JP3950487B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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【産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置の製造に関し、特に、化学気相堆積(CVD)、またはプラズマCVD等を使用した薄膜形成技術に関する。
【0002】
本明細書中、TEOS薄膜とは、テトラエトキシシランをSiの原料としてCVDにより堆積した酸化シリコン膜を指す。また、SiN薄膜とは、SiとNとの組成比が化学量論的組成である3:4に限られず、一般にSix Ny で表される窒化シリコン薄膜を指す。
【0003】
【従来の技術】
シリコン基板上に、CVDで高温酸化膜(high temperature oxide、以下HTO膜と呼ぶ)を堆積すると、基板表面に糸状の異物が発生し、半導体装置の回路不良を招く原因となっていた。
【0004】
図3は、糸状異物が発生した基板の断面図を示す。シリコン基板50の上にCVDによるHTO膜51が形成されている。このとき、基板表面に金属パーティクルが付着していると、それを核としてSiO2 が糸状に成長し糸状異物52が形成されると考えられる。
【0005】
糸状異物が形成される機構は、以下のように推察される。
通常、HTO膜堆積時には、
【0006】
【化1】
SiH4 + 2N2 O → SiO2 ↓ + 2N2 ↑ + 2H2 ↑
の反応により、SiO2 膜が形成される。この反応雰囲気中に金属Mが存在すると、
【0007】
【化2】
M + N2 O → MO + N2 ↑
2MO + SiH4 → 2M + SiO2 ↓ + 2H2 ↑
の反応が繰り返し起こる。すなわち、金属が酸化還元を繰り返す。このため、金属パーティクルが触媒としての機能を果たし、金属パーティクルの近傍にSiO2 膜が速く成長する。例えば、Ni、W、Fe、Cr、Co、Mn、Ti、Al等の金属パーティクルが付着している場合に、SiO2 膜が局所的に成長し、糸状異物が形成される。
【0008】
多結晶シリコンの堆積においても同様の異常成長が生じることが知られている。この原因も同様に金属パーティクルであろうと推察される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
HTO膜表面に発生した糸状異物は、シリコン基板上に形成した半導体装置の不良の原因となる。糸状異物発生の原因と考えられる金属パーティクルは、半導体製造装置のステンレス等のガス配管、真空容器等から発生するため、完全に取り除くことは困難である。
【0010】
本発明の目的は、半導体プロセスにおける薄膜形成時に糸状異物が発生することを防止できる薄膜形成技術を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、表面上に金属配線が形成された処理対象基板を準備する工程と、前記処理対象基板の表面に、前記金属配線を覆うように、厚さ0.05μm以下、かつ0.005μm以上のアモルファスSi薄膜を形成する工程と、前記アモルファスSi薄膜上に、気相成長法により堆積温度700℃以上で酸化シリコン膜を形成する工程とを含む。
【0015】
【作用】
酸化シリコン膜の堆積前に、基板表面にアモルファスSi薄膜を形成することにより、基板表面に付着した金属パーティクルを覆うことができる。アモルファスSiの成長は比較的低温で行われるため、金属パーティクルがあっても触媒作用を発揮しない。
【0017】
金属パーティクルがHTO薄膜形成前にアモルファスSi薄膜等に覆われるため、金属パーティクルが直接酸化還元雰囲気に曝されることがなく、酸化シリコン膜形成の触媒として働かなくなる。従って、酸化シリコン膜形成時に金属パーティクルを核として発生する糸状異物の発生を防止することができる。
【0018】
アモルファスSi薄膜等の厚さを0.05μmあるいは0.005μmとすれば、それぞれ0.05μmあるいは0.005μm径よりも小さい金属パーティクルを覆うことができる。通常の金属パーティクルの大きさは0.005μm以下であるため、アモルファスSi薄膜等の厚さを0.05μm〜0.005μmとすれば、十分な効果が期待できる。
【0019】
金属パーティクルが基板表面全面に付着している場合には、アモルファスSi薄膜等を基板全面に形成することにより、効果的に金属パーティクルを覆うことができる。
【0020】
また、基板表面の一部に金属配線が形成されており、金属パーティクルがこの金属配線の表面に集中して付着している場合には、アモルファスSi薄膜等で金属配線の表面のみを覆うことにより、効果的に金属パーティクルを覆うことができる。
【0021】
【実施例】
図1を参照して本発明の実施例について説明する。
図1(A)に示すように、HTO膜を形成すべきシリコン基板1の表面に金属パーティクル2が付着している。金属パーティクル2は、搬送中に発生するパーティクル、大気中の塵または人体から発生する塵等である。
【0022】
図1(B)に示すように、シリコン基板1の上に、CVDにより厚さ0.05μmのアモルファスSi膜3を堆積する。堆積温度は450℃、圧力は3Torr、堆積時間は2分30秒である。反応ガスとして、SiH4 を5sccm、希釈ガスとして水素を50sccm、窒素を200sccm流した。厚さ0.05μmのアモルファスSi膜を堆積することにより、直径0.05μm以下の金属パーティクルは完全にアモルファスSi膜3の中に埋められる。
【0023】
なお、アモルファスSiの堆積温度はHTO膜堆積に比べて低温であり、かつ反応ガスとしてSiH4 またはSi2 H6 を使用しているが、酸化性ガスを使用しないため、HTO膜堆積時のように糸状異物が発生することがない。
【0024】
図1(C)に示すように、アモルファスSi膜3の上に厚さ0.05μmのHTO膜4を堆積する。堆積温度は800℃、圧力は3Torr、堆積時間は7分30秒である。反応ガスとして、SiH4 を5sccm、N2 Oを250sccm流した。このとき、金属パーティクル2は、アモルファスSi膜3によって完全に覆われているため、糸状異物は発生しない。なお、堆積時間を長くして、例えば0.2μmの厚さのHTO膜を堆積してもよい。
【0025】
また、HTO膜の堆積温度700℃以上であればよく、750℃〜850℃であることが好ましい。
なお、図1においては、厚さ0.05μmのアモルファスSi膜を堆積する場合について説明したが、通常の金属パーティクルの大きさは0.005μm以下であるため、アモルファスSi膜の厚さを0.005μm程度としてもよい。
【0026】
上記実施例では、アモルファスSi膜形成のための反応ガスとしてSiH4 を使用する場合について説明したがSi2 H6 を使用してもよい。例えば、堆積温度500℃、圧力10Torr、Si2 H6 の流量10sccm、N2 の流量1000sccmとしてアモルファスSi膜を形成することができる。なお、堆積温度は590℃以下であることが好ましい。
【0027】
また、上記実施例では、金属パーティクルをアモルファスSi薄膜で覆う場合について説明したが、金属パーティクルを効率的に覆うことができるものであればその他の薄膜を用いてもよい。例えば、TEOS薄膜、SiN膜等を用いてもよい。
【0028】
TEOS薄膜は、例えば、テトラエトキシシランとO2 をそれぞれ300sccm及び50sccm供給し、堆積温度630℃、雰囲気圧力0.25Torrの条件でCVDにより堆積する。
【0029】
SiN薄膜は、例えば、反応ガスとして流量5sccmのSiH4 と流量250sccmのアンモニアを使用し、堆積温度800℃の条件でCVDにより堆積する。
【0030】
上記条件で、金属パーティクルが付着したシリコン基板表面に厚さ0.2μmのTEOS薄膜あるいは厚さ0.005μmのSiN薄膜を堆積した。このTEOS薄膜あるいはSiN薄膜の上にHTO薄膜を堆積しても糸状異物の発生はなかった。
【0031】
TEOS薄膜のみでは絶縁耐性が弱いため、その上にHTO薄膜を堆積することにより絶縁耐性を高めることができる。また、SiN薄膜を使用することにより、さらに絶縁耐性の向上が期待できる。
【0032】
次に、図2を参照してHTO膜を層間絶縁膜に適用した他の実施例について説明する。
図2(A)に示すように、p- 型シリコン基板10の表面にフィールド酸化膜11が形成されている。フィールド酸化膜11に囲まれた活性領域には、n+ 型領域16が形成されている。n+ 型領域16は、例えば、MOSFETのソース領域またはドレイン領域等である。
【0033】
n+ 型領域16上には、厚さ100nmのポリシリコン層12と厚さ50nmのWSi層13の2層からなる配線が形成され、シリコン基板10内に形成された他の半導体装置等と接続されている。ポリシリコン層12とWSi層13の2層からなる配線及びフィールド酸化膜11を覆って基板表面の全面に厚さ5nmのアモルファスSi層14が形成されている。アモルファスSi層14の上に厚さ100nmのHTO膜15が形成されている。
【0034】
このように、HTO膜の下に全面にアモルファスSi層を形成しておくことにより、糸状異物の発生を防止することができる。なお、アモルファスSi層14の代わりにTEOS薄膜あるいはSiN薄膜を用いてもよい。
【0035】
図2(B)は、他の実施例による半導体装置を示す。シリコン基板20上の配線領域を除く領域にリンシリケートガラス(PSG)膜21が形成されている。PSG膜21が形成されていない配線領域には、シリコン基板21上に金属配線22が形成されている。金属配線22の表面はアモルファスSi層23で覆われている。PSG膜21及びアモルファスSi層23の上にHTO膜24が形成されている。
【0036】
このように、金属配線をアモルファスSiで覆うことにより、金属配線自体が原因となって糸状異物が発生する場合、あるいは金属配線表面に集中して金属パーティクルが付着している場合に糸状異物の発生を防止することができる。また、基板全面をアモルファスSiで覆わないため、配線間の絶縁性を良好に保つことができる。なお、アモルファスSi層14の代わりにTEOS薄膜あるいはSiN薄膜を用いてもよい。
【0037】
図2(C)は、さらに他の実施例による半導体装置を示す。シリコン基板30の表面にフィールド酸化膜31により活性領域が画定されている。この活性領域にn+ 型領域36が形成されている。n+ 型領域36は、例えば、MOSFETのソース領域またはドレイン領域等である。
【0038】
n+ 型領域36及びフィールド酸化膜31を覆うようにPSG膜32が形成されている。PSG膜32にはn+ 型領域36の一部表面を露出するようにコンタクトホールが形成されている。このコンタクトホールを介して金属配線33がn+ 型領域36に接続されている。
【0039】
金属配線33の表面を含む基板全面を覆うようにTEOS薄膜あるいはSiN薄膜34を堆積する。TEOS薄膜あるいはSiN薄膜34の上にHTO薄膜35が形成されている。
【0040】
このように、HTO薄膜の下に全面にTEOS薄膜あるいはSiN薄膜34を形成しておくことにより、糸状異物の発生を防止することができる。金属配線を覆う薄膜としてTEOS薄膜あるいはSiN薄膜を使用すると、それ自体良好な絶縁物であるためアモルファスSi薄膜を使用した場合に比べてより良好な絶縁特性を得ることができる。
【0041】
上記実施例では、HTO膜形成時の糸状異物の発生を防止する例について説明したが、その他の薄膜形成にも適用することができる。例えば、CVD等によりポリシリコン層を形成する場合には、角状の異物が発生することが知られている。この場合も、角状異物の発生は、基板表面の金属汚染が原因と考えられている。従って、上記実施例の方法により、アモルファスSi膜、TEOS薄膜あるいはSiN膜等で金属汚染物を覆ってしまうことにより、角状異物の発生を防止できると考えられる。
【0042】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、薄膜形成時に金属汚染物が原因となって発生する糸状異物等の発生を防止することができる。このため、半導体装置の歩留り及び信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による薄膜形成方法を説明するための基板断面図である。
【図2】本発明の実施例によって作製した半導体装置の部分断面図である。
【図3】従来例にる薄膜形成方法で作製した薄膜上に発生した糸状異物の断面図である。
【符号の説明】
1、10、20、30 シリコン基板
2 金属パーティクル
3 アモルファスSi膜
4、15、24、35 HTO膜
11、31 フィールド酸化膜
12 ポリシリコン層
13 WSi層
14、23 アモルファスSi
16、36 n+ 型領域
21、32 PSG膜
22、33 金属配線
34 TEOS薄膜もしくはSiN薄膜
50 シリコン基板
51 HTO膜
52 糸状異物
53 金属パーティクル
Claims (1)
- 表面上に金属配線が形成された処理対象基板を準備する工程と、
前記処理対象基板の表面に、前記金属配線を覆うように、厚さ0.05μm以下、かつ0.005μm以上のアモルファスSi薄膜を形成する工程と、
前記アモルファスSi薄膜上に、気相成長法により堆積温度700℃以上で酸化シリコン膜を形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP29337394A JP3950487B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
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JP4887394 | 1994-03-18 | ||
JP6-48873 | 1994-03-18 | ||
JP29337394A JP3950487B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
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JPH07307298A JPH07307298A (ja) | 1995-11-21 |
JP3950487B2 true JP3950487B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=26389209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP29337394A Expired - Lifetime JP3950487B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3950487B2 (ja) |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP29337394A patent/JP3950487B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07307298A (ja) | 1995-11-21 |
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