JPS61296726A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61296726A JPS61296726A JP13871985A JP13871985A JPS61296726A JP S61296726 A JPS61296726 A JP S61296726A JP 13871985 A JP13871985 A JP 13871985A JP 13871985 A JP13871985 A JP 13871985A JP S61296726 A JPS61296726 A JP S61296726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- susceptor
- silicon oxide
- oxide film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に亀裂（クラ
ック）の発生しない膜の形成方法に関する。
ック）の発生しない膜の形成方法に関する。
従来、半導体装置の絶縁膜としてシリコン酸化膜あるい
はリン珪酸ガラス（以下ＰＳＧという）膜等が便用され
ており、これらの絶縁膜は通常、常圧気相成長法にて形
成されている。
はリン珪酸ガラス（以下ＰＳＧという）膜等が便用され
ており、これらの絶縁膜は通常、常圧気相成長法にて形
成されている。
この常圧気相成長法では平坦な基板支持台（以下サセプ
ターという）上に半導体基板を設置し、反応がスを前記
半導体基板上に供給することにより、半導体基板の表面
にシリコン酸化膜あるいはＰＥＧ膜等を堆積している。
ターという）上に半導体基板を設置し、反応がスを前記
半導体基板上に供給することにより、半導体基板の表面
にシリコン酸化膜あるいはＰＥＧ膜等を堆積している。
上述した従来方法でシリコン酸化膜あるいはＰＳＧ膜等
を形成すると、前記シリコン酸化膜あるいはＰＳＧ膜の
内部にそれぞれの膜に固有の引張り応力が発生し、その
後の工程に２いて熱的あるいは機械的な原因によりシリ
コン酸化膜あるいはＰＥＧ膜等にクラックが発生する。
を形成すると、前記シリコン酸化膜あるいはＰＳＧ膜の
内部にそれぞれの膜に固有の引張り応力が発生し、その
後の工程に２いて熱的あるいは機械的な原因によりシリ
コン酸化膜あるいはＰＥＧ膜等にクラックが発生する。
特に絶縁性あるいはパッジベージ１ン性等を高めるため
にシリコン酸化膜あるいはＰＥＧ膜等の膜厚を厚くする
とクラックの発生率がますます高くなり、クラックによ
る電気配線間の短絡やクラックから水分やナトリウムイ
オンなどの不純物の侵入によるデバイス特性の劣化など
半導体装置の信頼性の低下を招くという重大な欠点があ
った。
にシリコン酸化膜あるいはＰＥＧ膜等の膜厚を厚くする
とクラックの発生率がますます高くなり、クラックによ
る電気配線間の短絡やクラックから水分やナトリウムイ
オンなどの不純物の侵入によるデバイス特性の劣化など
半導体装置の信頼性の低下を招くという重大な欠点があ
った。
また一方、シリコン酸化膜あるいはＰＳＧ膜等の膜厚を
薄くするとクラックの発生率は減少するが、′１気配線
間の絶縁性や不純物の侵入に対するパシベーシ碧ン性が
低Ｆし信頼性の低下を招く欠点がある。
薄くするとクラックの発生率は減少するが、′１気配線
間の絶縁性や不純物の侵入に対するパシベーシ碧ン性が
低Ｆし信頼性の低下を招く欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板全体を所
定の曲率で弾性的に湾曲させた状態で前記半導体基板の
一主面ｌこ気相成長法により膜を堆積することを％微と
する。
定の曲率で弾性的に湾曲させた状態で前記半導体基板の
一主面ｌこ気相成長法により膜を堆積することを％微と
する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
まず、曲率半径５００ｍの球面を有するサセプタ１の表
面に電気配線が形成されたシリコン基板２を装着する。
面に電気配線が形成されたシリコン基板２を装着する。
サセプタ内部を排気し、吸着穴３によりシリコン基板２
をサセプタ１の表面に密着させる。
をサセプタ１の表面に密着させる。
次に、サセプタ１の表面温度４５００Ｇで、シリコン基
板２の表面にシラン（８ｉＨｎ） ガス４と酸素ガス５
を供給することにより眉間絶縁膜となるシリコン酸化膜
６を１μｍの厚さに堆積する。
板２の表面にシラン（８ｉＨｎ） ガス４と酸素ガス５
を供給することにより眉間絶縁膜となるシリコン酸化膜
６を１μｍの厚さに堆積する。
このようにして堆積されたシリコン酸化膜は、室温にお
いて２．７Ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃｄ程度の引張り応
力を有しているが、シリコン基板２をサセプタ１から取
りはずすと、シリコン酸化膜６はシリコン基板２の弾性
力により圧縮応力を受けるため、シリコン酸化Ｍ６の実
効的な内部応力は緩和される。本実施例ではシリコン基
板２がシリコン酸化膜６に与える圧縮応力が３×１０”
ｄｙｎ／ｃＩｌになるように、すなわち、シリコン酸化
膜６に固有の引張り応力にほぼ等しくなるようにサセプ
タ１の曲率半径を決めた。従って、実効的なシリコン酸
化膜の内部応力は従来方法と比較して著しく小さくなっ
ている。
いて２．７Ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃｄ程度の引張り応
力を有しているが、シリコン基板２をサセプタ１から取
りはずすと、シリコン酸化膜６はシリコン基板２の弾性
力により圧縮応力を受けるため、シリコン酸化Ｍ６の実
効的な内部応力は緩和される。本実施例ではシリコン基
板２がシリコン酸化膜６に与える圧縮応力が３×１０”
ｄｙｎ／ｃＩｌになるように、すなわち、シリコン酸化
膜６に固有の引張り応力にほぼ等しくなるようにサセプ
タ１の曲率半径を決めた。従って、実効的なシリコン酸
化膜の内部応力は従来方法と比較して著しく小さくなっ
ている。
なぶ、本実施例では膜に固有の応力が引張応力の場合に
ついて説明したが、膜に固有の応力が圧縮応力の場合に
は所定の曲率半径をもつ凹状のサセプタを用いて同様の
効果を得ることができる。
ついて説明したが、膜に固有の応力が圧縮応力の場合に
は所定の曲率半径をもつ凹状のサセプタを用いて同様の
効果を得ることができる。
以上説明したように本発明は、半導体基板を弾性的に凸
状（凹状）に曲げた状態で膜を形成して膜に固有の引張
応力（圧縮応力）を緩和することにより、後工程で熱的
あるいは模様的原因で膜に生ずるクラックの発生を著し
く低減できる。そのため、例えば絶縁膜の場合、クラッ
クによる電気配線間の短絡やクラックからの不純物の侵
入を防ぐことができ、半導体装置の信頼性を著しく向上
させる。
状（凹状）に曲げた状態で膜を形成して膜に固有の引張
応力（圧縮応力）を緩和することにより、後工程で熱的
あるいは模様的原因で膜に生ずるクラックの発生を著し
く低減できる。そのため、例えば絶縁膜の場合、クラッ
クによる電気配線間の短絡やクラックからの不純物の侵
入を防ぐことができ、半導体装置の信頼性を著しく向上
させる。
図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を示す縦
断面図である。 １・・・・・・サセプタ、２・・・・・・シリコン基板
、３・・・・・・吸着穴、４・・・・・・シランガス、
５・・・・・・酸素ガス、６・・・・・・シリコン酸化
膜。 代理人 弁理士 内 原 ２− 日。
断面図である。 １・・・・・・サセプタ、２・・・・・・シリコン基板
、３・・・・・・吸着穴、４・・・・・・シランガス、
５・・・・・・酸素ガス、６・・・・・・シリコン酸化
膜。 代理人 弁理士 内 原 ２− 日。
Claims (1)
- 半導体基板全体を所定の曲率で弾性的に湾曲させた状態
で前記半導体基板の一主面に気相成長法により膜を堆積
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13871985A JPS61296726A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13871985A JPS61296726A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296726A true JPS61296726A (ja) | 1986-12-27 |
Family
ID=15228541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13871985A Pending JPS61296726A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296726A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01137638A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Canon Inc | 薄膜形成装置 |
| JPH01174921U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-13 | ||
| JPH02189920A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 酸化膜の形成方法及び酸化装置 |
| EP1317966A3 (de) * | 2001-12-05 | 2004-02-11 | Behr GmbH & Co. | Beschichtungsverfahren sowie Vorrichtung hierfür |
| JP2009246130A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP13871985A patent/JPS61296726A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01137638A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Canon Inc | 薄膜形成装置 |
| JPH01174921U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-13 | ||
| JPH02189920A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 酸化膜の形成方法及び酸化装置 |
| EP1317966A3 (de) * | 2001-12-05 | 2004-02-11 | Behr GmbH & Co. | Beschichtungsverfahren sowie Vorrichtung hierfür |
| JP2009246130A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び半導体集積回路装置の製造方法 |
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