JPH02297939A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH02297939A JPH02297939A JP11723289A JP11723289A JPH02297939A JP H02297939 A JPH02297939 A JP H02297939A JP 11723289 A JP11723289 A JP 11723289A JP 11723289 A JP11723289 A JP 11723289A JP H02297939 A JPH02297939 A JP H02297939A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に関する。
(従来の技術)
近年、半導体集積回路装置の集積回路素子の微細化に伴
って配線材料に、配線工程後の面を平坦化することが容
易な高融点金属のシリサイド膜を使用することが多くな
ってきている。
って配線材料に、配線工程後の面を平坦化することが容
易な高融点金属のシリサイド膜を使用することが多くな
ってきている。
その場合、シリサイド膜の下面にはバッファ一層として
ポリシリコン膜が設けられている。
ポリシリコン膜が設けられている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、そのようにポリシリコン膜をバッファ一
層として設けても、それらシリサイド膜とポリシリコン
膜の熱膨張係数に2.3倍の開きがあり、そのため、温
度サイクルの繰返しによって、それらの膜間に剥離現象
を生じ、半導体集積回路装置の量産化が阻害される問題
があった。
層として設けても、それらシリサイド膜とポリシリコン
膜の熱膨張係数に2.3倍の開きがあり、そのため、温
度サイクルの繰返しによって、それらの膜間に剥離現象
を生じ、半導体集積回路装置の量産化が阻害される問題
があった。
本発明は、上記の製造上の問題点を解決して、温度サイ
クルの繰返しによっても、ポリシリコン膜とシリサイド
膜の膜間の剥離が生じない半導体集積回路装置の製造方
法の提供を目的とする。
クルの繰返しによっても、ポリシリコン膜とシリサイド
膜の膜間の剥離が生じない半導体集積回路装置の製造方
法の提供を目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記の目的を、半導体集積回路装置の製造にお
いて、半導体基板上に第1の薄膜としてポリシリコン膜
を堆積する工程と、その表面を物理的または化学的方法
によって粗面に形成する工程と、及び、上記の粗面上に
第2の薄膜としてシリサイド膜を堆積する工程を含む半
導体集積回路装置の製造方法によって達成する。
いて、半導体基板上に第1の薄膜としてポリシリコン膜
を堆積する工程と、その表面を物理的または化学的方法
によって粗面に形成する工程と、及び、上記の粗面上に
第2の薄膜としてシリサイド膜を堆積する工程を含む半
導体集積回路装置の製造方法によって達成する。
(作 用)
本発明によれば、熱膨張係数の異なるポリシリコン膜と
シリサイド膜の密着性が増大されるから剥離等を生ぜず
、したがって高密度、高信頼性の半導体集積回路装置が
歩留りよく製造可能になる。
シリサイド膜の密着性が増大されるから剥離等を生ぜず
、したがって高密度、高信頼性の半導体集積回路装置が
歩留りよく製造可能になる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図、第2図及び第3図は本発明の一実施例を説明す
る製造工程断面図であり、まず、第1図のように、P型
車結晶シリコン基板1上に、CvD (Chemica
l Vapor Deposition)法によって絶
縁膜2を、1000人ないし3000人成長させ、その
面上にポリシリコン膜を500人ないし3000人、L
PCV D (Low Pressure−CVD、減
圧CVD)法により蒸着する。この場合、温度を約61
0℃、圧力を300mTorrとしてSiH,ガスを用
い、さらに必要ならば、イオン注入法または熱拡散法に
よってポリシリコンIII 3にリンを蒸着、拡散する
。
る製造工程断面図であり、まず、第1図のように、P型
車結晶シリコン基板1上に、CvD (Chemica
l Vapor Deposition)法によって絶
縁膜2を、1000人ないし3000人成長させ、その
面上にポリシリコン膜を500人ないし3000人、L
PCV D (Low Pressure−CVD、減
圧CVD)法により蒸着する。この場合、温度を約61
0℃、圧力を300mTorrとしてSiH,ガスを用
い、さらに必要ならば、イオン注入法または熱拡散法に
よってポリシリコンIII 3にリンを蒸着、拡散する
。
次に第2図のように、弗酸、硝酸の水溶液を使用したウ
ェットエツチング法により、または5FJCCQ、ガス
を用いるドライエツチング法により、ポリシリコン膜3
を50人ないし500人エツチングし、表面を粗い凸凹
面(以下粗面という)に形成し、ポリシリコン膜3の表
面積を、上記エンチングW1よりも増大させる。
ェットエツチング法により、または5FJCCQ、ガス
を用いるドライエツチング法により、ポリシリコン膜3
を50人ないし500人エツチングし、表面を粗い凸凹
面(以下粗面という)に形成し、ポリシリコン膜3の表
面積を、上記エンチングW1よりも増大させる。
その後、弗酸水溶液を使用してポリシリコン膜3の表面
の自然酸化膜を除去する。なお、この工程は必須工程で
はない。
の自然酸化膜を除去する。なお、この工程は必須工程で
はない。
ついで第3図のように、ポリシリコン膜3の表面に、ス
パッタ法またはCVD法によりシリサイド膜4を100
0人ないし3000人蒸着する。この蒸着は、たとえば
タングステンシリサイド膜(WSxx )の場合、温度
320℃ないし400℃で、圧力100mTorrない
し300mTorrの条件でモノシラン(SiH4)と
六弗化タングステン(wFG)を反応させて蒸着するこ
とができる。
パッタ法またはCVD法によりシリサイド膜4を100
0人ないし3000人蒸着する。この蒸着は、たとえば
タングステンシリサイド膜(WSxx )の場合、温度
320℃ないし400℃で、圧力100mTorrない
し300mTorrの条件でモノシラン(SiH4)と
六弗化タングステン(wFG)を反応させて蒸着するこ
とができる。
以上のように形成する半導体集積回路装置は従来の製造
方法に比べ、ポリシリコン膜3の粗面により増大された
大きな表面積によって、シリサイド膜4の密着度が強固
になり、したがって温度サイクルの繰返しによって剥離
等の発生が防止されることになる。
方法に比べ、ポリシリコン膜3の粗面により増大された
大きな表面積によって、シリサイド膜4の密着度が強固
になり、したがって温度サイクルの繰返しによって剥離
等の発生が防止されることになる。
(発明の効果)
以上、説明して明らかなように本発明によれば、熱膨張
係数の異なるポリシリコン膜とシリサイド膜の密着性が
向上し、温度サイクル等により劣化、あるいは破壊しな
い高信頼度、高性能の半導体集積回路装置が製造できる
から、実施して益する効果に大きいものがある。
係数の異なるポリシリコン膜とシリサイド膜の密着性が
向上し、温度サイクル等により劣化、あるいは破壊しな
い高信頼度、高性能の半導体集積回路装置が製造できる
から、実施して益する効果に大きいものがある。
第1図、第2図及び第3図は本発明の一実施例の製造工
程断面図である。 1・・・p型車結晶シリコン基板、 2・・・絶縁膜、
3・・・ポリシリコン膜、 4・・・シリサイド膜。
程断面図である。 1・・・p型車結晶シリコン基板、 2・・・絶縁膜、
3・・・ポリシリコン膜、 4・・・シリサイド膜。
Claims (2)
- (1)半導体集積回路装置の製造において、半導体基板
上に第1の薄膜を堆積する工程と、その表面を物理的ま
たは化学的方法によって粗面に形成する工程と、及び、
上記の粗面上に第2の薄膜を堆積する工程とを含むこと
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - (2)第1の薄膜をポリシリコン膜、第2の薄膜をシリ
サイド膜とし、第1の薄膜の面にウェットエッチング、
またはドライエッチングにより粗面を形成することを特
徴とする請求項(1)記載の半導体集積回路装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11723289A JPH02297939A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11723289A JPH02297939A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02297939A true JPH02297939A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14706657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11723289A Pending JPH02297939A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02297939A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2320130A (en) * | 1996-08-09 | 1998-06-10 | United Microelectronics Corp | Self-aligned silicide manufacturing method |
US5893751A (en) * | 1996-08-09 | 1999-04-13 | United Microelectronics Corporation | Self-aligned silicide manufacturing method |
CN108529894A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | Tcl集团股份有限公司 | 一种bzo玻璃及制备方法、qled器件及制备方法 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP11723289A patent/JPH02297939A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2320130A (en) * | 1996-08-09 | 1998-06-10 | United Microelectronics Corp | Self-aligned silicide manufacturing method |
US5893751A (en) * | 1996-08-09 | 1999-04-13 | United Microelectronics Corporation | Self-aligned silicide manufacturing method |
GB2320130B (en) * | 1996-08-09 | 2001-11-07 | United Microelectronics Corp | Improved self-ligned silicide manufacturing method |
CN108529894A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | Tcl集团股份有限公司 | 一种bzo玻璃及制备方法、qled器件及制备方法 |
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