JPH0593780A - 放射線検出素子 - Google Patents
放射線検出素子Info
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- JPH0593780A JPH0593780A JP25538691A JP25538691A JPH0593780A JP H0593780 A JPH0593780 A JP H0593780A JP 25538691 A JP25538691 A JP 25538691A JP 25538691 A JP25538691 A JP 25538691A JP H0593780 A JPH0593780 A JP H0593780A
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Abstract
を備え、光検出パネル上には複数の画素の少なくとも1
つの画素ごとに複数の凸状パターンが形成され、複数の
凸状パターンの上面にはシンチレータの柱状結晶がそれ
ぞれ結晶成長されている。このため、放射線入射による
光(シンチレーション光)は対応する画素によって検出
される。
Description
る。
パネルを組み合わせて構成され、このような従来技術と
して、二次元光センサの全面にシンチレータを付けたも
のがある。しかし、これではシンチレータのクロストー
クにより解像度が低下し、また二次元光センサにダメー
ジを与えやすい欠点がある。
レータを付け、光ファイバプレートを通った光を二次元
光センサで受光する放射線検出素子も知られている。し
かし、光ファイバプレートは高価であり、装置が大型に
なってしまう。また、検出効率を上げるためにシンチレ
ータを厚くすると解像度が低下しやすい。
て、光ファイバプレートの表面にエッチングで多数の凹
凸を形成し、突出したコアにシンチレータを成長させた
技術が、例えば特開昭61−185844号および同6
1−225684号に提案されている。
技術によると、画素分離を図る為には、光ファイバプレ
ートにおけるコアの配設ピッチをセンサにおける画素の
ピッチと同程度にし、しかも画素とコアを正確に位置合
せして光結合しなければならない。このような事は、極
めて困難であり、実用性に欠け、また高コスト化も招
く。本発明は、これら従来技術の問題点を解決した放射
線検出素子を提供することを課題としている。
素子は、基板に複数の画素が形成された光検出パネルを
備え、光検出パネル上には複数の画素の少なくとも1つ
の画素ごとに複数の凸状パターンが形成され、複数の凸
状パターンの上面にはシンチレータの柱状結晶がそれぞ
れ結晶成長されていることを特徴とする。
対応して凸状パターンが設けられ、この凸状パターンの
上面にシンチレータが結晶成長されているので、放射線
入射による光(シンチレーション光)は対応する画素に
よって検出される。
実施例を説明する。
る放射線検出装置の全体構成を説明する。図1は全体構
成を示す斜視図で、鉛製の放射線遮幣板100を浮上さ
せて描いてある。ガラス基板200の中央部にはホトダ
イオード(PD)や薄膜トランジスタ(TFT)などか
らなる二次元光センサ300が形成され、この上に多数
のシンチレータ44の柱状結晶からなるシンチレータ部
400が形成されている。また、二次元光センサ300
の一方の辺に沿うように垂直シフトレジスタ500がガ
ラス基板200上に設けられ、他方の辺に沿うようにガ
ラス基板200上に水平シフトレジスタ600が設けら
れている。垂直シフトレジスタ500は画素のスキャン
用であり、水平シフトレジスタ600はデータの出力用
であり、出力データはガラス基板200上に設けたアン
プ700から映像信号として外部に取り出される。
方からX線やガンマ(γ)線などの放射線が入射する
と、シンチレータ42で発光が生じ、この光子が画素3
0に検出される。この出力は、垂直シフトレジスタ50
0および水平シフトレジスタ600によって読み出さ
れ、アンプ700で増幅されて出力される。
0はガラス基板200上に二次元のアレイとして形成し
た複数の画素を有し、この画素は、図2のように構成さ
れる。図2(a)は画素30の平面図、同図(b)は断
面図である。各々の画素30は、光検出セルとしてのホ
トダイオード31と、スイッチとしての薄膜トランジス
タ32を有し、ホトダイオード31は薄膜トランジスタ
32のソース電極33上にPinシリコンホトダイオー
ドとして構成されている。ホトダイオード31のアノー
ド電極34はコモンライン35に接続され、薄膜トラン
ジスタ32のドレイン電極はドレインライン36に接続
され、ゲート電極はゲートライン37に接続されてい
る。なお、ドレインライン36は前述の水平シフトレジ
スタ600に、ゲートライン37は垂直シフトレジスタ
500にそれぞれ接続されている。そして、薄膜トラン
ジスタ32にシンチレーション光が入射しないように、
絶縁膜をはさんで薄膜トランジスタ32上に遮光膜38
が設けられている。
ンチレータ部400の製造プロセスを説明する。
る製造工程別の斜視図および断面図である。まず、図3
に示すようなガラス基板200の上面に、大面積薄膜プ
ロセスを用いることにより、図2のような画素30を配
設した二次元光検出アレイ部300を形成する。そし
て、二次元光検出アレイ部300の上面に、光透過層と
してのSiO2 、Si3 N4 の層を堆積し、フォトリソ
グラフィ技術を用いることにより、画素30ごとに光透
過性の凸状パターン41を形成する(図3(a)参
照)。
30と同一とするか、または画素30よりも小さくす
る。具体的には20μm×20μmの正方形でピッチは
30μm、厚さは10μmとする。なお、直径20μm
程度の円形としてもよい。また、2個以上の画素30に
対して1個の凸状パターン41を設けてもよい。さら
に、1個の画素30に対して複数個の凸状パターン41
を設けてもよい。
マスク42をセットし、アルミニウムやクロムからなる
光反射膜43を凸状パターン41の側面に形成する(図
3(b)参照)。なお、これはプラネタリウム方式(基
板を公転させながら自転させる方式)で回転させなが
ら、真空蒸着やスパッタリングを行なうことで実現でき
る。
44の柱状結晶を凸状パターン41の上面に結晶成長さ
せる(図3(c)参照)。具体的には、例えばCsI
(Na)、CsI(Tl)、輝尽性螢光体等を、数μm
/minの速度で蒸着することにより、各セグメントに
分離した柱状結晶が得られる。なお、この柱状結晶の厚
さは、使用する放射線(X線)を十分に収集するよう
に、数10μm〜数100μmとする。
5を、アルミニウムやクロムで形成する(図3(a)参
照)。このとき、コーティング膜45を数10μm〜数
100μmの厚さにすれば、シンチレータ44を化学
的、機械的に保護する役割も持つ。更に、オレフィン系
樹脂、キシレン系樹脂あるいはエポキシ系樹脂をコーテ
ィング膜45上に塗布すれば、更に保護効果は高くな
る。
すると、次のようになる。まず、特性上の利点として、
シンチレータ44は凸状パターン41ごとに分離してい
るので、クロストークが少なく、従って高解像度が実現
できる。また、柱状のシンチレータ44の表面がシンチ
レーション光の反射面として働くので、検出効率が高く
なる。さらに、反射膜43を設けることで、更に高効率
にできる。さらにまた、シンチレータ部分の窓材が非常
に薄く形成されるので、放射線の透過性に優れている。
導体プロセスを応用できるので、製造コストが低い。ま
た、シンチレータ44を成長させる凸状パターン41の
設計、変更が容易なので、多種多様の二次元光センサ3
00にマッチングさせることができる。さらに、二次元
光センサ300にダメージを与えることなく、シンチレ
ータの製造プロセスを実行することができる。
バプレートに比べて安価であり、高開口率にできる。ま
た、大型化も比較的容易である。さらに、コーティング
膜45が潮解性のあるシンチレータ(例えばCsI(N
a)など)を保護するため、真空あるいはN2 封入のパ
ッケージに収容する必要がなく、感度劣化の心配もな
い。
成によれば、光検出パネルの画素に対応して凸状パター
ンが設けられ、この凸状パターンの上面にシンチレータ
が結晶成長されているので、放射線入射による光(シン
チレーション光)は対応する画素によって検出される。
このため、高解像度であって、しかも高感度な放射線検
出素子が得られる。
出装置の斜視図である。
構成を示す図である。
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板に複数の画素が形成された光検出パ
ネルを備え、前記光検出パネル上には前記複数の画素の
少なくとも1つの画素ごとに複数の凸状パターンが形成
され、前記複数の凸状パターンの上面にはシンチレータ
の柱状結晶がそれぞれ結晶成長されていることを特徴と
する放射線検出素子。 - 【請求項2】 前記複数の凸状パターンの側面には光反
射膜がコーティングされている請求項1記載の放射線検
出素子。
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- 1991-10-02 JP JP3255386A patent/JP2547908B2/ja not_active Expired - Fee Related
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