TWI471454B - 非化學計量化學氣相沈積法介電質薄膜表面鈍化用於薄膜粗糙度控制之方法 - Google Patents
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Description
本發明所屬之技術領域係關於降低膜粗糙度與瑕疵。更特定言之，本發明係關於消除用於半導體或積體電路(IC或晶片)加工之化學氣相沈積(CVD)膜諸如(例如)電漿增強化學氣相沈積(PECVD)膜之膜粗糙度之方法。
本申請案主張2008年11月12日申請之美國臨時專利申請案第61/113,805號，標題為「非化學計量化學氣相沈積法介電質薄膜表面鈍化用於薄膜粗糙度控制之方法(Method Of Nonstoichiometric CVD Dielectric Film Surface Passivation For Film Roughness Control)」之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
近幾年，人們已開始關注尤其在半導體或IC加工領域之沈積層。沈積係IC製造中之一個步驟。於沈積期間，例如，使電絕緣(介電)或電傳導性材料之層沈積或生長於矽晶圓上。沈積之一種類型係化學氣相沈積(CVD)。CVD係用於將作為(例如)介電質(絕緣體)、金屬(導體)、或半導體(部份導體)之膜沈積於基板上。於CVD處理期間，可使含有待沈積材料之原子之前驅氣體在基板表面反應，並形成固體材料薄膜。
CVD之一種形式係電漿增強化學氣相沈積(PECVD)。PECVD係用作主要用於在某些基板上自氣相(蒸氣)沈積介電質薄膜為固態之半導體加工之沈積方法。在此過程中涉及一些於產生反應性前驅氣體之電漿之後發生的化學反應。
隨著IC技術不斷進步，於CVD與PECVD中存在提供具有受控表面粗糙度之膜的需求。期望一光滑的表面，因其可使微影過程具有良好結果。亦存在提供無瑕疵膜，及提供黏著至主基板之膜的需求。此外，還存在提供厚度、以及化學、電學、及機械特性均一之膜的需求。
進一步期望於基板處理流程中消除，或至少降低，金屬前介電質(PMD)、金屬層間介電質(IMD)、與鈍化模組中之膜粗糙度。進一步期望改良瑕疵監控，如，例如由KLA-Tencor Corporation提供之線上基板瑕疵監控。進一步期望提供介電質層之一光滑表面。
根據一實施例，提供一種於介電質薄膜之化學氣相沈積(CVD)中降低膜表面粗糙度之方法。該方法之一步驟係藉由利用反應物鈍化膜表面而自CVD介電質薄膜之膜表面除去懸鍵。
根據一實施例，系統可包括用於藉由化學氣相沈積(CVD)將介電質薄膜沈積於一晶圓上之裝置與用於依介電質薄膜沈積次序於原位引入氣體反應物之裝置。用於引入氣體反應物之裝置可經操作而自藉由CVD沈積之介電質薄膜之膜表面除去懸鍵。
根據另一實施例，提供一種於介電質薄膜之化學氣相沈積(CVD)中降低膜表面粗糙度之方法。介電質薄膜之表面粗糙度的降低係於蒸氣環境中藉由氣體反應物鈍化介電質薄膜、或先前介電質薄膜、或介電質薄膜與先前介電質薄膜之非化學計量膜表面而完成。
根據其他實施例，懸鍵移除步驟可藉由自先前介電質薄膜之膜表面除去懸鍵來降低後成膜之表面粗糙度。可於主要的膜沈積步驟之前或之後、或之前與之後進行懸鍵除去步驟。較佳地，可依介電質薄膜沈積次序於原位進行懸鍵除去步驟。
於其他實施例中，可沈積後成介電質薄膜，及其可包括出自以下組群之至少一者：金屬前介電質(PMD)薄膜、金屬層間介電質(IMD)薄膜、或鈍化薄膜。該介電質薄膜可包括出自以下組群之至少一者：紫外光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2
)、氮化矽(Si3
N4
)、磷矽酸鹽玻璃(PSG)、或氮氧化矽(SiON)。該氣體反應物可包括出自以下群組之至少一者：氨(NH3
)、氫氣(H2
)、一氧化二氮(N2
O)、或氧氣(O2
)。
有數種適合於上述方法與系統之CVD方法。例如，該CVD方法可為出自以下群組之一者：熱CVD(TCVD)、大氣壓CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)、超高真空CVD(UHVCVD)、氣溶膠輔助CVD(AACVD)、直接液體注入CVD(DLICVD)、微波電漿輔助CVD(MPCVD)、電漿增強CVD(PECVD)、遠程電漿增強CVD(RPECVD)、原子層CVD(ALCVD)、熱線CVD(HWCVD)、觸媒CVD(Cat-CVD)、熱燈絲CVD(HFCVD)、有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)、混合物理化學氣相沈積(HPCVD)、快速熱CVD(RTCVD)、或氣相磊晶(VPE)。
實施例中之至少一者可提供具有受控表面粗糙度之膜。實施例中之至少一者可提供無針孔之膜，及黏著於主基板上之膜。實施例中之至少一者可提供厚度、以及化學、電學、與機械特性均一之膜。
實施例中之至少一者可於基板處理流程中消除、或至少降低金屬前介電質(PMD)、金屬層間介電質(IMD)與鈍化模組之薄膜粗糙度。此降低可使微影術變得更不重要。
實施例中之至少一者可改良瑕疵監控，如，例如利用KLA-Tencor之線上基板瑕疵監控。此膜粗糙度之控制可使KLA瑕疵檢測更敏感及準確至更小的瑕疵檢測極限尺寸。
實施例中之至少一者可提供介電質層之光滑表面。此等光滑表面可提供具有可靠裝置特性之前端IC裝置更佳的成品電路板。
熟習此項技術者自以下論述與專利申請範圍當可輕易瞭解本發明之其他技術優勢。本申請案之各種實施例僅獲得所述優勢之一子集。任一優勢對實施例皆係非至關重要的。任一主張之實施例可在技術上與任一前述主張之實施例組合。
下文所描述之方法可用於降低任一合適的膜粗糙度。然而，所描述之方法特別適用於在CVD過程中，例如於半導體或IC加工領域中降低(若非消除)膜粗糙度。CVD之一種形式係電漿增強化學氣相沈積(PECVD)。PECVD可用作於某些基板上自氣態(蒸氣)沈積薄膜為固態之沈積方法。PECVD適用於半導體或IC加工。
基板或晶圓加工係半導體與IC製造之一重要部分。加工過程可涉及一系列操作，如(例如)氧化、遮罩、蝕刻、摻雜、介電質沈積、金屬化，及鈍化。例如，在沈積期間，可使電絕緣(介電)材料、導電性材料，或其組合之膜或層沈積或生長於一基板(如矽晶圓)上。此膜可(例如)係金屬前介電質(PMD)薄膜，其於多層金屬結構中可先於任一金屬層沈積，例如在複合層膜中作為一分離起始層。膜層之另一實例可係金屬層間介電質(IMD)薄膜，其係於導體線或結構之間沈積。膜層之進一步實例係鈍化薄膜，其係經沈積以保護電路免受破壞與污染的最後介電質層。可於此層中蝕刻開孔以允許藉由電探針與導線結合來通達金屬之頂層。
膜可包含一或多個懸鍵。當一原子錯過其有可能與之結合之相鄰原子時便產生懸鍵。此等懸鍵係會擾亂電子流動及可聚集電子的瑕疵。懸鍵可係斷裂的共價鍵。可於大部分結晶材料表面上發現因於其上不存在晶格原子而產生的懸鍵。固體材料中之結晶、非晶形，及甚至空位團簇之成核作用對(例如)半導體工業可係重要的。懸鍵可導致形成後成層，因懸鍵可變成後成層之極具活性的成核點。此等懸鍵的形成可導致膜層變粗糙及不平坦。此等懸鍵的形成可生長並隨著藉由懸鍵沈積於層頂端之每個後成層而變得更大。此已藉由圖1與2概略說明。
圖1說明具有一缺失元素之非化學計量Si3
N4
分子10之一實例。該Si3
N4
分子10係不飽和及以字母D標記懸鍵之區域。此懸鍵可導致形成後成層，因懸鍵可變成後成膜層之極具活性的成核位點。
圖2說明膜層20、22、與24之實施例之一實例。層22係層20之後成層，且係沈積於層20之頂端。層24係層20與22之後成層，且係沈積於層20與22之頂端。可使用使層沈積之任一合適方法。此等層20、22、與24具有各自的膜層表面21、23、與25。
於非化學計量膜表面21、23、與25上的懸鍵因在主要CVD沈積過程期間的核生長，可能導致在每一膜層上形成表面粗糙度，例如26A、26B、與26C。此島核形成之一實例以26A標記於膜表面21上。當沈積下一層22時，下一膜表面23上之島核形成26B會生長。當沈積後成層24時，於後成膜表面25上之核形成26C可能已長得更大得多。此等層之非化學計量膜表面21、23與25可能因由島狀核下方之懸鍵所觸發之此等島狀核形成而產生粗糙膜表面。此一未經鈍化之不平坦表面將不光滑，且可導致較差之晶片品質。
轉至圖3與4，根據至少一實施例，可於介電質薄膜之CVD中藉由一反應物將懸鍵自CVD介電質薄膜之膜表面除去來降低(若非消除)膜表面粗糙度。當藉由一反應物鈍化CVD介電質薄膜之非化學計量表面時，活潑的成核位點(即於前一膜層之膜表面上之懸鍵)減少，及後成膜層免於變成粗糙的膜層。此減少使得微影方法變得更不重要。因可控制粗糙度的降低，及此可使KLA瑕疵檢測更敏感及精確至更小尺寸的瑕疵檢測極限。消除或至少高度減少隨後沈積層之反應性成核位點可產生光滑的膜表面，並對具有可靠裝置特性之前段裝置提供更佳的成品電路板。此已藉由圖3與4概略說明。
圖3說明化學計量Si3
N4
分子30之一實例。此處不存在懸鍵，因Si3
N4
分子30已經一反應物元素鈍化。Si3
N4
之此等熱力學上穩定的化學計量形成可產生經鈍化的光滑膜表面。
圖4說明膜層40、42、與44之實施例之實例。層42係層40之後成層且係沈積於層40之頂端。層44係層40與42之後成層且係沈積於層40與42之頂端。可使用使層沈積之任一合適方法。此等層40、42、與44具有各自的膜層表面41、43、及45。因已除去所有或實質上所有的懸鍵，故該等膜表面41、43、與45係化學計量膜表面。此可藉由一反應物完成。
圖5說明在介電質薄膜之CVD中降低膜表面粗糙度之一代表方法50之流程圖。根據一實施例，方法50較佳起始於步驟52。如下所指，可以圖7中說明之系統70之不同組態來實施本發明所教授內容。因此，方法50之較佳起始點與組成方法50之步驟順序可視所選擇之實施而定。
根據一實施例，用於在介電質薄膜之CVD中降低膜表面粗糙度之方法50可包括藉由一反應物將懸鍵自CVD介電質薄膜之膜表面除去。於步驟52中藉由一反應物鈍化CVD介電質薄膜之非化學計量表面。
根據一實施例，該方法可另外包含沈積一後成介電質薄膜。此由步驟54作說明。鈍化步驟藉由將懸鍵自前一介電質薄膜之膜表面除去來降低後成膜之表面粗糙度。藉由除去前一膜之懸鍵，可降低後成膜之表面粗糙度。鈍化可實質上終止所有懸鍵。因此，可提供用於後成CVD介電質薄膜之膜粗糙度控制之鈍化CVD介電質薄膜表面之方法。
根據一實施例，鈍化步驟係於主要膜沈積步驟之前或之後進行。例如，可於主要膜沈積步驟之前之先前步驟進行鈍化，以除去前一膜層之膜表面上之懸鍵。藉由鈍化其上沈積主要膜之最底層，可避免粗糙的後成層。或，可於主要膜沈積步驟之後之隨後步驟進行鈍化，以除去當前介電質薄膜層之膜表面上之懸鍵。根據一實施例，鈍化步驟係於主要膜沈積步驟之前與之後進行。因此，可除去在前一CVD膜層之表面上之所有活潑成核位點，以使後成CVD膜免於變成粗糙膜層。
根據一實施例，依照一介電質薄膜沈積次序於原位進行鈍化步驟。此允許以一順序過程而非兩獨立過程進行鈍化。一旦晶圓位於處理工具中，即可沈積該第一膜層，且替代將晶圓自工具中移出，可將晶圓留於處理工具內，且可打開氣體反應物以進行鈍化過程。因此，於一順序過程中進行沈積過程與鈍化過程。藉此可免除移出晶圓並再次將其置回處理工具之額外工作。此外，未破壞可產生更佳結果之真空。
根據一實施例，CVD介電質薄膜如UV光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2
)、氮化矽(Si3
N4
)、磷矽酸鹽玻璃(PSG)或氮氧化矽(SiON)之非化學計量表面係藉由一如氨(NH3
)、氫氣(H2
)、一氧化二氮(N2
O)或氧氣(O2
)之氣體反應物鈍化。用於在介電質薄膜之化學氣相沈積(CVD)中降低膜表面粗糙度之方法可包括一介電質薄膜，該介電質薄膜包括出自以下群組之至少一者：紫外光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2
)、氮化矽(Si3
N4
)、磷矽酸鹽玻璃(PSG)、或氮氧化矽(SiON)。該氣體反應物可包括出自以下群組之至少一者：氨(NH3
)、氫氣(H2
)、一氧化二氮(N2
O)、或氧氣(O2
)。
根據一實施例，鈍化步驟可係製造晶片、積體電路(IC)、或半導體之過程之一部分。介電質薄膜可包括出自以下群組之至少一者：金屬前介電質(PMD)薄膜、金屬層間介電質(IMD)薄膜、或鈍化薄膜。
根據一實施例，該膜層係PECVD膜層。然而，所使用之CVD方法可為出自以下群組之任一者：熱CVD(TCVD)、大氣壓CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)、超高真空CVD(UHVCVD)、氣凝膠輔助CVD(AACVD)、直接液體注射CVD(DLICVD)、微波電漿輔助CVD(MPCVD)、電漿增強CVD(PECVD)、遠程電漿增強CVD(RPECVD)、原子層CVD(ALCVD)、熱線CVD(HWCVD)、觸媒CVD(Cat-CVD)、熱燈絲CVD(HFCVD)、有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)、混合物理-化學氣相沈積(HPCVD)、快熱CVD(RTCVD)，或氣相磊晶(VPE)。
根據一實施例，圖6說明用於在介電質薄膜之CVD中降低膜表面粗糙度的方法60。於步驟62中，方法60包括提供一介電質薄膜，該介電質薄膜包含選自由以下成分組成之群組之至少一者：紫外光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2
)、氮化矽(Si3
N4
)、磷矽酸鹽玻璃(PSG)，與氮氧化矽(SiON)。於另一步驟64中，方法60包括提供一氣體反應物，該氣體反應物包含選自由以下成分組成之組群之至少一者：氨(NH3
)、氫氣(H2
)、一氧化二氮(N2
O)，與氧氣(O2
)。於步驟66中，方法60亦包括藉由利用該氣體反應物鈍化介電質薄膜、或先前介電質薄膜、或介電質薄膜與先前介電質薄膜之非化學計量膜表面，來降低介電質薄膜的表面粗糙度。可以任何次序進行此等步驟或可組合此等步驟，以降低膜表面粗糙度。根據一實施例，方法60宜起始於步驟62。如下所述，可以圖7所說明之系統70的不同組態來實施本發明所教授的內容。因此，方法60之較佳起始點及組成方法60之步驟順序可視所選擇之實施而定。
方法60可藉由在蒸氣環境中利用氣體反應物鈍化介電質薄膜、或先前介電質薄膜、或介電質薄膜與先前介電質薄膜之非化學計量膜表面來降低介電質薄膜之表面粗糙度。該介電質薄膜可包括出自以下群組之至少一者：紫外光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2
)、氮化矽(Si3
N4
)、磷矽酸鹽玻璃(PSG)，或氮氧化矽(SiON)，且該氣體反應物可包括出自以下群組之至少一者：氨(NH3
)、氫氣(H2
)、一氧化二氮(N2
O)，或氧氣(O2
)。
根據其他實施例，鈍化會使膜表面上的懸鍵飽和；可於主要膜沈積步驟之前或之後、或之前及之後進行鈍化步驟；及/或依照介電質薄膜沈積次序，於原位進行鈍化步驟。
根據一實施例，鈍化步驟可係製造晶片、積體電路(IC)、或半導體之過程的一部分。另外，至少一介電質薄膜可包括出自以下群組之至少一者：金屬前介電質(PMD)膜、金屬層間介電質(IMD)膜，或鈍化膜。
可利用系統70或任何其他可經操作以實施方法50或60之系統來實施方法50或60。於特定實施例中，可部分地在電腦可讀取媒體中運行之軟體中實施方法50或60。
根據一實施例，系統70可包括用於藉由CVD在晶圓上沈積介電質薄膜的裝置與用於依照介電質薄膜沈積次序於原位引入氣體反應物的裝置。該用於引入氣體反應物的裝置可經操作以使藉由CVD沈積之介電質薄膜的懸鍵飽和。
圖7說明用於藉由CVD沈積介電質薄膜及引入氣體反應物之系統70的代表實施例。將晶圓78安置於CVD機器71中之處理工具中。橢圓76顯示CVD過程之化學蒸氣。用於CVD之氣體係自供應器73經由管道72供應至CVD機器71。除此之外，系統70亦可包括用於除去懸鍵之氣體反應物的供應器75。可經由管道74將氣體反應物供應至CVD機器71中。管道74可與管道72結合。
系統70允許依照介電質薄膜沈積次序於原位進行鈍化步驟。此允許以一順序過程替代兩獨立過程來進行飽和。一旦晶圓78位在CVD機器71之處理工具中，即可沈積膜層(例如主要薄膜)，且替代自工具中移出晶圓78，可使晶圓78留在CVD機器71內，及隨後可打開氣體反應物以進行鈍化過程。因此，系統70使沈積過程與鈍化過程可在一順序過程中進行。藉此免除移出晶圓78與再次將其放回CVD機器71之處理工具中之額外工作。再者，未破壞可獲得更佳結果之CVD機器71中之真空。
根據一實施例，用於沈積之裝置可經操作以沈積一介電質薄膜，該介電質薄膜包含出自以下群組之至少一者：紫外光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2
)、氮化矽(Si3
N4
)、磷矽酸鹽玻璃(PSG)、或氮氧化矽(SiON)。用於引入氣體反應物之裝置可經操作以引入一氣體反應物，該氣體反應物包含出自以下群組之至少一者：氨(NH3
)、氫氣(H2
)、一氧化二氮(N2
O)、或氧氣(O2
)。
該系統可實施任一CVD方法。較佳地，用於沈積之裝置可經操作以藉由出自以下CVD方法之群組之一者來沈積介電質薄膜：熱CVD(TCVD)、大氣壓CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)、超高真空CVD(UHVCVD)、氣溶膠輔助CVD(AACVD)、直接液體注射CVD(DLICVD)、微波電漿輔助CVD(MPCVD)、電漿增強CVD(PECVD)、遠程電漿增強CVD(RPECVD)、原子層CVD(ALCVD)、熱線CVD(HWCVD)、觸媒CVD(Cat-CVD)、熱燈絲CVD(HFCVD)、有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)、混合物理-化學氣相沈積(HPCVD)、快熱CVD(RTCVD)、或氣相磊晶(VPE)。
圖8顯示具有因島狀核生長而導致之粗糙膜表面形成之代表膜層之粗糙膜表面。此處尚未根據本發明之一實施例沈積膜層。圖9顯示根據本發明方法之至少一實施例之代表膜層之光滑膜表面。從圖8與9之對比中可發現膜表面粗糙度之不同。例如，圖9之光滑膜表面可作為原位膜沈積順序之一部分獲得，在主要膜沈積步驟之前之先前鈍化步驟或在主要膜沈積步驟之後之隨後鈍化步驟於蒸氣環境中關閉反應性Si前驅氣體(例如TEOS、或SiH4
)，以使其他氣體反應物(例如NH3
、N2
O、或O2
)飽和。此非化學計量膜表面之鈍化可藉由將懸鍵自先前介電質薄膜層之表面除去來使在隨後膜層上形成光滑膜表面。
以上所討論之系統及方法可在介電質薄膜之CVD中降低膜表面粗糙度，例如當製造晶片、積體電路(IC)、或半導體時。因此，本發明十分適合於執行目標並達到所述目標與優勢，以及其中之其他固有內容。雖然已藉由參考本發明之特佳實施例描述及定義本發明，但此等參考不意味對本發明之限制，且不推測此等限制。如熟悉相關技藝之一般技術者所當知曉，本發明可就形式與功能進行明顯修改、替換、與等價。本發明所描述之較佳實施例僅為範例，其並未完全囊括本發明之範圍。所以，本發明係僅受隨附申請專利範圍之範疇及精神所限制，並對等價內容之各方面給予完全認定。
10．．．不飽和Si3
N4
分子
20．．．膜層
21．．．膜層20之膜層表面
22．．．膜層
23．．．膜層22之膜層表面
24．．．膜層
25．．．膜層24之膜層表面
26A、26B、26C．．．島狀核
30．．．化學計量Si3
N4
分子
40．．．膜層
41．．．膜層40之膜層表面
42．．．膜層
43．．．膜層42之膜層表面
44．．．膜層
45．．．膜層44之膜層表面
70．．．系統
71．．．CVD機器
72．．．管道
73．．．CVD氣體供應器
74．．．管道
75．．．氣體反應物供應器
76．．．CVD過程之化學蒸氣
78．．．晶圓
D．．．懸鍵所在區域
經併入並構成本說明書之一部分的附圖說明本發明之目前較佳的實施例，且其與上文給出之發明內容與上文給出之較佳實施例之實施方式一起以實例之方式解釋本發明之原理。
圖1顯示非化學計量Si3
N4
分子之一實例。
圖2顯示膜層之一實施例之一實例。
圖3顯示化學計量Si3
N4
分子之一實例。
圖4顯示膜層之一實施例之一實例。
圖5顯示一實施例之代表方法之一流程圖。
圖6顯示一實施例之代表方法之一流程圖。
圖7顯示一系統之一代表實施例。
圖8顯示一具有懸鍵形成之代表膜層之粗糙膜表面。
圖9顯示一根據所揭示方法之至少一實施例的代表膜層之光滑膜表面。
(無元件符號說明)
Claims (15)
- 一種在介電質薄膜之化學氣相沈積(CVD)中降低薄膜表面粗糙度之方法，其包含以下步驟：提供一基板；進行一第一介電質薄膜之一CVD；藉由用一第一氣體反應物鈍化該第一介電質薄膜之一非化學計量薄膜表面而除去該第一介電質薄膜之該非化學計量薄膜表面上的懸鍵；進行直接在該第一介電質薄膜之頂端之一第二介電質薄膜之至少一隨後CVD；及藉由用一第二氣體反應物鈍化該第二介電質薄膜之一薄膜表面而除去該第二介電質薄膜之該薄膜表面上的懸鍵，其中對每一介電質層之每一鈍化步驟藉由將懸鍵自一先前介電質薄膜之薄膜表面除去來降低一後成薄膜之一表面粗糙度。
- 如請求項1之方法，其中該第一氣體反應物及該第二氣體反應物包含選自由以下組成之群中之至少一者：氨(NH3 )、氫氣(H2 )及氧氣(O2 )。
- 如請求項1之方法，其進一步包含在第一次CVD之前除去該基板之一先前沈積薄膜表面上的懸鍵。
- 如請求項1之方法，其中依照一介電質薄膜沈積順序，於原位進行每一鈍化步驟。
- 如請求項1之方法，其中該第一介電質薄膜及/或該第二 介電質薄膜包含選自由以下組成之群中之至少一者：紫外光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2 )、氮化矽(Si3 N4 )、磷矽酸鹽玻璃(PSG)，與氮氧化矽(SiON)。
- 如請求項1之方法，其中該第一氣體反應物及該第二氣體反應物包含選自由以下組成之群中之至少一者：氨(NH3 )、氫氣(H2 )、一氧化二氮(N2 O)，與氧氣(O2 )。
- 如請求項1之方法，其中每一鈍化步驟係製造一晶片、一積體電路(IC)或一半導體的一部分。
- 如請求項1之方法，其中該第一介電質薄膜及/或該第二介電質薄膜係選自由以下組成之群：一金屬前介電質(PMD)薄膜、一金屬層間介電質(IMD)薄膜及一鈍化薄膜。
- 如請求項1之方法，其中該CVD方法係選自由以下組成之群：熱CVD(TCVD)、大氣壓CVD(APCVD)、低壓CVD(LPCVD)、超高真空CVD(UHVCVD)、氣溶膠輔助CVD(AACVD)、直接液體注射CVD(DLICVD)、微波電漿輔助CVD(MPCVD)、電漿增強CVD(PECVD)、遠程電漿增強CVD(RPECVD)、原子層CVD(ALCVD)、熱線CVD(HWCVD)、觸媒CVD(Cat-CVD)、熱燈絲CVD(HFCVD)、有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)、混合物理-化學氣相沈積(HPCVD)、快熱CVD(RTCVD)及氣相磊晶(VPE)。
- 一種在介電質薄膜之化學氣相沈積(CVD)中降低薄膜表 面粗糙度之方法，其包含以下步驟：提供一基板；在製造期間於該基板上沈積一第一介電質薄膜，該第一介電質薄膜包含選自由以下組成之群中之至少一者：紫外光透明氮化矽(UVSIN)、富矽氧化物(SRO)、二氧化矽(SiO2 )、氮化矽(Si3 N4 )、磷矽酸鹽玻璃(PSG)及氮氧化矽(SiON)；藉由用氣體反應物鈍化該第一介電質薄膜之一非化學計量薄膜表面而降低該第一介電質薄膜之一表面粗糙度，該氣體反應物包含選自由以下組成之群中之至少一者：氨(NH3 )、氫氣(H2 )、一氧化二氮(N2 O)及氧氣(O2 )；進行在該第一介電質薄膜之頂端之一第二介電質薄膜之至少一隨後CVD；及藉由將該第二介電質薄膜曝露於氣體反應物而鈍化該第二介電質薄膜之一薄膜表面，該氣體反應物包含選自由以下組成之群中之至少一者：氨(NH3 )、氫氣(H2 )、一氧化二氮(N2 O)及氧氣(O2 )。
- 如請求項10之方法，其中該鈍化除去薄膜表面上之懸鍵。
- 如請求項10之方法，其中在一主要薄膜沈積步驟之前或之後、或者之前及之後進行該鈍化步驟。
- 如請求項10之方法，其中依照一介電質薄膜沈積順序，於原位進行該鈍化步驟。
- 如請求項10之方法，其中該第一介電質薄膜及/或該第二 介電質薄膜中之至少一者係選自由以下組成之群：金屬前介電質(PMD)薄膜、金屬層間介電質(IMD)薄膜及鈍化薄膜。
- 如請求項10之方法，其中該鈍化步驟係製造晶片、積體電路(IC)或半導體的一部分。
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