受光素子１
２への光の入射を許す受光窓１８を設けた原稿読取り装
置がつくられる。
に遮光層１７を配置し、この遮光層１７に各受光素子１
２への光の入射を許す受光窓１８を設けた原稿読取り装
置がつくられる。
第４図は本発明の他の実施態様を示す。この実施態様に
おいて、第３図に示すものと同様の部分は同じ番号によ
って指示してその詳細な説明は省略する。この実施態様
においては、受光素子１２の列と原稿１６の間に配置さ
れる遮光層１７′は耐摩耗材層１５′（例えばポリカー
ボネート樹脂層）の内部に形成され、この遮光層１７′
に受光窓１８′が形成されている。
おいて、第３図に示すものと同様の部分は同じ番号によ
って指示してその詳細な説明は省略する。この実施態様
においては、受光素子１２の列と原稿１６の間に配置さ
れる遮光層１７′は耐摩耗材層１５′（例えばポリカー
ボネート樹脂層）の内部に形成され、この遮光層１７′
に受光窓１８′が形成されている。
この実施態様は、原稿１６が受光窓１８′を形成するＯ
ｒの遮光層１７′に接触してＯｒの層がはがれたり摩耗
によって消失することを防止できる利点がある。
ｒの遮光層１７′に接触してＯｒの層がはがれたり摩耗
によって消失することを防止できる利点がある。
本発明は、上述のように、受光素子と原稿の間に遮光層
を設け、これに受光窓を形成することによって、密着読
取り方式の原稿読取り装置におけろＭ像力を向上させる
ことができろ。
を設け、これに受光窓を形成することによって、密着読
取り方式の原稿読取り装置におけろＭ像力を向上させる
ことができろ。
第５図は、第３図（ａ）に示す形態の原稿読取り装置と
、この装置においてＯｒの蒸着膜より成る遮光層１７お
よび受光窓１８を設げてない原稿読取り装置における解
像力を示すものである。
、この装置においてＯｒの蒸着膜より成る遮光層１７お
よび受光窓１８を設げてない原稿読取り装置における解
像力を示すものである。
これは、照明源として螢光灯を用い、これを照明窓１４
に近接させて行った場合の解像力を示すものである。図
中、曲線Ａは本発明による遮光層および受光窓を設けた
場合、曲ｉＢは遮光Ｊ―ヶ設けなかった場合を示す。受
光窓１８を主走査方向に連続したスリットとして形成し
た場合にも、副走査方向には同等の解像力の向上が認め
られた。
に近接させて行った場合の解像力を示すものである。図
中、曲線Ａは本発明による遮光層および受光窓を設けた
場合、曲ｉＢは遮光Ｊ―ヶ設けなかった場合を示す。受
光窓１８を主走査方向に連続したスリットとして形成し
た場合にも、副走査方向には同等の解像力の向上が認め
られた。
上述のように、不発明は、受光素子列と原稿の間に遮光
層を配置し、該遮光層に各受光素子への光の入射を許す
受光窓を設けることによって解像力を著るしく向上させ
ることができる。
層を配置し、該遮光層に各受光素子への光の入射を許す
受光窓を設けることによって解像力を著るしく向上させ
ることができる。
第１図は従来の密着読取り方式の原稿読取り装置の一例
を示す垂直断面図、第２図はその説明図、第３図（ａ）
および（ｂ）は本発明による原稿読取り装置の一実施態
様を示す垂直断面図および水平断面図、第４図は本発明
による原稿読取り装置の他の実施態様を示す垂直断面図
、第５図は本発明装置および従来の装置における解像力
を示す図である。 １・・・透明基板 ２・・・受光素子３・・遮光
層 ４・・・照明窓５・・・耐摩耗材層
６・・原稿 ７・・・照明光 ８・・非平行光１１・・・透
明基板 １２・・・受光素子１３・・・遮光層
１４・・・照明窓１５・・・耐摩耗材層
１６・・・原稿１７・・・遮光層 １８・・・
受光窓ノｇａ 第７１図 第５図 （ムリ）
を示す垂直断面図、第２図はその説明図、第３図（ａ）
および（ｂ）は本発明による原稿読取り装置の一実施態
様を示す垂直断面図および水平断面図、第４図は本発明
による原稿読取り装置の他の実施態様を示す垂直断面図
、第５図は本発明装置および従来の装置における解像力
を示す図である。 １・・・透明基板 ２・・・受光素子３・・遮光
層 ４・・・照明窓５・・・耐摩耗材層
６・・原稿 ７・・・照明光 ８・・非平行光１１・・・透
明基板 １２・・・受光素子１３・・・遮光層
１４・・・照明窓１５・・・耐摩耗材層
１６・・・原稿１７・・・遮光層 １８・・・
受光窓ノｇａ 第７１図 第５図 （ムリ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 受光素子列を有する透明基板の上に該受光素子列と
対向して原稿を配置し、該原稿を該受光素子列と直角の
副走査方向に移動させながら、該透明基板の裏面から入
射した光で原稿を照射して、この光により受光素子列と
千１五の主走査方向に該原稿を走査し、その反射光火直
接受光素子列により順次検知する原稿読取り装置におい
て、上記の受光素子列と原稿の間に遮光層を配置して該
遮光層に上記の各党光素子への光の入射を許す受光窓を
設けたことを特徴とする原稿読取り装置。 ２ 上記の受光窓が受光素子列の方向すなわち主走査方
向に連続したスリットとして構成さ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231165A JPS59122273A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 原稿読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231165A JPS59122273A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 原稿読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59122273A true JPS59122273A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16919326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231165A Pending JPS59122273A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 原稿読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59122273A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0294834A2 (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo sensor and its manufacturing method and an image reading apparatus having this photo sensor |
| US5187563A (en) * | 1986-01-06 | 1993-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with Al/Cr/TCO electrode |
| US5313055A (en) * | 1991-09-30 | 1994-05-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Two-dimensional image read/display device |
| US5331146A (en) * | 1992-02-28 | 1994-07-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contact-type image sensor for generating electric signals corresponding to an image formed on a document |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749265A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Sony Corp | Line sensor |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57231165A patent/JPS59122273A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749265A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Sony Corp | Line sensor |
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