JPS6197826A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6197826A JPS6197826A JP22002084A JP22002084A JPS6197826A JP S6197826 A JPS6197826 A JP S6197826A JP 22002084 A JP22002084 A JP 22002084A JP 22002084 A JP22002084 A JP 22002084A JP S6197826 A JPS6197826 A JP S6197826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- tungsten silicide
- photosensitive
- contact hole
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2-[2-(5-methoxy-2-nitrosophenyl)ethyl]-1-nitrosobenzene Chemical group COC1=CC=C(N=O)C(CCC=2C(=CC=C(OC)C=2)N=O)=C1 YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021569 Apoptosis regulator Bcl-2 Human genes 0.000 description 1
- 101000971171 Homo sapiens Apoptosis regulator Bcl-2 Proteins 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは半導体集積回
路の製造工程において半導体基板上に形成した金属膜と
この金属膜上に塗布した感光性を等しいエツチング速度
でエツチングを行う方法に関するものである。
路の製造工程において半導体基板上に形成した金属膜と
この金属膜上に塗布した感光性を等しいエツチング速度
でエツチングを行う方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体集積回路の製造工程において、金属配線層を半導
体基板面に形成した拡散層へ接触させるには、通常絶縁
膜のコンタクトホールを埋める接続子を用いる。従来の
例を、第１図（ａ）〜（ｄ）に示し、以下説明を行う。
体基板面に形成した拡散層へ接触させるには、通常絶縁
膜のコンタクトホールを埋める接続子を用いる。従来の
例を、第１図（ａ）〜（ｄ）に示し、以下説明を行う。
まず、第１図（荀に示すように、シリコン基板１上に拡
散層２を形成した後、シリコン基板１上にＣＶＤ法によ
り層間絶縁膜３を形成し、拡散Ｎ２への接続穴（コンタ
クトホール）４を形成する。
散層２を形成した後、シリコン基板１上にＣＶＤ法によ
り層間絶縁膜３を形成し、拡散Ｎ２への接続穴（コンタ
クトホール）４を形成する。
つぎに、第１図（ｂ）に示すようにスノ仁アタリング法
により高融点金属シリサイド膜６を形成し、続いて感光
性膜６を塗布する。つぎに、四塩化炭素と酸素との混合
体（ＣＣＩ４＋Ｏ３）ガスを用い、ドライエツチング法
により感光性膜６と高融点金属シリサイド膜５とのエツ
チング速度が等しい条件にてエツチングを行う。エツチ
ングは第１図（Ｃ）に示すように層間絶縁膜３上の高融
点金属シリサイド膜６が除去されるまで行う。最後に、
第１図（ｄ）に示すように、配線形成のため、アルミニ
ウムＡｌ膜７をスパンタリング法により形成する。
により高融点金属シリサイド膜６を形成し、続いて感光
性膜６を塗布する。つぎに、四塩化炭素と酸素との混合
体（ＣＣＩ４＋Ｏ３）ガスを用い、ドライエツチング法
により感光性膜６と高融点金属シリサイド膜５とのエツ
チング速度が等しい条件にてエツチングを行う。エツチ
ングは第１図（Ｃ）に示すように層間絶縁膜３上の高融
点金属シリサイド膜６が除去されるまで行う。最後に、
第１図（ｄ）に示すように、配線形成のため、アルミニ
ウムＡｌ膜７をスパンタリング法により形成する。
しかしながら、上記方法により、微細寸法のコンタクト
ホール部への配線を形成した場合、コンタクトホール部
での接続子として、高融点金属をスパッタ法により形′
成して、高融点シリサイド膜５を形成しているため、コ
ンタクトホールの端は第１図（Ａｌ、（Ｃ）に示すよう
に膜厚が薄く、コンタクトホール端部の段差を小さくす
ることが困難である。
ホール部への配線を形成した場合、コンタクトホール部
での接続子として、高融点金属をスパッタ法により形′
成して、高融点シリサイド膜５を形成しているため、コ
ンタクトホールの端は第１図（Ａｌ、（Ｃ）に示すよう
に膜厚が薄く、コンタクトホール端部の段差を小さくす
ることが困難である。
そのため、有効な配線の平坦化は期待できず、配線の断
線を引き起こす原因となる。コンタクトホールの数が膨
大な超ＬＳＩにおいては、信頼性上深刻な問題となる。
線を引き起こす原因となる。コンタクトホールの数が膨
大な超ＬＳＩにおいては、信頼性上深刻な問題となる。
発明の目的
本発明は、上記問題点を解決するものであり、微細寸法
のコンタクトホール部での接続の信頼性を高くするとと
もに、配線の平坦化に寄与する。
のコンタクトホール部での接続の信頼性を高くするとと
もに、配線の平坦化に寄与する。
半導体装置の製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、半導体基板上に金属膜を形成す
る工程と、前記金属膜上に塗布した感光性膜を形成する
工程と、前記金属膜と前記感光性膜を等しい速度で、ド
ライエツチングする工程をそなえたもので、これにより
、微細寸法のコンタクトホール部において、基板上の拡
散層と、配線と金結ぶ接続子を形成し、コンタクトホー
ル部の平坦化を可能とすると共に、コンタクト部の信頼
性が向上する。
る工程と、前記金属膜上に塗布した感光性膜を形成する
工程と、前記金属膜と前記感光性膜を等しい速度で、ド
ライエツチングする工程をそなえたもので、これにより
、微細寸法のコンタクトホール部において、基板上の拡
散層と、配線と金結ぶ接続子を形成し、コンタクトホー
ル部の平坦化を可能とすると共に、コンタクト部の信頼
性が向上する。
実施例の説明
以下、実施例を用いて、本発明を具体的に詳述する。第
２図（ａ）〜（Ｌｌ（）は、本発明を用い、 微細寸法
のコンタクトホール部で、基板上の拡散層と配
。
２図（ａ）〜（Ｌｌ（）は、本発明を用い、 微細寸法
のコンタクトホール部で、基板上の拡散層と配
。
線とを結ぶ接続子を形成し、コンタクトホール部での配
線の平坦化を行う、工程順断面図である。
線の平坦化を行う、工程順断面図である。
まず、第２図（−）に示すようにシリコン基板１の面に
ｎ形の拡散層２を形成したのち、このシリコン基板上に
、８０００人の層間絶縁膜３を形成し、ドライエツチン
グ法により、コンタクトホール４を形成する。続いて、
減圧ＣＶＤ法により、タングステンシリサイド膜８を、
ソースガスに、苗−とＳ Ｉ Ｈ４との混合体を用いて
形成する。シリコン基板温度は、３５０〜４ｏｏ’Ｃ，
反応系内の気圧力は１５０〜２５０ｍＴＯｒｒである。
ｎ形の拡散層２を形成したのち、このシリコン基板上に
、８０００人の層間絶縁膜３を形成し、ドライエツチン
グ法により、コンタクトホール４を形成する。続いて、
減圧ＣＶＤ法により、タングステンシリサイド膜８を、
ソースガスに、苗−とＳ Ｉ Ｈ４との混合体を用いて
形成する。シリコン基板温度は、３５０〜４ｏｏ’Ｃ，
反応系内の気圧力は１５０〜２５０ｍＴＯｒｒである。
この減圧ＣＶＤ法によれば、タングステンシリサイド膜
がコンタクトホールの側面にも均等に形成される。
がコンタクトホールの側面にも均等に形成される。
つぎに、第２図（ｂ）に示すように１タングステンシリ
サイド膜８上に、感光性膜６を塗布する。つぎにドライ
エツチング法により、感光性膜６とタングステンシリサ
イド膜８のエツチング速度が等しくなるように、主反応
ガスのＣＣ７１！ ４ （６０ＣＣ／１ｍｎ ）に０２
（３０−６０ＣＣ，／ｍ ｉ ｎ ）を添加し、感光性
膜６およびタングステンシリサイド膜８をエツチングす
る。第２図（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜３上のタン
グステンシリサイド膜８が除去されるまでエツチングを
行い、コンタクトホール部に、タングステンシリサイド
膜を残すＪつぎに、配線のＡ４膜７をスパッタ法により
形成し、その後、Ａｌ膜７のパターンニングを行う。な
お、ＣＣｌ４はＢＣｌ２におきかえることもできる。
サイド膜８上に、感光性膜６を塗布する。つぎにドライ
エツチング法により、感光性膜６とタングステンシリサ
イド膜８のエツチング速度が等しくなるように、主反応
ガスのＣＣ７１！ ４ （６０ＣＣ／１ｍｎ ）に０２
（３０−６０ＣＣ，／ｍ ｉ ｎ ）を添加し、感光性
膜６およびタングステンシリサイド膜８をエツチングす
る。第２図（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜３上のタン
グステンシリサイド膜８が除去されるまでエツチングを
行い、コンタクトホール部に、タングステンシリサイド
膜を残すＪつぎに、配線のＡ４膜７をスパッタ法により
形成し、その後、Ａｌ膜７のパターンニングを行う。な
お、ＣＣｌ４はＢＣｌ２におきかえることもできる。
発明の効果
本発明によれば、微細寸法のコンタクトホール部におい
て、基板上に形成して拡散層と配線とを結ぶ接続子を形
成し、コンタクトホール部の平坦化を可能とすると共に
、コンタクト部の信頼性が向上する。そのため、微細化
、高集積化を必要とする超ＬＳＩのプロセスへの適用に
極めて有効である。
て、基板上に形成して拡散層と配線とを結ぶ接続子を形
成し、コンタクトホール部の平坦化を可能とすると共に
、コンタクト部の信頼性が向上する。そのため、微細化
、高集積化を必要とする超ＬＳＩのプロセスへの適用に
極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｄ）は、従来法により、基板上に形成
した拡散層と配線との接続に際し、コンタクトホール部
を埋める接続子にスパッタ法による高融点金属シリサイ
ド膜を用いた場合の工程順断面図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は、本発明の実施に際し、接続子に減圧ＣＶＤ法によ
り形成したタングステンシリサイド膜を用いた場合の例
の工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・拡散層、
３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・コンタクト
ホール、６・・・・・高融点金属７リサイド、６・・・
・・・感光性膜、７・・・・・・Ａｌ膜、８・・・・・
・タングステン７リサイド。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４
した拡散層と配線との接続に際し、コンタクトホール部
を埋める接続子にスパッタ法による高融点金属シリサイ
ド膜を用いた場合の工程順断面図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は、本発明の実施に際し、接続子に減圧ＣＶＤ法によ
り形成したタングステンシリサイド膜を用いた場合の例
の工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・拡散層、
３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・コンタクト
ホール、６・・・・・高融点金属７リサイド、６・・・
・・・感光性膜、７・・・・・・Ａｌ膜、８・・・・・
・タングステン７リサイド。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４
Claims (3)
- （１）半導体基板上の絶縁膜にコンタクトホールを設け
、全面にＣＶＤ法により金属膜を形成する工程と、前記
金属膜上に感光性膜を塗布する工程と、前記金属膜と前
記感光性膜とのエッチング速度を等しくして前記感光性
膜および前記金属膜を順次エッチングする工程とを備え
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）金属膜が、Ａｌ、Ｗ、Ｗのシリサイド、Ｍｏ、Ｍ
ｏのシリサイド、Ｔｉのシリサイドの群から選ばれる特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）エッチング工程が、ＣＣｌ＿４あるいは、ＢＣｌ
＿４に酸素を添加した反応性ガスで行なわれる特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22002084A JPS6197826A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22002084A JPS6197826A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197826A true JPS6197826A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16744670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22002084A Pending JPS6197826A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197826A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229959A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-08 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 超大規模集積回路の多層金属被膜構造物における層間絶縁体中の通路または接触穴の充填方法 |
| JPS63133550A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63260051A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02165630A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP22002084A patent/JPS6197826A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62229959A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-08 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 超大規模集積回路の多層金属被膜構造物における層間絶縁体中の通路または接触穴の充填方法 |
| JPS63133550A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0587133B2 (ja) * | 1986-11-26 | 1993-12-15 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPS63260051A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02165630A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0736403B2 (ja) | 耐火金属の付着方法 | |
| JPS6197826A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2639369B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62204523A (ja) | コンタクト電極の形成方法 | |
| JPH07135188A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001210606A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61208241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63120419A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6197825A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63177523A (ja) | コンタクトホ−ル形成方法 | |
| JPH0484422A (ja) | 微細な金属配線の形成方法 | |
| JP4207284B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0425159A (ja) | 電極配線の形成方法 | |
| JP3641488B2 (ja) | 多層配線構造の形成方法 | |
| JPH0669203A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS63257249A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08195398A (ja) | 配線の製造方法 | |
| JPH0438827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60149136A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62274078A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS62262443A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06275625A (ja) | 高融点金属を含む配線及びその形成方法 | |
| JPH02253615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02219233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06232277A (ja) | 半導体装置の製造方法 |