JP7483038B2 - パルス化学気相堆積による金属酸化物の選択的堆積 - Google Patents

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Description

［０００１］本開示の実施態様は、概して、堆積プロセス、特に金属酸化物の気相堆積プロセスに関する。
［０００２］サブハーフミクロン以下の特徴部を確実に生成することは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）及び極超大規模集積（ＵＬＳＩ）の重要な技術的課題の１つである。しかしながら、回路技術の限界が押し上げられ、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ技術において寸法が小さくなることにより、処理能力にさらなる要求が突きつけられることになった。ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩを成功させる上で、また、個々の基板やダイの回路密度及び品質を向上させるための継続的な取り組みにおいては、信頼性の高いゲート構造物を基板上に形成することが重要である。
［０００３］半導体デバイスを形成するために使用される構造物の形状寸法限界は、技術的限界とせめぎ合うものであるため、小さな限界寸法と高いアスペクト比とを有する構造物、及び、ある所望の材料を有する構造物を製造するための、所望の材料で正確に形成するための必要性を満たすことは、益々困難になってきている。従来の選択的堆積プロセスは、効率的に基板の指定された小さなエリアに限定できないことが多く、その結果、望ましくない材料が基板の望ましくない場所に形成されることになる。したがって、堆積材料は、概して選択性なく基板の表面全体にグローバルに形成されるか、又は基板の望ましくない場所に堆積されるため、選択的堆積プロセスを実現することは難しく、しばしば基板表面にクロスコンタミネーションが発生することになる。
［０００４］したがって、金属酸化物を選択的に堆積するための改善された方法が必要である。
［０００５］本明細書で説明及び議論される実施態様は、２種類以上の金属酸化物層が交互になった層を含むラミネートフィルムなどの金属酸化物材料を堆積するための方法を提供する。金属酸化物材料は非晶質であるが、これは、２種類以上の金属酸化物を合金化することで、材料全体の結晶化を防ぐことができるためである。
［０００６］１つ又は複数の実施態様では、金属酸化物材料を形成する方法は、基板を処理チャンバ内に位置決めすることであって、基板が、１つ又は複数の不動態化された表面、及び１つ又は複数の不動態化されていない表面を有する、基板を位置決めすることと、不動態化された表面が、第１の金属酸化物層を少なくとも実質的に含まないままである一方で、不動態化されていない表面の上又は上方に第１の金属酸化物層を生成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることとを含む。第１の金属アルコキシド前駆体は、熱分解されて、第１の金属酸化物層を生成する。方法は、不動態化された表面が、第２の金属酸化物層を少なくとも実質的に含まないままである一方で、第１の金属酸化物層の上に第２の金属酸化物層を生成するために、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることも含む。第２の金属アルコキシド前駆体は、熱分解されて、第２の金属酸化物層を生成する。方法は、基板を第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返して、第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層とが交互になった層を含むラミネートフィルムを生成することをさらに含む。第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体のそれぞれは、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、又はランタンから選択される異なる金属を有する。
［０００７］他の実施態様では、金属酸化物材料を形成する方法は、基板を処理チャンバ内に位置決めすることであって、基板が、１つ又は複数の不動態化された表面、及び１つ又は複数の不動態化されていない表面を有する、基板を位置決めすることと、不動態化された表面がラミネートフィルムを少なくとも実質的に含まないままである一方で、不動態化されていない表面の上にラミネートフィルムを選択的に堆積するか又はそうでなければ形成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることとを含む。ラミネートフィルムは、２対以上の、第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層とが交互になった層を含む。第１の金属アルコキシド前駆体は、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に、熱分解されて、第１の金属酸化物層を生成する。同様に、第２の金属アルコキシド前駆体は、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に、熱分解されて、第２の金属酸化物層を生成する。
［０００８］いくつかの実施態様では、金属酸化物材料を形成する方法は、基板を処理チャンバ内に位置決めすることであって、基板が、１つ又は複数の不動態化された表面、及び１つ又は複数の不動態化されていない表面を有する、基板を位置決めすることと、不動態化された表面が第１の金属酸化物層を少なくとも実質的に含まないままである一方で、不動態化されていない表面の上又は上方に第１の金属酸化物層を生成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、基板が約１５０℃から約３５０℃の第１の温度に維持されながら、第１の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、第１の金属酸化物層を生成する、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることとを含む。方法は、不動態化された表面が第２の金属酸化物層を少なくとも実質的に含まないままである一方で、第１の金属酸化物層の上に第２の金属酸化物層を生成するために、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、基板が約１５０℃から約３５０℃の第２の温度に維持されながら、第２の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、第２の金属酸化物層を生成する、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることも含む。第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層のそれぞれは、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、それらのドーパント、又は酸化ランタンから選択される異なる金属酸化物を有する。方法は、第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層とが交互になった層を含むラミネートフィルムを生成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すことであって、ラミネートフィルムが非晶質であり、ラミネートフィルムが、約１０対から約１００対の第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層を含む、基板を第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すことも含む。
［０００９］本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施態様を参照することによって、得ることができる。そのうちのいくつかの実施態様は添付の図面で例示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施態様も許容し得ることから、添付図面が本開示の典型的な実施態様を例示しているにすぎず、よって本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
［００１０］本明細書で説明及び議論される１つ又は複数の実施態様による、金属酸化物材料を含むラミネートフィルムを基板上に生成するためのプロセスのフロー図である。 ［００１１］本明細書で説明及び議論される１つ又は複数の実施態様による、ラミネートフィルムの断面図を示す。
［００１２］理解を容易にするために、可能であれば、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに、同一の参照番号を使用した。一実施態様の構成要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実施態様に有益に組み込まれ得ると想定される。
［００１３］しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施態様も許容し得ることから、添付の図面は本開示の典型的な実施態様しか例示しておらず、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
［００１４］１つ又は複数の実施態様では、金属酸化物材料を形成するため、例えば金属酸化物のラミネートフィルムを選択的に堆積するための方法が、提供される。パルス化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス中に２つ以上の金属アルコキシド前駆体が使用されて、基板上にラミネートフィルムを形成する。ラミネートフィルムは、第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層などの、異なる種類の金属を有する２つの異なる金属酸化物が交互になった層を含む。金属酸化物層のそれぞれは、独立して、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ランタン、それらのドーパント、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか又はそれを含み得る。２つ以上の異なる金属酸化物層を合金化することにより、結晶化が防止され、そのため、金属酸化物材料を非結晶性又は非晶質にすると考えられている。
［００１５］図１は、基板又は他の表面上に、金属酸化物材料を含むラミネートフィルムを選択的に堆積するのに使用され得る、プロセス１００のフロー図である。図２は、基板２０２上に堆積されたラミネートフィルム２２０を含むワークピース２００の断面図を示している。ラミネートフィルム２２０は、プロセス１００によって生成され得る異なる種類のラミネートフィルムの一例である。ラミネートフィルム２２０並びに同様の構造体及びデバイスは、バックエンド構造体若しくはデバイス、フロントエンド構造体若しくはデバイス、相互接続構造体若しくはデバイス、パッシベーション構造体若しくはデバイス、フィン構造体若しくはデバイス、ゲート構造体若しくはデバイス、コンタクト構造体若しくはデバイス、又は、半導体デバイス、ディスプレイデバイス、光起電力デバイス、バッテリー若しくはエネルギー貯蔵デバイス、及びその他のデバイスなどのマイクロエレクトロニクスで使用される任意の適切な構造体若しくはデバイスであり得るか又はそれを含み得る。
［００１６］プロセス１００は、図１に示すように動作１１０－１９０を含む。動作１１０では、１つ又は複数の基板は、処理チャンバ内に配置あるいは位置決めされ得る。処理チャンバは、ＣＶＤチャンバ、パルスＣＶＤチャンバ、プラズマＣＶＤ（ＰＥ－ＣＶＤ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、プラズマＡＬＤ（ＰＥ－ＡＬＤ）チャンバ、熱アニールチャンバ、及び他の種類のチャンバであり得るか又はそれを含み得る。１つ又は複数の例では、プロセス１００は、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．から市販されているＴｒｉｌｌｉｕｍ（登録商標）チャンバなどの、熱ＣＶＤチャンバ又は熱ＡＬＤチャンバで実施される。
［００１７］基板２０２は、１つ又は複数の不動態化されていない材料又は表面２０４と、１つ又は複数の不動態化された材料又は表面２０６とを含む。ラミネートフィルム２２０の金属酸化物材料は、１種の表面上に、別の種類の表面と比べて選択的に堆積される。より具体的には、ラミネートフィルム２２０は、不動態化されていない表面２０４上に選択的に堆積されるか又は形成される一方、不動態化された表面２０６は、ラミネートフィルム２２０を形成する金属酸化物材料を完全に含まないか又は実質的に含まないままである。
［００１８］不動態化されていない表面２０４は、ケイ素基板若しくはケイ素含有材料、酸化ケイ素基板若しくは酸化ケイ素含有材料、金属（例えば、銅、タングステン、コバルト、アルミニウム、それらの合金）、又はコンタクト材料、又はそれらの変化形の水素終端表面（－Ｈ）及び／又はヒドロキシル終端表面（－ＯＨ）であり得る。１つ又は複数の例では、不動態化されていない表面２０４は、水素終端ケイ素表面であり、その下層はケイ素基板又はケイ素含有材料である。他の例では、不動態化されていない表面２０４は、ヒドロキシル終端酸化ケイ素表面であり、その下層は酸化ケイ素基板又は酸化ケイ素含有材料である。
［００１９］不動態化された表面２０６は、アルキル終端表面であり得、メチル基（－ＣＨ３）、エチル基（－ＣＨ２ＣＨ３）、プロピル基（－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）、ブチル基（－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）、他のアルキル基、又はそれらの任意の組み合わせなどの１つ又は複数のアルキル基で終端され得る。１つ又は複数の例では、不動態化された表面２０６は、メチル終端表面であり、その下層及び／又は基板は、炭素がドープされた酸化ケイ素（ＳｉＣＯＨ）、例えば、 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．から市販されているＢｌａｃｋ Ｄｉａｍｏｎｄ（登録商標）材料であるか又はそれを含む。
［００２０］１つ又は複数の実施態様では、不動態化された表面２０６は、１つ又は複数の誘電体材料、例えば、酸化ケイ素、ドープされたケイ素材料、又は低誘電率材料、例えば炭素含有材料であるか又はそれを含む。適切な炭素含有材料は、アモルファスカーボン、炭化ケイ素、炭素がドープされた酸化ケイ素材料、又はそれらの組み合わせであり得るか又はそれを含み得る。例示的な低誘電率絶縁誘電体材料は、酸化ケイ素材料、窒化ケイ素材料、炭素がドープされた酸化ケイ素材料、炭化ケイ素材料、炭素系材料、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか又はそれを含み得る。
［００２１］１つ又は複数の例では、不動態化されていない表面２０４は、ヒドリド基、水酸基、又はそれらの組み合わせで終端され、不動態化された表面２０６は、１つ又は複数のアルキル基で終端される。
［００２２］基板２０２は、結晶シリコン（例えばＳｉ＜１００＞又はＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされた若しくはドープされていないポリシリコン、ドープされた若しくはドープされていないシリコンウエハ及びパターニングされた若しくはパターニングされていないウエハのシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、又はサファイアから選択される材料であり得るか又はそれを含み得る。基板２０２は、様々な寸法（例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ、又はその他の直径）を有することがあり、また、長方形又は正方形のパネルであることもある。別途明記されない限り、本明細書に記載の実施態様及び実施例は、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ、又は直径４５０ｍｍの基板上で実行される。ＳＯＩ構造が基板２０２のために利用される実施態様では、基板２０２は、シリコン結晶性基板上に配置された、埋設された誘電体層を含み得る。本明細書で示される実施態様では、基板２０２は、結晶シリコン基板であり得る。さらに、基板２０２は特定の大きさ又は形状に限定されない。基板は、フラットパネルディスプレイの製造に使用される多角形ガラス基板などのように、円形、多角形、正方形、長方形、湾曲した或いは非円形のワークピースであり得る。
［００２３］動作１２０では、ワークピース２００及び／又は基板２０２は、第１の金属アルコキシド前駆体に曝露されて、不動態化されていない表面２０４の上又は上方に第１の金属酸化物層２１０を生成する一方で、不動態化された表面２０６は、第１の金属酸化物層２１０を、完全に含まないのではない場合は少なくとも実質的に含まない。第１の金属アルコキシド前駆体の金属は、第１の金属酸化物層２１０中に含まれる堆積金属酸化物が、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ランタン、又はそのドーパントから選択されるように、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、又はランタンから選択される。
［００２４］動作１３０では、第１の金属酸化物層２１０を含むワークピース２００及び／又は基板２０２は、第１のパージガスに曝露される。第１のパージガスは、副生成物、過剰な前駆体、及び他の望ましくない薬剤又は汚染物質を除去する。第１のパージガスは、窒素（Ｎ２）、アルゴン、ヘリウム、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか又はそれを含み得る。パージガスは、約５００ｓｃｃｍから約４，０００ｓｃｃｍ、例えば約５００ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量を有し得る。
［００２５］動作１２０及び１３０では、第１の金属アルコキシド前駆体は、第１のパルスＣＶＤプロセス中に、熱分解されて、第１の金属酸化物層２１０を生成する。基板２０２は、動作１２０及び１３０中に、約１５０℃から約４５０℃、例えば、約２００℃から約３５０℃、約１５０℃から約３５０℃、又は約２５０℃から約３００℃で加熱及び／又は維持される。ＣＶＤ又は他の処理チャンバの内部空間又は処理領域は、第１のパルスＣＶＤプロセス中に、約１０ｍＴｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒ、例えば、約１００ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒの圧力で維持され得る。
［００２６］ワークピース２００及び／又は基板２０２を第１の金属アルコキシド前駆体及び第１のパージガスに曝露させるサイクルは、１回又は複数回、例えば、２回、３回、５回、約１０回、約１５回、約２０回、約２５回、約３０回、約４０回、約５０回、約６５回、約８０回、約１００回、又はそれより多い回数、実施され得る。ワークピース２００及び／又は基板２０２は、第１のパルスＣＶＤプロセス中に、第１の金属アルコキシド前駆体及び第１のパージガスに連続的に曝露される。
［００２７］１つ又は複数の例では、ワークピース２００及び／又は基板２０２は、約０．１秒から約１０秒の間、第１の金属アルコキシド前駆体に曝露され、その後、約１秒から約１２０秒の間、第１のパージガスに曝露される。他の例では、ワークピース２００及び／又は基板２０２は、約０．１秒から約２秒の間、第１の金属アルコキシド前駆体に曝露され、その後、約１秒から約３０秒の間、第１のパージガスに曝露される。
［００２８］動作１４０では、所望の厚さの第１の金属酸化物層２１０が堆積又は達成された場合、プロセス１００は動作１５０へ進む。所望の厚さの第１の金属酸化物層２１０が堆積又は達成されない場合、所望の厚さの第１の金属酸化物層２１０が達成されるまで、動作１２０及び１３０が繰り返される。第１の金属酸化物層２１０は、約０．０５ｎｍから約１０ｎｍ、例えば、約０．１ｎｍから約５ｎｍ、又は約０．１５ｎｍから約１．２ｎｍの厚さを有し得る。
［００２９］動作１５０では、ワークピース２００及び／又は基板２０２は、第２の金属アルコキシド前駆体に曝露されて、第１の金属酸化物層２１０の上に第２の金属酸化物層２１２を生成する一方で、不動態化された表面２０６は、第２の金属酸化物層２１２を、完全に含まないのではない場合は少なくとも実質的に含まない。第２の金属アルコキシド前駆体の金属は、第２の金属酸化物層２１２中に含まれる堆積金属酸化物が、第１の金属酸化物層２１０のために選択される金属とは異なる金属を有するように、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、又はランタンから選択される。そのため、第２の金属酸化物層２１２は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ランタン、又はそれらのドーパントを含む。そのため、第１の金属酸化物層２１０中の金属は第２の金属酸化物層２１２中の金属とは異なることから、ラミネートフィルム２２０は、非晶質又は非結晶性で維持される。
［００３０］動作１２０及び１５０では、少なくとも第１の金属アルコキシド前駆体及び／又は第２の金属アルコキシド前駆体は、β－ヒドリド脱離プロセスによって熱分解される。第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体は、熱分解されて、共反応物の不存在下で、それぞれ第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層を生成する。典型的なＣＶＤ又はＡＬＤプロセスでは、酸化剤は金属前駆体と共に使用されて金属酸化物を形成する。しかしながら、本明細書で説明及び議論される堆積プロセスは、熱分解、通常β－ヒドリド脱離に依拠して、金属酸化物を生成する。金属酸化物前駆体は、金属源及び酸素源の両方である。そのため、金属アルコキシド前駆体の熱分解は、金属酸化物層の金属及び酸素の両方の単一源である。１つ又は複数の例では、パルスＣＶＤプロセス中の金属アルコキシド前駆体とは無関係である酸化剤等の共反応物は存在しない。他の例では、１つ又は複数の酸化剤（例えば、水、酸素（Ｏ２）、オゾン、過酸化水素、アルコール）は、金属アルコキシド前駆体とともに使用されて、パルスＣＶＤプロセス中に金属酸化物層を生成し得る。
［００３１］１つ又は複数の実施態様では、第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体のそれぞれは、独立して、１つ又は複数の金属プロポキシド化合物（例えば、金属イソプロポキシド化合物）及び／又は１つ又は複数の金属ブトキシド化合物（例えば、金属ｔｅｒｔ－ブトキシド化合物）であるか又はそれを含む。上で議論したように、第１の金属アルコキシド前駆体の金属は、第２の金属アルコキシド前駆体の金属とは異なる。１つ又は複数の例では、第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体のそれぞれは、独立して、チタン（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、チタン（ＩＶ）イソ－プロポキシド、チタン（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、ハフニウム（ＩＶ）イソ－プロポキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）イソ－プロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｎ－プロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）イソ－プロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｎ－ブトキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｎ－プロポキシド、ランタン（ＩＩＩ）イソ－プロポキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｎ－ブトキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、それらの異性体、又はそれらの任意の組み合わせであるか又はそれを含む。他の種類の金属アルコキシド前駆体が、本明細書で説明及び議論されるプロセスに使用され得る。
［００３２］動作１６０では、第２の金属酸化物層２１２を含むワークピース２００及び／又は基板２０２は、第２のパージガスに曝露される。第２のパージガスは、副生成物、過剰な前駆体、及び他の望ましくない薬剤又は汚染物質を除去する。第２のパージガスは、窒素（Ｎ２）、アルゴン、ヘリウム、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか又はそれを含み得る。パージガスは、約５００ｓｃｃｍから約４，０００ｓｃｃｍ、例えば約５００ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量を有し得る。
［００３３］動作１５０及び１６０では、第２の金属アルコキシド前駆体は、第２のパルスＣＶＤプロセス中に、熱分解されて、第２の金属酸化物層２１２を生成する。基板２０２は、動作１５０及び１６０中に、約１５０℃から約４５０℃、例えば、約２００℃から約３５０℃、約１５０℃から約３５０℃、又は約２５０℃から約３００℃で加熱及び／又は維持される。ＣＶＤ又は他の処理チャンバの内部空間又は処理領域は、第２のパルスＣＶＤプロセス中に、約１０ｍＴｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒ、例えば、約１００ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒの圧力で維持され得る。
［００３４］ワークピース２００及び／又は基板２０２を第２の金属アルコキシド前駆体及び第２のパージガスに曝露させるサイクルは、１回又は複数回、例えば、２回、３回、５回、約１０回、約１５回、約２０回、約２５回、約３０回、約４０回、約５０回、約６５回、約８０回、約１００回、又はそれより多い回数、実施され得る。ワークピース２００及び／又は基板２０２は、第２のパルスＣＶＤプロセス中に、第２の金属アルコキシド前駆体及び第２のパージガスに連続的に曝露される。
［００３５］１つ又は複数の例では、ワークピース２００及び／又は基板２０２は、約０．１秒から約１０秒の間、第２の金属アルコキシド前駆体に曝露され、その後、約１秒から約１５０秒の間、第２のパージガスに曝露される。他の例では、ワークピース２００及び／又は基板２０２は、約０．１秒から約２秒の間、第２の金属アルコキシド前駆体に曝露され、その後、約１秒から約３０秒の間、第２のパージガスに曝露される。
［００３６］動作１７０では、所望の厚さの第２の金属酸化物層２１２が堆積又は達成された場合、プロセス１００は動作１８０へ進む。所望の厚さの第２の金属酸化物層２１２が堆積又は達成されない場合、所望の厚さの第２の金属酸化物層２１２が達成されるまで、動作１５０及び１６０が繰り返される。第２の金属酸化物層２１２は、約０．０５ｎｍから約１０ｎｍ、例えば、約０．１ｎｍから約５ｎｍ、又は約０．１５ｎｍから約１．２ｎｍの厚さを有し得る。
［００３７］動作１８０では、所望の厚さのラミネートフィルム２２０が、堆積され、形成され、又は達成された場合、プロセス１００は動作１９０に進み、そこでプロセス１００は完了する。所望の厚さのラミネートフィルム２２０が、堆積、形成、又は達成されない場合、所望の厚さのラミネートフィルム２２０が達成されるまで、動作１２０－１７０が繰り返される。例えば、プロセス１００は、ワークピース２００及び／又は基板２０２を、動作１２０及び１３０で第１の金属アルコキシド前駆体及び第１のパージガスに、また動作１５０及び１６０で第２の金属アルコキシド前駆体及び第２のパージガスに曝露させることを連続的に繰り返して、第１及び第２の金属酸化物層２１０、２１２が交互になった層を含むラミネートフィルム２２０を生成することを含む。動作１２０が動作１８０の後に繰り返されるとき、第１の金属酸化物層２１０は、不動態化されていない表面２０４ではなく、第２の金属酸化物層２１２の上に堆積される。
［００３８］工程１２０－１７０は、ラミネートフィルム２２０が、約２ｎｍから約１００ｎｍ、約５ｎｍから約５０ｎｍ、約１０ｎｍから約３５ｎｍ、又は約１５ｎｍから約２５ｎｍの厚さを有するまで、繰り返される。あるいは、動作１２０－１７０は、所望の数の対の第１及び第２の金属酸化物層２１０、２１２が達成されるまで、繰り返される。ラミネートフィルム２２０は、約２対、約５対、約１０対、約２０対、又は約３０対から約４０対、約５０対、約８０対、約１００対、約１５０対、約２００対、又はそれを超える数の対の第１及び第２の金属酸化物層２１０、２１２を含む。いくつかの例では、ラミネートフィルム２２０は、約１０対から約１００対の第１及び第２の金属酸化物層２１０、２１２を含む。他の例では、ラミネートフィルム２２０は、約１０対から約５０対、又は約２０対から約４０対の第１及び第２の金属酸化物層２１０、２１２を含む。
［００３９］１つ又は複数の実施態様では、第１の金属酸化物層２１０は第１の金属を含み、第２の金属酸化物層２１２は、第１の金属とは異なる第２の金属を含む。ラミネートフィルム２２０は、約５：１から約１５：１、約６：１から約１２：１、又は約７：１から約１０：１の、第２の金属に対する第１の金属の原子比を有する。ラミネートフィルム２２０の１つ又は複数の例では、第１の金属酸化物層２１０は酸化チタンを含み、第２の金属酸化物層２１２は酸化ハフニウムを含む。ハフニウムに対するチタニウムの原子比は、ラミネートフィルム２２０の約５：１から約１５：１、約６：１から約１２：１、又は約７：１から約１０：１である。
［００４０］１つ又は複数の例では、酸化チタンを含む第１の金属酸化物層２１０は、約０．５ｎｍから約２ｎｍの厚さを有し、酸化ハフニウムを含む第２の金属酸化物層２１２は、約０．０８ｎｍから約０．５ｎｍの厚さを有する。いくつかの例では、酸化チタンを含む第１の金属酸化物層２１０は、約０．８ｎｍから約１．５ｎｍの厚さを有し、酸化ハフニウムを含む第２の金属酸化物層２１２は、約０．１ｎｍから約０．３ｎｍの厚さを有する。他の例では、酸化チタンを含む第１の金属酸化物層２１０は、約１ｎｍから約１．２ｎｍ、例えば１．１４ｎｍの厚さを有し、酸化ハフニウムを含む第２の金属酸化物層２１２は、約０．１２ｎｍから約０．２ｎｍ、例えば０．１６ｎｍの厚さを有する。
［００４１］よって、選択的堆積プロセスは、選択的ＣＶＤプロセスによって、基板の異なる表面、例えば異なる部分上に金属酸化物材料を形成するために提供される。よって、基板の異なる位置に形成された、所望の異なる種類の材料を有する構造を得ることができる。
［００４２］本開示の実施態様は、さらに、以下の条項１から３３の１つ又は複数に関する。
［００４３］１．金属酸化物材料を形成する方法であって、処理チャンバ内に基板を位置決めすることであって、基板が、不動態化された表面及び不動態化されていない表面を含む、基板を位置決めすることと；不動態化された表面が少なくとも実質的に第１の金属酸化物層を含まないままである一方で、不動態化されていない表面の上又は上方に第１の金属酸化物層を生成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、第１の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、第１の金属酸化物層を生成する、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；不動態化された表面が少なくとも実質的に第２の金属酸化物層を含まないままである一方で、第１の金属酸化物層の上に第２の金属酸化物層を生成するために、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、第２の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、第２の金属酸化物層を生成する、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層が交互になった層を含むラミネートフィルムを生成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すことであって、第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、及びランタンからなる群より選択される金属を含み、第１の金属アルコキシド前駆体と第２の金属アルコキシド前駆体とが異なる金属を有する、基板を第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すこととを含む、方法。
［００４４］２．金属酸化物材料を形成する方法であって、処理チャンバ内に基板を位置決めすることであって、基板が、不動態化された表面及び不動態化されていない表面を含む、基板を位置決めすることと；不動態化された表面が少なくとも実質的にラミネートフィルムを含まない一方で、不動態化されていない表面上にラミネートフィルムを選択的に堆積することであって、ラミネートフィルムが、２対以上の、第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層が交互になった層を含み、第１の金属アルコキシド前駆体が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に、熱分解されて、第１の金属酸化物層を生成し、第２の金属アルコキシド前駆体が、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に、熱分解されて、第２の金属酸化物層を生成し、第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、及びランタンからなる群より選択される金属を含み、第１の金属アルコキシド前駆体と第２の金属アルコキシド前駆体とが異なる金属を有する、ラミネートフィルムを選択的に堆積することとを含む、方法。
［００４５］３．金属酸化物材料を形成する方法であって、処理チャンバ内に基板を位置決めすることであって、基板が、不動態化された表面及び不動態化されていない表面を含む、基板を位置決めすることと；不動態化された表面が少なくとも実質的に第１の金属酸化物層を含まないままである一方で、不動態化されていない表面の上又は上方に第１の金属酸化物層を生成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、第１の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、第１の金属酸化物層を生成し、その一方で、基板が約１５０℃から約３５０℃の第１の温度で維持される、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；不動態化された表面が少なくとも実質的に第２の金属酸化物層を含まないままである一方で、第１の金属酸化物層の上に第２の金属酸化物層を生成するために、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、第２の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、第２の金属酸化物層を生成し、その一方で、基板が約１５０℃から約３５０℃の第２の温度で維持される、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層が交互になった層を含むラミネートフィルムを生成するために、基板を第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すことであって、ラミネートフィルムが、約１０対から約１００対の、第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層を含む、基板を第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すこととを含み、第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層が、独立して、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ランタン、及びそれらのドーパントからなる群より選択される金属酸化物を含み、第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層とが異なる金属酸化物を含む、方法。
［００４６］４．基板が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に第１の温度で、また第２のパルス化学気相堆積プロセス中に第２の温度で維持され、第１の温度及び第２の温度のそれぞれが、独立して、約１５０℃から約４５０℃である、条項１から３のいずれか一項に記載の方法。
［００４７］５．第１の温度及び第２の温度のそれぞれが、独立して、約２００℃から約３５０℃である、条項１から４のいずれか一項に記載の方法。
［００４８］６．第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層のそれぞれが、独立して、約０．１ｎｍから約５ｎｍの厚さを有し、ラミネートフィルムが、約１０対から約５０対の第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層を有する、条項１から５のいずれか一項に記載の方法。
［００４９］７．第１の金属酸化物層及び／又は第２の金属酸化物層を生成するときに、基板が約１５０℃から約４５０℃の温度で維持される、条項１から６のいずれか一項に記載の方法。
［００５０］８．基板が、約２００℃から約３５０℃の温度で維持される、条項１から７のいずれか一項に記載の方法。
［００５１］９．基板が、約２５０℃から約３００℃の温度で維持される、条項１から８のいずれか一項に記載の方法。
［００５２］１０．ラミネートフィルムが非晶質である、条項１から９のいずれか一項に記載の方法。
［００５３］１１．第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層のそれぞれが、独立して、約０．１ｎｍから約５ｎｍの厚さを有する、条項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
［００５４］１２．第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層のそれぞれが、独立して、約０．１５ｎｍから約１．２ｎｍの厚さを有する、条項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
［００５５］１３．ラミネートフィルムが、約１０対から約５０対の第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層を含む、条項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
［００５６］１４．ラミネートフィルムが約２０対から約４０対の第１の金属酸化物層及び第２の金属酸化物層を含む、条項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
［００５７］１５．ラミネートフィルムが約５ｎｍから約５０ｎｍの厚さを有する、条項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
［００５８］１６．ラミネートフィルムが約１０ｎｍから約３５ｎｍの厚さを有する、条項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
［００５９］１７．ラミネートフィルムが約１５ｎｍから約２５ｎｍの厚さを有する、条項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
［００６０］１８．第１の金属酸化物層が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に生成され、基板が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に第１の金属アルコキシド前駆体及び第１のパージガスに連続的に曝露され、基板が、約０．１秒から約１０秒の間、第１の金属アルコキシド前駆体に、また約１秒から約１２０秒の間、第１のパージガスに曝露される、条項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
［００６１］１９．第１の金属酸化物層が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に生成され、基板が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に第１の金属アルコキシド前駆体及び第１のパージガスに連続的に曝露され、基板が、約０．１秒から約２秒の間、第１の金属アルコキシド前駆体に、また約１秒から約３０秒の間、第１のパージガスに曝露される、条項１から１８のいずれか一項に記載の方法。
［００６２］２０．第１のパージガスが、窒素（Ｎ２）、アルゴン、ヘリウム、又はそれらの組み合わせであり得るか又はそれを含む、条項１から１９のいずれか一項に記載の方法。
［００６３］２１．第２の金属酸化物層が、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に生成され、基板が、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に第２の金属アルコキシド前駆体及び第２のパージガスに連続的に曝露され、基板が、約０．１秒から約１０秒の間、第２の金属アルコキシド前駆体に、また約１秒から約１２０秒の間、第２のパージガスに曝露される、条項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
［００６４］２２．第２の金属酸化物層が、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に生成され、基板が、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に第２の金属アルコキシド前駆体及び第２のパージガスに連続的に曝露され、基板が、約０．１秒から約２秒の間、第２の金属アルコキシド前駆体に、また約１秒から約３０秒の間、第２のパージガスに曝露される、条項１から２１のいずれか一項に記載の方法。
［００６５］２３．第２のパージガスが、窒素（Ｎ２）、アルゴン、ヘリウム、又はそれらの組み合わせであり得るか又はそれを含む、条項１から２２のいずれか一項に記載の方法。
［００６６］２４．第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、金属プロポキシド化合物又は金属ブトキシド化合物を含む、条項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
［００６７］２５．第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、金属イソ－プロポキシド化合物又は金属ｔｅｒｔ－ブトキシド化合物を含む、条項１から２４のいずれか一項に記載の方法。
［００６８］２６．第１の金属アルコキシド前駆体及び第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、チタン（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、チタン（ＩＶ）イソ－プロポキシド、チタン（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、ハフニウム（ＩＶ）イソ－プロポキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）イソ－プロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｎ－プロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）イソ－プロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｎ－ブトキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｎ－プロポキシド、ランタン（ＩＩＩ）イソ－プロポキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｎ－ブトキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、それらの異性体、又はそれらの任意の組み合わせを含む、条項１から２５のいずれか一項に記載の方法。
［００６９］２７．第１の金属酸化物層が酸化チタンを含み、第２の金属酸化物層が酸化ハフニウムを含む、条項１から２６のいずれか一項に記載の方法。
［００７０］２８．第１の金属酸化物層が第１の金属を含み、第２の金属酸化物層が第２の金属を含み、ラミネートフィルムが、約５：１から約１５：１の、第２の金属に対する第１の金属の原子比を有する、条項１から２７のいずれか一項に記載の方法。
［００７１］２９．第１の金属酸化物層が第１の金属を含み、第２の金属酸化物層が第２の金属を含み、ラミネートフィルムが、約６：１から約１２：１の、第２の金属に対する第１の金属の原子比を有する、条項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
［００７２］３０．第１の金属酸化物層が第１の金属を含み、第２の金属酸化物層が第２の金属を含み、ラミネートフィルムが、約７：１から約１０：１の、第２の金属に対する第１の金属の原子比を有する、条項１から２９のいずれか一項に記載の方法。
［００７３］３１．不動態化されていない表面が、ヒドリド基、水酸基、又はそれらの組み合わせで終端され、不動態化された表面が、１つ又は複数のアルキル基で終端される、条項１から３０のいずれか一項に記載の方法。
［００７４］３２．少なくとも第１の金属アルコキシド前駆体又は第２の金属アルコキシド前駆体が、β－ヒドリド脱離プロセスによって熱分解される、条項１から３１のいずれか一項に記載の方法。
［００７５］３３．少なくとも第１の金属アルコキシド前駆体又は第２の金属アルコキシド前駆体が、共反応物の不存在下で、熱分解されて、第１の金属酸化物層又は第２の金属酸化物層を生成する、条項１から３２のいずれか一項に記載の方法。
［００７６］以上の記述は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施態様及びさらなる実施態様が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。本書に記載の全ての文書は、この本文と矛盾しない限りにおいて、あらゆる優先文書及び／又は試験手順を含め、参照により本書に援用される。上述した概要及び具体的な実施態様から自明であるように、本開示の形態が図示され、説明されているが、本開示の本質及び範囲から逸脱することなく、様々な改変が行われうる。したがって、図示され、説明されている本開示の形態によって本開示を限定することは意図されていない。同様に、「備える／含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という語は、米国法の解釈での「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という語の同義語であると見なされる。同様に、組成物、要素、又は要素の群に「備える／含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という移行表現（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ ｐｈｒａｓｅ）が先行する場合は常に、このような組成物又は１つ又は複数の要素の列挙に先だって「実質的に～からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ）」、「～からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｏｆ）」、「～からなる群から選択される（ｓｅｌｅｃｔｅｄ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｇｒｏｕｐ ｏｆ ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｏｆ）」、又は「～である（ｉｓ）」という移行表現を有する同じ組成物又は要素の群も、及びその逆も想定されると、理解される。
［００７７］特定の実施態様及び特徴は、数値の上限のセット及び数値の下限のセットを使用して説明されている。別途明記されない限り、任意の２つの値の組み合わせ（例えば、任意の下方値と任意の上方値との組み合わせ、任意の２つの下方値の組み合わせ、及び／又は任意の２つの上方値の組み合わせ）を含む範囲が想定されると、認識すべきである。以下の１つ又は複数の請求項には、特定の下限、上限、及び範囲が記載されている。

Claims (20)

  1. 金属酸化物材料を形成する方法であって、
    処理チャンバ内に基板を位置決めすることであって、前記基板が、不動態化された表面及び不動態化されていない表面を含み、前記不動態化されていない表面が、ヒドリド基、水酸基、又はそれらの組み合わせで終端される、基板を位置決めすることと；
    前記不動態化された表面が少なくとも実質的に第１の金属酸化物層を含まないままである一方で、前記不動態化されていない表面の上又は上方に前記第１の金属酸化物層を生成するために、前記基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、前記第１の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、前記第１の金属酸化物層を生成する、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；
    前記不動態化された表面が少なくとも実質的に第２の金属酸化物層を含まないままである一方で、前記第１の金属酸化物層の上に前記第２の金属酸化物層を生成するために、前記基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、前記第２の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、前記第２の金属酸化物層を生成する、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；
    前記第１の金属酸化物層と前記第２の金属酸化物層が交互になった層を含むラミネートフィルムを生成するために、前記基板を前記第１の金属アルコキシド前駆体及び前記第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すことと
    を含み、
    前記第１の金属アルコキシド前駆体及び前記第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、及びランタンからなる群より選択される金属を含み、
    前記第１の金属アルコキシド前駆体と前記第２の金属アルコキシド前駆体とが異なる金属を有する、
    方法。
  2. 前記ラミネートフィルムが非晶質である、請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１の金属酸化物層及び／又は前記第２の金属酸化物層を生成するときに、前記基板が１５０℃から４５０℃の温度で維持される、請求項１に記載の方法。
  4. 前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層のそれぞれが、独立して、０．１ｎｍから５ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
  5. 前記ラミネートフィルムが、１０対から５０対の前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層を含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記ラミネートフィルムが、５ｎｍから５０ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
  7. 前記第１の金属酸化物層が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に生成され、前記基板が、前記第１のパルス化学気相堆積プロセス中に前記第１の金属アルコキシド前駆体及び第１のパージガスに連続的に曝露され、前記基板が、０．１秒から１０秒の間、前記第１の金属アルコキシド前駆体に、また１秒から１２０秒の間、前記第１のパージガスに曝露される、請求項１に記載の方法。
  8. 前記第２の金属酸化物層が、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に生成され、前記基板が、前記第２のパルス化学気相堆積プロセス中に前記第２の金属アルコキシド前駆体及び第２のパージガスに連続的に曝露され、前記基板が、０．１秒から１０秒の間、前記第２の金属アルコキシド前駆体に、また１秒から１２０秒の間、前記第２のパージガスに曝露される、請求項１に記載の方法。
  9. 前記第１の金属アルコキシド前駆体及び前記第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、金属プロポキシド化合物又は金属ブトキシド化合物を含む、請求項１に記載の方法。
  10. 前記第１の金属アルコキシド前駆体及び前記第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、チタン（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、チタン（ＩＶ）イソ－プロポキシド、チタン（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、ハフニウム（ＩＶ）イソ－プロポキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｎ－プロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）イソ－プロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｎ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｎ－プロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）イソ－プロポキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｎ－ブトキシド、アルミニウム（ＩＩＩ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｎ－プロポキシド、ランタン（ＩＩＩ）イソ－プロポキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｎ－ブトキシド、ランタン（ＩＩＩ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、それらの異性体、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
  11. 前記第１の金属酸化物層が酸化チタンを含み、前記第２の金属酸化物層が酸化ハフニウムを含む、請求項１に記載の方法。
  12. 前記第１の金属酸化物層が第１の金属を含み、前記第２の金属酸化物層が第２の金属を含み、前記ラミネートフィルムが、５：１から１５：１の、前記第２の金属に対する前記第１の金属の原子比を有する、請求項１に記載の方法。
  13. 前記不動態化された表面が、１つ又は複数のアルキル基で終端される、請求項１に記載の方法。
  14. 少なくとも前記第１の金属アルコキシド前駆体又は前記第２の金属アルコキシド前駆体が、β－ヒドリド脱離プロセスによって熱分解される、請求項１に記載の方法。
  15. 少なくとも前記第１の金属アルコキシド前駆体又は前記第２の金属アルコキシド前駆体が、共反応物の不存在下で熱分解される、請求項１に記載の方法。
  16. 金属酸化物材料を形成する方法であって、
    処理チャンバ内に基板を位置決めすることであって、前記基板が、不動態化された表面及び不動態化されていない表面を含み、前記不動態化されていない表面が、ヒドリド基、水酸基、又はそれらの組み合わせで終端される、基板を位置決めすることと；
    前記不動態化された表面が少なくとも実質的にラミネートフィルムを含まないままである一方で、前記ラミネートフィルムを前記不動態化されていない表面上に選択的に堆積することと
    を含み、
    前記ラミネートフィルムが、２対以上の、第１の金属酸化物層と第２の金属酸化物層が交互になった層を含み、
    第１の金属アルコキシド前駆体が、第１のパルス化学気相堆積プロセス中に、熱分解されて、前記第１の金属酸化物層を生成し、
    第２の金属アルコキシド前駆体が、第２のパルス化学気相堆積プロセス中に、熱分解されて、前記第２の金属酸化物層を生成し、
    前記第１の金属アルコキシド前駆体及び前記第２の金属アルコキシド前駆体が、独立して、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、及びランタンからなる群より選択される金属を含み、
    前記第１の金属アルコキシド前駆体と前記第２の金属アルコキシド前駆体とが、異なる金属を有する、
    方法。
  17. 前記基板が、前記第１のパルス化学気相堆積プロセス中に第１の温度で、また前記第２のパルス化学気相堆積プロセス中に第２の温度で維持され、前記第１の温度及び前記第２の温度のそれぞれが、独立して、１５０℃から４５０℃である、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記第１の温度及び前記第２の温度のそれぞれが、独立して、２００℃から３５０℃である、請求項１７に記載の方法。
  19. 前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層のそれぞれが、独立して、０．１ｎｍから５ｎｍの厚さを有し、前記ラミネートフィルムが、１０対から５０対の、前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層を有する、請求項１６に記載の方法。
  20. 金属酸化物材料を形成する方法であって、
    処理チャンバ内に基板を位置決めすることであって、前記基板が、不動態化された表面及び不動態化されていない表面を含み、前記不動態化されていない表面が、ヒドリド基、水酸基、又はそれらの組み合わせで終端される、基板を位置決めすることと；
    前記不動態化された表面が少なくとも実質的に第１の金属酸化物層を含まないままである一方で、前記不動態化されていない表面の上又は上方に前記第１の金属酸化物層を生成するために、前記基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、前記第１の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、前記第１の金属酸化物層を生成し、その一方で、前記基板が１５０℃から３５０℃の第１の温度で維持される、基板を第１の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；
    前記不動態化された表面が少なくとも実質的に第２の金属酸化物層を含まないままである一方で、前記第１の金属酸化物層の上に前記第２の金属酸化物層を生成するために、前記基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることであって、前記第２の金属アルコキシド前駆体が、熱分解されて、前記第２の金属酸化物層を生成し、その一方で、前記基板が１５０℃から３５０℃の第２の温度で維持される、基板を第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることと；
    前記第１の金属酸化物層と前記第２の金属酸化物層が交互になった層を含むラミネートフィルムを生成するために、前記基板を前記第１の金属アルコキシド前駆体及び前記第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すことであって、前記ラミネートフィルムが、１０対から１００対の、前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層を含む、前記基板を前記第１の金属アルコキシド前駆体及び前記第２の金属アルコキシド前駆体に曝露させることを連続的に繰り返すことと
    を含み、
    前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層が、独立して、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ランタン、及びそれらのドーパントからなる群より選択される金属酸化物を含み、
    前記第１の金属酸化物層と前記第２の金属酸化物層とが異なる金属酸化物を含む、
    方法。
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