JPS63153857A - ライン状光検出器 - Google Patents
ライン状光検出器Info
- Publication number
- JPS63153857A JPS63153857A JP61299863A JP29986386A JPS63153857A JP S63153857 A JPS63153857 A JP S63153857A JP 61299863 A JP61299863 A JP 61299863A JP 29986386 A JP29986386 A JP 29986386A JP S63153857 A JPS63153857 A JP S63153857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- line
- large number
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、光電変換半導体層を介して透光性電極と対向
して配置された多チヤンネル電極を備えるライン状光検
出器に関する。
して配置された多チヤンネル電極を備えるライン状光検
出器に関する。
（従来の技術）
例えば第３図に示すような輝尽光検出装置は、放射線エ
ネルギーがｍ像として蓄積されているイメージングプレ
ート１の一表面１ａに対して励起光源２から励起光を照
射することにより、その地表面１ｂから出射される輝尽
光をライン状光検出器３によって検出するように構成さ
れている。検出された輝尽光は電気信号に変換され、潜
像に対応した画像としてディスプレイ上に再生され、又
はフィルム上に記録される。
ネルギーがｍ像として蓄積されているイメージングプレ
ート１の一表面１ａに対して励起光源２から励起光を照
射することにより、その地表面１ｂから出射される輝尽
光をライン状光検出器３によって検出するように構成さ
れている。検出された輝尽光は電気信号に変換され、潜
像に対応した画像としてディスプレイ上に再生され、又
はフィルム上に記録される。
イメージングプレート１は例えば４００ｎｍＸ ４００
Ｍの寸法から成り、これに例えば２．０ＯＯｘ ２．０
００画素が配列されて潜像を構成するようになっている
。従って励起光源２としてライン状光源を用いた場合は
、第４図のようにライン長さ方向Ｘに配列されている各
画素１ａ、１ｂ、’ｌｃ、・・・１ｎから成る２、 ０
００画素を同時に走査することができ、以後励起光８Ｆ
！２をライン幅方向Ｙにずらして同様な走査を２．００
０回繰り返すことにより全画素の走査を行うことができ
る。
Ｍの寸法から成り、これに例えば２．０ＯＯｘ ２．０
００画素が配列されて潜像を構成するようになっている
。従って励起光源２としてライン状光源を用いた場合は
、第４図のようにライン長さ方向Ｘに配列されている各
画素１ａ、１ｂ、’ｌｃ、・・・１ｎから成る２、 ０
００画素を同時に走査することができ、以後励起光８Ｆ
！２をライン幅方向Ｙにずらして同様な走査を２．００
０回繰り返すことにより全画素の走査を行うことができ
る。
ライン状光検出器３は励起光源２に対向して配置され、
第５図のようにイメージングプレート１上の一ライン上
の全画素即ち２．ＧＯＱ画素に対応した２、０００個（
チャンネル）の検出素子３ａ、３ｂ。
第５図のようにイメージングプレート１上の一ライン上
の全画素即ち２．ＧＯＱ画素に対応した２、０００個（
チャンネル）の検出素子３ａ、３ｂ。
３ ｃ 、 ・３ ｎ （ｎ ＝ ２．０００＞が設け
られている。
られている。
従って励起光を一表面１ａに照射することにより、地表
面１ｂから出射した２、 ０００画素分の輝尽光を同時
に検出することができる。
面１ｂから出射した２、 ０００画素分の輝尽光を同時
に検出することができる。
励起光源２とライン状光検出器３は一体となってイメー
ジングプレート１に対して相対的にライン幅方向Ｙに移
動し、例えばイメージングプレート１の方を矢印方向Ｚ
に移動することにより各画素の走査が行われることにな
る。
ジングプレート１に対して相対的にライン幅方向Ｙに移
動し、例えばイメージングプレート１の方を矢印方向Ｚ
に移動することにより各画素の走査が行われることにな
る。
ここでライン状光検出器３は第５図にように、ガラス基
板４上に分離して形成された２、０００個の第１電極５
ａ、 ５ｂ、 ５Ｇ、 ・５ｎ （ｎ＝ ２．０００）
と、この第１電極５の表面を覆う光電変換機能を有する
半導体層例えばアモルファスシリコン６と、このアモル
ファスシリコン６の表面を覆う透光性導電層から成る第
２電極７とから構成されている。
板４上に分離して形成された２、０００個の第１電極５
ａ、 ５ｂ、 ５Ｇ、 ・５ｎ （ｎ＝ ２．０００）
と、この第１電極５の表面を覆う光電変換機能を有する
半導体層例えばアモルファスシリコン６と、このアモル
ファスシリコン６の表面を覆う透光性導電層から成る第
２電極７とから構成されている。
このライン状光検出器３の長ざしはイメージングプレー
ト１のライン長さ方向Ｘの寸法に対応して例えば４００
ａｎに設定される。従って第１電極５の一つの寸法はこ
の４００ｍｍ及び２．０００画素の値を考慮して決定さ
れ、例えば１８０μｍのピッチＰで１２０μｍの長ざ１
（間隔は６０μｍ）で形成されている。
ト１のライン長さ方向Ｘの寸法に対応して例えば４００
ａｎに設定される。従って第１電極５の一つの寸法はこ
の４００ｍｍ及び２．０００画素の値を考慮して決定さ
れ、例えば１８０μｍのピッチＰで１２０μｍの長ざ１
（間隔は６０μｍ）で形成されている。
イメージングプレート１の地表面１ｂから出射された輝
尽光が第２電極７に照射されると、アモルファスシリコ
ン６はその輝尽光を電流に変換して照射直下の該当した
第１電極５に出力するので、輝尽光が検出されることに
なる。
尽光が第２電極７に照射されると、アモルファスシリコ
ン６はその輝尽光を電流に変換して照射直下の該当した
第１電極５に出力するので、輝尽光が検出されることに
なる。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで前記のように２．０００画素に対応した２、０
００ヂャンネル分の第１電極５を６０μｍ程度の微小間
隔で形成すると、輝尽光が照射された場合変換された電
流が該当した第１電極５のみに出力されず、アモルファ
スシリコン６を介して容易に隣接する第１電極５にも流
れてしまうので、クロストークが発生するという問題が
ある。
００ヂャンネル分の第１電極５を６０μｍ程度の微小間
隔で形成すると、輝尽光が照射された場合変換された電
流が該当した第１電極５のみに出力されず、アモルファ
スシリコン６を介して容易に隣接する第１電極５にも流
れてしまうので、クロストークが発生するという問題が
ある。
これを改善するためには第６図のように第１電極５．ア
モルファスシリコン６、第２電極７を互いに分離し、２
．０００チャンネル分の検出素子を独立して形成するこ
とが望ましい。しかしながら実際問題として加工技術上
例えばフォトリソグラフィ技術を利用して、１０μｍの
オーダで３層にわたって精度良くパターニングするのは
不可能なので、第６図の構造を得ることはできない。
モルファスシリコン６、第２電極７を互いに分離し、２
．０００チャンネル分の検出素子を独立して形成するこ
とが望ましい。しかしながら実際問題として加工技術上
例えばフォトリソグラフィ技術を利用して、１０μｍの
オーダで３層にわたって精度良くパターニングするのは
不可能なので、第６図の構造を得ることはできない。
本発明は以上のような問題に対処してなされたもので、
加工技術の精度の範囲内で実現可能なパターニングによ
って得られるクロストーク防止構造の電極を備えたライ
ン状光検出器を提供することを目的とするものである。
加工技術の精度の範囲内で実現可能なパターニングによ
って得られるクロストーク防止構造の電極を備えたライ
ン状光検出器を提供することを目的とするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明は、多チャンネルから
成る第１電極に隣接して共に一定電位に保たれる多数の
第３電極を配置したことを特徴としている。
成る第１電極に隣接して共に一定電位に保たれる多数の
第３電極を配置したことを特徴としている。
（作 用）
多チャンネルの第１電極に例えば又互に第３電極が配置
され、第３電極は一定電位例えば接地電位に保たれる。
され、第３電極は一定電位例えば接地電位に保たれる。
これによって隣接する第１電極間に電流は流れないので
、クロストークは防止される。
、クロストークは防止される。
（実施例）
第１図は本発明のライン状光検出器の実施例を示す断面
図で、ガラス基板１４上には例えば２．０００個に分離
して形成された第１電極１５ａ。
図で、ガラス基板１４上には例えば２．０００個に分離
して形成された第１電極１５ａ。
１５ｂ、１５ｃ、 ・ １５ｎ （ｎ＝ ２．０００）
が配置されると共に、これら第１電極１５ａ、１５ｂ。
が配置されると共に、これら第１電極１５ａ、１５ｂ。
１５Ｃ１・・・に隣接して交互に形成された第１３電極
１８ａ、１８ｂ、１８． ・ １８ｎ （ｎ＝ ２．０
００−１）が配置される。これら第１電極１５及び第３
電極１８のピッチＰ１ 、 Ｐ２ ％よ例えば各々１４
０μｍ及び６０μｍのピッチで形成され、また第１電極
１５の１個の長さで１は例えば１１０μｍに、第３電極
１８の１個の長ざ１２は例えば３０μｍに形成される。
１８ａ、１８ｂ、１８． ・ １８ｎ （ｎ＝ ２．０
００−１）が配置される。これら第１電極１５及び第３
電極１８のピッチＰ１ 、 Ｐ２ ％よ例えば各々１４
０μｍ及び６０μｍのピッチで形成され、また第１電極
１５の１個の長さで１は例えば１１０μｍに、第３電極
１８の１個の長ざ１２は例えば３０μｍに形成される。
これら第１電極１５及び第３電極１８を覆うようにアモ
ルファスシリコン１６が形成され、このアモルファスシ
リコン１６を覆うように透光性導電層例えば酸化スズ（
ＳｒｌＯ２）等から成る第２電極１７が形成される。多
数の第１電極１５には各々第１検出端子１９ａ、第２検
出端子１９ｂ。
ルファスシリコン１６が形成され、このアモルファスシ
リコン１６を覆うように透光性導電層例えば酸化スズ（
ＳｒｌＯ２）等から成る第２電極１７が形成される。多
数の第１電極１５には各々第１検出端子１９ａ、第２検
出端子１９ｂ。
第３検出端子１９Ｃ２・・・第ｎ検出端子１９ｎ（ｎ＝
２．０００）が接続される。また多数の第３電極１８
は共に一定電位に保たれ、例えば接地電位に接続される
。
２．０００）が接続される。また多数の第３電極１８
は共に一定電位に保たれ、例えば接地電位に接続される
。
以上のような構造のライン状光検出器は以下のような製
造工程によって製造される。
造工程によって製造される。
工程（ａ）：第２図（ａ）のように、ガラス基板１４を
用意しこの表面に導電層１５を形成する。
用意しこの表面に導電層１５を形成する。
形成手段としては周知の蒸着法やＣＶＤ法を利用するこ
とができる。
とができる。
工程（ｂ）：第２図（ｂ）のように、導電層１５に対し
て周知のフォトリソグラフィ法を適用して不要部を除去
することにより、分離した多数の第１電極１５ａ、１５
ｂ、１５ｃ、 ・ １５ｎを形成すると共に、第１電極
に隣接するように交互に分離した多数の第３電極１８ａ
、１８ｂ。
て周知のフォトリソグラフィ法を適用して不要部を除去
することにより、分離した多数の第１電極１５ａ、１５
ｂ、１５ｃ、 ・ １５ｎを形成すると共に、第１電極
に隣接するように交互に分離した多数の第３電極１８ａ
、１８ｂ。
１８Ｃ１・・・１８ｎを形成する。第１電極１５及び第
３電極１８のピッチＰ１．Ｐ２及び長さｆ１＋１２は前
記したような値が選ばれる。
３電極１８のピッチＰ１．Ｐ２及び長さｆ１＋１２は前
記したような値が選ばれる。
工程（Ｃ）：第２図（Ｃ）のように、第１電極１５及び
第３電極１８を覆うようにアモルファスシリコン１６を
形成する。形成手段としては周知の蒸発法、スパッタリ
ング法、ＣＶＯ法等を利用することができる。
第３電極１８を覆うようにアモルファスシリコン１６を
形成する。形成手段としては周知の蒸発法、スパッタリ
ング法、ＣＶＯ法等を利用することができる。
工程（ｄ）：第２図（ｄ）のように、アモルファスシリ
コン１６を覆うように透光性導電層例えば酸化スズ（Ｓ
ｎＯｚ＞、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等から成る第
２電１１７を形成する。
コン１６を覆うように透光性導電層例えば酸化スズ（Ｓ
ｎＯｚ＞、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等から成る第
２電１１７を形成する。
形成手段としては前記のような周知の方法を利用するこ
とができる。以上の工程によって第１図のの構造を冑る
ことができる。
とができる。以上の工程によって第１図のの構造を冑る
ことができる。
次に本発明の詳細な説明する。
第１図のように多数の第１電極１５に交互に配置された
多数の第３電極１８を共に一定電位例えば接地電位に保
った状態で、イメージングプレート１の地表面１ｂから
出射された輝尽光が第２電極１７に照射されると、アモ
ルファスシリコン１６はその輝尽光を電流に変換して照
射直下の該当した第１電極１５に出力する。このとき多
数の第１電極１５間には接地電位に保たれた第３電極１
８が存在しているので、各第１電極間５は電気的に分離
されるため、アモルファスシリコン１６に第１電極間１
５にまたがるように電流が流れようとしてもこの電流は
接地されることになる。従ってクロストークの発生が防
止される。
多数の第３電極１８を共に一定電位例えば接地電位に保
った状態で、イメージングプレート１の地表面１ｂから
出射された輝尽光が第２電極１７に照射されると、アモ
ルファスシリコン１６はその輝尽光を電流に変換して照
射直下の該当した第１電極１５に出力する。このとき多
数の第１電極１５間には接地電位に保たれた第３電極１
８が存在しているので、各第１電極間５は電気的に分離
されるため、アモルファスシリコン１６に第１電極間１
５にまたがるように電流が流れようとしてもこの電流は
接地されることになる。従ってクロストークの発生が防
止される。
本実施例の構造によれば、ガラス基板１４上に形成され
る第１電極１５及び第３電極１８．アモルファスシリコ
ン１６．第２電極１７の３層のうち部分加工が必要なの
は第１層目の第１電極１５及び第３電極１８だけでおり
、他の第２層目のアモルファスシリコン１６及び第３層
目の第３電極１７は不要である。
る第１電極１５及び第３電極１８．アモルファスシリコ
ン１６．第２電極１７の３層のうち部分加工が必要なの
は第１層目の第１電極１５及び第３電極１８だけでおり
、他の第２層目のアモルファスシリコン１６及び第３層
目の第３電極１７は不要である。
従って第１電極１５及び第３電極１８の形成の場合だけ
にフォトリングラフィ技術を適用すれば良いので、この
技術の加工精度いっばいのパターニングを施すことがで
きる。一般にこの加工精度は５乃至１０μｍのオーダで
充分に再現性に優れたものが得られるので、第１電極１
５及び第３電極１８は必要ならばこのオーダまで微小寸
法に設定することができる。しかし第１電極１５の寸法
（面積）は検出効率を上げるためにできるだけ大きくと
ることが望ましい。−５第３電極１８は単に一定電位に
保つ機能があれば良いので、小ざくとも十分働くことが
できる。
にフォトリングラフィ技術を適用すれば良いので、この
技術の加工精度いっばいのパターニングを施すことがで
きる。一般にこの加工精度は５乃至１０μｍのオーダで
充分に再現性に優れたものが得られるので、第１電極１
５及び第３電極１８は必要ならばこのオーダまで微小寸
法に設定することができる。しかし第１電極１５の寸法
（面積）は検出効率を上げるためにできるだけ大きくと
ることが望ましい。−５第３電極１８は単に一定電位に
保つ機能があれば良いので、小ざくとも十分働くことが
できる。
本文実施例で示した寸法値、画素数値等は−例を示した
ものであり、必要に応じて任意に変更し得るものである
。
ものであり、必要に応じて任意に変更し得るものである
。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば多数の第１電極間を電
気的に分離するようにしたので、各４間のクロストーク
を防止することができる。
気的に分離するようにしたので、各４間のクロストーク
を防止することができる。
第１図は本発明ライン状光検出器を示す断面図、第２図
（ａ）乃至（ｄ）は本発明装置の製造工程を示す断面図
、第３図は本発明の背景を示す概略斜視図、第４図はイ
メージングプレートの概略平面図、第５図は従来例を示
す断面図、第６図は本発明を説明するための断面図であ
る。 １５．１５ａ、１５ｂ、１５ｃｍ・・第１電極、１６・
・・アモルファスシリコン、 １７・・・第２電極（透光性導電層）、１８．１８ａ、
１８ｂ、１８ｃｍ・・第３電極、１９ａ、１９ｂ、１９
ｃ、−・・検出端子。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑同 大
胡 典 失策１図 （ｂ） 第２図
（ａ）乃至（ｄ）は本発明装置の製造工程を示す断面図
、第３図は本発明の背景を示す概略斜視図、第４図はイ
メージングプレートの概略平面図、第５図は従来例を示
す断面図、第６図は本発明を説明するための断面図であ
る。 １５．１５ａ、１５ｂ、１５ｃｍ・・第１電極、１６・
・・アモルファスシリコン、 １７・・・第２電極（透光性導電層）、１８．１８ａ、
１８ｂ、１８ｃｍ・・第３電極、１９ａ、１９ｂ、１９
ｃ、−・・検出端子。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑同 大
胡 典 失策１図 （ｂ） 第２図
Claims (5)
- （１）ライン状に分離して配置される第１電極と、この
第１電極の表面を覆う光電変換機能を有する半導体層と
、この半導体層の表面を覆う第２電極とから成るライン
状光検出器において、分離して配置される前記第１電極
間に所定電位に保たれる第３電極を配置したことを特徴
とするライン状光検出器。 - （２）前記第３電極が第１電極に交互に配置されて成る
特許請求の範囲第１項記載のライン状光検出器。 - （３）前記第３電極は接地電位に一定に保たれることを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のライ
ン状光検出器。 - （４）前記第１電極は第３電極より大きい面積であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の
ライン状光検出器。 - （５）前記第２電極は前記半導体層の片側表面のほぼ全
域を覆う透光性導電層から成ることを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第４項記載のライン状光検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299863A JPS63153857A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ライン状光検出器 |
| US07/134,061 US4887139A (en) | 1986-12-18 | 1987-12-17 | Linear photo sensing device |
| DE19873742920 DE3742920A1 (de) | 1986-12-18 | 1987-12-17 | Lineare lichtfuehleranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299863A JPS63153857A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ライン状光検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153857A true JPS63153857A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17877860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299863A Pending JPS63153857A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ライン状光検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4887139A (ja) |
| JP (1) | JPS63153857A (ja) |
| DE (1) | DE3742920A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0964269A3 (en) * | 1998-06-10 | 2006-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image read-out method and apparatus |
| DE19962775C1 (de) * | 1999-12-23 | 2001-03-15 | Agfa Gevaert Ag | Vorrichtung zum Auslesen von in einer Speicherschicht abgespeicherten Informationen und Röntgenkassette |
| JP2001350228A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像読取装置 |
| US6800870B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-10-05 | Michel Sayag | Light stimulating and collecting methods and apparatus for storage-phosphor image plates |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189065A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61299863A patent/JPS63153857A/ja active Pending
-
1987
- 1987-12-17 DE DE19873742920 patent/DE3742920A1/de active Granted
- 1987-12-17 US US07/134,061 patent/US4887139A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3742920C2 (ja) | 1991-04-11 |
| DE3742920A1 (de) | 1988-06-30 |
| US4887139A (en) | 1989-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE42157E1 (en) | Photoelectric converter, its driving method, and system including the photoelectric converter | |
| US4980553A (en) | Radiological image detector | |
| US5041729A (en) | Radiation detector and manufacturing process thereof | |
| JP2002334981A (ja) | 漏洩電流を最小化する撮像アレイ | |
| GB2154368A (en) | Image reading unit using two-dimensional sensor array | |
| JP2721476B2 (ja) | 放射線検出素子及びその製造方法 | |
| JP2009147147A (ja) | 有機光電変換素子 | |
| JPH0593780A (ja) | 放射線検出素子 | |
| JPS63153857A (ja) | ライン状光検出器 | |
| JP2000101920A (ja) | 光電変換装置とそれを用いたｘ線撮像装置 | |
| JPH09199699A (ja) | 薄膜イメージセンサ | |
| WO2017051749A1 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| RU2351038C2 (ru) | Устройство обнаружения излучения, устройство формирования изображения излучения и система формирования изображения излучения | |
| JP4852336B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS6154314B2 (ja) | ||
| JPS61140827A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JP2609590B2 (ja) | 二次元放射線検出器 | |
| JP4947404B2 (ja) | フォトセンサ及びその製造方法 | |
| US5066994A (en) | Image sensor | |
| JPH1152058A (ja) | ２次元放射線検出器 | |
| US10811459B2 (en) | Backside incidence type solid-state image pickup device | |
| JPH0654803B2 (ja) | 半導体受光装置 | |
| US20220014700A1 (en) | Imaging device | |
| JP2676814B2 (ja) | マルチ型受光素子 | |
| JPS5893292A (ja) | 半導体放射線検出器の製造方法 |