JPS5875838A - シリコン基板の加工方法 - Google Patents
シリコン基板の加工方法Info
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- JPS5875838A JPS5875838A JP17389181A JP17389181A JPS5875838A JP S5875838 A JPS5875838 A JP S5875838A JP 17389181 A JP17389181 A JP 17389181A JP 17389181 A JP17389181 A JP 17389181A JP S5875838 A JPS5875838 A JP S5875838A
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- silicon substrate
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Links
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコン基板の加工方法に関するものであり
、シリコン基板において、素子形成面を他方の面に対し
て平行あるい嬬凸に反らせようとするものである。
、シリコン基板において、素子形成面を他方の面に対し
て平行あるい嬬凸に反らせようとするものである。
従来、ディスクリート素子あるいはxO等の牛導体嵩子
管通常の牛導体素子製造工程にょシ製造する際には、そ
の基板材料としてシリコンが広(使用さnている。しか
し表から、このような製造工程1経たシリコン基板は、
工程側々の特徴、すなわち、1000℃以上の高温酸素
雰囲気による酸化膜の形成あるいはイオン注入後の拡散
層の形成等の熱的原因による内部応力の発生によシ、基
板自体に反りが生じ、その反りの方向も素子形成面に対
して凸あるい紘凹のいず’ELKもなる可能性が有り、
反シの方向を任意に制御することは困難であった。
管通常の牛導体素子製造工程にょシ製造する際には、そ
の基板材料としてシリコンが広(使用さnている。しか
し表から、このような製造工程1経たシリコン基板は、
工程側々の特徴、すなわち、1000℃以上の高温酸素
雰囲気による酸化膜の形成あるいはイオン注入後の拡散
層の形成等の熱的原因による内部応力の発生によシ、基
板自体に反りが生じ、その反りの方向も素子形成面に対
して凸あるい紘凹のいず’ELKもなる可能性が有り、
反シの方向を任意に制御することは困難であった。
このことは、シリコン基板を用いて能動嵩子群あるいは
能動素子列管形成し、大面積液晶表示素子として実装す
る際に、生産技術上、極めて大台な問題点となる。すな
わち、もしシリコン基板が素子形成面に対して、すべて
の工程を経た段階にシいて凹となって加工さnた場合、
その素子形成面と透明電極付きのガラス基板を重ね合わ
せその間に液晶を封入する際に1シリコン基板とガラス
基板の間隔が、中央部が最も大きく周辺部へ同うに従っ
て小さくなることになる。このことは、液晶に対して電
界が一様に印加されないこと管意味し、表示素子面内K
si−いて一定のコントラストが得られない結果となる
。このガラス基板とシリコン基板の間隔を一定とする為
に、ガラス基板あるいはシリフン基板のいずれか一方、
あるいは両方に高さの一様な突起物を設け、応力を印加
することにより強制的に間隔を一定にしようとする試み
があるが、この場合にもシリコン基板が素子形成面に対
し凹でTorLは、表示素子としての性格上、最終的に
ガラス基板とシリコン基板をシールする1分は素子周辺
部に限られる為、シリコン基板の内部応力によシ反9が
元に戻ろうとして中央部の間隔が周辺部に比べ大きくな
夛やすく、一定のコントラストを得ることが難かしい。
能動素子列管形成し、大面積液晶表示素子として実装す
る際に、生産技術上、極めて大台な問題点となる。すな
わち、もしシリコン基板が素子形成面に対して、すべて
の工程を経た段階にシいて凹となって加工さnた場合、
その素子形成面と透明電極付きのガラス基板を重ね合わ
せその間に液晶を封入する際に1シリコン基板とガラス
基板の間隔が、中央部が最も大きく周辺部へ同うに従っ
て小さくなることになる。このことは、液晶に対して電
界が一様に印加されないこと管意味し、表示素子面内K
si−いて一定のコントラストが得られない結果となる
。このガラス基板とシリコン基板の間隔を一定とする為
に、ガラス基板あるいはシリフン基板のいずれか一方、
あるいは両方に高さの一様な突起物を設け、応力を印加
することにより強制的に間隔を一定にしようとする試み
があるが、この場合にもシリコン基板が素子形成面に対
し凹でTorLは、表示素子としての性格上、最終的に
ガラス基板とシリコン基板をシールする1分は素子周辺
部に限られる為、シリコン基板の内部応力によシ反9が
元に戻ろうとして中央部の間隔が周辺部に比べ大きくな
夛やすく、一定のコントラストを得ることが難かしい。
本発明は、以上述べたような従来の欠点をすみやかに除
去することを目的とするもので、シリコン基板管素子形
成面に対し平行あるいは凸に加工すると同時に、大面積
液晶表示素子としての実装を簡便に行なわせることを可
能とすることを目的とする。
去することを目的とするもので、シリコン基板管素子形
成面に対し平行あるいは凸に加工すると同時に、大面積
液晶表示素子としての実装を簡便に行なわせることを可
能とすることを目的とする。
次に本発明の実施例を図面によって説明する。
第1因はシリコン基板の縦断面図でToり、シリコン基
板1の素子形成面に1シリコン基板11C対して膨張係
数および弾性定数の小さな酸化物あるいは絶縁体の材料
を保護!M2として被層させる。被膜の形成は、気相成
長法等の高温雰囲気tVする生成工程により簡単に達成
することができる。保護膜2が形成さnた後シリコン基
板1を常温に戻せば、シリコン基板と保護膜2との膨張
係数および弾性定数の差によ〕強制的に基板が反らさn
1素子形成面側に凸となる。また、同時にバシベーシ璽
ン膜として保護膜2が作用することになり、外部雰囲気
の素子に対する影響を極めて小さくすることが可能とな
る0本実施例では、保護膜2として840婁を用い2イ
ンチ径のシリコン基板上の素子形成面側に約2500ム
の厚さに形成することにより素子形成面側に約20 p
mの高さに凸となった。なお、10は素子がつくらn
る領域である第2図は、第1図と同様にシリコン基板の
縦断面図であるが、シリコン基板1の素子形成面に対し
て裏側にシリコン基板真に対して膨張係数および弾性定
数の大11表材料を保護膜3として被層させた場合であ
る。被膜形成方法は第1図の場合と同様である0本実施
例では、保@膜3として8(at−用い2インチ径のシ
リコン基板上の素子形成面裏側に約2500ムの厚さに
形成することKよ〕素子形成面側に約10μ鴨の高さに
凸となった。
板1の素子形成面に1シリコン基板11C対して膨張係
数および弾性定数の小さな酸化物あるいは絶縁体の材料
を保護!M2として被層させる。被膜の形成は、気相成
長法等の高温雰囲気tVする生成工程により簡単に達成
することができる。保護膜2が形成さnた後シリコン基
板1を常温に戻せば、シリコン基板と保護膜2との膨張
係数および弾性定数の差によ〕強制的に基板が反らさn
1素子形成面側に凸となる。また、同時にバシベーシ璽
ン膜として保護膜2が作用することになり、外部雰囲気
の素子に対する影響を極めて小さくすることが可能とな
る0本実施例では、保護膜2として840婁を用い2イ
ンチ径のシリコン基板上の素子形成面側に約2500ム
の厚さに形成することにより素子形成面側に約20 p
mの高さに凸となった。なお、10は素子がつくらn
る領域である第2図は、第1図と同様にシリコン基板の
縦断面図であるが、シリコン基板1の素子形成面に対し
て裏側にシリコン基板真に対して膨張係数および弾性定
数の大11表材料を保護膜3として被層させた場合であ
る。被膜形成方法は第1図の場合と同様である0本実施
例では、保@膜3として8(at−用い2インチ径のシ
リコン基板上の素子形成面裏側に約2500ムの厚さに
形成することKよ〕素子形成面側に約10μ鴨の高さに
凸となった。
第3図は、第1図の保護膜゛2および第2図の保護!1
3をシリコン基板1に同時に形、成した場合である。
3をシリコン基板1に同時に形、成した場合である。
以上の説明において、保護膜2と3はシリコン基板に対
する膨張係数および弾性定数の大きさ、および半導体製
造工程を経ることによるシリコン基板との反応性の有無
が問題で69、上述の条件を満足する材質であれば他の
材料であっても何ら問題はない。
する膨張係数および弾性定数の大きさ、および半導体製
造工程を経ることによるシリコン基板との反応性の有無
が問題で69、上述の条件を満足する材質であれば他の
材料であっても何ら問題はない。
上述した如く、本発明に係るシリコン基板の加工方法は
、シリコン基板が素子形成上必要な半導体票子製造工程
管経た後に素子形成面側に平行あるいは凸の形状とする
ことにより、例えば大面積液晶表示素子の実装の毅階に
おいて極めて容易に実現ならしめる効果を有するもので
ある。
、シリコン基板が素子形成上必要な半導体票子製造工程
管経た後に素子形成面側に平行あるいは凸の形状とする
ことにより、例えば大面積液晶表示素子の実装の毅階に
おいて極めて容易に実現ならしめる効果を有するもので
ある。
第1図、本発明によって素子形成面側に保唖膜を被層し
たシリコン基板の断面図、第2図は、本発明によって基
板裏側に保護膜な被層したシリコン基板の断面図、第3
図は、本発明によって素子形成面側と裏側の両方に各々
異なった材質の保慢膜t−被層したシリコン基板の断面
図である。 1゜。、シリコン基板 2,3.、保饅属 以上 第1図 第2図 /6 第3図
たシリコン基板の断面図、第2図は、本発明によって基
板裏側に保護膜な被層したシリコン基板の断面図、第3
図は、本発明によって素子形成面側と裏側の両方に各々
異なった材質の保慢膜t−被層したシリコン基板の断面
図である。 1゜。、シリコン基板 2,3.、保饅属 以上 第1図 第2図 /6 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 α)シリコン基板において、素子形成面側にシリコン基
板に対し膨張係数および弾性定数の小さい酸化物あるい
は絶縁体等の材料を保護層として被着せしめるととによ
〕、シリコン基板を素子形成面側に平行あるいは凸にす
ることを特徴とするシリコン基板の加工方法。 (2)シリ″:Iy基板の素子形成面に対して裏面に、
シリコン基板に対し膨張係数および弾性定数の大きい酸
化物あるいは絶縁体等の材料【保II膜として被着せし
めることによ)、シリコン基板を素子形成面側に平行あ
るいは凸にすることをI!#徴とするシリコン基板の加
工方法。 (3)シリコン基板への被膜形成を、素子形成画側シよ
びその裏側に同一基板に対して行なうことによシ、シ9
′:Iン基板を素子形成面側に平行あるいは凸にするこ
と!−特徴とするシリコン基板の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17389181A JPS5875838A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | シリコン基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17389181A JPS5875838A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | シリコン基板の加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5875838A true JPS5875838A (ja) | 1983-05-07 |
Family
ID=15969013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17389181A Pending JPS5875838A (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | シリコン基板の加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5875838A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS621235A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
US4992394A (en) * | 1989-07-31 | 1991-02-12 | At&T Bell Laboratories | Self aligned registration marks for integrated circuit fabrication |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17389181A patent/JPS5875838A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS621235A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
US4992394A (en) * | 1989-07-31 | 1991-02-12 | At&T Bell Laboratories | Self aligned registration marks for integrated circuit fabrication |
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